JPH0275A - マトリツクス内部にパターンを付けられた金属中間層 - Google Patents
マトリツクス内部にパターンを付けられた金属中間層Info
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- JPH0275A JPH0275A JP63119445A JP11944588A JPH0275A JP H0275 A JPH0275 A JP H0275A JP 63119445 A JP63119445 A JP 63119445A JP 11944588 A JP11944588 A JP 11944588A JP H0275 A JPH0275 A JP H0275A
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 125
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 72
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 85
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 45
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 37
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 150000001455 metallic ions Chemical class 0.000 abstract 2
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 22
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 22
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 16
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 15
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 13
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 13
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HCLJOFJIQIJXHS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCCOCCOCCOC(=O)C=C HCLJOFJIQIJXHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- -1 silver halide Chemical class 0.000 description 6
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- GMIUUCWUOPOETN-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-triphenyl-1-(2,4,5-triphenylimidazol-2-yl)imidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC(N2C(=C(N=C2C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)N=C1C1=CC=CC=C1 GMIUUCWUOPOETN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000001574 biopsy Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 3
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 2-mercapto-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC(S)=NC2=C1 FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- 229910000897 Babbitt (metal) Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101100473036 Mus musculus Hnrnpa1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000011837 N,N-methylenebisacrylamide Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000010409 ironing Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N n,n'-methylenebisacrylamide Chemical compound C=CC(=O)NCNC(=O)C=C ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマトリックスの中にパターンのついた中間層と
して金属を沈着させる方法に関する。
して金属を沈着させる方法に関する。
現在当業界においては原子価0の金属を重合体フィルム
上に導入または配置させる多くの異った化学的または物
理的技術が提案されている。これらの技術の中でいくつ
かの方法では、例えば金属蒸着法または無電極鍍金法に
よって重合体の表面上に薄い連続的なフィルムをつくる
ことができる。
上に導入または配置させる多くの異った化学的または物
理的技術が提案されている。これらの技術の中でいくつ
かの方法では、例えば金属蒸着法または無電極鍍金法に
よって重合体の表面上に薄い連続的なフィルムをつくる
ことができる。
他の方法においては後で詳細に説明するようなハロゲン
化銀による写真法及び或種の化学的沈着法によって重合
体フィルムの中に埋込まれた金属粒子をつくることがで
きる。これらの粒子は一般に、連続的な金属層の特徴的
な電気的または光学的性質を欠いている程度に分散して
いる。
化銀による写真法及び或種の化学的沈着法によって重合
体フィルムの中に埋込まれた金属粒子をつくることがで
きる。これらの粒子は一般に、連続的な金属層の特徴的
な電気的または光学的性質を欠いている程度に分散して
いる。
現存の技術において金属を予め形成された固体の重合体
フィルムの中に導入するには二つの方法がある。最も普
通の例は写真技術である[例えばロンドン及びニューヨ
ーク、す・フォーカル・プレス(The Focal
Press)社1972年発行、ニー・ロフ(A、 R
off)及びイー・ウェイト(E、 Weyde)著、
「フォトグラフィック・シルヴア−・ハライド・デイフ
ュージョン・プロセス(Photographic 5
ilver Halide Diffusion Pr
ocess)J 13〜31頁参照]。
フィルムの中に導入するには二つの方法がある。最も普
通の例は写真技術である[例えばロンドン及びニューヨ
ーク、す・フォーカル・プレス(The Focal
Press)社1972年発行、ニー・ロフ(A、 R
off)及びイー・ウェイト(E、 Weyde)著、
「フォトグラフィック・シルヴア−・ハライド・デイフ
ュージョン・プロセス(Photographic 5
ilver Halide Diffusion Pr
ocess)J 13〜31頁参照]。
通常の写真法によれば重合体フィルムの内部に分散した
金属粒子をつくることができるが、この場合その主な目
的は光を吸収することである。これらの粒子は一般に連
続相をつくらない程度に分散しており、従って通常表面
をメタライズされた構造物に付随した電気伝導性及び光
学的反射性のような巨視的性質をもっていない。
金属粒子をつくることができるが、この場合その主な目
的は光を吸収することである。これらの粒子は一般に連
続相をつくらない程度に分散しており、従って通常表面
をメタライズされた構造物に付随した電気伝導性及び光
学的反射性のような巨視的性質をもっていない。
予めつくられた固体の重合体フィルムの中に金属を導入
する第二の方法は金属中間層沈着法(MID)に関する
米国特許第4,512.855号の方法である。
する第二の方法は金属中間層沈着法(MID)に関する
米国特許第4,512.855号の方法である。
この方法には重合体の酸化還元反応により供給される電
子によって金属イオンを還元し、これを重合体フィルム
の一つの表面から拡散させ、電子はフィルムの反対側の
表面から供給される方法が含まれる。MID法の独特で
望ましい特徴の中には、電気伝導性を与えるのに十分な
密度と、光学的反射性を与えるのに十分な平滑で明確に
規定された表面とをもつ金属中間層をつくることができ
るという事実がある。
子によって金属イオンを還元し、これを重合体フィルム
の一つの表面から拡散させ、電子はフィルムの反対側の
表面から供給される方法が含まれる。MID法の独特で
望ましい特徴の中には、電気伝導性を与えるのに十分な
密度と、光学的反射性を与えるのに十分な平滑で明確に
規定された表面とをもつ金属中間層をつくることができ
るという事実がある。
予めつくられたフィルムの中に金属中間層を導入する他
の方法は米国特許第4,657.833号及び同一出願
人による1986年1月21日出願、1987年4月2
3日受理の米国特許願第820,234号、及び198
6年8月29日出願、同年12月18日受理の同第90
1,770号に記載されている。米国特許第4.512
,855号、第4,657,833号および前述の特許
出願をここに参照のため編入する。これらの方法におい
てはこれら発明の実施に下記に詳細に説明する方法を使
用している。
の方法は米国特許第4,657.833号及び同一出願
人による1986年1月21日出願、1987年4月2
3日受理の米国特許願第820,234号、及び198
6年8月29日出願、同年12月18日受理の同第90
1,770号に記載されている。米国特許第4.512
,855号、第4,657,833号および前述の特許
出願をここに参照のため編入する。これらの方法におい
てはこれら発明の実施に下記に詳細に説明する方法を使
用している。
上記に記載した方法は金属イオン(M・つがフィルムの
片側の面からその中に拡散することに依存している。こ
れらの方法のいくつかは還元剤の溶液がフィルムの反対
側の面からフィルムを通して拡散することに依存してい
る。米国特許第4.512゜855号及び同第4.65
7,833号の方法は他の方法とは著しく異った方法で
ある。即ち金属イオン(M”つはフィルムの片側の面か
ら拡散するが、溶液中においてフィルムを通して拡散す
るのではなくフィルム自身を通して輸送される電子によ
って金属イオンが原子価0の金属に還元される。これら
の特許のフィルムは可逆的に酸化還元される活性重合体
、即ち競合的に不可逆的化学反応を行うことなく迅速に
電子を受容及び供与する重合体から成っている。重合体
を通る還元剤溶液の拡散は、電子が可逆的酸化還元活性
重合体を通る輸送現象とは機構的に異っており、また溶
液中における還元剤による金属イオンの還元と、重合体
マトリックス中における電子による金属の還元とはその
性質が異っているが、本発明は以下に詳細に説明するよ
うに両方の系、即ち金属イオンが溶液中の還元剤によっ
て或いは重合体マトリックス中の電子によって還元され
るいずれの場合にも適用できる。この理由により「向流
拡散」という言葉は本明細書においてはその包括的な意
味において使用され、電気化学的金属中間層及び化学的
金属中間層の生成技術の両方を含むものとする。さらに
本明細書において「還元剤」(R)という言葉は、可逆
的酸化還元活性重合体中で輸送される電子及び溶液中で
輸送される化学的還元剤の両方を意味する。上記方法に
よって形成された金属中間層は電気伝導性をもつことが
でき、従って電気伝導性シートの製造に有用である。さ
らにパターンがつけられた金属中間層はフレキシブル回
路として有用であり、また部分的に透明な電子遮蔽を含
む他の回路の用途に用いることができる。これらのバ外
−ンをもった金属中間層は、フィルムの表面に沿ってM
″+またはRが成る領域に到達するのを制御することに
より上記に述べた方法によってつくることができる。M
″+またはRがフィルム表面に到達するのを制御する一
般的方法は三つある。
片側の面からその中に拡散することに依存している。こ
れらの方法のいくつかは還元剤の溶液がフィルムの反対
側の面からフィルムを通して拡散することに依存してい
る。米国特許第4.512゜855号及び同第4.65
7,833号の方法は他の方法とは著しく異った方法で
ある。即ち金属イオン(M”つはフィルムの片側の面か
ら拡散するが、溶液中においてフィルムを通して拡散す
るのではなくフィルム自身を通して輸送される電子によ
って金属イオンが原子価0の金属に還元される。これら
の特許のフィルムは可逆的に酸化還元される活性重合体
、即ち競合的に不可逆的化学反応を行うことなく迅速に
電子を受容及び供与する重合体から成っている。重合体
を通る還元剤溶液の拡散は、電子が可逆的酸化還元活性
重合体を通る輸送現象とは機構的に異っており、また溶
液中における還元剤による金属イオンの還元と、重合体
マトリックス中における電子による金属の還元とはその
性質が異っているが、本発明は以下に詳細に説明するよ
うに両方の系、即ち金属イオンが溶液中の還元剤によっ
て或いは重合体マトリックス中の電子によって還元され
るいずれの場合にも適用できる。この理由により「向流
拡散」という言葉は本明細書においてはその包括的な意
味において使用され、電気化学的金属中間層及び化学的
金属中間層の生成技術の両方を含むものとする。さらに
本明細書において「還元剤」(R)という言葉は、可逆
的酸化還元活性重合体中で輸送される電子及び溶液中で
輸送される化学的還元剤の両方を意味する。上記方法に
よって形成された金属中間層は電気伝導性をもつことが
でき、従って電気伝導性シートの製造に有用である。さ
らにパターンがつけられた金属中間層はフレキシブル回
路として有用であり、また部分的に透明な電子遮蔽を含
む他の回路の用途に用いることができる。これらのバ外
−ンをもった金属中間層は、フィルムの表面に沿ってM
″+またはRが成る領域に到達するのを制御することに
より上記に述べた方法によってつくることができる。M
″+またはRがフィルム表面に到達するのを制御する一
般的方法は三つある。
(1)反応物質を遮蔽するマスクをフィルムの表面に置
き、反応物質がフィルム中に拡散する区域を限定する。
き、反応物質がフィルム中に拡散する区域を限定する。
(2)パターンをもった陽極によって電子がフィルムの
表面に到達する区域を規定する。
表面に到達する区域を規定する。
(3)陽極から出る電子を感光性の層により二次元制御
法を用いてフィルムに到達させる。
法を用いてフィルムに到達させる。
第1の方法は上記のすべての向流拡散法と共に使用する
ことができる。反応物質を遮蔽するマスクは反応物質の
一つに対して不透過性の任意の材料であることができる
。第2の方法は反応物質の少なくとも1種がフィルムの
表面において電極から供給される向流拡散法に8いての
み使用することができる。反応物質がフィルムの表面に
到達するのを限定するすべてのパターン作成方法では、
反応物質が表面遮蔽を通過した後マトリックス中で横方
向に拡散することに由来する固有の解像度の損失がある
。
ことができる。反応物質を遮蔽するマスクは反応物質の
一つに対して不透過性の任意の材料であることができる
。第2の方法は反応物質の少なくとも1種がフィルムの
表面において電極から供給される向流拡散法に8いての
み使用することができる。反応物質がフィルムの表面に
到達するのを限定するすべてのパターン作成方法では、
反応物質が表面遮蔽を通過した後マトリックス中で横方
向に拡散することに由来する固有の解像度の損失がある
。
種々の基板の上に電気伝導性の像を作成する多くの方法
が開発されている。像を作成するこれらの方法の大部分
は、工程中所望の区域を物理的に保護するマスクを基板
につける方法に左右される。
が開発されている。像を作成するこれらの方法の大部分
は、工程中所望の区域を物理的に保護するマスクを基板
につける方法に左右される。
低解像度の用途の場合には、スクリーン印刷法における
ように、メタライズ工程中においてマスクを基板に押し
付ける。高解像度の用途に対しては、電磁波放射に対し
感光するレジスト材料を基板に被覆し、適当なマスクを
通して像を焼付けるが、或いは電磁波放射の較正光源に
よって像を描く[アール・シー・デイリー(R,C,D
aly)及びジェー・エル・アール・ウィリアムズ(J
、 L、 R,Williams) 、ポリマー・ニュ
ース(Polymer News)誌11巻164頁、
1986年]。最近、厚さの異った重合体フィルムを通
して電流密度を空間的に変調することにより三次元の金
属表面の特徴をもった像を生成する電気メツキ法が開発
された[ジェー・シー・アンガス(J、 C,Angu
s) 、−L −・ランダウ(U、 Landau)
、ニス・エイチ・リアオ(S、 H,Liao)及びエ
ム・シー・ヤング(M、 C,Young) 、ジャー
ナル・オヴ・エレクトロケミカル・ソサイアティ(J。
ように、メタライズ工程中においてマスクを基板に押し
付ける。高解像度の用途に対しては、電磁波放射に対し
感光するレジスト材料を基板に被覆し、適当なマスクを
通して像を焼付けるが、或いは電磁波放射の較正光源に
よって像を描く[アール・シー・デイリー(R,C,D
aly)及びジェー・エル・アール・ウィリアムズ(J
、 L、 R,Williams) 、ポリマー・ニュ
ース(Polymer News)誌11巻164頁、
1986年]。最近、厚さの異った重合体フィルムを通
して電流密度を空間的に変調することにより三次元の金
属表面の特徴をもった像を生成する電気メツキ法が開発
された[ジェー・シー・アンガス(J、 C,Angu
s) 、−L −・ランダウ(U、 Landau)
、ニス・エイチ・リアオ(S、 H,Liao)及びエ
ム・シー・ヤング(M、 C,Young) 、ジャー
ナル・オヴ・エレクトロケミカル・ソサイアティ(J。
Electrochem、 Soc、)誌133巻、1
152頁(1986)年;クーンツ(Koontz)等
の米国特許第4.0OL、093号:アンガス等の米国
特許第4.361.641号]。この方法においては所
望の基板に被覆されるゲル・フィルムの厚さはマスクを
通してゲル・フィルムを光化学的に交叉結合させること
により調節される。
152頁(1986)年;クーンツ(Koontz)等
の米国特許第4.0OL、093号:アンガス等の米国
特許第4.361.641号]。この方法においては所
望の基板に被覆されるゲル・フィルムの厚さはマスクを
通してゲル・フィルムを光化学的に交叉結合させること
により調節される。
従来ポリアミン酸の中に光で像を作成した相互侵入型重
合体網状構造(JPN)をつくる方法はポリアミン酸の
溶解度を調節し、それによってポリイミドの7オトレジ
スト・パターンをつくるのに使用された[エル・ミンネ
マ(L、 Minnema)及U ’;ニー・エム・フ
ァン・デル・ザンテ(J、 M、 van derZa
nde) 、第30回IUPAc国際高分子シンポジウ
ム・アブストラクツ、224頁(1985)]。この方
法には、透過性を調節するために、光によって像を作成
した重合体網状構造物を使用することについては記載ま
たは示唆されていない。
合体網状構造(JPN)をつくる方法はポリアミン酸の
溶解度を調節し、それによってポリイミドの7オトレジ
スト・パターンをつくるのに使用された[エル・ミンネ
マ(L、 Minnema)及U ’;ニー・エム・フ
ァン・デル・ザンテ(J、 M、 van derZa
nde) 、第30回IUPAc国際高分子シンポジウ
ム・アブストラクツ、224頁(1985)]。この方
法には、透過性を調節するために、光によって像を作成
した重合体網状構造物を使用することについては記載ま
たは示唆されていない。
米国特許環3.718.473号及び同第3,879.
204号には、グラヴイア印刷版のレジストをつくる方
法が記載されており、この方法では、光に露出すると、
光重合可能な層に水性エツチング液の拡散に対する抵抗
性が与えられる。露光した層を次に金属シートの上に置
き、これをエツチング溶液にさらして印刷に適した連続
調のグラヴイアをつくる。
204号には、グラヴイア印刷版のレジストをつくる方
法が記載されており、この方法では、光に露出すると、
光重合可能な層に水性エツチング液の拡散に対する抵抗
性が与えられる。露光した層を次に金属シートの上に置
き、これをエツチング溶液にさらして印刷に適した連続
調のグラヴイアをつくる。
この特許の方法は本発明の方法とは異って単量体の二相
分散を行い、つくられる表面のレジストは最終製品では
なく、最終製品、即ち印刷物をつくるのに使用される。
分散を行い、つくられる表面のレジストは最終製品では
なく、最終製品、即ち印刷物をつくるのに使用される。
さらにこの特許には透過性に影響を及ぼす膨潤の程度を
調節し得る方法についての記載または示唆がない。
調節し得る方法についての記載または示唆がない。
多くの因子が膨潤したマトリックス中における反応物質
の拡散輸送に影響し、反応物質の大きさ及びマトリック
スの膨潤の程度が含まれる。これらの因子の理論的解析
法は多く提案されており、例えばエヌ・ジェー・ペラパ
ス(N、 J 、 Peppas)及びエイチ・ジェー
・モイニハン(1,J、 1oynihan)のジャー
ナル・オヴ・アプライド・ポリマー・サイエンス(J、
of Applied Polymer 5cien
ce)誌30巻、2589頁(1985)を参照された
い。重要なことは、マトリックスの膨潤度が減少するに
つれて反応物質の透過度が減少することである。
の拡散輸送に影響し、反応物質の大きさ及びマトリック
スの膨潤の程度が含まれる。これらの因子の理論的解析
法は多く提案されており、例えばエヌ・ジェー・ペラパ
ス(N、 J 、 Peppas)及びエイチ・ジェー
・モイニハン(1,J、 1oynihan)のジャー
ナル・オヴ・アプライド・ポリマー・サイエンス(J、
of Applied Polymer 5cien
ce)誌30巻、2589頁(1985)を参照された
い。重要なことは、マトリックスの膨潤度が減少するに
つれて反応物質の透過度が減少することである。
本発明の目的は拡散を制御した金属沈着法を使用し、マ
トリックス、例えばフィルム、例えば重合体フィルム、
例えば有機重合体フィルムの内部に原子価0の金属を沈
着させ、シャープな二次元のパターンをつくることがで
きる方法を提供することである。本発明の他の目的には
、 (a)マトリックス内部に原子価Oの金属を沈着させ得
る方法、 (b)マトリックス表面の境界の内部に、必要に応じ、
金属を中間層として沈着させ得る方法、(c)マトリッ
クスの表面の下方の任意の有限の距離に関し、マトリッ
クス中の中間層の位置を体系的に制御し得る方法、 (d)単一のマトリックスの内部に体系的に制御された
方法で多重中間層を沈着させ得る方法、(e)金属イオ
ンと還元剤(R)の間の化学反応速度を変化させて、得
られた中間層の幅を制御する方法、 (D巨視的な金属相または表面被膜の特徴である電気伝
導性及び光学的反射性を示すのに十分な密度、連続性及
び表面規則性をもった金属中間層を、必要に応じ、つく
る方法、及び (g)電気的に活性をもった重合体マトリックスを必要
とせず、種々の幾何学的配置をもった自立したマトリッ
クスに対し単一工程で実施することができ、且つ両面に
おいて反射性の大きいマトリックスをつくるだめの明確
な境界をもった中間層を製造するのに使用できる方法を
提供することが含まれる。さらに他の目的については以
下の説明から明らかになろう。
トリックス、例えばフィルム、例えば重合体フィルム、
例えば有機重合体フィルムの内部に原子価0の金属を沈
着させ、シャープな二次元のパターンをつくることがで
きる方法を提供することである。本発明の他の目的には
、 (a)マトリックス内部に原子価Oの金属を沈着させ得
る方法、 (b)マトリックス表面の境界の内部に、必要に応じ、
金属を中間層として沈着させ得る方法、(c)マトリッ
クスの表面の下方の任意の有限の距離に関し、マトリッ
クス中の中間層の位置を体系的に制御し得る方法、 (d)単一のマトリックスの内部に体系的に制御された
方法で多重中間層を沈着させ得る方法、(e)金属イオ
ンと還元剤(R)の間の化学反応速度を変化させて、得
られた中間層の幅を制御する方法、 (D巨視的な金属相または表面被膜の特徴である電気伝
導性及び光学的反射性を示すのに十分な密度、連続性及
び表面規則性をもった金属中間層を、必要に応じ、つく
る方法、及び (g)電気的に活性をもった重合体マトリックスを必要
とせず、種々の幾何学的配置をもった自立したマトリッ
クスに対し単一工程で実施することができ、且つ両面に
おいて反射性の大きいマトリックスをつくるだめの明確
な境界をもった中間層を製造するのに使用できる方法を
提供することが含まれる。さらに他の目的については以
下の説明から明らかになろう。
本発明において向流拡散法によってつくられるマトリッ
クス中の金属中間層の制御は、マトリックスの透過度を
二次元的に制御することにより達成される。透過度はマ
トリックスの膨潤度を制御することにより制御すること
が好ましい。有機重合体マトリックスの膨潤を制御する
二つの好適な具体化例の例には、 l)マトリックスを選択的に熱処理する方法。
クス中の金属中間層の制御は、マトリックスの透過度を
二次元的に制御することにより達成される。透過度はマ
トリックスの膨潤度を制御することにより制御すること
が好ましい。有機重合体マトリックスの膨潤を制御する
二つの好適な具体化例の例には、 l)マトリックスを選択的に熱処理する方法。
2)相互侵入型網状構造を光化学的に生成する方法があ
る。重合可能な添加物はマトリックスの膨潤度を実質的
に減少させる任意のものであることができる。多官能性
の単量体が好適であり、下記に例示されている。
る。重合可能な添加物はマトリックスの膨潤度を実質的
に減少させる任意のものであることができる。多官能性
の単量体が好適であり、下記に例示されている。
さらに詳細には本発明はマトリックスの片側の表面に接
触している金属イオン、及びマトリックスの他の表面に
接触している還元剤の向流拡散により、少なくとも二つ
の表面をもった予め形成形されたマトリックス内部の予
め定められた位置に金属を沈着させる方法であって、金
属イオンまたは還元剤のいずれか或いは両方に対し異っ
た透過度を有する少なくとも二つの隣接した容積要素を
もったマトリックスを用いて上記方法を実施する改善さ
れた金属中間層沈着法(MID)に関する。
触している金属イオン、及びマトリックスの他の表面に
接触している還元剤の向流拡散により、少なくとも二つ
の表面をもった予め形成形されたマトリックス内部の予
め定められた位置に金属を沈着させる方法であって、金
属イオンまたは還元剤のいずれか或いは両方に対し異っ
た透過度を有する少なくとも二つの隣接した容積要素を
もったマトリックスを用いて上記方法を実施する改善さ
れた金属中間層沈着法(MID)に関する。
本発明は、向流拡散法によって金属中間層を形成する公
知の方法を、異った透過性をもつ少なくとも二つの隣接
した容積要素をもつマトリックスと組み合わせ、拡散を
制御する種々の透過度をもつ予め形成されたパターンに
対応するパターンをマトリックス中に形成するようにす
る。マトリックスの透過度は前記米国特許環4.512
.855号において重要な因子として挙げられている。
知の方法を、異った透過性をもつ少なくとも二つの隣接
した容積要素をもつマトリックスと組み合わせ、拡散を
制御する種々の透過度をもつ予め形成されたパターンに
対応するパターンをマトリックス中に形成するようにす
る。マトリックスの透過度は前記米国特許環4.512
.855号において重要な因子として挙げられている。
本発明の一具体化例においては、向流拡散条件下におい
て一種または両方の反応物質を輸送するのに用いられる
溶媒中におけるマトリックスの膨潤度を制御することに
よりマトリックスの透過度を調節する。本発明は向流拡
散法による他の像形成法、例えば上記の表面遮蔽法に比
べ、表面遮蔽を通過した後の反応物質の横方向の拡散に
基づく固有の解像度の低下を避は得るという点で利点を
もっている。即ち中間層の形成速度は反応物質のマトリ
ックスに対する透過度に依存している。反応物質の透過
度が低いマトリックス中においては、金属中間層の沈着
速度は、反応物質の透過度の高いマトリックス中におけ
るより遅い。従って、マトリックスの膨潤度を二次元的
に調節すると、膨潤度の低いマトリックスの区域は向流
拡散法による金属の沈着が少ない。
て一種または両方の反応物質を輸送するのに用いられる
溶媒中におけるマトリックスの膨潤度を制御することに
よりマトリックスの透過度を調節する。本発明は向流拡
散法による他の像形成法、例えば上記の表面遮蔽法に比
べ、表面遮蔽を通過した後の反応物質の横方向の拡散に
基づく固有の解像度の低下を避は得るという点で利点を
もっている。即ち中間層の形成速度は反応物質のマトリ
ックスに対する透過度に依存している。反応物質の透過
度が低いマトリックス中においては、金属中間層の沈着
速度は、反応物質の透過度の高いマトリックス中におけ
るより遅い。従って、マトリックスの膨潤度を二次元的
に調節すると、膨潤度の低いマトリックスの区域は向流
拡散法による金属の沈着が少ない。
架橋の程度及び重合体の結晶化度を含めて、重合体マト
リックス、例えば有機重合体マトリックスの成る与えら
れた溶媒中における膨潤度に影響を与える多くの方法が
知られている。本発明によれば二次元的方法で重合体マ
トリックスの膨潤度を調節する方法が提供され、類推に
より同様に良好な動作をする他の方法も示唆される。
リックス、例えば有機重合体マトリックスの成る与えら
れた溶媒中における膨潤度に影響を与える多くの方法が
知られている。本発明によれば二次元的方法で重合体マ
トリックスの膨潤度を調節する方法が提供され、類推に
より同様に良好な動作をする他の方法も示唆される。
重合体混合物の膨潤度を二次元的に調節する第一の方法
は、所望のパターンをもった加熱した焼印を捺すための
アイロン掛は部材(焼印)またはレーザー・ビームを使
用して、問題とする重合体マトリックスの透過可能な形
状を選択的に加熱することにより達成される。向流拡散
法に使用し得る重合体マトリックスは透過可能でなけれ
ばならない。この要求は重合体の化学的構成、例えば分
子構造及び分子量によって規定されるばかりではなく、
その物理的状態、例えば配向度、可塑剤の存在、結晶化
度及び架橋の程度によって著しい影響を受ける。重合体
を熱処理すると、結晶化度が増加するか及び/又は可塑
剤が浸出する。いずれの場合でも加熱区域においてマト
リックスの膨潤度は減少する。向流拡散法により金属中
間層が形成された後、加熱区域においては加熱されてい
ない区域よりも金属の存在量が少ない。特に好適な具体
化例においては、熱処理により反応物質の透過度は10
0倍以上変化する。熱処理像形成法の解像度は、膨潤度
の減少をもたらす変化を起すのに必要な時間、その変化
の温度に対する感度及びマトリックスの熱伝導性に依存
する。本発明によればlOμm程度の形状を、レーザー
・ビームで重合体混合物を加熱した後中間層を形成させ
ることによりつくることができる。
は、所望のパターンをもった加熱した焼印を捺すための
アイロン掛は部材(焼印)またはレーザー・ビームを使
用して、問題とする重合体マトリックスの透過可能な形
状を選択的に加熱することにより達成される。向流拡散
法に使用し得る重合体マトリックスは透過可能でなけれ
ばならない。この要求は重合体の化学的構成、例えば分
子構造及び分子量によって規定されるばかりではなく、
その物理的状態、例えば配向度、可塑剤の存在、結晶化
度及び架橋の程度によって著しい影響を受ける。重合体
を熱処理すると、結晶化度が増加するか及び/又は可塑
剤が浸出する。いずれの場合でも加熱区域においてマト
リックスの膨潤度は減少する。向流拡散法により金属中
間層が形成された後、加熱区域においては加熱されてい
ない区域よりも金属の存在量が少ない。特に好適な具体
化例においては、熱処理により反応物質の透過度は10
0倍以上変化する。熱処理像形成法の解像度は、膨潤度
の減少をもたらす変化を起すのに必要な時間、その変化
の温度に対する感度及びマトリックスの熱伝導性に依存
する。本発明によればlOμm程度の形状を、レーザー
・ビームで重合体混合物を加熱した後中間層を形成させ
ることによりつくることができる。
重合体マトリックスの膨潤度を二次元的に調節する第二
の方法は、マトリックスの内部に相互侵入型の網状構造
(JPN)を光化学的に誘起させて形成する方法に依存
している。このIPNは膨潤に対する物理的な拘束力と
して作用する。即ち例えば多官能性の単量体(例えばN
、N−メチレンビスアクリルアミドまたはテトラエチレ
ングリコールジアクリレート等)及び光化学反応開始剤
をODA /PMDA(4,4’−オキシジアニリン/
ピロメリト酸二無水物)ポリアミン酸溶液にマトリック
ス形成の前に加える。フィルムを例えばスピンキャスト
法でつくった後、ポリアミン酸マトリックスに標準的な
光重合法を用いて像を転写する。マトリックスの光で分
解した部分と分解しなかった部分との間のコントラスト
は光分解時間に依存する。即ち、結果として得られたマ
トリックスの透過度は光分解の量に依存する。架橋した
IPNをマトリックスの膨潤度を減少させるために形成
することは多くの重合体マトリックス、例えばフィルム
、溶液からのキャストに適用できる。
の方法は、マトリックスの内部に相互侵入型の網状構造
(JPN)を光化学的に誘起させて形成する方法に依存
している。このIPNは膨潤に対する物理的な拘束力と
して作用する。即ち例えば多官能性の単量体(例えばN
、N−メチレンビスアクリルアミドまたはテトラエチレ
ングリコールジアクリレート等)及び光化学反応開始剤
をODA /PMDA(4,4’−オキシジアニリン/
ピロメリト酸二無水物)ポリアミン酸溶液にマトリック
ス形成の前に加える。フィルムを例えばスピンキャスト
法でつくった後、ポリアミン酸マトリックスに標準的な
光重合法を用いて像を転写する。マトリックスの光で分
解した部分と分解しなかった部分との間のコントラスト
は光分解時間に依存する。即ち、結果として得られたマ
トリックスの透過度は光分解の量に依存する。架橋した
IPNをマトリックスの膨潤度を減少させるために形成
することは多くの重合体マトリックス、例えばフィルム
、溶液からのキャストに適用できる。
上記方法でつくったポリアミン酸マトリックスを次に化
学的にポリイミドに変化させるが、この間未重合の多官
能性単量体は拡散し去り、光反応の起った区域にはIP
Nが残る。20重量%の多官能性単量体を加えた場合に
は、IPNが残存したマトリックスの区域は光反応の起
らなかった区域よりも約25%厚くなる。マトリックス
に溶媒を加えると、マトリックスの架橋していない区域
は架橋した区域に比べかなり膨潤する。例えばODA
/PIJDAポリイミド・フィルムの架橋していない区
域はアセトニトリル中で50%膨潤する。これに対して
、架橋した区域は、架橋の程度に従って3〜50%膨潤
する。
学的にポリイミドに変化させるが、この間未重合の多官
能性単量体は拡散し去り、光反応の起った区域にはIP
Nが残る。20重量%の多官能性単量体を加えた場合に
は、IPNが残存したマトリックスの区域は光反応の起
らなかった区域よりも約25%厚くなる。マトリックス
に溶媒を加えると、マトリックスの架橋していない区域
は架橋した区域に比べかなり膨潤する。例えばODA
/PIJDAポリイミド・フィルムの架橋していない区
域はアセトニトリル中で50%膨潤する。これに対して
、架橋した区域は、架橋の程度に従って3〜50%膨潤
する。
JPHのパターンを有するマトリックスを向流拡散法に
よって現像すると、光で像がつくられt;パターンがマ
トリックス内部の金属中間層として再現される。本発明
によれば光透過度の変化した灰色のパターンが得られる
。解像度が5μmの金属像がこの方法により得られた。
よって現像すると、光で像がつくられt;パターンがマ
トリックス内部の金属中間層として再現される。本発明
によれば光透過度の変化した灰色のパターンが得られる
。解像度が5μmの金属像がこの方法により得られた。
他の方法でも重合体マトリックスの膨潤度に影響を与え
ることができる。例えば重合体が光で架橋し得る側鎖を
もっている場合には、光反応によって架橋密度が増加し
、従って膨潤度が減少する。
ることができる。例えば重合体が光で架橋し得る側鎖を
もっている場合には、光反応によって架橋密度が増加し
、従って膨潤度が減少する。
重合体を高エネルギーの放射線、(X線、γ線、電子ビ
ーム)に露出すると、架橋が生じ膨潤度が減少すること
も知られている。照射を行う方法はすべて容易に像形成
に使用でき、従って上述のように向流拡散法でパターン
をつくるのに用いることができる。
ーム)に露出すると、架橋が生じ膨潤度が減少すること
も知られている。照射を行う方法はすべて容易に像形成
に使用でき、従って上述のように向流拡散法でパターン
をつくるのに用いることができる。
本発明を実施する最良の具体化例を実施例1〜5に例示
する。下記のすべての実施例においては温度は°C単位
である。これらの実施例は単に例示のためのものであり
、本発明を限定するものではない。
する。下記のすべての実施例においては温度は°C単位
である。これらの実施例は単に例示のためのものであり
、本発明を限定するものではない。
実施例1
(A) 4.4’−オキシジアニリン(ODA)及びピ
ロメリト酸二無水物(PMDA)からポリアミン酸をつ
くった。乾iN、N−ジメチルアセトアミド(DMAc
)中に12重量%のポリアミン酸を含む溶液をミリポア
(Mlll 1pore)■(孔の大きさIO,0μm
)濾過器で濾過する。ヘッドウェイ・リサーチ(Hea
dway Re5earch)社製ECl0ID型フオ
トレジスト・スピンナー(Ph。
ロメリト酸二無水物(PMDA)からポリアミン酸をつ
くった。乾iN、N−ジメチルアセトアミド(DMAc
)中に12重量%のポリアミン酸を含む溶液をミリポア
(Mlll 1pore)■(孔の大きさIO,0μm
)濾過器で濾過する。ヘッドウェイ・リサーチ(Hea
dway Re5earch)社製ECl0ID型フオ
トレジスト・スピンナー(Ph。
toresist 5piner)を使用し、860r
pmできれいなガラス板(直径10.3 c m)にポ
リアミン酸をスピンコードする。ガラス板を80°Cの
熱板の上に10分間載せ、重合体が無色透明なフィルム
になるまで加熱する。ガラス板を酢酸無水物とピリジン
の混合物(等容混合物)中に室温で2時間浸漬してフィ
ルムをポリイミド構造に変える。ポリイミドに変化する
際フィルムはODA /PMDAポリイミドの典型的な
色である黄色になる。フィルムをメタノールで洗浄し空
気乾燥する。透過型電子顕微鏡で決定したフィルムの厚
さは12μmであった。ポリイミドとガラスとの境界の
間に髪剃りの刃を滑らせ、手でフィルムを持上げること
によりフィルムは容易に無傷の状態でガラス板から除去
された。使用直前までフィルムはガラス板の上で貯蔵し
た。
pmできれいなガラス板(直径10.3 c m)にポ
リアミン酸をスピンコードする。ガラス板を80°Cの
熱板の上に10分間載せ、重合体が無色透明なフィルム
になるまで加熱する。ガラス板を酢酸無水物とピリジン
の混合物(等容混合物)中に室温で2時間浸漬してフィ
ルムをポリイミド構造に変える。ポリイミドに変化する
際フィルムはODA /PMDAポリイミドの典型的な
色である黄色になる。フィルムをメタノールで洗浄し空
気乾燥する。透過型電子顕微鏡で決定したフィルムの厚
さは12μmであった。ポリイミドとガラスとの境界の
間に髪剃りの刃を滑らせ、手でフィルムを持上げること
によりフィルムは容易に無傷の状態でガラス板から除去
された。使用直前までフィルムはガラス板の上で貯蔵し
た。
(B)フィルムの表面に加熱した焼印を押し付けて熱に
よる像をポリイミド・フィルムに転写する。
よる像をポリイミド・フィルムに転写する。
焼印は2.540mのアルミニウムの棒であり、棒の本
体に対し所望の像が突板としてつけられている。
体に対し所望の像が突板としてつけられている。
第1図参照。第1図の焼印は使用した焼印の実際の大き
さの約2.63倍である。この焼印をその中に埋込まれ
た2個の抵抗加熱器で加熱する。温度はエレクトロニッ
ク・コントロール・システム(Elsctronic
Control System)社製800−262型
温度調節器でそのブロックの中に取り付けられた熱電対
を介して調節する。焼印を300°Cに加熱し、約1秒
間フィルムに押し付ける。熱による捺印を用いて像を形
成する工程中ODA /PMDA重合体フィルムを柔ら
かい支持物(熱的に安定な重合体のバ・ノド)の上に置
く。上記と同様な熱処理を行った後、アセトニトリル中
に入れたとき、フィルムはもとの厚さの僅か1.2倍し
か膨潤しなかった。つくられたままのODA /PMD
A重合体フィルムはアセトニトリル中に入れると最初の
厚さの1.5倍に膨潤する。
さの約2.63倍である。この焼印をその中に埋込まれ
た2個の抵抗加熱器で加熱する。温度はエレクトロニッ
ク・コントロール・システム(Elsctronic
Control System)社製800−262型
温度調節器でそのブロックの中に取り付けられた熱電対
を介して調節する。焼印を300°Cに加熱し、約1秒
間フィルムに押し付ける。熱による捺印を用いて像を形
成する工程中ODA /PMDA重合体フィルムを柔ら
かい支持物(熱的に安定な重合体のバ・ノド)の上に置
く。上記と同様な熱処理を行った後、アセトニトリル中
に入れたとき、フィルムはもとの厚さの僅か1.2倍し
か膨潤しなかった。つくられたままのODA /PMD
A重合体フィルムはアセトニトリル中に入れると最初の
厚さの1.5倍に膨潤する。
(c)U字管のセルの中で銀の中間層を沈着させる。U
字管の半分がフィルムにより他の半分から分離されるよ
うにフィルムをU字管の中にクランプする。電解槽は2
個のパイレックス0製の半槽から成り、2個のテフロン
0のワッシャーと2個の0−リングにより重合体フィル
ムをその間の適切な位置に固定する。溶液に露出したフ
ィルムの面積はテフロン・ワッシャーの内径によって決
定される。沈着実験中各半槽中の溶液をその底に配置し
たマグネティック・スターラーの棒で撹拌する。アセト
ニトリル中に0.0INのAgNO3溶液を生検の片方
に、またアセトニトリル中にO,OINのNaBH,を
含む溶液を他の生検に同時に加えることにより実験を開
始する。実験中溶液を連続的に撹拌する。この溶液に対
し20分間向流拡散を行わせる。
字管の半分がフィルムにより他の半分から分離されるよ
うにフィルムをU字管の中にクランプする。電解槽は2
個のパイレックス0製の半槽から成り、2個のテフロン
0のワッシャーと2個の0−リングにより重合体フィル
ムをその間の適切な位置に固定する。溶液に露出したフ
ィルムの面積はテフロン・ワッシャーの内径によって決
定される。沈着実験中各半槽中の溶液をその底に配置し
たマグネティック・スターラーの棒で撹拌する。アセト
ニトリル中に0.0INのAgNO3溶液を生検の片方
に、またアセトニトリル中にO,OINのNaBH,を
含む溶液を他の生検に同時に加えることにより実験を開
始する。実験中溶液を連続的に撹拌する。この溶液に対
し20分間向流拡散を行わせる。
露出を行った後両方の生検を迅速に空け、過剰のアセト
ニトリルで洗浄する。焼印と接触しなかったフィルムの
区域には銀の中間層が存在していたが、焼印と接触した
フィルムの区域には銀の中間層は存在しなかった。第2
図参照。第2図に示す像はつくられた像の実際の大きさ
の約2.63倍である。
ニトリルで洗浄する。焼印と接触しなかったフィルムの
区域には銀の中間層が存在していたが、焼印と接触した
フィルムの区域には銀の中間層は存在しなかった。第2
図参照。第2図に示す像はつくられた像の実際の大きさ
の約2.63倍である。
実施flI2
つくられたばかりのODA /PMDAポリイミド・フ
ィルムは黄色であり、厚さ10μmのフィルムはアルゴ
ン・イオン・レーザーの488nmの線を約50%吸収
する。この性質のためにODA /PMDAフィルムは
アルゴン・イオン・レーザーによって加熱することがで
きる。実施例1と同様に加熱された区域は加熱されない
区域に比べ透過性が少ない。
ィルムは黄色であり、厚さ10μmのフィルムはアルゴ
ン・イオン・レーザーの488nmの線を約50%吸収
する。この性質のためにODA /PMDAフィルムは
アルゴン・イオン・レーザーによって加熱することがで
きる。実施例1と同様に加熱された区域は加熱されない
区域に比べ透過性が少ない。
実施例1と同様につくられたODA /PMDAフィル
ム(ガラス板から剥がす前)を帆8pmのスポットに焦
点を合わせた488nmのパルス・レーザー・ビームに
露出する。レーザー・パルスに同期したモーター付きの
台を用い試料を(レーザー・パルスの間に)動かすこと
によりフィルムにパターンを描くことができる。この方
法で、レーザー・パルスの間でレーザー・スポットの幅
より短い距離台を亙り動かすことにより連続した加熱線
を描いた。同様に、レーザー・パルスの間でレーザー・
スポットの幅より遥かに大きい距離台を動かすことによ
り、個々のレーザー・パルスの効果を決定した。この方
法により第3図に示すパターンが得られた。第3図は一
連の出力とパルス幅をもったレーザーに露出した後のO
DA /PMDA7 (ルム(ガラス板から剥がす前)
の表面の光学的顕微鏡(反射法)の像である。レーザー
・ビームが当ったフィルムの区域は、レーザー・ビーム
により重合体表面が損傷を受けているために、光学的に
見ることができる。第3図を左から右に7個の部分に分
ける(異ったレーザー露出に基づくもの)。部分lは間
隔20μmの2本の平行線なから成り、各々は台を1パ
ルス当り帆2μm動かして一連のレーザー・パルス(2
5mW、長さ100μ秒)によってつくられたものであ
る。部分2〜7は一定のパルス持続時間においてレーザ
ー出力を変化させて加熱されたスポットのl0XIOの
配列から成っている。lO×10の配列の各々は持続時
間100μ秒、出力25mWのパルスでつくられた12
X 12個の縁により取囲まれている。各配列の10個
の縦の列は左から右にかけてレーザーの出力を5mW
(列l及び2) 、10mW(列3及び4) 、15
mW (列5及び6) 、20mW (列7及び8)及
び25mW (列9及び10)と増加させて露出した。
ム(ガラス板から剥がす前)を帆8pmのスポットに焦
点を合わせた488nmのパルス・レーザー・ビームに
露出する。レーザー・パルスに同期したモーター付きの
台を用い試料を(レーザー・パルスの間に)動かすこと
によりフィルムにパターンを描くことができる。この方
法で、レーザー・パルスの間でレーザー・スポットの幅
より短い距離台を亙り動かすことにより連続した加熱線
を描いた。同様に、レーザー・パルスの間でレーザー・
スポットの幅より遥かに大きい距離台を動かすことによ
り、個々のレーザー・パルスの効果を決定した。この方
法により第3図に示すパターンが得られた。第3図は一
連の出力とパルス幅をもったレーザーに露出した後のO
DA /PMDA7 (ルム(ガラス板から剥がす前)
の表面の光学的顕微鏡(反射法)の像である。レーザー
・ビームが当ったフィルムの区域は、レーザー・ビーム
により重合体表面が損傷を受けているために、光学的に
見ることができる。第3図を左から右に7個の部分に分
ける(異ったレーザー露出に基づくもの)。部分lは間
隔20μmの2本の平行線なから成り、各々は台を1パ
ルス当り帆2μm動かして一連のレーザー・パルス(2
5mW、長さ100μ秒)によってつくられたものであ
る。部分2〜7は一定のパルス持続時間においてレーザ
ー出力を変化させて加熱されたスポットのl0XIOの
配列から成っている。lO×10の配列の各々は持続時
間100μ秒、出力25mWのパルスでつくられた12
X 12個の縁により取囲まれている。各配列の10個
の縦の列は左から右にかけてレーザーの出力を5mW
(列l及び2) 、10mW(列3及び4) 、15
mW (列5及び6) 、20mW (列7及び8)及
び25mW (列9及び10)と増加させて露出した。
個々の配列のパルス幅は部分2−0゜5μ秒、部分3=
1.0μ秒、部分4−5.0μ秒、部分5=lOμ秒、
部分6=50μ秒、部分7=IOμ秒である。
1.0μ秒、部分4−5.0μ秒、部分5=lOμ秒、
部分6=50μ秒、部分7=IOμ秒である。
レーザーに露出した後、ポリイミドフィルムをガラス板
から剥がし、0.01NのAgN0.及び0.01Nの
NaBH4のアセトニトリル溶液中で15分間向流拡散
を行わせることにより銀の中間層をつくった。
から剥がし、0.01NのAgN0.及び0.01Nの
NaBH4のアセトニトリル溶液中で15分間向流拡散
を行わせることにより銀の中間層をつくった。
第4図は銀の中間層をつくった後のポリイミド・フィル
ムの光学顕微鏡写真(透過法)である。部分l におい
てレーザーにより加熱された区域である平行線には銀の
沈着はなかった。縁のスポット以外の部分においては、
部分6(パルス持続時間50μm)の出力20及び25
mWの列が、中間層の形成が著しく減少している唯一の
部分である。この組は上記条件下において必要とされる
パルスの持続時間/出力に対する下限を与える。また0
、8μmの直径のパルスはほぼ直径lOμmのスポット
をつくることは明らかである。
ムの光学顕微鏡写真(透過法)である。部分l におい
てレーザーにより加熱された区域である平行線には銀の
沈着はなかった。縁のスポット以外の部分においては、
部分6(パルス持続時間50μm)の出力20及び25
mWの列が、中間層の形成が著しく減少している唯一の
部分である。この組は上記条件下において必要とされる
パルスの持続時間/出力に対する下限を与える。また0
、8μmの直径のパルスはほぼ直径lOμmのスポット
をつくることは明らかである。
実施例 3
ジメチル7オルムアミド
リデンフルオライド) (PVF2)を20%含む溶液
をガラス板上にスピンコードしてPVF 2フイルムを
つくった。厚さ28μmのフィルムに約1秒間焼印(実
施例1記載のもの、160℃に加熱)を押し付ける。熱
により像を転写した後、アセトニトリルを坦体溶液とし
て使用し0.02NのAgN0.及び0.02NのNa
BH,を10分間向流拡散させ金属中間層を成長させる
。向流拡散での沈着の最初の5分間でこの試料は非常に
高いコントラストをもつに至った。
をガラス板上にスピンコードしてPVF 2フイルムを
つくった。厚さ28μmのフィルムに約1秒間焼印(実
施例1記載のもの、160℃に加熱)を押し付ける。熱
により像を転写した後、アセトニトリルを坦体溶液とし
て使用し0.02NのAgN0.及び0.02NのNa
BH,を10分間向流拡散させ金属中間層を成長させる
。向流拡散での沈着の最初の5分間でこの試料は非常に
高いコントラストをもつに至った。
向流拡散による沈着を10分間行った後には、フィルム
の加熱しなかった区域には光学的に緻密な銀の中間層が
沈着したが、加熱した区域には銀はほとんど沈着してい
なかった。140°Cで焼印を押した同様なフィルムは
同様な条件で向流拡散を行った後回等コントラストを示
さなかった。従って140′Cではフィルムに不透過性
を与えるには不十分である。
の加熱しなかった区域には光学的に緻密な銀の中間層が
沈着したが、加熱した区域には銀はほとんど沈着してい
なかった。140°Cで焼印を押した同様なフィルムは
同様な条件で向流拡散を行った後回等コントラストを示
さなかった。従って140′Cではフィルムに不透過性
を与えるには不十分である。
実施例4
フィルム内部での相互侵入型重合体網状構造の光化学的
形成によって重合体フィルムの透過性を調節する方法 架橋可能な多官能性単量体の相互侵入型重合体網状構造
(IPN)を、ポリアミン酸フィルムをポリイミドに化
学的に変化させる前にポリアミン酸フィルムの中に光化
学的につくった。フィルムがポリイミドに変化すると、
IPNが存在する場合フィルムの膨潤度が減少し、従っ
てフィルムの透過性が減少する。標準的な7オトレジス
トの技術を使って空間的に制御された方法でJPNをつ
くると、向流拡散法によってつくられた金属中間層に光
によって生じたパターンが転写される。
形成によって重合体フィルムの透過性を調節する方法 架橋可能な多官能性単量体の相互侵入型重合体網状構造
(IPN)を、ポリアミン酸フィルムをポリイミドに化
学的に変化させる前にポリアミン酸フィルムの中に光化
学的につくった。フィルムがポリイミドに変化すると、
IPNが存在する場合フィルムの膨潤度が減少し、従っ
てフィルムの透過性が減少する。標準的な7オトレジス
トの技術を使って空間的に制御された方法でJPNをつ
くると、向流拡散法によってつくられた金属中間層に光
によって生じたパターンが転写される。
DMAc中に11.5%のポリアミン酸を含む溶液46
gに、2.12gのテトラエチレングリコールジアクリ
レート(TTEFDA)、0.50gのビス(2−0−
クロロフェニル−4,5−ジフェニルイミダゾリル)
(HABI)、0゜05gの2−メルカプトベンズオキ
サゾール(2−MBO−)及び25mgの2−(4’−
ジエチルアミノー2−メチルベンジリデン)−1−イン
ダノン(DBI)を加える。同様な試薬の組み合わせは
効果的な光重合可能な組成物として記載されている(同
一出願人による米国特許第4,162,162号)。こ
れらの成分を十分に混合した後、(実施例1記載の方法
により) 10.3cmのガラス板の上にスピンコード
する。次にこの組成物を熱板の上で80°Cにおいて9
分間乾燥し、厚さ約25μmのフィルムにする。第5図
記載のオプトライン(opto l 1ne)光マスク
をフィルムの上に載せ、これに200Wの高圧Hg/X
eアーク・ランプ[フォトン・テクノロジー(Phot
on Technology)社製LPS型200x電
源]で照射し、光を石英の濾光器を通して赤外光を除去
する。試料に当る光は約25mW/cm”であり、その
大部分は365nmであって増感剤にではなくポリアミ
ン酸によって吸収される。試料を5分間照射する。照射
後実施例1記載の方法で試料を化学的にポリイミドに変
える。このようにしてつくられたフィルムは光分解され
た区域の方が(IPNが存在するために)光から保護さ
れていた方に比べ厚くなる。何故ならばTTEGDA、
HABJ、2−MBO及びDBIは化学的変化の過程
で光分解されない区域から拡散し去るからである。完全
に光分解した区域でフィルムの厚さは12μmであり、
光分解されない区域では9.4μmであった。
gに、2.12gのテトラエチレングリコールジアクリ
レート(TTEFDA)、0.50gのビス(2−0−
クロロフェニル−4,5−ジフェニルイミダゾリル)
(HABI)、0゜05gの2−メルカプトベンズオキ
サゾール(2−MBO−)及び25mgの2−(4’−
ジエチルアミノー2−メチルベンジリデン)−1−イン
ダノン(DBI)を加える。同様な試薬の組み合わせは
効果的な光重合可能な組成物として記載されている(同
一出願人による米国特許第4,162,162号)。こ
れらの成分を十分に混合した後、(実施例1記載の方法
により) 10.3cmのガラス板の上にスピンコード
する。次にこの組成物を熱板の上で80°Cにおいて9
分間乾燥し、厚さ約25μmのフィルムにする。第5図
記載のオプトライン(opto l 1ne)光マスク
をフィルムの上に載せ、これに200Wの高圧Hg/X
eアーク・ランプ[フォトン・テクノロジー(Phot
on Technology)社製LPS型200x電
源]で照射し、光を石英の濾光器を通して赤外光を除去
する。試料に当る光は約25mW/cm”であり、その
大部分は365nmであって増感剤にではなくポリアミ
ン酸によって吸収される。試料を5分間照射する。照射
後実施例1記載の方法で試料を化学的にポリイミドに変
える。このようにしてつくられたフィルムは光分解され
た区域の方が(IPNが存在するために)光から保護さ
れていた方に比べ厚くなる。何故ならばTTEGDA、
HABJ、2−MBO及びDBIは化学的変化の過程
で光分解されない区域から拡散し去るからである。完全
に光分解した区域でフィルムの厚さは12μmであり、
光分解されない区域では9.4μmであった。
ポリイミドに化学的に変化させた後、ポリイミドフィル
ムをガラス板から剥がし、アセトニトリル中の0.02
NのAgNOs及び0.02NのNaBH,の溶液中で
10分間向流拡散を行わせることによりフィルムの中に
銀の中間層をつくった。第6図は銀の中間層をつくった
後のポリイミド・フィルムの光学顕微鏡写真(透過法)
である。この方法によれば次色のスケールを含めて第5
図のパターンを再現することができるが、このことは観
測されるコントラストが光分解反応の程度に依存してい
ることを示している。
ムをガラス板から剥がし、アセトニトリル中の0.02
NのAgNOs及び0.02NのNaBH,の溶液中で
10分間向流拡散を行わせることによりフィルムの中に
銀の中間層をつくった。第6図は銀の中間層をつくった
後のポリイミド・フィルムの光学顕微鏡写真(透過法)
である。この方法によれば次色のスケールを含めて第5
図のパターンを再現することができるが、このことは観
測されるコントラストが光分解反応の程度に依存してい
ることを示している。
第5図及び第6図の両方井水された寸法は本実施例記載
の光マスク及びフィルムの実際の寸法の約2.17倍で
ある。
の光マスク及びフィルムの実際の寸法の約2.17倍で
ある。
実施例5
実施例4と同様に、架橋可能な多官能性単量体の相互侵
入型重合体網状構造(JPN)は、ポリアミン酸フィル
ムをポリイミドに化学的に変化させる前にポリアミン酸
フィルムの中に光化学的につられ lこ 。
入型重合体網状構造(JPN)は、ポリアミン酸フィル
ムをポリイミドに化学的に変化させる前にポリアミン酸
フィルムの中に光化学的につられ lこ 。
DMAc中に11.5%のポリアミン酸を含む溶液46
gに、0.5gのビス(2−o−クロロフェニル−4,
5−ジフエニルイミダゾリル) (HABI)、0.0
5gの2−メルカプトベンズオキサゾール(2−MBO
)及びO,1,Ogの2−(4゛−ジエチルアミノ−2
−メチルベンジリデン)−1−インダノン(DBI)を
加える。この溶液11.5gに0.265gのテトラエ
チレングリコールジアクリレート(TTEFDA)を加
えた。成分を十分に混合した後、105cm2のSnO
2被覆ガラス板の上に(実施例Iと同様にした)スピン
コードする。この組成物を20分間85°Cの炉に入れ
、約25μmの厚さのフィルムにする。フィルムの上に
光マスクを置いた後、これに200Wの高圧Hg/Xe
アーク・ランプ[7オトン・テクノロジー(Photo
n Technology)社製LPS型200X電源
1で照射し、光を石英の濾光器を通して赤外光を除去す
る。試料に当る光は約10mW/ cm”であつた。試
料を10分間照射する。照射を行った後、ピリジン:酢
酸無水物ニアセトニトリル(1: 1 :5)中におい
て1時間ソーキングして試料を化学的に変化させてポリ
イミドにする。このようにしてつくられたフィルムは光
分解された区域の方が(IPNが存在するために)光か
ら保護されていた方に比べ厚くなる。何故ならばTTE
GDA、 HABI、2−MBO及びDBIは化学的変
化の過程で光分解されない区域から拡散し去るからであ
る。光分解しない区域でのフィルムの厚さは14.8μ
mであった。アセトニトリルに露出すると光分解しなか
った区域は43%膨潤したが、光分解した区域では24
%であった。
gに、0.5gのビス(2−o−クロロフェニル−4,
5−ジフエニルイミダゾリル) (HABI)、0.0
5gの2−メルカプトベンズオキサゾール(2−MBO
)及びO,1,Ogの2−(4゛−ジエチルアミノ−2
−メチルベンジリデン)−1−インダノン(DBI)を
加える。この溶液11.5gに0.265gのテトラエ
チレングリコールジアクリレート(TTEFDA)を加
えた。成分を十分に混合した後、105cm2のSnO
2被覆ガラス板の上に(実施例Iと同様にした)スピン
コードする。この組成物を20分間85°Cの炉に入れ
、約25μmの厚さのフィルムにする。フィルムの上に
光マスクを置いた後、これに200Wの高圧Hg/Xe
アーク・ランプ[7オトン・テクノロジー(Photo
n Technology)社製LPS型200X電源
1で照射し、光を石英の濾光器を通して赤外光を除去す
る。試料に当る光は約10mW/ cm”であつた。試
料を10分間照射する。照射を行った後、ピリジン:酢
酸無水物ニアセトニトリル(1: 1 :5)中におい
て1時間ソーキングして試料を化学的に変化させてポリ
イミドにする。このようにしてつくられたフィルムは光
分解された区域の方が(IPNが存在するために)光か
ら保護されていた方に比べ厚くなる。何故ならばTTE
GDA、 HABI、2−MBO及びDBIは化学的変
化の過程で光分解されない区域から拡散し去るからであ
る。光分解しない区域でのフィルムの厚さは14.8μ
mであった。アセトニトリルに露出すると光分解しなか
った区域は43%膨潤したが、光分解した区域では24
%であった。
化学的に変化させてポリイミドにした後、上記米国特許
願第901,770号記載の方法により電気化学的に銀
をフィルムに沈着させた。パターンは光分解しなかった
区域において幅lOOμmの銀の線が中間層として沈着
し、光分解した区域では銀の沈着は観測されないような
パターンであった。銀の線は電気伝導性をもち(330
°Cで10分間焼結した後の抵抗−20〜40オ一ム/
cm)、且つ反射性をもっていた。
願第901,770号記載の方法により電気化学的に銀
をフィルムに沈着させた。パターンは光分解しなかった
区域において幅lOOμmの銀の線が中間層として沈着
し、光分解した区域では銀の沈着は観測されないような
パターンであった。銀の線は電気伝導性をもち(330
°Cで10分間焼結した後の抵抗−20〜40オ一ム/
cm)、且つ反射性をもっていた。
上記説明は原則として有機重合体に基づくマトリックス
を使用する方法について行ったが、本発明の原理は向流
拡散法により金属中間層を沈着させることができ、金属
イオン及び/又は還元剤の透過性を変化させ得る任意の
マトリックスに対し、有機または無機、重合体または非
重合体を問わず広く適用することができる。
を使用する方法について行ったが、本発明の原理は向流
拡散法により金属中間層を沈着させることができ、金属
イオン及び/又は還元剤の透過性を変化させ得る任意の
マトリックスに対し、有機または無機、重合体または非
重合体を問わず広く適用することができる。
本発明の主な特徴及び態様は次の通りである。
1.マトリックスの片側の表面に接触している金属イオ
ン、及びマトリックスの他の表面に接触している還元剤
の自流拡散により、少なくとも二つの表面をもった予め
形成されたマトリックス内部の予め定められた位置に金
属を沈積させる金属中間層沈積法であって、金属イオン
または還元剤のいずれか或いは両方に対し異った透過度
を有する少なくとも二つの隣接した容濱要素をもったマ
トリックスを用いて上記方法を実施する、改善された金
属中間層沈積法(MID)。
ン、及びマトリックスの他の表面に接触している還元剤
の自流拡散により、少なくとも二つの表面をもった予め
形成されたマトリックス内部の予め定められた位置に金
属を沈積させる金属中間層沈積法であって、金属イオン
または還元剤のいずれか或いは両方に対し異った透過度
を有する少なくとも二つの隣接した容濱要素をもったマ
トリックスを用いて上記方法を実施する、改善された金
属中間層沈積法(MID)。
2、マトリックスが重合体マトリックスである上記第1
項記載の方法。
項記載の方法。
3、マトリックスが有機重合体マトリックスである上記
第2項記載の方法。
第2項記載の方法。
4、マトリックスがポリイミドから成る上記第3項記載
の方法。
の方法。
5、中間層の金属が銀である上記第3項記載の方法。
6、中間層の金属が金である上記第3項記載の方法。
7、マトリックスがフィルムの形である上記第1項記載
の方法。
の方法。
8、マトリックスの片側の表面に接触している金属イオ
ン、及びマトリックスの他の表面に接触している還元剤
の向流拡散により、少なくとも二つの表面をもった予め
形成されたマトリックス内部の予め定められた位置に金
属を沈積させる金属中間層沈積法であって、 (a)マトリックスの処理された部分及び処理されてい
ない部分において金属及び/又は還元剤の透過度が異る
に至るのに少なくとも十分な時間マトリックスの選ばれ
た部分を処理し、 (b)向流拡散法により、工程(a)で処理したマトリ
ックスの部分の方が工程(a)で処理しなかったマトリ
ックスの部分に比べ金属の存在量が少ない金属中間層を
マトリックス内部につくる、改善された金属中間層沈着
法(MID)。
ン、及びマトリックスの他の表面に接触している還元剤
の向流拡散により、少なくとも二つの表面をもった予め
形成されたマトリックス内部の予め定められた位置に金
属を沈積させる金属中間層沈積法であって、 (a)マトリックスの処理された部分及び処理されてい
ない部分において金属及び/又は還元剤の透過度が異る
に至るのに少なくとも十分な時間マトリックスの選ばれ
た部分を処理し、 (b)向流拡散法により、工程(a)で処理したマトリ
ックスの部分の方が工程(a)で処理しなかったマトリ
ックスの部分に比べ金属の存在量が少ない金属中間層を
マトリックス内部につくる、改善された金属中間層沈着
法(MID)。
9、マトリックスの片側の表面に接触している金属イオ
ン、及びマトリックスの他の表面に接触している還元剤
の向流拡散により、少なくとも二つの表面をもった予め
形成されたマトリックス内部の予め定められた位置に金
属を沈積させる金属中間層沈積法であって、 (a)マトリックスの加熱された部分及び加熱されてい
ない部分において金属及び/又は還元剤の透過度が異る
に至るのに少なくとも十分な時間マトリックスの選ばれ
た部分を加熱し、 (b)向流拡散法により、工程(a)で加熱したマトリ
ックスの部分の方が工程(a)で加熱しなかったマトリ
ックスの部分に比べ金属の存在量が少ない金属中間層を
マトリックス内部につくる、改善された金属中間層沈着
法(MID)。
ン、及びマトリックスの他の表面に接触している還元剤
の向流拡散により、少なくとも二つの表面をもった予め
形成されたマトリックス内部の予め定められた位置に金
属を沈積させる金属中間層沈積法であって、 (a)マトリックスの加熱された部分及び加熱されてい
ない部分において金属及び/又は還元剤の透過度が異る
に至るのに少なくとも十分な時間マトリックスの選ばれ
た部分を加熱し、 (b)向流拡散法により、工程(a)で加熱したマトリ
ックスの部分の方が工程(a)で加熱しなかったマトリ
ックスの部分に比べ金属の存在量が少ない金属中間層を
マトリックス内部につくる、改善された金属中間層沈着
法(MID)。
10、マトリックスの加熱された部分と加熱されなかっ
た部分との間の透過度の差は100倍より大きい上記第
9項記載の方法。
た部分との間の透過度の差は100倍より大きい上記第
9項記載の方法。
11、マトリックスの選ばれた部分の加熱はレーザー・
ヒームにより行われる上記第9項記載の方法。
ヒームにより行われる上記第9項記載の方法。
12、マトリックスの片側の表面に接触している金属イ
オン、及びマトリックスの他の表面に接触している還元
剤の向流拡散により、少なくとも二つの表面をもった予
め形成されたマトリックス内部の予め定められた位置に
金属を沈積させる金属中間層沈積法であって、 (a)マトリックスをつくる間またはつくった後のいず
れかにおいて光重合可能な組成物をマトリックス中に導
入し、 (b)マトリックス中の光重合可能な組成物の選ばれた
部分を光重合させて、マトリックス中にパターンがつけ
られた相互侵入型の重合体網状構造をつくり、 (c)マトリックス中にマトリックスを膨潤させる溶媒
を導入して膨潤したマトリックスをつくり、パターンが
つけられた相互侵入型の重合体網状構造から成る区域の
膨潤度が低くなるようにし、(d)向流拡散法により、
パターンがつけられた相互侵入型の重合体網状構造の部
分の金属存在量が少ない金属中間層をマトリックス内部
につくる、改善された金属中間層沈着法。
オン、及びマトリックスの他の表面に接触している還元
剤の向流拡散により、少なくとも二つの表面をもった予
め形成されたマトリックス内部の予め定められた位置に
金属を沈積させる金属中間層沈積法であって、 (a)マトリックスをつくる間またはつくった後のいず
れかにおいて光重合可能な組成物をマトリックス中に導
入し、 (b)マトリックス中の光重合可能な組成物の選ばれた
部分を光重合させて、マトリックス中にパターンがつけ
られた相互侵入型の重合体網状構造をつくり、 (c)マトリックス中にマトリックスを膨潤させる溶媒
を導入して膨潤したマトリックスをつくり、パターンが
つけられた相互侵入型の重合体網状構造から成る区域の
膨潤度が低くなるようにし、(d)向流拡散法により、
パターンがつけられた相互侵入型の重合体網状構造の部
分の金属存在量が少ない金属中間層をマトリックス内部
につくる、改善された金属中間層沈着法。
13、上記第1項記載の方法でつくられた内部に金属の
中間層が沈着したマトリックス。
中間層が沈着したマトリックス。
14、フィルムから成る上記第13項記載のマトリック
ス。
ス。
15、重合体から成る上記第13項記載のマトリックス
。
。
16、有機重合体から成る上記第15項記載のマトリッ
クス。
クス。
17、ポリイミドから成る上記第16項記載のマトリッ
クス。
クス。
18、中間層の金属が銀である上記第16項記載のマト
リックス。
リックス。
19、中間層の金属が金である上記第16項記載のマト
リックス。
リックス。
第1図は重合体フィルムに層を熱的に転写する「焼印」
を示し、第2図は第1図で示した「焼印」でフィルムに
像を熱的に転写した後の銀の中間層がつくられたODA
/PMDA重合体フィルムであり、第3図はレーザー
による加熱で像を熱的に転写した後のODA /P!1
lDA重合体フィルムの光学顕微鏡写真であり、第4図
はレーザーによる加熱で像を熱的に転写し、向流拡散法
により銀の中間層を沈着させたODA /PMDA重合
体フィルムの光学顕微鏡写真であり、第5図は相互侵入
型重合体網状構造を光化学的につくる際の重合体フィル
ムの上に載せた光マスクを示し、第6図は相互侵入型重
合体網状構造を光化学的につくった後の銀の中間層がつ
くられたODA /PMDA重合体フィルムである。 F & G。
を示し、第2図は第1図で示した「焼印」でフィルムに
像を熱的に転写した後の銀の中間層がつくられたODA
/PMDA重合体フィルムであり、第3図はレーザー
による加熱で像を熱的に転写した後のODA /P!1
lDA重合体フィルムの光学顕微鏡写真であり、第4図
はレーザーによる加熱で像を熱的に転写し、向流拡散法
により銀の中間層を沈着させたODA /PMDA重合
体フィルムの光学顕微鏡写真であり、第5図は相互侵入
型重合体網状構造を光化学的につくる際の重合体フィル
ムの上に載せた光マスクを示し、第6図は相互侵入型重
合体網状構造を光化学的につくった後の銀の中間層がつ
くられたODA /PMDA重合体フィルムである。 F & G。
Claims (3)
- 1.マトリックスの片側の表面に接触している金属イオ
ン、及びマトリックスの他の表面に接触している還元剤
の向流拡散により、少なくとも二つの表面をもった予め
形成されたマトリックス内部の予め定められた位置に金
属を沈着させる金属中間層沈積法であって、金属イオン
または還元剤のいずれか或いは両方に対し異った透過度
を有する少なくとも二つの隣接した容積要素をもったマ
トリックスを用いて上記方法を実施することを特徴とす
る改善された金属中間層沈着法。 - 2.マトリックスの片側の表面に接触している金属イオ
ン、及びマトリックスの他の表面に接触している還元剤
の向流拡散により、少なくとも二つの表面をもった予め
形成されたマトリックス内部の予め定められた位置に金
属を沈着させる金属中間層沈積法であって、 (a)マトリックスの処理された部分及び処理されてい
ない部分において金属及び/又は還元剤の透過度が異る
に至るのに少なくとも十分な時間マトリックスの選ばれ
た部分を処理し、 (b)向流拡散法により、工程(a)で処理したマトリ
ックスの部分の方が工程(a)で処理しなかったマトリ
ックスの部分に比べ金属の存在量が少ない金属中間層を
マトリックス内部につくることを特徴とする改善された
金属中間層沈着法。 - 3.マトリックスの片側の表面に接触している金属イオ
ン、及びマトリックスの他の表面に接触している還元剤
の向流拡散により、少なくとも二つの表面をもった予め
形成されたマトリックス内部の予め定められた位置に金
属を沈着させる金属中間層沈着法であって、 (a)マトリックスをつくる間またはつくった後のいず
れかにおいて光重合可能な組成物をマトリックス中に導
入し、 (b)マトリックス中の光重合可能な組成物の選ばれた
部分を光重合させて、マトリックス中にパターンが付け
られた相互侵入型の重合体網状構造をつくり、 (c)マトリックス中にマトリックスを膨潤させる溶媒
を導入して膨潤したマトリックスをつくり、パターンが
付けられた相互侵入型の重合体網状構造から成る区域の
膨潤度が低くなくなるようにし、(d)向流拡散法によ
り、パターンが付けられた相互侵入型の重合体網状構造
の部分の金属存在量が少ない金属中間層をマトリックス
内部につくることを特徴とする改善された金属中間層沈
着法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/051,859 US4774157A (en) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | Patterned metal interlayer in a matrix |
| US051859 | 1987-05-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0275A true JPH0275A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=21973796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63119445A Pending JPH0275A (ja) | 1987-05-19 | 1988-05-18 | マトリツクス内部にパターンを付けられた金属中間層 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4774157A (ja) |
| EP (1) | EP0291977A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0275A (ja) |
| KR (1) | KR880013682A (ja) |
| AU (1) | AU604318B2 (ja) |
| BR (1) | BR8802427A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5242713A (en) * | 1988-12-23 | 1993-09-07 | International Business Machines Corporation | Method for conditioning an organic polymeric material |
| JP2550756B2 (ja) * | 1990-06-27 | 1996-11-06 | 日立化成工業株式会社 | 非線形光学材料および非線形光学素子 |
| JP2768390B2 (ja) * | 1990-12-11 | 1998-06-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 無電解金属付着のために基体をコンディショニングする方法 |
| WO2019200128A1 (en) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | BVH, Inc. | Modular hydropower unit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130698A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-12 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機重合体フイルム内中間層としての金属の析出 |
| JPS6332556A (ja) * | 1986-02-11 | 1988-02-12 | イ−・アイ・デユポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− | 有機重合体フイルム中の金属構造の沈積に関する感光性カソ−ドの利用 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3351487A (en) * | 1963-11-06 | 1967-11-07 | Dow Chemical Co | Process for plating permeable membrane |
| US3718473A (en) * | 1971-01-27 | 1973-02-27 | Du Pont | Photopolymerizable elements containing hydro philic colloids and polymerizable monomers for making gravure printing plate resists |
| US3879204A (en) * | 1971-02-02 | 1975-04-22 | Du Pont | Two-layer photopolymerizable gravure resist film |
| US4001093A (en) * | 1975-08-06 | 1977-01-04 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of electroplating precious metals in localized areas |
| US4361641A (en) * | 1981-11-10 | 1982-11-30 | University Patents, Inc. | Electrolytic surface modulation |
| DE3585715D1 (de) * | 1984-10-02 | 1992-04-30 | Du Pont | Sintern von metallischen zwischenschichten in organischen polymerfilmen. |
| US4692360A (en) * | 1986-01-21 | 1987-09-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metal interlayers in films by counter-current diffusion |
| US4668354A (en) * | 1986-08-29 | 1987-05-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electrocatalytic deposition of metals in solid polymeric matrices |
-
1987
- 1987-05-19 US US07/051,859 patent/US4774157A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-05-18 JP JP63119445A patent/JPH0275A/ja active Pending
- 1988-05-18 AU AU16395/88A patent/AU604318B2/en not_active Ceased
- 1988-05-18 BR BR8802427A patent/BR8802427A/pt unknown
- 1988-05-18 KR KR1019880005883A patent/KR880013682A/ko not_active Withdrawn
- 1988-05-19 EP EP88108035A patent/EP0291977A3/en not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130698A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-12 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー | 有機重合体フイルム内中間層としての金属の析出 |
| JPS6332556A (ja) * | 1986-02-11 | 1988-02-12 | イ−・アイ・デユポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− | 有機重合体フイルム中の金属構造の沈積に関する感光性カソ−ドの利用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BR8802427A (pt) | 1988-12-13 |
| KR880013682A (ko) | 1988-12-21 |
| EP0291977A3 (en) | 1989-07-05 |
| AU604318B2 (en) | 1990-12-13 |
| US4774157A (en) | 1988-09-27 |
| AU1639588A (en) | 1988-11-24 |
| EP0291977A2 (en) | 1988-11-23 |
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