JPH0278183A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
- Publication number
- JPH0278183A JPH0278183A JP22807388A JP22807388A JPH0278183A JP H0278183 A JPH0278183 A JP H0278183A JP 22807388 A JP22807388 A JP 22807388A JP 22807388 A JP22807388 A JP 22807388A JP H0278183 A JPH0278183 A JP H0278183A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetron
- semiconductor switch
- heating device
- frequency heating
- voltage
- Prior art date
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- Pending
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- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高周波加熱装置、特に起動時にマグネトロン
に発生する高圧パルスの抑制に関するものである。
に発生する高圧パルスの抑制に関するものである。
第３［Ｆ］は従来の高周波加熱装置の回路図であり。
（１）は商用電源、（２）はコンバータであり整汗器（
３）と平滑コンデンサ（４１とで構成されている。高周
波トランス（５）は１次、２次、３次巻線イ６１．（７
）、（８１がらな９１次巻線（６）に直列に半導体スイ
ッチ（９）を接続し、この半導体スイッチ（９）に並列
に転流ダイオードαＧ、及び共振コンデンサ＋Ｉｌ＋を
接続し、１次巻線＋６１の一方を直流回路に接続して高
周波スイッチングパワー口跡となるインバータａｚを構
成している、また絶縁トランス２次巻線（７）には高圧
コンデンサα３．高圧ダイオードｏ４が接続され半波倍
電圧整流回路を構成している。ｔ１９け高圧ダイオード
α３を通して絶縁トランス２次巻線（７）の高圧電力を
供給しているマグネトロン、 （１５ａ）はこのマグ
ネトロンのフィラメントで、絶縁トランス３次巻線（８
）けフイ５ Ｊ ：ｙ ） （１５ａ）にヒータ電力を
供給するようフィラメント（１５ａ）に接続され電子レ
ンジ加熱回路を構成している。
３）と平滑コンデンサ（４１とで構成されている。高周
波トランス（５）は１次、２次、３次巻線イ６１．（７
）、（８１がらな９１次巻線（６）に直列に半導体スイ
ッチ（９）を接続し、この半導体スイッチ（９）に並列
に転流ダイオードαＧ、及び共振コンデンサ＋Ｉｌ＋を
接続し、１次巻線＋６１の一方を直流回路に接続して高
周波スイッチングパワー口跡となるインバータａｚを構
成している、また絶縁トランス２次巻線（７）には高圧
コンデンサα３．高圧ダイオードｏ４が接続され半波倍
電圧整流回路を構成している。ｔ１９け高圧ダイオード
α３を通して絶縁トランス２次巻線（７）の高圧電力を
供給しているマグネトロン、 （１５ａ）はこのマグ
ネトロンのフィラメントで、絶縁トランス３次巻線（８
）けフイ５ Ｊ ：ｙ ） （１５ａ）にヒータ電力を
供給するようフィラメント（１５ａ）に接続され電子レ
ンジ加熱回路を構成している。
上＝ｒのような従来の高周波加熱装置では、フィラメン
ト（１５ａ）を加熱するヒータ電力とマグネトロンｉｓ
に供給する高圧電力を同一トランスから供給しているた
め、第４図に示すように半導体スイッチ（９）のベース
エミッタ間に印加する電圧ｆａ）に対しフィラメント（
ｌ５ａ）を加熱するまでの時間マグネトロンαりは約−
１０ＫＶにも及ぶ高圧パルス（ｂｌを発生するという問
題点があった。
ト（１５ａ）を加熱するヒータ電力とマグネトロンｉｓ
に供給する高圧電力を同一トランスから供給しているた
め、第４図に示すように半導体スイッチ（９）のベース
エミッタ間に印加する電圧ｆａ）に対しフィラメント（
ｌ５ａ）を加熱するまでの時間マグネトロンαりは約−
１０ＫＶにも及ぶ高圧パルス（ｂｌを発生するという問
題点があった。
この発明に係る高周波加熱装置は、商用１糎を直情電源
に変換するコンバータ、このコンバータに接続され半導
体スイッチを有するインバータ。
に変換するコンバータ、このコンバータに接続され半導
体スイッチを有するインバータ。
このインバータにより付勢されマグネトロンに高圧パル
スを供給するとともにマグネトロンのフィラメントにヒ
ータ電力を供給する高周波トランス。
スを供給するとともにマグネトロンのフィラメントにヒ
ータ電力を供給する高周波トランス。
および起動時にマグネトロンが発振するまでの間上記半
導体スイッチの導通時間を短くして高圧パルスを抑制す
る半導体スイッチ制御手段を備えたものである。
導体スイッチの導通時間を短くして高圧パルスを抑制す
る半導体スイッチ制御手段を備えたものである。
この発明においては半導体スイッチ制御手段が。
起動時にマグネトロンが発振するまでの闇半導体スイッ
チの導通時間を短くして高圧パルスを抑制する。
チの導通時間を短くして高圧パルスを抑制する。
この発明の一実施例を第１図１．第２図により訣明する
。
。
図中１１１〜（１５ａ）は従来の高周波加熱装置と同一
のものである。（１Ｇはマグネトロン７１９と２次巻線
（７）とのザに設けられたマグネトロン発振時の電流を
検出する検出器、αηはこの検出器の検出信号を受けて
半導体スイッチ（９１の導通時間を短くする半導体スイ
ッチ制御手段である。この半導体スイッチ制御手段ａｎ
は、半導体スイッチ導通時間制御回路０１＋と半導体ス
イッチ制御回路０９とにより構成され半導体スイッチ１
９）のベースに接続されて督り、起動時にマグネトロン
ａ９が発振するまでの闇半導体スイッチ（９）の導通時
間を短くシ、高圧パルスの発生を抑制している。
のものである。（１Ｇはマグネトロン７１９と２次巻線
（７）とのザに設けられたマグネトロン発振時の電流を
検出する検出器、αηはこの検出器の検出信号を受けて
半導体スイッチ（９１の導通時間を短くする半導体スイ
ッチ制御手段である。この半導体スイッチ制御手段ａｎ
は、半導体スイッチ導通時間制御回路０１＋と半導体ス
イッチ制御回路０９とにより構成され半導体スイッチ１
９）のベースに接続されて督り、起動時にマグネトロン
ａ９が発振するまでの闇半導体スイッチ（９）の導通時
間を短くシ、高圧パルスの発生を抑制している。
王妃の様に構成された高周波加熱装置においては、第２
図に示すように、半導体スイッチ（９１のベースエミッ
タ間に印加する電圧（ｅｌのｔｏｎ時間をマグネトロン
発振までの間短かくすることによりマグネトロン高圧パ
ルス（ｅｌを約−６ＫＶ抑制にすることが出来高圧コン
デンサα３．高圧ダイオ−１０着。
図に示すように、半導体スイッチ（９１のベースエミッ
タ間に印加する電圧（ｅｌのｔｏｎ時間をマグネトロン
発振までの間短かくすることによりマグネトロン高圧パ
ルス（ｅｌを約−６ＫＶ抑制にすることが出来高圧コン
デンサα３．高圧ダイオ−１０着。
マグネトロンαＳを高圧パルスより保護することができ
る。
る。
ｇａ２図において（ｄｉ （Ｉ′ｉ検出器αＧの検出電
圧であり。
圧であり。
マグネトロン発振時に電流を検出した検出器ａθはその
電流をこれを電圧に変え、半導体スイッチ導通時間制御
回路ＯＮ ＩＩＣ−ｑグネトロンａりが発振を開始した
ことを知らせる。これを受けて半導体スイッチ導通時間
制御回路＋Ｉ１１は半導体スイッチ制御回路（１９に通
常のＴＯＮ’ ”ＯＦＦ時間指令を出す。−そしてマグ
ネトロン発掘後はマグネトロンｔ１りの電圧は一４ＫＶ
、電流も一定となるため、半導体スイッチ制御口跡【９
は半導体スイッチ（９１のベース・エミッタ間に通常の
ＴＯＮ −ＴＯＦＦ時間指令を出し続ける。
電流をこれを電圧に変え、半導体スイッチ導通時間制御
回路ＯＮ ＩＩＣ−ｑグネトロンａりが発振を開始した
ことを知らせる。これを受けて半導体スイッチ導通時間
制御回路＋Ｉ１１は半導体スイッチ制御回路（１９に通
常のＴＯＮ’ ”ＯＦＦ時間指令を出す。−そしてマグ
ネトロン発掘後はマグネトロンｔ１りの電圧は一４ＫＶ
、電流も一定となるため、半導体スイッチ制御口跡【９
は半導体スイッチ（９１のベース・エミッタ間に通常の
ＴＯＮ −ＴＯＦＦ時間指令を出し続ける。
以上説明した通り、この発明によれば半導体スイッチ制
御手段が、起動時にマグネトロンが発振するまでの聞手
導体スイッチの導通時間を短くして高圧パルスを抑制す
るようにしたので、高圧ダ１オード、高圧コンデンサ、
マグネトロンを保護し、高周波加熱装置の寿命を伸ばす
ことが出来る。
御手段が、起動時にマグネトロンが発振するまでの聞手
導体スイッチの導通時間を短くして高圧パルスを抑制す
るようにしたので、高圧ダ１オード、高圧コンデンサ、
マグネトロンを保護し、高周波加熱装置の寿命を伸ばす
ことが出来る。
第１図はこの発明の高周波加熱装置の一実施例を示す回
路図、第２図はマグネトロン発振時の電圧波形図、第３
図は従来の高周波加熱装置の回路図、第４図はマグネト
ロ発振時の電圧波形図である。 図において、（１）は商用電Ｊ ＋２＋はコンバータ。 （５）け高周波トランス、（９１は半導体スイッチ、Ｔ
ｌ２１はインバー−ｊ、αりはマグネトロン、 （＋
５ａ）はフィラメント、側は検出手段、ａ？）は半導体
スイッチ制御手段である。 各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
路図、第２図はマグネトロン発振時の電圧波形図、第３
図は従来の高周波加熱装置の回路図、第４図はマグネト
ロ発振時の電圧波形図である。 図において、（１）は商用電Ｊ ＋２＋はコンバータ。 （５）け高周波トランス、（９１は半導体スイッチ、Ｔ
ｌ２１はインバー−ｊ、αりはマグネトロン、 （＋
５ａ）はフィラメント、側は検出手段、ａ？）は半導体
スイッチ制御手段である。 各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 商用電源を直流電源に変換するコンバータ、このコンバ
ータに接続され半導体スイッチを有するインバータ、こ
のインバータにより付勢されマグネトロンに高圧パルス
を供給するとともにマグネトロンのフィラメントにヒー
タ電力を供給する高周波トランス、および起動時にマグ
ネトロンが発振するまでの間上記半導体スイッチの導通
時間を短くして高圧パルスを抑制する半導体スイッチ制
御手段を備えたことを特徴とする高周波加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22807388A JPH0278183A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22807388A JPH0278183A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0278183A true JPH0278183A (ja) | 1990-03-19 |
Family
ID=16870771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22807388A Pending JPH0278183A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0278183A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119090A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン電力供給装置 |
| US5224027A (en) * | 1991-05-16 | 1993-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Power supply apparatus for magnetron driving |
| JP2009199975A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Panasonic Corp | 高周波加熱電源 |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP22807388A patent/JPH0278183A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119090A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン電力供給装置 |
| US5224027A (en) * | 1991-05-16 | 1993-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Power supply apparatus for magnetron driving |
| JP2009199975A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Panasonic Corp | 高周波加熱電源 |
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