JPH0277591A - 第４級ホスホニウムヒドロオキシドの製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、第４級ホスホニウムヒドロオキシドの製造法
に関する。更に言えば、ポリシロキサンの製造に有用な
重合触媒（英国特許７９４，１１９号明細書）、電解コ
ンデンサー電解質用第４級ホスホニウム塩の製造に用い
る中間原料（特開昭６２−２７２．５１２号公報、特開
昭６２−２７２，５１：１号公報）。

さらには、半導体装置等の電子部品及び電子機器の封止
や含浸等に広く用いられる電気的特性に優れたエポキシ
樹脂の硬化触媒等に有用な高純度第４級ホスホニウム塩
の中間原料を電解法により製造する方法に関するもので
ある。

［従来の技術］および［発明が解決しようとする課′ｘ
Ｕ］ 従来、第４級ホスホニウムヒドロオキシドの製造法とし
ては、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムアイオダイドな
水溶液て酸化銀と反応させて、第４級ホスホニウムヒド
ロオキシドを得る方法（英国特許７９４　、１１９号明
細書）が知られている。その反応式を下記に示す。

（ｎ−Ｃ，Ｈ，）、ＰＩ＋１／２ＡｇＯ＋１／２ＨｚＯ
−＋　（ｎ−Ｃｊｌ、、）４ＰＯＨ＋Ａｇｌしかしなが
ら、この方法は酸化銀が高価である為に製造コストか高
くなり工業的に望ましい方法てはない。

他方、ジー　エム　コゾラホフ、エル　メイアー共著「
オーガニック　ホスホラス　コンパウンド」ウィリー−
インターサイエンス社発行（Ｇ、Ｍ、　ＫＯ３０ＬＡＰ
ＯＦＦ　ａｎｄ　Ｌ、　ＭＡＩＥＲｒＯＲＧＡＮＩｃ　
ＰｔｌＯ５ＰＨＰｔ１０５ＰＨＯＲＵＳＧＯＷＩＬＥＹ
−ＩＮＴＥＲ３ＣＩＥＮＣＥ、　ａ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ
ｏｆ　Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ　＆　５ｏｎｓ、Ｉｎｃ、
）　Ｖｏｌ、２　、２０１頁。

（１９７２年）ては、第４級ホスホニウム塩はイオン交
換樹脂を用いてイオン交換できる事が記載されている。

しかしながら、同書に記載されているように。

イオン交換樹脂を用いてイオン交換する場合には、一般
に原液の濃縮を希薄にする必要があり、従つてイオン交
換に長時間を必要とする欠点がある。

又、この点を克服すべく、特開昭６２−２１２，３９７
号公報では比較的高濃度領域で第４級ホスホニウムハラ
イドを強塩基性アニオン交換樹脂（ＯＨ型）と接触して
、イオン交換する事によって第４級ホスホニウムヒドロ
オキシドを得る方法か記載されている。しかし、この方
法の場合には、その実施例に記載されているようにイオ
ン交換が完全に行われない為（収率６６．４〜９０．８
％）、流出液中へ原料である第４級ホスホニウムハライ
ドが混入する事が避けられない、従って、ハロゲン化炭
化水素等の有機溶媒を使用して混入した第４級ホスホニ
ウムハライドを取り除く工程が必要である。

また、このように溶媒を使用して原料の第４級ホスホニ
ウムハライドを取り除いたとしても、流出液から完全に
回収することは困難で、その流出液中のハロゲンを分析
すると数１００〜数１１０００ｐｐは含まれている。

前記したとおり、従来法では、いずれも高純度の第４級
ホスホニウムヒドロオキシドか得られないか、又は工業
的には全く適応できないものである。

本発明者らは、上記の諸問題に鑑み鋭意詳細に研究した
結果、陽イオン交換膜を隔膜として構成する電解槽にて
、第４級ホスホニウム塩水溶液を電解したところ、予想
外に高純度かつ高収率で第４級ホスホニウムヒドロオキ
シドを製造できる方法を知見し本発明を完成した。

［課題を解決するための手段］ すなわち、本発明は、ｌ又は２以上の陽イオン交換膜を
隔膜とする電解槽において、次の一般式［Ｉ］ （式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ）およびＲ４は炭素原子数１〜
８のアルキル基、アリール基、アラルキル基またはそれ
等のいずれか少なくとも一種の基がヒドロキシル基若し
くはアルコキシル基で置換されたものを表わし、Ｘｏは
アニオンを示す） で表わされる第４級ホスホニウム塩水溶液を直流電解し
て陰極室から第４級ホスホニウムヒドロオキシドを得る
ことを特徴とする第４級ホスホニウムヒドロオキシドの
製造法に係る。

以下、本発明について詳説する。

本発明の第４級ホスホニウムヒドロオキシドの製造法は
、ｌ又は２以上の陽イオン交換膜を隔膜とする電解槽を
使用して第４級ホスホニウム塩水溶液の直流電解を行う
が、先ず１つの陽イオン交換膜を用いる方法について説
明する。

その具体的な方法は、１つの陽イオン交換膜で区画され
た電解槽の陽極室に第４級ホスホニウム塩水溶液を、陰
極室に水をそれぞれ供給して両極間に直流電流を通電す
ることにより、陰極室から第４級ホスホニウムヒドロオ
キシドを得る方法である。

本発明において、陽イオン交換膜としては、通常の陽イ
オン交換膜を用いることができるが、例えばスルフォン
基やカルボキシル基等の陽イオン交換基を有するスチレ
ン−ジビニルベンゼン共重合膜およびフッ素樹脂膜等が
使用される。

また、電極を構成する材料としては、陽極には第４級ホ
スホニウム塩の電解によって発生するハロゲン、酸素等
に対して耐久性のある安定なものが良く１例えば黒鉛、
鉛及びその合金、各種金属に白金属金属を被覆した電極
等を用いるのが好ましい。また、陰極には耐アルカリ性
の材料が用いられ、例えばステンレス、ニッケル等を用
いるのか好ましい。

電解槽を構成する材料としては、陽極室はフッ素系樹脂
、ポリプロピレン、ポリエチレン等の合成樹脂が用いら
れ、また陰極室は前記陽極室に用いられる合成樹脂、そ
の他に耐アルカリ性のステンレス等でも十分に使用する
ことができる。

本発明における電解槽の陽極室へ水溶液とじて供給され
る第４級ホスホニウム塩は、下記の一般式［Ｉ］ Ｃ式中、ＲＩｎ　ＲＩｎ　ｎｆｆおよびＲ＜ハ炭素原子
数１〜８のアルキル基、アリール基、アラルキル基また
はそれ等のいずれか少なくとも一種の基がヒドロキシル
基若しくはアルコキシル基で置換されたものを表わし、
Ｘｏはアニオンを示す）で表わされる化合物が用いられ
る。

前記一般式［１１において、Ｒ１−Ｒ１がアルキル基と
しては例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペン
チルおよびオクチル等であり、アリール基としては例え
ばフェニル、トリルまたはキシリル等であり、アラルキ
ル基としては例えばベンジル、フェニチル等であり、ま
た前記の６基のいずれか少なくとも一種の基がヒドロキ
シル基若しくはアルコキシル基で置換されたものが挙げ
られる。また、８１〜Ｒ４は同種又は異種であってもよ
い。

また　ｚｅはアニオン（＃基）を示し、例えばフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンイオン、ギ酸、酢酸、
シュウ酸等の有機カルボキシルイオン、硫酸、ジメチル
およびジエチル硫酸の各イオン、硝酸イオン、リン酸イ
オン、メチルおよびジメチルリン酸イオン、エチルおよ
びジエチルリン酸等の有機リン酸イオンあるいは水酸基
（ＯＨ−）等が挙げられるが、これ等のアニオンに限定
されるものではない。

本発明の第４級ホスホニウム塩水溶液の電解にあたって
は直流電圧を印加するが、そのときの電流密度は通常ｌ
〜ＳＯＡ／ｄａ”　、好ましくは２〜３０Ａ／ｄａ”　
、電解液の温度は室温下で十分であるが、陽極の腐食を
防止し、また陰極液中の目的物の分解を防止する為に、
５０℃以下に保つことが好ましい。

電解槽への第４級ホスホニウム塩水溶液の供給方法は、
循環式、連続式、半連続式のいずれでも実施することが
てきる。この第４級ホスホニウム塩水溶液は陽極室に供
給されるが、そのときの濃度は第４級ホスホニウム塩の
種類および陰極室に生成する目的物の第４級ホスホニウ
ムヒドロオキシドの品質によっても異なるが、通常２〜
５０ｗｔ％、好ましくは３〜３０ｗｔ％に設定する。そ
の理由は、陽極室に５０ｗｔ％をこえる高濃度の第４級
ホスホニウム塩を供給するとアニオン（醜基）が陽イオ
ン交換膜を通って陰極室へ多少逆拡散する。この場合、
その陽極室の濃度を前記の２〜５０ｗｔ％の範囲に保つ
事によってアニオンか陰極室へ逆拡散することを押える
事ができる。また、アニオンか水酸基の場合、即も、粗
製第４級ホスホニウムヒドロオキシドを精製する場合に
も本発明に係る方法が適用でき、このときは、その濃度
を特に制限する必要はないか、一般に第４級ホスホニウ
ムヒドロオキシドは安定性に乏しく、高濃度になると分
解して対応するホスフィンオキシトになるため、　５０
ｗｔ％以上の余り高い濃度での使用は好ましくない。

一方、陰極には純水を供給するか、運転開始当初、純水
では電解か起りにくいの°Ｃ電解質として目的生成物で
ある第４級ホスホニウムヒドロオキシドを少量、例えば
０．Ｏ１〜１０．Ｏｗｔ％程度添加するのか好ましい。

電解か進行するにつれて、陰極室液中の目的生成物の第
４級ホスホニウムヒドロオキシドの濃度は高くなってく
るか、第４級ホスホニウムヒドロオキシドの安定性を考
慮して５０ｗｔ％までの所望の濃度に達したところで連
続的又はバッチ的に回収する。なお、電解を開始するに
あたり、予め電極や電解槽等の系を十分純水で洗浄し不
純物か混入しない様にしておく事は言うまでもない。

次に、電解槽の隔膜として２以上の陽イオン交換膜を用
いる方法について説明する。

その具体的な方法は、２以上の陽イオン交換膜で区画さ
れた電解槽の陽極室に酸性電解質な、陰極室に水を及び
中間室に第４級ホスホニウム塩水溶液をそれぞれ供給し
て、両極間に直流電流を通電することにより、陰極室か
ら第４級ホスホニウムヒドロオキシドを得る方法である
。

この方法においては、前記の１つの陽イオン交換膜を用
いる方法に使用するものと同一の陽イオン交換膜、電極
および電解槽を使用することができる。

また、電解槽の中間室へ水溶液として供給される第４級
ホスホニウム塩は、前記の１つの陽イオン交換膜を用い
る方法に使用するものと同一のものを用いることができ
るが、本方法においては。

特に第４級ホスホニウム塩水溶液に主成分として、また
は不純物としてハロゲンイオンや硝酸イオン等が含まれ
ている場合には、それ等が電解中に陽極に達すると有害
かつ高腐蝕性のハロゲンや窒素酸化物等のガスが高濃度
で発生して陽極自体が腐蝕され、その腐蝕生成物が陰極
液側に移行し、目的生成物である第４級ホスホニウムヒ
ドロオキシドの純度の低下を招くほか、合成樹脂製の陽
極室や陽イオン交換膜を劣化させる原因となる。従って
、中間室へ供給された第４級ホスホニウム塩水溶液から
遊離するハロゲンイオンを代表とする腐蝕性アニオンが
電解中に中間室から陽極室へ移行するのを阻止する目的
で、陽極室と中間室との隔膜として陽イオン交換膜を使
用することに本方法の重要な意義がある。

即ち、陽極室と中間室との隔膜に陽イオン交換膜を使用
することによって、電解中に陽極、陽極室および陽イオ
ン交換膜の劣化の原因となる腐蝕性ガスの発生を抑制す
る事が出来る。

他方、陰極室と中間室との隔膜である陽イオン交換膜の
存在により２目的とする第４級ホスホニウムカチオンの
みを中間室から陰極室へ移行せしめ陰極室にて高純度の
第４級ホスホニウムヒドロオキシドを得ることができる
。

中間室に供給される第４級ホスホニウム塩の濃度は、前
記１つの陽イオン交換膜を使用した場合の態様と同様の
条件で設定すればよい。

次に、陽極室に供給する溶液に使用する酸性電解質とし
ては、陽極室を構成する材質の腐蝕や劣化が少なく、か
つ腐蝕性又は有毒なガスを発生しないものが用いられる
０例えば、硫酸、りん醜等の稀薄水溶液、蟻酸、シュウ
酸および酒石酸等の有機酸の水溶液が挙げられる。これ
らの酸性電解質は高濃度で使用する必要はなく電解に必
要な電導度、例えば５〜３００ｍ５、好ましくはｌＯ〜
２００層Ｓになる程度の濃度であれば十分である。これ
らの濃度を具体的な数値で表わすと、硫酸では１．０〜
１０．ＯｗＬ％、シュウ酸では２．０〜１０ｗｔ％であ
る。

さらに、陰極室には、純水を供給するが、運転開始当初
は純水のみでは電解が起こり難いので、前記と同様に第
４級ホスホニウムヒドロオキシドを少量添加してから電
解する。このように、２以上の陽イオン交換膜を隔膜と
して電解することにより、ＩＸ蝕性ガスの電極に対する
悪影響を除くと同時に逆拡散を防いで高純度の第４級ホ
スホニウムヒドロオキシドを効率的に製造することかで
きる。

しかし、必要以上の隔膜を設けることは、電流効率の低
下につながるので、該交換膜の使用は多くの場合、５つ
までで充分である。なお、直流電解にあたっては、温度
、電流密度、電圧等の条件は前記の１つの陽イオン交換
膜を用いる方法と同様の条件で行なえばよい。

また、陽極室、中間室および陰極室に各々の水溶液を供
給する方法は循環式、連続式、半連続式のいずれでも実
施する事が出来る。各室における各水溶液の滞留時間は
１〜６０秒、好ましくは１〜ＩＯ秒間にて実施する。

［作用］ 本発明の第４級ホスホニウムヒドロオキシドの製造法は
、陽イオン交換膜で区画された陽極室に第４級ホスホニ
ウム塩水溶液を、陰極室に水をそれぞれ供給して両極間
に直流電流を通電することにより、第４級ホスホニウム
カチオンのみか陽極から陰極へ陽イオン交換膜を選択的
に透過する為に、陰極室に対応する高純度の第４級ホス
ホニウムヒドロオキシドが得られる。

また、２以上の陽イオン交換膜で分画された電解槽の陽
極室に酸性電解質を、陰極に水を、また中間室に第４級
ホスホニウム塩を供給して両極間に直流１！流を通すと
、陽イオン交換膜の選択的な透過作用により陽極室には
第４級ホスホニウム塩の主成分または不純物として含有
されているハロゲンイオンの濃縮や窒素酸化物等のガス
の発生や逆拡散が起こらず、かつ陰極室では第４級ホス
ホニウムヒドロオキシドか高純度で選択的に得ることか
できる。

［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する 実施例１ イオン交換膜にナフィオン（Ｎａｆｉｏ口）：１２４（
デュポン社製、フッ素樹脂系陽イオン交換膜）を用いて
電解槽を陽極室と陰極室に区画し、陽極にチタン板に白
金被覆したものを、また陰極にはステンレス（５１１５
３０４）板を使用した。

次いで、電解槽の陽極室に１２．９４　ｗｔ％のテトラ
エチルホスホニウムブロマイド水溶液１０．［１ｋｇを
、また陰極室に０．２３ｗｔ％のテトラエチルホスホニ
ウムヒドロオキシド水溶液４．０　ｋｇを供給し、室温
下て陽極と陰極間に１Ｏ−１５Ｖの直流電圧を印加して
２４時間電気分解を行なった結果、陰極室に６．６２ｗ
ｔ％のテトラエチルホスホニウムヒドロオキシド水溶液
を得た。このときの通電量は３．１Ｆ″′Ｉ？電流効率
は７２．３％であった。

ここで得られたテトラエチルホスホニウムヒドロオキシ
ド水溶液中の不純物を分析した結果、Ｎａ≦０．Ｏ５ｐ
ｐｍ、　　に≦０．０］ｐｐｍ、　　　Ｆｅ＝　０．０
１ｐｐｍ、　　　Ｎｉ≦０．０２ｐ１）−、Ｃｒ≦０．
０１ｐｐｍ、　　　Ｃｕ≦０．Ｏ２ｐｐｍ、　　　Ｂａ
＝０．０１４　ｐｐｍ、Ｐｂ≦０．０５ｐｐ議、　　Ｔ
ｉ＝　０．０１２ｐ９層、　Ｃ１）＝０．２ｐｐｍ、　
Ｂｒ＝　ｌＯ，５ｐｐｍ、　ＳＯ４≦０．ｌｐｐｍで極
めて高純度のものであった。

実施例２ 陽極室に供給する第４級ホスホニウム塩として６．１３
ｗｔ％のテトラエチルホスホニウムブロマイド水溶液１
０．０ｋｇを使用した以外は実施例１と同様な条件で電
解を行なった結果、陰極室に６．１５ｗｔ％のテトラエ
チルホスホニウムヒドロオキシドを得た。このときの通
電量は３．２　Ｆで電流効率は６３．７％であった。

得られたテトラエチルホスホニウムヒドロオキシド水溶
液中の不純物を分析した結果、Ｎａ≦０．０５ｐ１）−
Ｉ　　Ｋ≦０．０１ｐｐｍ、　　　Ｆｅ＝　０．Ｏ２ｐ
ｐｍ、　　　Ｎｉ≦０．０１ｐｐｍ。

Ｃｒ≦０．Ｏ２ｐｐｍ、　　　Ｃｕ≦０．Ｏ２ｐｐｍ、
　　　Ｂａ＝　０．０１ｐｐｍ、　　Ｐｂ≦０．０５ｐ
ｐ（Ｔｉ≦００−０１ｐｐ、Ｃ１）　　≦０．１ｐｐ（
Ｂｒ≦０．１１）Ｉ）諺、Ｓ０４≦０．ｌｐｐ■で極め
て高純度のものが得られた。

実施例３ 陽極室に供給する第４級ホスホニウム塩として７．４　
ｗｔ％のトリメチルプロピルホスホニウムヨーダイト水
溶液８．０ｋｇを、又陰極室には０．２７ｗＬ％のトリ
メチルプロピルホスホニウムヒドロオキシド水溶液４．
５ｋｇを使用した以外は実施例１と同様の条件で電解を
行なった結果、陰極室に６．０６ｗｔ％のトリメチルプ
ロピルホスホニウムヒドロオキシド水溶液４．９ｋｇを
得た。このときの通電量は３．１Ｆで電流効率は６７．
５％であった。

得られたトリメチルプロとルホスホニウムヒトロオキシ
ト水溶液中の不純物を分析した結果、Ｈａ≦０．Ｏ５ｐ
ｐｍ、　Ｋ≦０．０１ｐｐｍ、　　Ｆｅ＝　０．０１ｐ
ｐ（Ｘｉ≦０．０１ｐｐ（Ｃｒ≦０．Ｏ２ｐｐｍ、　　
　Ｃｕ≦０．Ｏ２ｐｐｍ、　　　Ｂａ＝０．０１ｐｐｍ
、　　　Ｐｂ≦０．Ｏ５ｐｐｍ、　　Ｔｉ≦０．０１ｐ
ｐｍ、　　Ｃｊ’≦０、ｌｐｐｍ、Ｂｒ≦０．ｌｐｐｍ
、　　Ｉ≦０．１９１）ｌ、　　ＳＯ４≦０．ｌｐｐｍ
で極めて高純度のものてあった。

実施例４ 陽極室に供給する第４級ホスホニウム塩として３．６０
ｗｔ％のテトラエチルホスホニウムヒドロオキシド水溶
液１０．０ｋｇを使用した以外は実施例１と同様の条件
で電解を行なった。その結果、陰極室に５．８４ｗｔ％
のテトラエチルホスホニウムヒドロオキシドを得た。こ
のときの通電量は２．８Ｆで、電流効率は７５．１％で
あった。

電解前および電解後のテトラエチルホスホニウムヒドロ
オキシド水溶液の不純物の分析結果は下記の表１のとお
りであった。

表　　”　　　　　　　　（ｐｐｍ） 実施例５ イオン交換膜にナフィオン（Ｎａｆｉｏｎ）　３２４　
　（デュポン社製、フッ素樹脂系陽イオン交換膜）２枚
を用いて電解槽を陽極室、中間室及び陰極室に区画し、
陽極にチタン板に白金被覆したものを、また陰極にはス
テンレス（ＳＯ３３０４）板を使用した。王室ともに予
め十分純水で洗浄したのち、陽極室に１９口ｗｔ％の硫
酸３．９３ｋｇを、中間室に５．１１ｗｔ％のテトラエ
チルホスホニウムブロマイド１４．９４ｋｇを、また陰
極室に０．７４ｗｔ％のテトラエチルホスホニウムヒド
ロオキシドの水溶液４．３４ｋｇを供給し、室温下で陽
極と陰極との間に１５〜２０Ｖの直流電圧を印加して２
４時間電気分解を行なった結果、陰極室に８．８８ｗｔ
％のテトラエチルホスホニウムヒドロオキシド水溶液４
．８０ｋｇを得た。このときの通電量は３．５２Ｆで電
流効率は６８．０％であった。

ここで得られたテトラエチルホスホニウムヒドロオキシ
ト水溶液中の不純物を分析した結果、Ｎａ≦０．Ｏ５ｐ
ｐｍ、　　Ｋ≦０．０１ｐｐｍ、　　　Ｆｅ≦０．０１
ｐｐｍ、　　　Ｎｉ≦０、Ｏ２ｐｐｍ、　　Ｃｒ≦０．
０１ｐｐｍ、　　Ｃｕ≦０．Ｏ２ｐｐｍ、　　Ｂａ≦０
、Ｏ２ｐｐｍ、　　　Ｐｂ≦０．Ｏ５ｐｐｍ、　　　Ｔ
ｉ≦０．０１ｐｐｍ、　　　Ｃ１’≦０．２９ｐ■、８
「≦０．２ｐｐｍ、　　５ｏ４＝＝　ｉ、ｓｐｐ■で極
めて高純度のものであった。

実施例６ 実施例５と同じ装置において、陽極室に４．３４ｗｔ％
のシュウ酸水溶液４．２０ｋｇ、中間室に１０．１ｗｔ
％のテトラエチルホスホニウムブロマイド８．５０ｋｇ
、また陰極室には０．６９ｗｔ％のテトラエチルホスホ
ニウムヒドロオキシド４．５０ｋｇを供給し、１５〜２
０Ｖの直流電圧を印加して２４時間電気分解を行なった
結果、陰極室に７．６０ｗｔ％のテトラエチルホスホニ
ウムヒドロオキシド水溶液４．７６ｋｇを得た。このと
きの通電量は２．８３Ｆで電流効率は７１％であった。

ここで得られたテトラエチルホスホニウムヒドロオキシ
ド水溶液中の不純物を分析した結果、Ｎａ≦０．Ｏ５ｐ
ｐｍ、　　Ｋ≦０．０１ｐｐ（Ｆｅ≦０．０１ｐｐｍ、
　　　Ｎｉ≦０、Ｏ２ｐｐｍ、　　　Ｃｒ≦０．０１ｐ
ｐｍ、　　　Ｃｕ≦０．Ｏ２ｐｐｍ、　　　Ｂａ≦０、
Ｏ２ｐｐｍ、　　　Ｐｂ≦０．Ｏ５ｐｐｍ、　　　Ｔｉ
≦０．０１９１）鳳、　　　Ｃ１）≦０．２ｐｐｍ、　
Ｄｒ≦０．２ｐｐｍ、　　ＳＯ４＜　０．２１）ｐＨで
極めて高純度のものであった。

実施例７ 実施例５と同じ装置において、陽極室に３．９６ｗｔ％
のシュウ酸の水溶液４．００ｋｇ、中間室に６．８ｗｔ
％のテトラエチルホスホニウムヒドロオキシド１０．０
０ｋｇ　、また陰極室に０．５８ｗｔ％のテトラエチル
ホスホニウムヒドロオキシトの水溶液４．２０ｋｇを供
給し、１５〜２０Ｖの直流電流を印加して２４時間電気
分解を行なった結果、陰極室に８．３０ｗｔ％のテトラ
エチルホスホニウムヒドロオキシド水溶液４．４０ｋｇ
を得た。このときの通電量は１．７９Ｆで電流効率は７
４．５％であった。

電解前および電解後のテトラエチルホスホニウムヒドロ
オキシト水溶液中の不純物の分析結果は次の表２に示す
とおりであった。

実施例８ 実施例５と同じ装置において、陽極室に４．ｏ５ａｔ％
のシュウ酸水溶液４−Ｏｋｇ、中間室に１２．３ｗｔ％
のトリエチルメチルホスホニウムヨーダイト８．１０ｋ
ｇ、また陰極室には０．４５ｗｔ％のトリエチルメチル
ホスホニウムヒドロオキシト４．００ｋｇを供給し、１
５〜２０Ｖの直流電圧を印加して２４時間電気分解を行
なった結果９陰極室に８．９２ｗｔ％のトリエチルメチ
ルホスホニウムヒドロオキシド４．４５ｋｇを得た。こ
のときの通電量は３．２５Ｆで電流効率は７７．６％で
あった。

ここで得られたトリエチルメチルホスホニウムヒドロオ
キシド水溶液中の不純物を分析した結果、　Ｎａ≦０．
Ｏ５ｐｐｍ、に≦０．０１ｐｐｍ、　　　Ｆｅ≦０．０
１ｐｐｍ。

Ｎｉ≦０．Ｏ２ｐｐｍ、　　　Ｃｒ≦０．０１ｐｐｍ、
　　　Ｃｕ≦０．Ｏ２ｐｐｍ、　　　Ｂａ≦（１，（１
２ｐｐｍ、　　　Ｐｂ≦０．Ｏ５ｐｐｍ、　　　Ｔｉ≦
０．（ｌｌｐｐｍ、　　　Ｃ１’；；０．２ｐｐｍ、　
　Ｂｒ≦０．２ｐｐｍ、　　　Ｉ≦０．２ｐｐ（ＳＯ４
≦０．２ｐｐｍで極めて高純度のものであった。

［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明の製造方法によれば、隔膜と
して陽イオン交＃膜を使用した電解槽にて、第４級ホス
ホニウム塩水溶液を直流電解することにより、高純度の
第４級ホスホニウムヒドロオキシドを高収率で得ること
ができる。

また１本発明の方法により製造された目的物の第４級ホ
スホニウムヒドロオキシドは高純度のため、重合触媒１
Ｍ、解コンデンサー電解賀用第４級ホスホニウム塩の製
造に用いる中間原料、半導体装置等の電子部品及び電子
機器の封止や含浸等に広く用いられる電気的特性に優れ
たエポキシ樹脂の硬化触媒の原料等に有用であり、本発
明の工業的価値は極めて高いものである。

出願人　　日本化学工業株式会社 代理人　　渡　　辺　　徳　　廣

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）１又は２以上の陽イオン交換膜を隔膜とする電解
   槽において、次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３およびＲ＿４は炭素原
   子数１〜８のアルキル基、アリール基、アラルキル基ま
   たはそれ等のいずれか少なくとも一種の基がヒドロキシ
   ル基若しくはアルコキシル基で置換されたものを表わし
   、Ｘ＾■はアニオンを示す） で表わされる第４級ホスホニウム塩水溶液を直流電解し
   て陰極室から第４級ホスホニウムヒドロオキシドを得る
   ことを特徴とする第４級ホスホニウムヒドロオキシドの
   製造法。
2. （２）請求項１記載の第４級ホスホニウムヒドロオキシ
   ドの製造法において、１つの陽イオン交換膜で区画され
   た陽極室に第４級ホスホニウム塩水溶液を、陰極室に水
   をそれぞれ供給して両極間に直流電流を通電することを
   特徴とする第４級ホスホニウムヒドロオキシドの製造法
   。
3. （３）請求項１記載の第４級ホスホニウムヒドロオキシ
   ドの製造法において、２以上の陽イオン交換膜で区画さ
   れた陽極室に酸性電解質を、陰極室に水を及び中間室に
   第４級ホスホニウム塩水溶液をそれぞれ供給して、両極
   間に直流電流を通電することを特徴とする第４級ホスホ
   ニウムヒドロオキシドの製造法。
4. （４）第４級ホスホニウム塩水溶液の直流電解は、温度
   ５０℃以下において、電流密度１〜５０Ａ／ｄｍ＾２で
   電圧１〜５０Ｖの条件で行う請求項１、２又は３記載の
   第４級ホスホニウムヒドロオキシドの製造法。
5. （５）第４級ホスホニウム塩水溶液の供給濃度が２〜５
   ０ｗｔ％である請求項１乃至４のいずれかの項記載の第
   ４級ホスホニウムヒドロオキシドの製造法。
6. （６）第４級ホスホニウム塩水溶液がテトラエチルホス
   ホニウムブロマイド水溶液である請求項１乃至５のいず
   れかの項記載の第４級ホスホニウムヒドロオキシドの製
   造法。