JPH0277145A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0277145A
JPH0277145A JP63229175A JP22917588A JPH0277145A JP H0277145 A JPH0277145 A JP H0277145A JP 63229175 A JP63229175 A JP 63229175A JP 22917588 A JP22917588 A JP 22917588A JP H0277145 A JPH0277145 A JP H0277145A
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printed wiring
wiring board
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leads
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JP63229175A
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Takeshi Takeyama
武山 武
Katsumi Kosaka
克己 匂坂
Atsushi Hiroi
廣井 厚
Mitsuhiro Kondo
近藤 光広
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Ibiden Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体装置に関し、特にプリント配線板にリー
ドフレームを固着した形式の半導体装置に関するもので
ある。
(従来の技術) 近年、電気部品の集積度はますます向上しており、それ
に伴ない半導体?tMも高密度化、かつ多ビン化される
傾向が強まってきている。
ところで、従来の半導体装置は、第6図に示すように各
リード(!l)か電気部品(40)の近傍まで延在して
おり、電気部品(40)とリート(II)の終端部とか
ボンディングワイヤー(30)にて電気的に接続されて
いる構造のものが一般的であった。
ところが、この従来の形式の半導体装置(+00)にあ
っては、そのリードフレーム(10)がコバールまたは
42アロイ等の比較的厚い材料で形成されているため、
インナーリート部の微細加工が困難であり、その結果、
半導体装置(100)の高密度化、及び多ビン化の大き
な障害となっていた。
これを解決するために、例えば特開昭59−98545
号公報に見られるような「半導体装置」が提案されてい
る。この「半導体装置」は。
その公報の特許請求の範囲の記載からすると、「導体層
を形成したベレット取付基板の上にベレットを取り付け
、前記ベレットのポンディングパッドと前記導体層とを
ワイヤボンディングにより電気的に接続し、前記ベレッ
ト取付板の前記導体層をリードフレームに接合してなる
」ものであり、さらに詳しくは、 「前記導体層がホトエツチングにより前記ベレット取付
基板上にパターン形成されている」ものである。
この「半導体装置」は、具体的には第7図に示すような
ものであるが、以」二のような構成を採ることにより、
次のような問題が発生する。
■電気部品(40)とリードフレーム(10)との電気
的接続は、全て片面プリント配線板(20)上の導体パ
ターン(22)を介して行なわれており、配線は単−層
で行なわれている。また、プリント配線板(20) h
の導体パターン(22)とリードフレーム(10)との
接続を半田(31)によって行なっているため、各リー
ドフレーム(10)間に十分なりリアランスが必要とな
る0以上のような理由から、この「半導体装置」は実際
上十分な高密度化は達成されていないものと考えられる
■この′¥[11(31)による接続は、プリント配線
板(20) 、、hの導体パターン(22)とリードフ
レーム(10)との電気的接続だけでなく、プリント配
線板(20)にリードフレーム(10)を固着するとい
う機械的接続も薯ねているため、十分な接続信頼性が得
られない、特に、この半導体装1 (zoo)をトラン
スファーモールド(50)する以前の製造工程で機械的
衝撃が加えられると、半田接続部か解離しやすく、製造
上問題となる。
■ベレット(41)がプリント配線板(20)上に搭載
される構造になっているため、プリント配線板(20)
に樹脂製の基材(21)を用いた場合、この半導体装置
(100)に熱的衝撃が加えられると、ベレット(41
)とプリント配線板(20)の熱膨張率の違いから比較
的大きな応力が生じて十分な接続信頼性が得られない。
■前述したように、プリント配線板(20)に樹脂製の
基材(21)を用いた場合、ベレット(41)は熱伝導
率の低い樹脂に埋設された状態になるため、ベレット(
4I)から発生した熱はベレット(41)内に留まって
しまい、非常に放熱性の悪いものになってしまう。
■トランスファーモールド(50)を形成する工程で金
型に封止樹脂を注入する際、プリント配線板(20)に
リードフレーム(lO)を固着するという構造上、プリ
ント配線板(2a)の表裏で完全に樹脂の流れが遮断さ
れてしまい、そのためボイドが非常に発生しやすくな9
ている。特に、WI型パッケージにおいてはボイドが発
生しやすく、製造−L問題となる。
(発明が解決しようとする課1M) 本発明は以上のような経緯に基づいてなされたものであ
り、その解決しようとするa!&lは、半導体装置にお
ける高密度化達成の不十分さである。
そして1本発明の目的とするところは、電気部品とリー
ドフレームとの電気的接続を高い信頼性で行なうことは
勿論、高密度化、換言すれば多数の外部接続端子である
リードを形成することのできる半導体装置を提供するこ
とである。
(課題を解決するための手段) 以−ヒの課題を解決するために本発明が採った手段は、
実施例に対応する第1[W〜第3図を参照して説す1す
ると。
「電子部品(40)が挿入される開口を有し、少なくと
も表面に導体パターン(22)を有するプリント配線板
(20)の裏面に、一部のリード(11)が前記開口に
向けて延在するリードフレーム(!0)を固着したこと
を特徴とする半導体装置(1)」である。
すなわち、本発明に係る半導体装m(1)にあっては、
一部のリード(11)は電気部品(40)を挿入する開
口に向けて電気部品(40)の近傍まで延在し、このリ
ート(11)の終端部と電気部品(40)をワイヤーボ
ンディングすることによって、直接電気的接続を行なっ
ている。
しかし、その他のリート(II)は、プリント配線板(
20)の外周部までしか延在しておらず、このリード(
11)と電気部品(40)との電気的接続は、プリント
配線板(20)−L:の導体パターン(22)を介して
間接的に行なわれているのである。
(発Illの作用) 未発IJが以上のような手段を採ることによって以下に
示すような作用かある。
■゛屯気気部品40)と各リード(11)との電気的接
続は、ボンディングワイヤー(30)により直接行なわ
れるものと、プリント配線板(200:の導体パターン
(22)を介して間接的に行なわれるものとに分かれ、
配線は多層構造となっている。そのため、従来の単一層
構造のものに比べ、より高密度な配線かI[能となって
いる。
■プリント配線板(20)にリードフレーム(10)を
接着剤等で固着しているため、プリント配線板(20)
とリードフレーム(10)との間の機械的接続と、電気
的接続の両方を半II接続で兼ねていた従来のものに比
べ、接続信頼性が高くなっている。
■電気部品(40)と熱膨張率が近いアイランド(12
)−1に、電気部品(40)がgJ!されているため、
熱的衝撃が加えられても応力か生じにくく、そのため耐
熱性が向IJ、十分な接続信頼性が得られるようになっ
ている。
@電気部品(40)を熱伝導率が比較的高いアイランド
(12)、1:に搭載するため、電気部品(40)から
発生した熱がアイランド(12)へ放散され、放熱性が
向」−するようになっている。
■プリント配線板(20)に電気部品(40)を挿入す
る開口を設けたため、トランスファーモールド(50)
の封止樹脂な金型に注入する際、この開口を通して、プ
リント配線板(20)の表裏で樹脂か流れやすくなり、
そのためボイドが発生しにくくなっている。
(実施例) 次に、本発明を図面に示した各実施例に従って詳細に説
明する。
及ム遺1 第1図には本発明の第1実施例に係るt導体装22(1
)の斜視図が示してあり、第2図にはその平面図、第3
図にはその断面図か示しである。
この半導体装置(1)においては、厚さ0.1mmのポ
リイミド樹脂製基材(21)の片面に導体パターン(2
2)が形成してあり、電気部品(40)が挿入される開
口を有する片面プリント配線板(20)を採用している
また、リードフレーム(!0)は、厚さ0.15mmの
所謂42アロイを採用している。
そして、プリント配線板(20)の裏面に、リードフレ
ーム(lO)を接着剤等によって固着しである。
なお、一部のリート(1+)は、開口に向けて延在し、
ボンディングワイヤー(30)により電気部品(40)
とリード(11)の終端部とか電気的に接続されている
また、その他のり−ト(11)は、プリント配線板(2
0)の外周部までしか延在しておらず、電気部品(40
)とリード(11)とはプリント配線板(20)l−の
導体パターン(22)を介して、ボンディングワイヤー
(コ0)により電気的に接続されている。
つまり、一部のリード(1りは、ボンディングワイヤー
(JO)により電気部品(40)と直接接続されるか、
その他のリード(!l)は、プリント配線板(20)上
の導体パターン(22)を介して接続されるのである。
そしてさらに、エポキシ樹脂等を材料としたトランスフ
ァーモールド(50)が施されている。
なお、この実施例における半導体装置(1)は、表面実
装型の所3JQFPであったか、スルーホール挿入型の
所謂sIPやDIPであってもかまわない。
実施例2 第4図には本41JIの第2実施例に係る半導体装置(
1)の断面図か示しである。
この第2実施例の第1実施例と異なる点は、この半導体
装置(+)を構成しているプリント配線板(20)か、
内層導体パターンを有する多層構造となっていることと
、プリント配線板(20)の導体ノ\ターン(22)と
リート(11)との電°気的接続に、断面スルーホール
(23)による半11接続か採用されてし)ることであ
る。
なお、この第2実施例においては、プリント配線板(2
0)を構成している基材(21)としてセラミ・ンクを
採用している。
このよ・うに、プリント配線板(20)か多層構造を採
ることにより、より高密度な配線か+T[teとなる。
また、プリント配線板(20)の導体パターン(22)
とリート(11)とを断面スルーホール(23)で半[
■接続したことにより、実装の作業性を1−げるととも
に、コストも安くすることかできる。
火纂輿A 第5図には未発IIの0′S3実施例に係る半導体装7
t(+)の断面IAが示しである。
この第3実施例の第1実施例と異なる点は、複数の′1
ヒ気部品(40)を搭載していることと、プリント配線
板(20)が多層4Ii造となっていることである。
なお、このプリント配線板(20)を構成している基材
(21)としては、ガラストリアジンを採用しており、
リードフレーム(10)としては、厚さ11.25mm
の所謂銅系リードフレームを採用している。
(発Illの効果) 以り詳述した通り1本発明にあっては、」;2実流側に
て例示した如く、 「電気部品か挿入される開口を有し、少なくとも表面に
導体パターンを有するプリント配線板の裏面に、一部の
リードが前記開口に向けて延在するリードフレームを固
着したこと」 にその特徴かあり、これにより、゛電気部品とり−トフ
レームとの電気的接続を高い信頼性で行なうことかてき
ることは勿論、高密度化、換イすれば多数の外部接続端
子であるリードを形成することのてきる゛ト導体装置を
提供することかてきるのである。
すなわち、本発明に係る半導体装置においては、電気部
品と各リートとの電気的接続か多層で行なわれるため、
高密度な配線か+1r reとなり、集積度の高い半導
体装置が簡単な構造で得られるのである。
また、その構造−I Ml電気部品各リートとの電気的
接続が確実に行なわれるとともに、電気部品から発生し
た熱か放散されやすいため、非常に信頼性の高い半導体
装置か得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例に係る半導体装置を示す斜
視図、第2図はそのモ面図、第3図はその断面図、第4
図は本発明の第2実施例に係る半導体装置を示す断面図
、第5図は本発明の第3実施例に係る半導体装置を示す
断面図、第6図及び第7図は従来の半導体装置を示す断
面図である。 符吟の説明 1−・・半導体装置、10・・・リードフレーム、Iト
・・リード、12・・・アイランド、20・・・プリン
ト配線板、21・・・基材、22−・・導体パターン、
23・・・断面スルーホール、 30−・・ボンディン
グワイヤー、 :11−・・半田、40・・・電気部品
、41・・・ベレット、5O−)−ランスファーモール
ド。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電子部品が挿入される開口を有し、少なくとも表面に導
    体パターンを有するプリント配線板の裏面に、一部のリ
    ードが前記開口に向けて延在するリードフレームを固着
    したことを特徴とする半導体装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03198355A (ja) * 1989-12-26 1991-08-29 Nec Corp 半導体装置
JPH04107961A (ja) * 1990-08-29 1992-04-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 多層リードフレーム
JPH04164361A (ja) * 1990-10-29 1992-06-10 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH0590480A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Mitsui High Tec Inc リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5895657U (ja) * 1981-12-23 1983-06-29 日本電気株式会社 集積回路用リ−ドフレ−ム

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