JPH0274803A - 位置合わせ装置 - Google Patents

位置合わせ装置

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JPH0274803A
JPH0274803A JP63225804A JP22580488A JPH0274803A JP H0274803 A JPH0274803 A JP H0274803A JP 63225804 A JP63225804 A JP 63225804A JP 22580488 A JP22580488 A JP 22580488A JP H0274803 A JPH0274803 A JP H0274803A
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法隆 榮
Shigeyuki Suda
須田 繁幸
Tetsushi Nose
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    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は位置合わせ装置に関し、例えば半導体素子製造
用の露光装置において、マスクやレチクル(以下「マス
ク」という。)等の第1物体面上に形成されている微細
な電子回路パターンをウェハ等の第2物体面上に露光転
写する際にマスクとウェハとの相対的な位置決め(アラ
イメント)を行う場合に好適な位置合わせ装置に関する
ものである。
(従来の技術) 従来より半導体製造用の露光装置においては、マスクと
ウェハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為の重要
な一要素となっている。特に最近の露光装置における位
置合わせにおいては、半導体素子の高集積化の為に、例
えばサブミクロン以下の位置合わせ精度を有するものが
要求されている。
多くの位置合わせ装置においては、マスク及びウェハ面
上に位置合わせ用の所謂アライメントパターンを設け、
それらより得られる位置情報を利用して、双方のアライ
メントを行っている。このときのアライメント方法とし
ては、例えば双方のアライメントパターンのずれ量を画
像処理を行うことにより検出したり、又は米国特許第4
037989号や特開昭56−157033号公報で提
案されているようにアライメントパターンとしてゾーン
プレートを用い該ゾーンプレートに光束を照射し、この
ときゾーンプレートから射出した光束の所定面上におけ
る集光点位置を検出すること等により行っている。
般にゾーンプレートを利用したアライメント方法は、単
なるアライメントパターンを用いた方法に比べてアライ
メントパターンの欠損にInされずに比較的高精度のア
ライメントが出来る特長がある。
第10図はゾーンプレートを利用した従来の位置合わせ
装置の概略図である。
同図において光源72から射出した平行光束はハーフミ
ラ−74を通過後、集光レンズ76で集光点78に集光
された後、マスク68面上のマスクアライメントパター
ン68a及び支持台62に載置したウェハ60面上のウ
ェハアライメントパターン60aを照射する。これらの
アライメントパターン68a、60aは反射型のゾーン
プレートより構成され、各々集光点78を含む光軸と直
交する平面上に集光点を形成する。このときの平面上の
集光点位置のずれ量を集光レンズ76とレンズ80によ
り検出面82上に導光して検出している。
そして検出器82からの出力信号に基ついて制御回路8
4により駆動回路64を駆動させてマスク68とウェハ
60の相対的な位置決めを行っている。
第11図は第10図に示したマスクアライメントパター
ン68aとウェハアライメントパターン60aからの光
束の結像関係を示した説明図である。
同図において集光点78から発散した光束はマスクアラ
イメントパターン68aよりその一部の光束が回折し、
集光点78近傍にマスク位置を示す集光点78gを形成
、する。又、その他の一部の光束はマスク68を0次透
過光として透過し、波面を変えずにウェハ60面上のウ
ェハアライメントパターン60aに入射する。このとき
光束はウェハアライメントパターン60aにより回折さ
れた後、再びマスク68を0次透過光として透過し、集
光点78近傍に集光しウェハ位置をあられす集光点78
bを形成する。同図においてはウェハ60により回折さ
れた光束が集光点を形成する際には、マスク68は単な
る素通し状態としての作用をする。
このようにして形成されたウェハアライメントパターン
60aによる集光点78bの位置は、ウェハ60のマス
ク68に対するずれ量Δσに応じて集光点78を含む光
軸と直交する平面に沿って該ずれ量Δσに対応した量の
ずれ量Δσ′として形成される。
従来はこのときのずれ量Δσ′を検出しマスク68とウ
ェハ60との位置合わせを行っていた。
(発明が解決しようとする問題点) 第10図に示す位置合わせ装置においてはマスクとウェ
ハの間隔gについて成る量の不確定量が伴い、それによ
り例えば次のような問題点があった。
設計によりマスクとウェハの合致状態を集光点78a、
78bのどちらの位置で検出することも可能であるが、
ずれ量Δσ′がずれ量Δσと間隔gの両方の量に依存す
る量であるため、1つのずれ量Δσ′に対して幾組もの
ずれ量Δ0と間隔gの組が対応してくる。この為、仮に
集光点78aの位置で合致状態を検出しようとする場合
、非合焦時、例えば集光点78bの位置に光束が集光し
ていたとするとずれ量Δσ′の値を正確に測定したとし
ても、ずれ量Δσが正確に決まらない。この為、1回の
位置合わせ動作ですむところ、2回、3回と行う必要が
起りスルーブツトが低下してくる。
又、集光点78bの位置で合致状態を検出しようとした
場合、間隔gの値が粗い値であると、ずれ量Δσ′の値
を正確に測定しても、ずれ量Δσの値が必ずしも零にな
らず合致状態を誤認してしまう。
この他、第11図においてウェハからの回折光の一番外
側の光線がウェハと45°を成しているとすると、マス
クとウェハの間隔測定に値Δgの誤差があったとすると
、ずれ量Δ・σ′にもΔgの誤差が発生してくる。ずれ
量Δσ′とずれ量Δσは1対1に対応しているので、ず
れ量Δσにも値Δgの誤差が発生してくる。
例えば0.01μmの精度で位置合わせを行うには少な
くとも〜0.01μmオーダーの精度で間隔を設定する
必要があるが、従来の方法では難しく、又高精度化を図
ろうとすると装置全体が複雑化してくるという問題点が
あった。
本発明はマスク等の第1物体とウェハ等の第2物体との
位置合わせの際に発生する誤差要因を解決し、高精度に
しかも容易に位置合わせを行なうことのできる簡易な構
成の位置合わせ装置の提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明は第1物体と第2物体の位置ずれ量を求めると共
に、間隔も求め、位置ずれが所定量あると判断したとき
は所定の間隔になるまで第1物体又は第2物体を移動さ
せた後、更に位置ずれ量を求め、若しくは得られた間隔
の値から位置ずれ量を補正する等して第1物体と第2物
体の位置ずれ量を高精度に求めるようにしたことを特徴
としている。
特に本発明では、第1物体面上と第2物体面トに各々物
理光学素子を設け、これらの物理光学素子に入射させた
光束の所定面上に生ずる所定次数の回折光束を検出する
ことにより該第1物体と第2物体との相対的な位置合わ
せを行う際、該第1物体と第2物体の相対的なずれ量Δ
と該第1物体と第2物体との間隔gに依存する2つの量
とずれ量Δ、間隔gの双方に依存しない量との組合わせ
から、又はずれ量Δと間隔gに依存する量、間隔gにの
み依存する量そしてずれ量Δと間隔gのどちらにも依存
しない量との組合わせからずれ量Δと間隔gを求め、こ
のときの該ずれ量Δと間隔gを利用して、該第1物体と
第2物体との位置合わせを行フたことを特徴としている
(実施例) 第1図は本発明の第1実施例の要部概略図、第2図は第
1図の各光束の光路を模式的に展開したときの要部概略
図である。
第1.第2図において11は不図示の半導体レーザ又は
LED等からの光束であり、マスク等の第1物体1面上
の後述する物理光学素子zl。
z2.z3に角度θで入射している。2はウェハ等の第
2物体であり、第1物体1と間隔g隔てて対向配置され
ている。Δは第1物体1と第2物体2との相対的な位置
ずれ量を示している。zl。
z2.z3.z6は各々第1物体1面上に設けた透過型
の物理光学素子であり、光束21は物理光学素子zl、
z2.z3に入射している。z4゜z5は第2物体2面
上に設けた反射型(第2図では透過型)の物理光学素子
で、これらの物理光学素子21〜z6は例えば回折格子
やゾーンプレート等から成っている。
第8図に本実施例に係る第1物体1と第2物体2面上の
物理光学素子のパターン例を示す。
物理光学素子z3はレンズ作用を有しその焦点はFlで
焦点距111f!である。物理光学素子z4は位置ずれ
量と関係なく、常に一定方向に回折光を発生するように
構成されている。12〜27は各々物理光学素子からの
所定次数の回折光、4はラインセンサーやエリアセンサ
ー等のセンサで第1物体1から距lIしたけ離れた位置
に配置されている。al、a2.a3は各々物理光学素
子zl、z2.z3の光軸であり、このうち光軸alと
光軸a2との間は距fiD1、光軸a2と光軸a3との
間は距@02だけ離れている。
点CI、C2,C3はぞれぞれ回折光14゜ff15.
fi7のセンサ上の光束重心。このうち点C1は光軸a
1から距離yO離れたところの点であり1点C3は光軸
a3から距my1mれた位置を示している。
尚、ここで光束重心とは便宜上光束断面内に於て、断面
円各点からの位置ベクトルにその点の光量を乗算したも
のを断面全面で積分したときに、積分値が0ベクトルに
なる点を示している。
5は信号処理回路であり、センサ4からの情報により、
光束u4.fi5.u7の光束重心を求め、又距111
y1.yO,DI、D2等から後述する式を用いて第1
物体1と第2物体2との位置ずれ量Δと間隔gを求めて
いる。6は制御回路であり、信号処理回路5からの位置
ずれ量Δと間隔gに関する情報に従って第1物体1と第
2物体2との位置ずれ量Δと間隔gを制御している。
7はステージコントローラであり、第2物体2を搭載し
ている不図示のステージを制御回路6からの指令に従っ
て駆動している。
本実施例では光源からの光束f11は第1物体1面上の
物理光学素子zl、z2.z3に各々入射している。こ
のうち物理光学素子Z1からは1次回折光12が発生す
る。該回折光12は第2物体2面上の物理光学素子Z4
に入射し、光軸a1に対して角度θ。方向に1次回折光
23を発生する。回折光23が物理光学素子Z6に入射
すると光軸a1と平行方向に1次回折光IL4が発生す
る。そして該回折光j24はセンサ4上の光軸a1から
距myotliれた位置に結像している。
物理光学素子Z4は位置ずれ囲Δに関係なく常に角度θ
。方向に回折光を発生するので距離yOは位置ずれ量Δ
に依存しない量となっている。
本実施例において距1!1yOの値が小さくて測定が難
しいときはレンズ系等で拡大して行っている。光束21
から光束24に至る光路で検出系Aを構成している。
物理光学素子z3に入射した光束11のうち物理光学素
子z3で生じた1次回折光16は物理光学素子Z5に入
射する。そして位置ずれ量Δに応じて回折方向が異る1
次回折光I17が発生する。
回折光JZ7は物理光学素子Z3を0次回折光としてそ
のまま通過する。該回折光I17はセンサ4面上の光軸
a3から距fllyl離れた位置に結像する。センサ4
と第1物体1との距離は一定値しなので距11yfの値
は間隔gと位置ずれ量Δに依存する量となっている。光
束ff1l、 j26.11.7に至る光路で検出系C
を構成している。
一方物理光学素子Z2に入射した光束j21は回折され
、そのうち1次回折光It5は第2物体2で反射(第2
図では通過)し、光軸a2に添ってセンサ4に達する。
光束J25の光束重心C2は位置ずれ量Δと間隔に無関
係に常に光軸a2上にあり、センサ4面上の他の光束重
心CI、C3の位置の基準となワている。光束11から
光束f15に至る光路で検出系Bを構成している。
本実施例において信号処理回路5はセンサ4から読込ん
だ情報からまず光束u4.15. I17の光束重心位
置CI、C2,C3を求めた後、点CI、C2間の距離
d1、点C2,C3間の距離d2を算出し、 yO=dl−Di yl、、、D2−d2 なる関係から距MyO,ylを求めている。
更に距離yO,ylの値と後述する各式の関係を利用し
て位置ずれ量Δと間隔gを求めている。
制御回路6は信号処理回路5からの位置ずれ量Δと間隔
gに関する情報に従ってステージコントローラ7を駆動
させて、所定の位置へ第2物体2を移動させている。
尚本実施例において回折光は1次回折光に限らず2次以
上の高次回折光を用いても同様の効果を得ることができ
る。
本実施例では光源、センサ等を一箇所に集合させて構成
することができる為、光プローブが小型化され、又露光
時の光プローブの移動が不要の為、スループットがより
向上する等の特長を有している。
次に本実施例において第1物体1と第2物体2との位置
ずれ量Δと間隔gの求め方について第2図を参照して説
明する。
第2図の検出系Cは光束11がレンズ作用の働きをする
物理光学素子Z3.Z5を通り、点C3に入射する。こ
のとき光束17の光束重心C3までの距離y1は第1物
体1と第2物体2とのずれ漬Δと間隔gによって決まる
量であり、一般にy1=F1 (6,g) のように表わされる。
般に未知数が2つのある場合、未知数を含む式が2つあ
れば未知数の解を求めることができる。即ち yl=F1 (Δ、g)    ・・・・・・・・・・
・・(+)yo=Fo (6,g)    ・・・・・
・・・・・・・(2)のような2つの関係式が用意でき
れば距離yl。
yOを計測することにより2つの未知数Δ、gを求める
ことができる。
特殊な場合として間隔gのみに依存する量をyo=FO
<g)としたとき の関係式より未知数Δ1gを求めることもできる。
第2図に示す検出系Aにおいては y O= gtanθo…………(4)検出、v−Cに
おいては となる。(4)式、(5)式を用いれば位置ずれ量Δと
間隔gを求めることができる。
第3図は本発明の第2実施例の要部概略図であり、第2
図と同様に示している。同図において検出系B、検出系
Cは第1図の検出系B、検出系Cの場合と同様な作用を
有している。
焦点F2、焦点距@f2の物理光学素子z7に光束Il
lが入射すると物理光学素子z7からは1次回折光f1
8が発生する。該回折光18は物理光学素子z8に入射
し、ずれ量Δに応じて回折方向が異なる1次回折光JZ
9を発生する。該回折光19は光軸から距#y2の位置
に結像する。このときの距離y2の値はずれ量Δと間隔
gに依存している。光束21、i18、そして光束IL
9に至る光路で検出系りを構成してる。
本実施例ではずれ量Δと間隔gに関する2つの関係式 よりずれ量Δと間隔gを求めている。
検出系C,Dは式yl=F1 (Δ、g)、y2=F2
 (6,g)のいずれかに相当し、検出系Bは基準位置
C2を発生している。
光束16のO次回折光210の光束重心は第2物体2の
位置がずれていても光軸a3と一致するので検出系Bの
代わりに使用することができ、そのときは点C5が基準
位置となる。
点C2を基準位置としたときは第3図よりy1=d3−
D3 y2=d4−04 の関係式より距離yt、y2を求めている。
尚、本実施例において検出系りにおいては距離y2を Δ : y2 1l(f2  +  g)  :  (
f2  +  g  +  l、十 g)より求めてい
る。
第4図は本発明の第3実施例の要部概略図である。本実
施例では光束21が角度θで第1物体1に入射している
が主要な動作は第3図に示す第2実施例と同様である。
第4図においては第3図の検出系C,Dを示している。
本実施例において第3図の実施例との主な相異点は基準
位置として点C5に入射する光束110の光束重心を検
出していることである。点C5を検出することにより、
第1物体1と第2物体2とのずれ量が零になる合致時は
光束重心C3と05とが一致してくる。この為物理光学
素子z3゜z7の光軸と物理光学素子z5.z8の光軸
とを予めδl、δ2だけずらしておき合致のときに重な
らないようにしている。
従って第1物体1と第2物体2とがΔだけずれている場
合には(6)式のΔを各々 Δ1=Δ+δ1 Δ2=Δ+δ2 のように置き換えれば良い。
第9図に本実施例に係る第1物体1と第2物体2面上の
物理光学素子z3.z7.z5.z8のパターン例を示
す。同図においてδ1は物理光学素子z3と25との光
軸のずれ量、δ2は物理光学素子z7とz8の光軸のず
れ量を示している。
第5図は本発明の第4実施例の要部概略図であり第2図
と同様に示している。
本実施例では第1物体1面上の物理光学素子に偏心を与
えている。この為、合焦時でも第1物体1と第2物体2
面上の物理光学素子の光軸はずれ(ずれ量:δ)ている
従って第4図の実施例と同様、第1.第2物体がΔだけ
ずれている場合には(1) 、 (2)式のずれ量Δは Δ 3 =Δ+ 63 Δ4 =Δ+ δ4 となる。
本実施例において光束21が物理光学素子z9.zlo
に入射すると1次回折光212゜JZ14が発生する。
又光束1L12.IL14が物理光学素子zll、z1
2に入射すると1次回折光IL13.J215が発生し
、光軸a5.a6から距離y3.ytの位置に結像する
本実施例では検出系Eにおいては Δ3 : y3=x : (x+L+g)Δ3 : e
3=x : (f3+g−x)・・・・・・・・・・−
(8) となる。又検出系Fにおいては ・・・・・・・・・・・・(9) となる。
尚、検出系Bの光束重心C2は第2図の検出系Bと同様
で他の位置の基準となっている。検出系Bの光軸は他の
実施例のように他の2つの検出系の光軸の中間に位置し
ている必要はなく、どこにあっても良い。
本実施例においては距11y3.y4はy3=d5−D
5 y4= (D5+D6)−δ6 式より求めることができる。
第6図は本発明の第5実施例の要部概略図であり、第2
図と同様に示している。
本実施例では第1物体1と第2物体2との間隔gが不適
切である為センサ面上の光束像がずれたり又はボケだ場
合を示している。同図に示すように間隔gが変動すると
センサ上の光束の半値幅αは変動する。又ずれ量Δが変
動しても半値幅αは変動する。従って半値幅αはα;F
3(6,g)のようになる。又光軸a7と光束重心09
間の距離y5はys=Fs (Δ、g)となり、これよ
りとなる。この2式から61gを求めている。
本実施例では半値幅αと同じ値を示す点は結像点の前後
に2箇所あるが、第2物体2を右又は左に動かしてそれ
より前後関係を求めている。
本実施例は1つの検出系から2つの式が得られる特殊な
場合を示している。
本実施例では光束の集光する角度が大きいほど、光軸方
向の単位長さ当りの光束の半値幅の変化が大きいので、
間隔gの変化に対する半値幅の変化を感度よく検出する
ことができる。即ちレンズ系の焦点深度が浅くなり、こ
れより感度よく半値幅αの変化を検出している。
従って、図から分かるように物理光学素子213.21
4は位置合わせ方向に長い方が検出系の感度は良くなる
距l11!y5を測定するには検出系Bのような基準位
置を発生するものが必要であるが、第5実施例のように
光束J216が物理光学素子z14をO次回折光として
通過しセンサ4に達する光束を利用してもよい。
第7図は本発明の第6実施例の要部概略図である。本実
施例では第2図に示した距離yOか第1物体1と第2物
体2との間隔gにのみ依存する場合である。即ち航速の
(3)式、yO=FO(g)の場合に相当している。
同図において光束j21が物理光学素子z15に入射す
ると1次回折光I1.18が発生する。該回折光118
が物理光学素子z16に入射すると0次回折光が透過す
ると共に角度θ6方向に1次回折光120が発生する。
一方回折光218の0次回折光が物理光学素子z17に
入射すると角度θ6方向に1次回折光121が発生する
。これらの回折光120゜IL21はセンサ上の点CI
O,C11面上に結像する。
本実施例では光束j2iから光束IL20若しくは光束
221に至る光路より検出系Gを構成している。
本実施例において点CIO,C11間の距離y6は y5=g拳tanθ6 式より得、これより間隔gを求めている。
(発明の効果) 本発明によれば第1物体と第2物体との位置ずれ量Δと
第1物体と第2物体との間隔gを求めることにより、合
致状態を誤認することがなく、又間隔gの値からずれ量
Δを補正することも可能となり、高錆度な位置合わせが
出来しかもスループットの高い位置合わせ装置を達成す
ることができる。例えば本発明の位置合わせ装置におけ
る検出系Cで位置合わせする場合、前述の諸定数がg=
30μm、fl=100μm、L=18000μm、y
!=300μmの時、間隔gに0.3μmの誤差がある
と、ずれ量Δには0.005μmの誤差が生ずる。従っ
て0.01μmの積度で位置合わせしようとするときは
間隔gの誤差を0.3μm程度以下にする必要がある。
本発明によれば位置ずれ量Δ、間隔gを同時に測定し、
間隔gの誤差を0.3μm以内に押えることが可能なの
で、0.01μmの蹟度の位置合わせが可能である。
又、本発明においては物理光学素子を位置ずれ量Δと間
隔gの両方の検出に共用するようにし、これにより光束
や物理光学素子の数を減少させ、検出系の簡素化及び装
置全体の小型化を図っている。
この他、距離yl、yz等のセンサ上の値を2つの値の
差として得、これにより第2物体2がアライメント方向
に傾いたために生ずる誤差を相殺し、より正確な位置合
わせを可能としている。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例の要部概略図、第2図は第
1図の各光束の光路を模式的に展開したときの要部概略
図、第3図〜第7図は順に本発明の第2〜第6実施例の
要部概略図、第8図は第1図における第1物体1と第2
物体2面上に設けた物理光学素子の説明図、第9図は第
4図における第1物体1と第2物体2面上に設けた物理
光学素子の説明図、第10図、第11図は従来の位置合
わせ装置の概略図である。 図中、1は第1物体、2は第2物体、4はセンサ、5は
信号処理回路、6は制御回路、7はステージコントロー
ラ、j2i〜121は光束、z1〜z17は物理光学素
子、a1〜a8は物理光学素子の光軸、Δ、Δ1〜Δ4
は位置ずれ量、gは間隔である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1物体面上と第2物体面上に各々物理光学素子
    を設け、これらの物理光学素子に入射させた光束の所定
    面上に生ずる所定次数の回折光束を検出することにより
    該第1物体と第2物体との相対的な位置合わせを行う際
    、該第1物体と第2物体の相対的なずれ量Δと該第1物
    体と第2物体との間隔gに依存する2つの量と、ずれ量
    Δ、間隔gの双方に依存しない量との組合わせから、又
    はずれ量Δと間隔gに依存する量、間隔gにのみ依存す
    る量そしてずれ量Δと間隔gのどちらにも依存しない量
    との組合わせからずれ量Δと間隔gを求め、このときの
    該ずれ量Δと間隔gを利用して、該第1物体と第2物体
    との位置合わせを行ったことを特徴とする位置合わせ装
    置。
  2. (2)第1物体面上と第2物体面上に各々物理光学素子
    を設け、これらの物理光学素子に入射させた光束の所定
    面上における所定次数の回折光束を検出することにより
    該第1物体と第2物体との位置合わせを行う際、該第1
    物体と第2物体とのずれ量Δと間隔gの双方を同時に求
    め、このときのずれ量Δと間隔gの値から補正手段によ
    りずれ量Δを補正した後、該第1物体と第2物体との相
    対的な位置合わせを行ったことを特徴とする位置合わせ
    装置。
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