JPH0279478A - 光半導体モジュールの製造方法 - Google Patents
光半導体モジュールの製造方法Info
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- JPH0279478A JPH0279478A JP63230889A JP23088988A JPH0279478A JP H0279478 A JPH0279478 A JP H0279478A JP 63230889 A JP63230889 A JP 63230889A JP 23088988 A JP23088988 A JP 23088988A JP H0279478 A JPH0279478 A JP H0279478A
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- Japan
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- optical semiconductor
- lens assembly
- semiconductor element
- assembly
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光半導体素子・レンズ組立体に対して光ファイバを保持
したホルダを位置決めして固定する光半導体モジュール
の製造方法に関し、 生産性良く且つ精度良く製造することを可能とすること
を目的とし、 光半導体素子及びレンズが相対向して配置された光半導
体素子・レンズ組立体に対して光ファイバの端を保持し
たホルダを光軸合わせ調整し、該ホルダのフランジの周
囲部を溶接して上記光半導体素子・レンズ組立体に固定
してなる光半導体モジュールの製造方法において、上記
ホルダのフランジの端面のうちその周囲部を除いた部分
に銅メッキ膜を形成すると共に、上記光半導体素子・し
ンズ組立体のホルダ取付面のうちその周囲部を除いた部
分に銅メッキ膜を形成し、光軸合わせ調整後の溶接を、
上記ホルダを上記光半導体素子・レンズ組立体に押し付
け、上記銅メツ：１゛膜同志を押圧させた状態で行なう
よう構成する。
したホルダを位置決めして固定する光半導体モジュール
の製造方法に関し、 生産性良く且つ精度良く製造することを可能とすること
を目的とし、 光半導体素子及びレンズが相対向して配置された光半導
体素子・レンズ組立体に対して光ファイバの端を保持し
たホルダを光軸合わせ調整し、該ホルダのフランジの周
囲部を溶接して上記光半導体素子・レンズ組立体に固定
してなる光半導体モジュールの製造方法において、上記
ホルダのフランジの端面のうちその周囲部を除いた部分
に銅メッキ膜を形成すると共に、上記光半導体素子・し
ンズ組立体のホルダ取付面のうちその周囲部を除いた部
分に銅メッキ膜を形成し、光軸合わせ調整後の溶接を、
上記ホルダを上記光半導体素子・レンズ組立体に押し付
け、上記銅メツ：１゛膜同志を押圧させた状態で行なう
よう構成する。
本発明は光半導体素子・レンズ組立体に対して光ファイ
バを保持したホルダを位置決めして固定する光半導体モ
ジュールの製造方法に関する。
バを保持したホルダを位置決めして固定する光半導体モ
ジュールの製造方法に関する。
この種の光半導体モジュールを製造する方法は、精度良
く製造することが出来、しかも生産性良く製造すること
が出来るものであることが望ましい。
く製造することが出来、しかも生産性良く製造すること
が出来るものであることが望ましい。
第８図、第９図は夫々従来例を示す。図中、１は光半導
体モジュールであり、光半導体素子・レンズ組立体２に
ホルダ３が固定された構造である。
体モジュールであり、光半導体素子・レンズ組立体２に
ホルダ３が固定された構造である。
光半導体素子・レンズ組立体２は、光半導体素子の一つ
である発光素子４が組み込まれているフレーム５に、レ
ンズ６が組み込まれている円板７が、発光素子４とレン
ズ６が相対向する配置で固定されている構成である。
である発光素子４が組み込まれているフレーム５に、レ
ンズ６が組み込まれている円板７が、発光素子４とレン
ズ６が相対向する配置で固定されている構成である。
ホルダ３には光ファイバ８の端が保持しである。
ホルダ３はフランジ９を有する。フランジ９には接着剤
の拡がりを制限する溝１０が放射状に形成しである。
の拡がりを制限する溝１０が放射状に形成しである。
光半導体モジュール１は、以下のように組立製造される
。
。
まず、光ファイバ８が保持しであるホルダ３を組立体２
に対して動かして光軸合わせを行ない、接着剤によりホ
ルダ３を組立体２に仮固定する。
に対して動かして光軸合わせを行ない、接着剤によりホ
ルダ３を組立体２に仮固定する。
接着は、第９図中符号１１で示す部分で行なう。
接着後数時間経過して接着剤に実用強度が得られるのを
待つ。
待つ。
この後、第９図中符号１２で示す個所をレーザ溶接して
ホルダ３を組立体２に固定する。第８図中、１３は溶接
部分である。
ホルダ３を組立体２に固定する。第８図中、１３は溶接
部分である。
溶接の館に、仮止め接着工程があり、実用強度が得られ
るまで組立作業を中断する必要があり、生産性がよくな
い。
るまで組立作業を中断する必要があり、生産性がよくな
い。
また接着剤がレーザ溶接部へ流れ込む虞れもあり、この
場合にはレーザ溶接が出来なくなってしまう。
場合にはレーザ溶接が出来なくなってしまう。
そこで、光軸合わせ後、ホルダ３を組立体２に押し付け
、摩擦力によって両者がずれないようにし、この状態で
レーザ溶接を行なう方法も考えられる。
、摩擦力によって両者がずれないようにし、この状態で
レーザ溶接を行なう方法も考えられる。
しかし、ホルダ３及び組立体２の材質であるステンレス
鋼同志の乾燥摩擦係数は０．４と小さく、レーデ溶接時
に生ずる径方向のずれ力に抗するだけの摩擦力を得るた
めには、ホルダ３を相当強い力で組立体２に押し付けね
ばならない。このため、この押し付けにより組立体２に
歪が生じて、完成した状態で光軸が再びずれた状態とな
ってしまうこともあり、上記の方法は実際的でない。
鋼同志の乾燥摩擦係数は０．４と小さく、レーデ溶接時
に生ずる径方向のずれ力に抗するだけの摩擦力を得るた
めには、ホルダ３を相当強い力で組立体２に押し付けね
ばならない。このため、この押し付けにより組立体２に
歪が生じて、完成した状態で光軸が再びずれた状態とな
ってしまうこともあり、上記の方法は実際的でない。
本発明は生産性良く且つ精度良く製造することを可能と
する光半導体モジュールの製造方法を提供することを目
的とする。
する光半導体モジュールの製造方法を提供することを目
的とする。
本発明は、光半導体素子及びレンズが相欠１向して配置
された光半導体素子・レンズ組立体に対して光ファイバ
の端を保持したホルダを光軸合わせ調整し、該ホルダの
フランジの周囲部を溶接して上記光半導体素子・レンズ
組立体に固定してなる光半導体モジュールの製造方法に
おいて、上記ホルダのフランジの端面のうちその周囲部
を除いた部分に銅メッキ膜を形成すると共に、上記光半
導体素子・レンズ組立体のホルダ取付面のうちその周囲
部を除いた部分に銅メッキ膜を形成し、 光軸合わせ調整後の溶接を、上記ホルダを上記光半導体
素子・レンズ組立体に押し付け、上記鋼メッキ膜同志を
押圧させた状態で行なうようにしたものである。
された光半導体素子・レンズ組立体に対して光ファイバ
の端を保持したホルダを光軸合わせ調整し、該ホルダの
フランジの周囲部を溶接して上記光半導体素子・レンズ
組立体に固定してなる光半導体モジュールの製造方法に
おいて、上記ホルダのフランジの端面のうちその周囲部
を除いた部分に銅メッキ膜を形成すると共に、上記光半
導体素子・レンズ組立体のホルダ取付面のうちその周囲
部を除いた部分に銅メッキ膜を形成し、 光軸合わせ調整後の溶接を、上記ホルダを上記光半導体
素子・レンズ組立体に押し付け、上記鋼メッキ膜同志を
押圧させた状態で行なうようにしたものである。
銅メッキ膜同志の乾燥摩擦係数はステンレス鋼同志のそ
れの約３゜５倍と高く、溶接時の押圧力による仮固定が
、光半導体素子・レンズ組立体を歪ませない小さい押圧
力で可能となる。
れの約３゜５倍と高く、溶接時の押圧力による仮固定が
、光半導体素子・レンズ組立体を歪ませない小さい押圧
力で可能となる。
第１図及び第２図は夫々本発明の光半導体モジュールの
製造方法の一実施例を示す。
製造方法の一実施例を示す。
第２図は光軸合わせ時の状態、第１図はレーザ溶接時の
状態を示す。
状態を示す。
第３図は製造された光半導体モジュール２０を示し、第
４図、第５図はホルダ２１を示し、第６図、第７図は光
半導体素子・レンズ組立体２５を示す。
４図、第５図はホルダ２１を示し、第６図、第７図は光
半導体素子・レンズ組立体２５を示す。
各図中、第８図に示す構成部分と対応する部分には同一
符号を付す。
符号を付す。
第４図及び第５図に示すように、ステンレス製のボルダ
２１のフランジ２２の端面２３には、その周囲部２３ａ
を除いた部分に厚さが１０μ翰程度の銅メッキ膜２４が
形成しである。
２１のフランジ２２の端面２３には、その周囲部２３ａ
を除いた部分に厚さが１０μ翰程度の銅メッキ膜２４が
形成しである。
第６図及び第７図に示すように、光半導体素子・レンズ
組立体２５のステンレス製の円板７の上面であるホルダ
取付面２６には、その周囲部２６ａを除いた部分に厚さ
が１０μｍ程度の銅メツ↑ＩＩ！ ２７が形成しである
。
組立体２５のステンレス製の円板７の上面であるホルダ
取付面２６には、その周囲部２６ａを除いた部分に厚さ
が１０μｍ程度の銅メツ↑ＩＩ！ ２７が形成しである
。
銅メッキ膜２４．２７を形成した理由は銅同志の乾燥摩
擦係数が１．４と、ステンレス鋼同志の乾燥摩擦係数０
．４の３．５倍と高いためである。
擦係数が１．４と、ステンレス鋼同志の乾燥摩擦係数０
．４の３．５倍と高いためである。
銀同志の乾燥摩擦係数も１．４と高いが銅を選んだのは
コストが安いからである。
コストが安いからである。
また周囲部２３ａ、２６ａに銅メッキ膜を形成しないの
は、銅メッキ膜がレーザ溶接に支障を及ぼ寸からである
。
は、銅メッキ膜がレーザ溶接に支障を及ぼ寸からである
。
次に光半導体モジュール２０の製造方法について説明す
る。
る。
製造は、光軸合わせ調整を行ない、その後直ちにレーザ
溶接を行なって完了する。
溶接を行なって完了する。
第２図は光軸合わせ調整時の状態を示す。
３０は光軸合わせ調整装置であり、発光素Ｆ４より射出
して光ファイバ８に入射した光の強度を検知する検知器
３１と、ホルダ２１をＸ、Ｙ方向に微小変位させると共
に調整後矢印Ｚ方向に押圧する微小変位・押圧装置３２
とよりなる。
して光ファイバ８に入射した光の強度を検知する検知器
３１と、ホルダ２１をＸ、Ｙ方向に微小変位させると共
に調整後矢印Ｚ方向に押圧する微小変位・押圧装置３２
とよりなる。
光軸合わせ調整は、光半導体素子・レンズ組立体２をテ
ーブル３３に固定し、微小変位・押圧装置３２によりホ
ルダ２１を微小変位させて行ない、検出器３１の検出信
号レベルが最大となった位置で調整を終了する。３４は
ホルダをクランプするクランパである。
ーブル３３に固定し、微小変位・押圧装置３２によりホ
ルダ２１を微小変位させて行ない、検出器３１の検出信
号レベルが最大となった位置で調整を終了する。３４は
ホルダをクランプするクランパである。
光軸合わせ調整後、装置３２がボルダ２１を矢印Ｚ方向
に力Ｐで押す。
に力Ｐで押す。
これにより、第１図に示すようにホルダ２１が光半導体
素子・レンズ組立体２５に押し付けられ銅メッキ膜２４
．２７同志が押圧される。
素子・レンズ組立体２５に押し付けられ銅メッキ膜２４
．２７同志が押圧される。
ここで、銅メッキｐ！Ａ２４．２７同志の乾燥摩擦係数
は１．４と高いため、上記押圧力Ｐが組立体２５を歪ま
せない程度の力例えば約１０Ｋｇであっても、ホルダ２
１の組立体２５に対する径方向の摩擦力は、レーザ溶接
時に生ずる径方向の力より十分に大となる。
は１．４と高いため、上記押圧力Ｐが組立体２５を歪ま
せない程度の力例えば約１０Ｋｇであっても、ホルダ２
１の組立体２５に対する径方向の摩擦力は、レーザ溶接
時に生ずる径方向の力より十分に大となる。
この状態で、レーザ溶接機３５により周囲の数個所を同
時にレーザ溶接を行なって、ボルダ２１のフランジ２２
の外周部を組立体２５に固定する。
時にレーザ溶接を行なって、ボルダ２１のフランジ２２
の外周部を組立体２５に固定する。
このレーザ溶接時にボルダ２１は動かず、ホルダ２１は
光軸合わせ調整が完了した位置に固定される。
光軸合わせ調整が完了した位置に固定される。
また、ホルダ２１のフランジ２２の周囲部２３ａ及び組
立体２５のホルダ取付面２６の周囲部２６ａは全周に亘
って銅メッキ膜が存在Ｌノてぃず、レーザ溶接は場所を
限定されずに任意の個所に行なうことが出来、好都合で
ある。しかも、正常にし、−ザ溶接がなされる。
立体２５のホルダ取付面２６の周囲部２６ａは全周に亘
って銅メッキ膜が存在Ｌノてぃず、レーザ溶接は場所を
限定されずに任意の個所に行なうことが出来、好都合で
ある。しかも、正常にし、−ザ溶接がなされる。
また、仮固定に接着剤を使用していないため、レーザ溶
接の個所は限定されず、任意の個所を溶接される。
接の個所は限定されず、任意の個所を溶接される。
これにより、第３図に示す光半導体モジュール２０が完
成する。
成する。
３６．３７は溶接部である。
溶接部、ホルダ２１に対する押圧を解除する。
この状態でも、光半導体モジュール２０は光軸合わせ調
整後の状態と同じくなり、光軸のずれはなく、光半導体
モジュール２０は精度良＜ａ造される。
整後の状態と同じくなり、光軸のずれはなく、光半導体
モジュール２０は精度良＜ａ造される。
なお、第１図中、レーザ溶接を施す部位には広い隙間が
あるように示しであるが、これは図示の便宜のためであ
り、実際には隙間は２０μ−程度であり、レーザ溶接は
支障なく、正常に行なわれる。
あるように示しであるが、これは図示の便宜のためであ
り、実際には隙間は２０μ−程度であり、レーザ溶接は
支障なく、正常に行なわれる。
以上説明した様に、本発明によれば、溶接時の仮固定は
、銅メッキ膜同志の抑圧によりこの部分に生ずる大きい
摩擦力により得ているため、接着剤で仮固定した場合の
ように実用強度が得られるまでの持ち時間が不要となり
、光軸合わせ調整後直ちに溶接することが出来、光半導
体モジュールの生産性の向上を図ることが出来る。
、銅メッキ膜同志の抑圧によりこの部分に生ずる大きい
摩擦力により得ているため、接着剤で仮固定した場合の
ように実用強度が得られるまでの持ち時間が不要となり
、光軸合わせ調整後直ちに溶接することが出来、光半導
体モジュールの生産性の向上を図ることが出来る。
しかも、銅メッキ膜同志の乾燥摩擦係数は大きいため、
溶接時に生ずる力を上回る摩擦力を光半導体素子・レン
ズ組立体をひずませない小さい押圧力で得ることが出来
、然して、−旦調整した光軸を全く乱すことなく、仮固
定が出来、光軸が精度良く合った状態で溶接を完了し得
る。
溶接時に生ずる力を上回る摩擦力を光半導体素子・レン
ズ組立体をひずませない小さい押圧力で得ることが出来
、然して、−旦調整した光軸を全く乱すことなく、仮固
定が出来、光軸が精度良く合った状態で溶接を完了し得
る。
また接着剤を使用していないため、接着剤の存在によっ
て溶接が出来なくなる不都合を無くシ得る。
て溶接が出来なくなる不都合を無くシ得る。
第１図は本発明の光半導体モジュールの製造方法の一実
施例のレーザ溶接工程を説明する図、第２図は光軸合わ
せ調整を説明する図、第３図は完成した光半導体モジュ
ールを示す図、第４図はホルダの断面図、 第５図はホルダの底面図、 第６図は光半導体素子・レンズ組立体の断面図、第７図
は光半導体素子・レンズ組立体の平面図、第８図及び第
９図は夫々光半導体モジュールの従来の製造方法を説明
する図である。 図において、 ３はホルダ、 ４は発光素子、 ５はフレーム、 ６はレンズ、 ７は円板、 ８は光ファイバ、 ２０は光半導体モジュール、 ２１はホルダ、 ２２はフランジ、 ２３は端面、 ２３ａは周囲部、 ２４．２７は銅メッキ膜、 ２５は光半導体素子・レンズ組立体、 ２６はホルダ取付面、 ２６ａは周囲部、 ３０は光軸合わせ調整装置、 ３１は検知器、 ３２は微小変位・抑圧装置、 ３３はテーブル、 ３４はクランパ、 ３５はレーザ溶接機、 ３６．３７は溶接部 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 パ＼−７″′ ＼−一７／ −咥一石ル２゛ ポル２゛／）萌１丁力 第４図 ンＶ；ンを七；メ’ｎン１）５ミｆｆｉ”ｆｆ１１１５
図 互角チ・し〉マ油立伺ト １ｓ７図 第６図
施例のレーザ溶接工程を説明する図、第２図は光軸合わ
せ調整を説明する図、第３図は完成した光半導体モジュ
ールを示す図、第４図はホルダの断面図、 第５図はホルダの底面図、 第６図は光半導体素子・レンズ組立体の断面図、第７図
は光半導体素子・レンズ組立体の平面図、第８図及び第
９図は夫々光半導体モジュールの従来の製造方法を説明
する図である。 図において、 ３はホルダ、 ４は発光素子、 ５はフレーム、 ６はレンズ、 ７は円板、 ８は光ファイバ、 ２０は光半導体モジュール、 ２１はホルダ、 ２２はフランジ、 ２３は端面、 ２３ａは周囲部、 ２４．２７は銅メッキ膜、 ２５は光半導体素子・レンズ組立体、 ２６はホルダ取付面、 ２６ａは周囲部、 ３０は光軸合わせ調整装置、 ３１は検知器、 ３２は微小変位・抑圧装置、 ３３はテーブル、 ３４はクランパ、 ３５はレーザ溶接機、 ３６．３７は溶接部 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 パ＼−７″′ ＼−一７／ −咥一石ル２゛ ポル２゛／）萌１丁力 第４図 ンＶ；ンを七；メ’ｎン１）５ミｆｆｉ”ｆｆ１１１５
図 互角チ・し〉マ油立伺ト １ｓ７図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光半導体素子及びレンズが相対向して配置された光半導
体素子・レンズ組立体に対して光ファイバの端を保持し
たホルダを光軸合わせ調整し、該ホルダのフランジの周
囲部を溶接して上記光半導体素子・レンズ組立体に固定
してなる光半導体モジュールの製造方法において、 上記ホルダ（２１）のフランジ（２２）の端面（２３）
のうちその周囲部（２３ａ）を除いた部分に銅メッキ膜
（２４）を形成すると共に、上記光半導体素子・レンズ
組立体（２５）のホルダ取付面（２６）のうちその周囲
部（２６ａ）を除いた部分に銅メッキ膜（２７）を形成
し、 光軸合わせ調整後の溶接を、上記ホルダ（２１）を上記
光半導体素子・レンズ組立体（２５）に押２７）を押圧
させた状態で行なうことを特徴とする光半導体モジュー
ルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63230889A JPH0279478A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 光半導体モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63230889A JPH0279478A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 光半導体モジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279478A true JPH0279478A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16914893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63230889A Pending JPH0279478A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 光半導体モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0279478A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04177303A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-24 | Nec Corp | 受光モジュール |
| JPH0537025A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-12 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 半導体光源モジユール |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP63230889A patent/JPH0279478A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04177303A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-24 | Nec Corp | 受光モジュール |
| JPH0537025A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-12 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 半導体光源モジユール |
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