JPH028032U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH028032U JPH028032U JP1988083247U JP8324788U JPH028032U JP H028032 U JPH028032 U JP H028032U JP 1988083247 U JP1988083247 U JP 1988083247U JP 8324788 U JP8324788 U JP 8324788U JP H028032 U JPH028032 U JP H028032U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- semiconductor device
- impurity diffusion
- diffusion region
- field oxide
- Prior art date
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案による半導体装置の一実施例の
要部を示す断端面図、第２図は第１図例の製造方
法を示す断端面図、第３図は第１図例を使用して
ｎＭＯＳ ＦＥＴを製造する工程を示す断端面図
、第４図はＰＳＧ膜及び窒化シリコン膜のエツチ
ング速度を示す図、第５図は従来の半導体装置の
要部を示す断端面図、第６図は第５図例を使用し
てｎＭＯＳ ＦＥＴを製造する工程を示す断端面
図である。 １……Ｐ型シリコン基板、２，３……フイール
ド酸化膜、９……ソース領域（不純物拡散領域）
、１０……ドレイン領域（不純物拡散領域）、１
１……ＰＳＧ膜（酸化シリコン膜）、１５，１６
……コンタクトホール、１９，２１……アルミニ
ウム配線層（金属配線層）、２２，２３……Ｓｉ
３Ｎ４膜（窒化シリコン膜）。
要部を示す断端面図、第２図は第１図例の製造方
法を示す断端面図、第３図は第１図例を使用して
ｎＭＯＳ ＦＥＴを製造する工程を示す断端面図
、第４図はＰＳＧ膜及び窒化シリコン膜のエツチ
ング速度を示す図、第５図は従来の半導体装置の
要部を示す断端面図、第６図は第５図例を使用し
てｎＭＯＳ ＦＥＴを製造する工程を示す断端面
図である。 １……Ｐ型シリコン基板、２，３……フイール
ド酸化膜、９……ソース領域（不純物拡散領域）
、１０……ドレイン領域（不純物拡散領域）、１
１……ＰＳＧ膜（酸化シリコン膜）、１５，１６
……コンタクトホール、１９，２１……アルミニ
ウム配線層（金属配線層）、２２，２３……Ｓｉ
３Ｎ４膜（窒化シリコン膜）。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 シリコン基板の表面側にフイールド酸化膜を設
けて成り、 該フイールド酸化膜に隣接して不純物拡散領域
を形成した後、該不純物拡散領域上に酸化シリコ
ン膜を形成し、次いで、該酸化シリコン膜にコン
タクトホールを形成した後、該コンタクトホール
を介して、金属配線層を上記不純物拡散領域にコ
ンタクトさせるように成された半導体装置におい
て、 上記フイールド酸化膜の端部上面に窒化シリコ
ン膜を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988083247U JPH028032U (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988083247U JPH028032U (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH028032U true JPH028032U (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=31307972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988083247U Pending JPH028032U (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH028032U (ja) |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP1988083247U patent/JPH028032U/ja active Pending
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