JPH027587A - 可変周波数光源 - Google Patents
可変周波数光源Info
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- JPH027587A JPH027587A JP15887988A JP15887988A JPH027587A JP H027587 A JPH027587 A JP H027587A JP 15887988 A JP15887988 A JP 15887988A JP 15887988 A JP15887988 A JP 15887988A JP H027587 A JPH027587 A JP H027587A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、「発明の目的」
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザの発振周波数を変えることがで
きる可変周波数レーザ光源の改良に関するものである。
きる可変周波数レーザ光源の改良に関するものである。
第４図は可変周波数光源の第１の従来例を示す原理図で
ある。光増幅部４１の出力光は集光レンズ４２を介して
回折格子４３に入射し、１次回折光４５が光増幅部４１
に戻る。４４はＯ次回折光である０回折格子４３を回転
すると光増幅部４１へ戻る１次回折光の波長が変化する
ので、発振波長を制御することができる。
ある。光増幅部４１の出力光は集光レンズ４２を介して
回折格子４３に入射し、１次回折光４５が光増幅部４１
に戻る。４４はＯ次回折光である０回折格子４３を回転
すると光増幅部４１へ戻る１次回折光の波長が変化する
ので、発振波長を制御することができる。
第５図は可変周波数光源の第２の従来例を示す原理図で
ある。光増幅部５１の出力光に対して、第４図のように
回折格子を回転する代りに、音響光学素子５２で回折格
子５３への入射角を変化させて発振波長を制御する。
ある。光増幅部５１の出力光に対して、第４図のように
回折格子を回転する代りに、音響光学素子５２で回折格
子５３への入射角を変化させて発振波長を制御する。
しかしながら、上記のような構成の可変波長レーザ光源
には次のような問題点がある。すなわち、第４図の方式
では回折格子を機械的に動かすので、高精度化が国数で
、応答が悪く、経時変化に弱い。
には次のような問題点がある。すなわち、第４図の方式
では回折格子を機械的に動かすので、高精度化が国数で
、応答が悪く、経時変化に弱い。
また、第５図の方式は光増幅部に戻ってくる光の波長が
ドツプラシフトによりわずかにずれるため、安定な発振
が得られず、発振スペクトル幅が広くなってしまう、ま
た、上記のいずれの方式も周波数の絶対値が分らないの
で、校正が必要である。
ドツプラシフトによりわずかにずれるため、安定な発振
が得られず、発振スペクトル幅が広くなってしまう、ま
た、上記のいずれの方式も周波数の絶対値が分らないの
で、校正が必要である。
本発明は上記の間趙を解決するためになされたもので、
周波数精度が良く、長期安定性に優れた可変周波数光源
を簡単な構成で実現することを目的とする。
周波数精度が良く、長期安定性に優れた可変周波数光源
を簡単な構成で実現することを目的とする。
口、「発明の構成」
〔問題点そ解決するための手段〕
本発明に係る可変周波数光源は半導体レーザと、出力周
波数が高安定な発振器と、前記半導体レーザの出力光の
一部が入射し前記発振器の出力によりその透過光の周波
数が変調される位相変調器と、この位相変調器の出力光
が入射するフアブリ・ペロー干渉計と、このフアブリ・
ペロー干渉計の透過光を入射してその強度を電気信号に
変換する光検出器と、フアブリ・ペロー干渉計の透過周
波数を前記半導体レーザの発振周波数に制御する第１の
制御手段と、フアブリ・ペロー干渉計の自由スペクトル
領域を前記発振器の出力周波数に制御する第２の制御手
段とを備え、発振器の周波数を変えることによって半導
体レーザの発振周波数を変えるように構成したことを特
徴とする。
波数が高安定な発振器と、前記半導体レーザの出力光の
一部が入射し前記発振器の出力によりその透過光の周波
数が変調される位相変調器と、この位相変調器の出力光
が入射するフアブリ・ペロー干渉計と、このフアブリ・
ペロー干渉計の透過光を入射してその強度を電気信号に
変換する光検出器と、フアブリ・ペロー干渉計の透過周
波数を前記半導体レーザの発振周波数に制御する第１の
制御手段と、フアブリ・ペロー干渉計の自由スペクトル
領域を前記発振器の出力周波数に制御する第２の制御手
段とを備え、発振器の周波数を変えることによって半導
体レーザの発振周波数を変えるように構成したことを特
徴とする。
第１の制御手段によりフアブリ・ペロー干渉計の透過周
波数は半導体レーザの発振周波数に追従し、発振器の出
力周波数を変えると、第２の制御手段によりフアブリ・
ペロー干渉計の自由スペクトル領域がこれに追従するよ
うに半導体レーザの発振周波数が変化する。
波数は半導体レーザの発振周波数に追従し、発振器の出
力周波数を変えると、第２の制御手段によりフアブリ・
ペロー干渉計の自由スペクトル領域がこれに追従するよ
うに半導体レーザの発振周波数が変化する。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明に係る可変周波数光源の一実施例を示す
構成ブロック図である。１は半導体レーザ、２，３は半
導体レーザ１からの出射光を２方向に分離するビームス
プリッタ、４はビームス１リツタ３の透過光を位相変調
するＬｉＮｂ０゜（ニオブ酸リチウム）等の電気光学結
晶からなる位相変調器、５は位相変調器４を変調周波数
ｆ。
構成ブロック図である。１は半導体レーザ、２，３は半
導体レーザ１からの出射光を２方向に分離するビームス
プリッタ、４はビームス１リツタ３の透過光を位相変調
するＬｉＮｂ０゜（ニオブ酸リチウム）等の電気光学結
晶からなる位相変調器、５は位相変調器４を変調周波数
ｆ。
で励振する高安定発振器、６は位相変調器４の出力光を
入射するフアブリ・ペロー干渉器、７はフアブリ・ペロ
ー干渉器６のミラー間隔を微小に、例えば波長オーダー
で変化させるためにミラーの一方に取付けられたＰＺＴ
等の圧電アクチュエータ、８はフアブリ・ペロー干渉器
６を格納する真空チャンバ、９はフアブリ・ペロー干渉
器６を透過する光の強度を検出して電気信号に変換する
フォトダイオード等の受光素子−１０は受光素子９の出
力を入力しフアブリ・ペロー干渉計６の透過周波数を半
導体レーザ１の発振周波数に制御する第１の制御手段で
ある。第１の制御手段１０において、１０１は受光素子
９の出力を入力する同期整流回路、１０２は同期整流回
路１０１の出力を入力する制御部である。１１は制御部
１０２の出力を一方の入力とする加算器、１２はその出
力が同期整流回路１０１および加算器１１の他方の入力
となる第２の発振器、１３は受光素子９の出力を入力し
フアブリ・ペロー干渉計６の自由スペクトル領域を発振
器５の出力周波数に制御する第２の制御手段である。第
２の制御手段１３は受光素子９の出力を一方の入力とし
発振器５の出力を他方の入力とする同期整流口１１３１
と、同期整流回路１３１の出力を入力する制御部１３２
から構成される。１４は制御部１３２の出力を一端に入
力しその出力が半導体レーザ１の注入電流となる切換ス
イッチである。１５はビームスプリッタ２の反射光を入
力して半導体レーザ１の発振周波数を基準周波数に制御
する第３の制御手段で、１５１はビームスプリッタ２の
反射光を入射して周波数変調する音響光学変調器、１５
２は音響光学変調器１５１の出力光を入射し特定の波長
の光を吸収するＲｂ、ＮＨｚ等の標準物質を封入した吸
収セル、１５３は吸収セル１５２の透過光を検出して電
気信号に変換する受光素子、１５４は受光素子１５３の
出力を入力する同期整流回路、１５５は周波数で３ （
例えば８０ＭＨｚ）の第３の発振器、１５６は発振器１
５５の出力を入力し音響光学変調器１５１に出力するス
イッチ、１５７はその一方の出力がこのスイッチ１５６
をオンオフ駆動し他方の出力が同期整流回路１５４の参
照信号となる周波数１４の第４の発振器、１５８は同期
整流回路１５４の出力を入力しその出力が切換スイッチ
１４の他方の入力＠ａに接続する制御部である６本装置
の出力光はビームスプリッタ３の反射光として外部に取
出される。
入射するフアブリ・ペロー干渉器、７はフアブリ・ペロ
ー干渉器６のミラー間隔を微小に、例えば波長オーダー
で変化させるためにミラーの一方に取付けられたＰＺＴ
等の圧電アクチュエータ、８はフアブリ・ペロー干渉器
６を格納する真空チャンバ、９はフアブリ・ペロー干渉
器６を透過する光の強度を検出して電気信号に変換する
フォトダイオード等の受光素子−１０は受光素子９の出
力を入力しフアブリ・ペロー干渉計６の透過周波数を半
導体レーザ１の発振周波数に制御する第１の制御手段で
ある。第１の制御手段１０において、１０１は受光素子
９の出力を入力する同期整流回路、１０２は同期整流回
路１０１の出力を入力する制御部である。１１は制御部
１０２の出力を一方の入力とする加算器、１２はその出
力が同期整流回路１０１および加算器１１の他方の入力
となる第２の発振器、１３は受光素子９の出力を入力し
フアブリ・ペロー干渉計６の自由スペクトル領域を発振
器５の出力周波数に制御する第２の制御手段である。第
２の制御手段１３は受光素子９の出力を一方の入力とし
発振器５の出力を他方の入力とする同期整流口１１３１
と、同期整流回路１３１の出力を入力する制御部１３２
から構成される。１４は制御部１３２の出力を一端に入
力しその出力が半導体レーザ１の注入電流となる切換ス
イッチである。１５はビームスプリッタ２の反射光を入
力して半導体レーザ１の発振周波数を基準周波数に制御
する第３の制御手段で、１５１はビームスプリッタ２の
反射光を入射して周波数変調する音響光学変調器、１５
２は音響光学変調器１５１の出力光を入射し特定の波長
の光を吸収するＲｂ、ＮＨｚ等の標準物質を封入した吸
収セル、１５３は吸収セル１５２の透過光を検出して電
気信号に変換する受光素子、１５４は受光素子１５３の
出力を入力する同期整流回路、１５５は周波数で３ （
例えば８０ＭＨｚ）の第３の発振器、１５６は発振器１
５５の出力を入力し音響光学変調器１５１に出力するス
イッチ、１５７はその一方の出力がこのスイッチ１５６
をオンオフ駆動し他方の出力が同期整流回路１５４の参
照信号となる周波数１４の第４の発振器、１５８は同期
整流回路１５４の出力を入力しその出力が切換スイッチ
１４の他方の入力＠ａに接続する制御部である６本装置
の出力光はビームスプリッタ３の反射光として外部に取
出される。
上記のような構成の可変周波数光源の動作を次に説明す
る。
る。
（イ）まずスイッチ１４をａ側にして半導体レーザ１の
発振周波数ｆＯを吸収セル１５２の吸収線周波数に制御
する。すなわち半導体レーザの出力光の一部はビームス
プリッタ２で反射され、音響光学変調器１５１に入射す
る。スイッチ１５６がオンの時音皆光学変調器１５１は
発振器１５５の周波数で、の出力で駆動されるので、入
射光の大部分は回折して周波数シフトを受け、１次回折
光として周波数ｆｏ 十ｆ３の光が吸収セル１５２に入
射する。スイッチ１５６がオフのときは入射光はすべて
０次光として周波数ｆ、で吸収セル１５２に入射する。
発振周波数ｆＯを吸収セル１５２の吸収線周波数に制御
する。すなわち半導体レーザの出力光の一部はビームス
プリッタ２で反射され、音響光学変調器１５１に入射す
る。スイッチ１５６がオンの時音皆光学変調器１５１は
発振器１５５の周波数で、の出力で駆動されるので、入
射光の大部分は回折して周波数シフトを受け、１次回折
光として周波数ｆｏ 十ｆ３の光が吸収セル１５２に入
射する。スイッチ１５６がオフのときは入射光はすべて
０次光として周波数ｆ、で吸収セル１５２に入射する。
スイッチ１５６は発振器１５７の周波数ｆ４のタロツク
で駆動されるので、吸収セル１５２に入射する光は変調
周波数ｆｄ＋変調深さｆ、の周波数変調を受けることに
なる。音響光学変調器１５１からの周波数変調を受けた
光は吸収セル１５２の吸収信号の箇所で透過光量が変調
を受けて出力に信号があられれる。この信号を光検出器
１５３で電気信号に変換し同期整流回路１５４で周波数
で４で同期整流することにより２次微分信号が得られ、
この信号が所定の値となるよう制御部１５８により半導
体レーザ１の注入電流を制御して、発振周波数ｆｏを吸
収波長の中心ｆａに制御することができる。この結果半
導体レーザ１からは発振周波数が変調されていない、瞬
時的に安定な出力光が得られる。また音響光学変調器１
５１で回折した１次光と０次光は共に１つの受光素子１
５３に入射するので、半導体レーザ１の光量の変動の影
響を受けない。
で駆動されるので、吸収セル１５２に入射する光は変調
周波数ｆｄ＋変調深さｆ、の周波数変調を受けることに
なる。音響光学変調器１５１からの周波数変調を受けた
光は吸収セル１５２の吸収信号の箇所で透過光量が変調
を受けて出力に信号があられれる。この信号を光検出器
１５３で電気信号に変換し同期整流回路１５４で周波数
で４で同期整流することにより２次微分信号が得られ、
この信号が所定の値となるよう制御部１５８により半導
体レーザ１の注入電流を制御して、発振周波数ｆｏを吸
収波長の中心ｆａに制御することができる。この結果半
導体レーザ１からは発振周波数が変調されていない、瞬
時的に安定な出力光が得られる。また音響光学変調器１
５１で回折した１次光と０次光は共に１つの受光素子１
５３に入射するので、半導体レーザ１の光量の変動の影
響を受けない。
（ロ）次にフアブリ・ペロー干渉計６の透過周波数をレ
ーザ周波数ｆ、ヘロックする。このとき位相変調器は動
作させず、半導体レーザ１の出力光はそのままフアブリ
・ペロー干渉計６に入射し、周波数で２で変調されて受
光素子９で検出される。
ーザ周波数ｆ、ヘロックする。このとき位相変調器は動
作させず、半導体レーザ１の出力光はそのままフアブリ
・ペロー干渉計６に入射し、周波数で２で変調されて受
光素子９で検出される。
受光素子９の出力は同期整流回路１０１により参照周波
数ｆ２で同期整流され、制御部１０２を介して圧電アク
チュエータフの印加電圧として帰還され、フアブリ・ペ
ロー干渉計６の透過周波数のピークをレーザ発振周波数
ｆａに制御する。
数ｆ２で同期整流され、制御部１０２を介して圧電アク
チュエータフの印加電圧として帰還され、フアブリ・ペ
ロー干渉計６の透過周波数のピークをレーザ発振周波数
ｆａに制御する。
（ハ）次にフアブリ・ペロー干渉計６のＦＳＲ（Ｆｒｅ
ｅ ５ｐｅｃｔｒａｌ Ｒａｎｏｅ：自由スペクトル領
域）を位相変調周波数ｆ、にロックする。まず発振器５
の出力をオンとして位相変調器４を動作させ、第２図（
Ｂ）に示ずようにレーザ光２１の周波数ｆａを中心にサ
ブキャリア２２．２３を発生させる。
ｅ ５ｐｅｃｔｒａｌ Ｒａｎｏｅ：自由スペクトル領
域）を位相変調周波数ｆ、にロックする。まず発振器５
の出力をオンとして位相変調器４を動作させ、第２図（
Ｂ）に示ずようにレーザ光２１の周波数ｆａを中心にサ
ブキャリア２２．２３を発生させる。
変調周波数で１を掃引してサブキャリア２２．２３を周
波数軸上で左右に動かし、第２図（Ａ）に示すフアブリ
・ペロー干渉計６の透過特性のピークの１つの周波数と
Ｐ点において一致したときにスイッチ１４をａ側からｂ
ｌｌｌへ切換える。このときの変調周波数ｆ１の値をｆ
ｌＬとする。この切換の結果、レーザ発振周波数を吸収
周波数にロックするループが切離され、フアブリ・ペロ
ー干渉計６のＦＳＲを変調周波数ｆ１にロックするルー
プが新たに形成される。すなわち、受光素子９の出力を
同期整流回路１３１において周波数で１の信号で同期検
波した出力はＦＭサブキャリア２２゜２３とフアブリ・
ペロー干渉計６の透過ピークとの周波数ずれに比例する
ので、周波数ずれが存在するとこれがゼロになるように
制御部１３２で半導体レーザ１の注入電流を制御し、半
導体レーザ１の周波数を変化させ、第１の制御手段１０
によりフアブリ・ペロー干渉計６の透過ピークがこれに
追従し、結果的にＦＳＲが変調周波数ｆ、に一致するこ
とになる。
波数軸上で左右に動かし、第２図（Ａ）に示すフアブリ
・ペロー干渉計６の透過特性のピークの１つの周波数と
Ｐ点において一致したときにスイッチ１４をａ側からｂ
ｌｌｌへ切換える。このときの変調周波数ｆ１の値をｆ
ｌＬとする。この切換の結果、レーザ発振周波数を吸収
周波数にロックするループが切離され、フアブリ・ペロ
ー干渉計６のＦＳＲを変調周波数ｆ１にロックするルー
プが新たに形成される。すなわち、受光素子９の出力を
同期整流回路１３１において周波数で１の信号で同期検
波した出力はＦＭサブキャリア２２゜２３とフアブリ・
ペロー干渉計６の透過ピークとの周波数ずれに比例する
ので、周波数ずれが存在するとこれがゼロになるように
制御部１３２で半導体レーザ１の注入電流を制御し、半
導体レーザ１の周波数を変化させ、第１の制御手段１０
によりフアブリ・ペロー干渉計６の透過ピークがこれに
追従し、結果的にＦＳＲが変調周波数ｆ、に一致するこ
とになる。
上記の操作において、フアブリ・ペロー干渉計６のモー
ド数ｍは ｍ ＝ ｆ ａ ／ ｆ ＋ Ｌ −（１
）で算出されるので、レーザ発振周波数ｆ、はｆ□＝ｍ
−ｆ。
ド数ｍは ｍ ＝ ｆ ａ ／ ｆ ＋ Ｌ −（１
）で算出されるので、レーザ発振周波数ｆ、はｆ□＝ｍ
−ｆ。
＝ｆａ −ｆｌ ／ｆ１ Ｌ ＝ （２）と
なり、ｆｌを変えることにより出力周波数ｆＯを連続的
に変化することができる。ここで、圧電アクチュエータ
７がミラーを２μｍまで掃引できるとすると、Δｆｏ
＝２．６ＧＨｚ （波長λ＝１゜５５７ｚｍ、ｆＦＳＲ
＝ＩＧＨ２）となるので、Δｆを２．６ＧＨｚ以上とる
場合にはモード数ｍをｍ＋ｌ、ｍ＋２とステップ的に変
えればよい。
なり、ｆｌを変えることにより出力周波数ｆＯを連続的
に変化することができる。ここで、圧電アクチュエータ
７がミラーを２μｍまで掃引できるとすると、Δｆｏ
＝２．６ＧＨｚ （波長λ＝１゜５５７ｚｍ、ｆＦＳＲ
＝ＩＧＨ２）となるので、Δｆを２．６ＧＨｚ以上とる
場合にはモード数ｍをｍ＋ｌ、ｍ＋２とステップ的に変
えればよい。
このような構成の可変周波数光源によれば、第１の発振
器５の周波数ｆ１が高安定なので、（２）式から明らか
なように一周波数精度が良く、長期安定性に優れた可変
周波数レーザが実現できる。
器５の周波数ｆ１が高安定なので、（２）式から明らか
なように一周波数精度が良く、長期安定性に優れた可変
周波数レーザが実現できる。
また（２）式から明らかなように、変調周波数ｆ１を変
化させることにより、出力周波数ｆ、をアナログ的に変
化することができる。
化させることにより、出力周波数ｆ、をアナログ的に変
化することができる。
半導体レーザを１つしか用いないので、小形化が出来る
。
。
吸収セルに封入する物質を選択することにより、種々な
波長帯での可変周波数光源を実現することができる。
波長帯での可変周波数光源を実現することができる。
なお上記の実施例において、変調周波数ｆ、を高安定化
するために、外部からＣｓビーム等の発振器の出力を基
準としてもよい。
するために、外部からＣｓビーム等の発振器の出力を基
準としてもよい。
また半導体レーザの注入電流に帰還するかわりに、温度
に帰還をかけてもよい。
に帰還をかけてもよい。
また半導体レーザの発振周波数の安定化は制御手段１５
の方式に限らない。
の方式に限らない。
またフアブリ・ペロー干渉計６のＦＳＲを変調周波数ｆ
１にロックする代りに、第３図に示すように、ｎ−ＦＳ
Ｒ＝ｆ、としてＦＳＲの整数倍のｆ、でサブキャリア３
２．３３にロックしてもよい。
１にロックする代りに、第３図に示すように、ｎ−ＦＳ
Ｒ＝ｆ、としてＦＳＲの整数倍のｆ、でサブキャリア３
２．３３にロックしてもよい。
ハ、「発明の効果」
以、Ｅの説明から明らかなように、本願発明によれば、
周波数精度が良く、長期安定性に優れｌ：可変周波数光
源を簡単な構成で実現することができる。
周波数精度が良く、長期安定性に優れｌ：可変周波数光
源を簡単な構成で実現することができる。
第１図は本発明に係る可変周波数光源の一実施例を示す
構成ブロック図、第２図は第１図の動作を説明するため
の図、第３図は第１図装置の変形例の動作を示す図、第
４図および第５図は可変周波数光源の従来例を示す説明
図である。 １・・・半導体レーザ、４・・・位相変調器、５・・・
発振器、６・・・ファブリ・ペロー干渉計、９・・・光
検出器、第４ 因 →；ジ５図
構成ブロック図、第２図は第１図の動作を説明するため
の図、第３図は第１図装置の変形例の動作を示す図、第
４図および第５図は可変周波数光源の従来例を示す説明
図である。 １・・・半導体レーザ、４・・・位相変調器、５・・・
発振器、６・・・ファブリ・ペロー干渉計、９・・・光
検出器、第４ 因 →；ジ５図
Claims (1)
- 半導体レーザと、出力周波数が高安定な発振器と、前記
半導体レーザの出力光の一部が入射し前記発振器の出力
によりその透過光の周波数が変調される位相変調器と、
この位相変調器の出力光が入射するフアブリ・ペロー干
渉計と、このフアブリ・ペロー干渉計の透過光を入射し
てその強度を電気信号に変換する光検出器と、ファブリ
・ペロー干渉計の透過周波数を前記半導体レーザの発振
周波数に制御する第１の制御手段と、フアブリ・ペロー
干渉計の自由スペクトル領域を前記発振器の出力周波数
に制御する第２の制御手段とを備え、発振器の周波数を
変えることによって半導体レーザの発振周波数を変える
ように構成したことを特徴とする可変周波数光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15887988A JPH027587A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 可変周波数光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15887988A JPH027587A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 可変周波数光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027587A true JPH027587A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15681389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15887988A Pending JPH027587A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 可変周波数光源 |
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Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513077U (ja) * | 1991-03-01 | 1993-02-19 | 横河電機株式会社 | 周波数安定化レ―ザ光源 |
| JP2008070385A (ja) * | 2001-01-30 | 2008-03-27 | Thorlabs Inc | 掃引レーザ用波長校正装置及び方法 |
| JP2008251945A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 周波数安定化光源 |
| US8542079B2 (en) | 2007-03-20 | 2013-09-24 | Nuvotronics, Llc | Coaxial transmission line microstructure including an enlarged coaxial structure for transitioning to an electrical connector |
| US9306255B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-05 | Nuvotronics, Inc. | Microstructure including microstructural waveguide elements and/or IC chips that are mechanically interconnected to each other |
| US9306254B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-05 | Nuvotronics, Inc. | Substrate-free mechanical interconnection of electronic sub-systems using a spring configuration |
| US9312589B2 (en) | 2003-03-04 | 2016-04-12 | Nuvotronics, Inc. | Coaxial waveguide microstructure having center and outer conductors configured in a rectangular cross-section |
| US9325044B2 (en) | 2013-01-26 | 2016-04-26 | Nuvotronics, Inc. | Multi-layer digital elliptic filter and method |
| US9505613B2 (en) | 2011-06-05 | 2016-11-29 | Nuvotronics, Inc. | Devices and methods for solder flow control in three-dimensional microstructures |
| US9515364B1 (en) | 2006-12-30 | 2016-12-06 | Nuvotronics, Inc. | Three-dimensional microstructure having a first dielectric element and a second multi-layer metal element configured to define a non-solid volume |
| US9583856B2 (en) | 2011-06-06 | 2017-02-28 | Nuvotronics, Inc. | Batch fabricated microconnectors |
| US9993982B2 (en) | 2011-07-13 | 2018-06-12 | Nuvotronics, Inc. | Methods of fabricating electronic and mechanical structures |
| US10002818B2 (en) | 2007-03-20 | 2018-06-19 | Nuvotronics, Inc. | Integrated electronic components and methods of formation thereof |
| US10310009B2 (en) | 2014-01-17 | 2019-06-04 | Nuvotronics, Inc | Wafer scale test interface unit and contactors |
| US10319654B1 (en) | 2017-12-01 | 2019-06-11 | Cubic Corporation | Integrated chip scale packages |
| US10497511B2 (en) | 2009-11-23 | 2019-12-03 | Cubic Corporation | Multilayer build processes and devices thereof |
| US10511073B2 (en) | 2014-12-03 | 2019-12-17 | Cubic Corporation | Systems and methods for manufacturing stacked circuits and transmission lines |
| US10847469B2 (en) | 2016-04-26 | 2020-11-24 | Cubic Corporation | CTE compensation for wafer-level and chip-scale packages and assemblies |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP15887988A patent/JPH027587A/ja active Pending
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513077U (ja) * | 1991-03-01 | 1993-02-19 | 横河電機株式会社 | 周波数安定化レ―ザ光源 |
| JP2008070385A (ja) * | 2001-01-30 | 2008-03-27 | Thorlabs Inc | 掃引レーザ用波長校正装置及び方法 |
| US10074885B2 (en) | 2003-03-04 | 2018-09-11 | Nuvotronics, Inc | Coaxial waveguide microstructures having conductors formed by plural conductive layers |
| US9312589B2 (en) | 2003-03-04 | 2016-04-12 | Nuvotronics, Inc. | Coaxial waveguide microstructure having center and outer conductors configured in a rectangular cross-section |
| US9515364B1 (en) | 2006-12-30 | 2016-12-06 | Nuvotronics, Inc. | Three-dimensional microstructure having a first dielectric element and a second multi-layer metal element configured to define a non-solid volume |
| US10431521B2 (en) | 2007-03-20 | 2019-10-01 | Cubic Corporation | Integrated electronic components and methods of formation thereof |
| US9000863B2 (en) | 2007-03-20 | 2015-04-07 | Nuvotronics, Llc. | Coaxial transmission line microstructure with a portion of increased transverse dimension and method of formation thereof |
| US10002818B2 (en) | 2007-03-20 | 2018-06-19 | Nuvotronics, Inc. | Integrated electronic components and methods of formation thereof |
| US8542079B2 (en) | 2007-03-20 | 2013-09-24 | Nuvotronics, Llc | Coaxial transmission line microstructure including an enlarged coaxial structure for transitioning to an electrical connector |
| US9570789B2 (en) | 2007-03-20 | 2017-02-14 | Nuvotronics, Inc | Transition structure between a rectangular coaxial microstructure and a cylindrical coaxial cable using step changes in center conductors thereof |
| JP2008251945A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 周波数安定化光源 |
| US10497511B2 (en) | 2009-11-23 | 2019-12-03 | Cubic Corporation | Multilayer build processes and devices thereof |
| US9505613B2 (en) | 2011-06-05 | 2016-11-29 | Nuvotronics, Inc. | Devices and methods for solder flow control in three-dimensional microstructures |
| US9583856B2 (en) | 2011-06-06 | 2017-02-28 | Nuvotronics, Inc. | Batch fabricated microconnectors |
| US9993982B2 (en) | 2011-07-13 | 2018-06-12 | Nuvotronics, Inc. | Methods of fabricating electronic and mechanical structures |
| US9608303B2 (en) | 2013-01-26 | 2017-03-28 | Nuvotronics, Inc. | Multi-layer digital elliptic filter and method |
| US9325044B2 (en) | 2013-01-26 | 2016-04-26 | Nuvotronics, Inc. | Multi-layer digital elliptic filter and method |
| US9888600B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-02-06 | Nuvotronics, Inc | Substrate-free interconnected electronic mechanical structural systems |
| US10193203B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-29 | Nuvotronics, Inc | Structures and methods for interconnects and associated alignment and assembly mechanisms for and between chips, components, and 3D systems |
| US10257951B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-04-09 | Nuvotronics, Inc | Substrate-free interconnected electronic mechanical structural systems |
| US10361471B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-07-23 | Nuvotronics, Inc | Structures and methods for interconnects and associated alignment and assembly mechanisms for and between chips, components, and 3D systems |
| US9306254B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-05 | Nuvotronics, Inc. | Substrate-free mechanical interconnection of electronic sub-systems using a spring configuration |
| US9306255B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-05 | Nuvotronics, Inc. | Microstructure including microstructural waveguide elements and/or IC chips that are mechanically interconnected to each other |
| US10310009B2 (en) | 2014-01-17 | 2019-06-04 | Nuvotronics, Inc | Wafer scale test interface unit and contactors |
| US10511073B2 (en) | 2014-12-03 | 2019-12-17 | Cubic Corporation | Systems and methods for manufacturing stacked circuits and transmission lines |
| US10847469B2 (en) | 2016-04-26 | 2020-11-24 | Cubic Corporation | CTE compensation for wafer-level and chip-scale packages and assemblies |
| US10319654B1 (en) | 2017-12-01 | 2019-06-11 | Cubic Corporation | Integrated chip scale packages |
| US10553511B2 (en) | 2017-12-01 | 2020-02-04 | Cubic Corporation | Integrated chip scale packages |
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