JPH0280580A - 超電導性酸化層の製造方法 - Google Patents
超電導性酸化層の製造方法Info
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- JPH0280580A JPH0280580A JP1204900A JP20490089A JPH0280580A JP H0280580 A JPH0280580 A JP H0280580A JP 1204900 A JP1204900 A JP 1204900A JP 20490089 A JP20490089 A JP 20490089A JP H0280580 A JPH0280580 A JP H0280580A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 2
- -1 carboxylic acid compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- QAAXRTPGRLVPFH-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Cu] Chemical compound [Bi].[Cu] QAAXRTPGRLVPFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- NKFIBMOQAPEKNZ-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1h-indole-2-carboxylic acid Chemical compound NC1=CC=C2NC(C(O)=O)=CC2=C1 NKFIBMOQAPEKNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- SEKCXMNFUDONGJ-UHFFFAOYSA-L copper;2-ethylhexanoate Chemical compound [Cu+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O SEKCXMNFUDONGJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0324—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers from a solution
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4521—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing bismuth oxide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4521—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing bismuth oxide
- C04B35/4525—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing bismuth oxide also containing lead oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5072—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with oxides or hydroxides not covered by C04B41/5025
- C04B41/5074—Copper oxide or solid solutions thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
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- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/775—High tc, above 30 k, superconducting material
- Y10S505/776—Containing transition metal oxide with rare earth or alkaline earth
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、少なくともビスマス−銅酸塩(bismut
h−cuprate )化合物を含む超電導性酸化層(
superconducting oxidic 1a
yer)を基体に形成する方法に関し、カルシウム、ス
トロンチウム、ビスマスおよび銅のカルボン酸化合物の
形態の金属有機化合物の均質有機溶剤溶液を基体に堆積
し、しかる後に金属有機化合物を熱的に分解し、次いで
層を700〜950℃の範囲の温度で加熱する(fir
ed )。
h−cuprate )化合物を含む超電導性酸化層(
superconducting oxidic 1a
yer)を基体に形成する方法に関し、カルシウム、ス
トロンチウム、ビスマスおよび銅のカルボン酸化合物の
形態の金属有機化合物の均質有機溶剤溶液を基体に堆積
し、しかる後に金属有機化合物を熱的に分解し、次いで
層を700〜950℃の範囲の温度で加熱する(fir
ed )。
この種の方法はドイツ特許出願明細書P3B15460
.9号に記載されている。
.9号に記載されている。
成形体において測定し、ビスマス−銅酸塩化合物を多相
にでき、種々の相が異なる臨界温度、例えば80におよ
び105kを有することについてはrJap、 J、
of Appl、 Phys、 Lette
rsJ 2ヱ、 L 209(1988)に記載さ
れている。
にでき、種々の相が異なる臨界温度、例えば80におよ
び105kを有することについてはrJap、 J、
of Appl、 Phys、 Lette
rsJ 2ヱ、 L 209(1988)に記載さ
れている。
’Phys、 Letters AJ 128 、1
〜2. p、102〜104(1988)には、lum
の厚さを有するカルシウム/ストロンチウム/ビスマス
−銅酸塩層を作り、次いで酸素中880〜900℃の温
度で熱後処理する陰掻スパッター法が記載されている。
〜2. p、102〜104(1988)には、lum
の厚さを有するカルシウム/ストロンチウム/ビスマス
−銅酸塩層を作り、次いで酸素中880〜900℃の温
度で熱後処理する陰掻スパッター法が記載されている。
この文献の出版前から知られている薄膜法によって、1
00に以上の高い臨界温度を有する相の部分が大体ゼロ
を示す抵抗率−温度曲線を有する材料が得られている。
00に以上の高い臨界温度を有する相の部分が大体ゼロ
を示す抵抗率−温度曲線を有する材料が得られている。
本発明を導く実験において、この条件ではかかる薄膜を
堆積する他の方法、例えばレーザー堆積法でも、また既
知方法により造られた薄膜の熱後処理でも改善できない
ことを確かめた。
堆積する他の方法、例えばレーザー堆積法でも、また既
知方法により造られた薄膜の熱後処理でも改善できない
ことを確かめた。
本発明の目的は、100に以上の温度で超電導性を示す
層を得る方法を提供することである。
層を得る方法を提供することである。
この目的を達成するために、本発明は、ビスマスを10
〜40原子%の範囲の割合で鉛で置換するようにする。
〜40原子%の範囲の割合で鉛で置換するようにする。
驚くべきことに、層の超電導性に要求され、かつ100
に以上の高い臨界温度を有する相が、ビスマスを鉛で1
0〜40モル%の範囲の割合で置換する場合に、主組成
として得られることを確かめた。
に以上の高い臨界温度を有する相が、ビスマスを鉛で1
0〜40モル%の範囲の割合で置換する場合に、主組成
として得られることを確かめた。
層は1011I11までの微結晶大きさを有する比較的
に粗い結晶であり、および明確な多結晶組織を示し、層
の主相は3゜707 nmのC−軸を有する擬偵正方晶
系対称を有している。本発明の方法により作られる層は
100に以上の温度で超電導性を完全に示す。
に粗い結晶であり、および明確な多結晶組織を示し、層
の主相は3゜707 nmのC−軸を有する擬偵正方晶
系対称を有している。本発明の方法により作られる層は
100に以上の温度で超電導性を完全に示す。
本発明の方法の有利な例によれば、ビスマスを鉛で20
原子%の割合で置換することができる。
原子%の割合で置換することができる。
本発明の方法の他の好適な例によれば、金属有機化合物
を300〜600℃の範囲の温度で熱分解する。
を300〜600℃の範囲の温度で熱分解する。
また、本発明の方法の他の好適な例によれば、堆積プロ
セス、分解プロセスおよび加熱プロセスを、所定の層厚
さを得るまで繰返し行うことができる。
セス、分解プロセスおよび加熱プロセスを、所定の層厚
さを得るまで繰返し行うことができる。
本発明の方法の他の好適な例によれば、基体に堆積し、
次いで熱分解する金属有機化合物を1〜60時間にわた
って加熱する。
次いで熱分解する金属有機化合物を1〜60時間にわた
って加熱する。
本発明の方法の他の好適な例によれば、基体に堆積し、
次いで熱分解する金属有機化合物を850〜878℃の
範囲の温度で加熱する。
次いで熱分解する金属有機化合物を850〜878℃の
範囲の温度で加熱する。
本発明の方法は厚い厚さ、例えば10μm以上の厚さを
有する層または連続層(layer 5equence
s )を簡単、かつ安価な手段で得ることができ、また
本発明の方法は短時間で達成できるために時間が節約で
き、かつ経済的である付加的な利点を有している。
有する層または連続層(layer 5equence
s )を簡単、かつ安価な手段で得ることができ、また
本発明の方法は短時間で達成できるために時間が節約で
き、かつ経済的である付加的な利点を有している。
また、本発明の他の利点は堆積層の化学量論、または熱
分解のおよび堆積層の加熱(firing)の温度制御
を正確に調整することができる。
分解のおよび堆積層の加熱(firing)の温度制御
を正確に調整することができる。
均質溶液を基体に堆積するには、それ自体、知られてい
る任意の方法、例えば遠心、浸漬または噴霧手段を用い
ることができる。
る任意の方法、例えば遠心、浸漬または噴霧手段を用い
ることができる。
特に、有利な基体材料としては、多結晶または単結晶形
態の酸化マグネシウム、チタン酸ストロンチウム、酸化
アルミニウムまたは酸化ジルコニウムを例示することが
できる。
態の酸化マグネシウム、チタン酸ストロンチウム、酸化
アルミニウムまたは酸化ジルコニウムを例示することが
できる。
次に、本発明を実施例および添付図面に基づいて説明す
る。添付図面は、本発明の方法によって作った層につい
て測定した絶対温度Tに対する電気抵抗Rを示している
。
る。添付図面は、本発明の方法によって作った層につい
て測定した絶対温度Tに対する電気抵抗Rを示している
。
実J1組
層の堆積に用いる均質溶液を作るために、ナフテン酸カ
ルシウム、オクタン酸ストロンチウム、オクタン酸ビス
マス、鉛−2−エチルオクトエートおよび銅−2−エチ
ルヘキサノエートを用い、これらを160〜190℃の
沸点を有する炭化水素に溶解し、金属を溶液に次の分量
で存在させた:Ca 10重量%、Sr 8重量%、B
i 20重量%、pb25重量%およびCu 11.5
重量% これらの化合物を次のモル比: Ca : Sr :
Bi : Pb:Cu=1 :0.8 :0.8
:0.2 :1.6で混合した。
ルシウム、オクタン酸ストロンチウム、オクタン酸ビス
マス、鉛−2−エチルオクトエートおよび銅−2−エチ
ルヘキサノエートを用い、これらを160〜190℃の
沸点を有する炭化水素に溶解し、金属を溶液に次の分量
で存在させた:Ca 10重量%、Sr 8重量%、B
i 20重量%、pb25重量%およびCu 11.5
重量% これらの化合物を次のモル比: Ca : Sr :
Bi : Pb:Cu=1 :0.8 :0.8
:0.2 :1.6で混合した。
0.0127モルのCuを含む溶液を3.3成のクロロ
ホルムで稀釈した。この溶液をMgO基体に浸漬プロセ
スによって堆積した。かようにして得た層を120〜1
50℃の範囲の温度で30分以内で乾燥した。次いで、
金属有機化合物を500℃の温度で30分間にわたって
熱分解した。
ホルムで稀釈した。この溶液をMgO基体に浸漬プロセ
スによって堆積した。かようにして得た層を120〜1
50℃の範囲の温度で30分以内で乾燥した。次いで、
金属有機化合物を500℃の温度で30分間にわたって
熱分解した。
4層を被着し、その熱分解した後、連続層を860゛C
の温度で加熱した。この終りに、層を860℃の温度で
好ましくは430℃/時の加熱速度で加熱し、二の温度
に空気中で1時間にわたり維持し、しかる後に210℃
/時の冷却速度で650℃の温度に冷却し、この温度で
1時間にわたり後処理を行った。
の温度で加熱した。この終りに、層を860℃の温度で
好ましくは430℃/時の加熱速度で加熱し、二の温度
に空気中で1時間にわたり維持し、しかる後に210℃
/時の冷却速度で650℃の温度に冷却し、この温度で
1時間にわたり後処理を行った。
次いで、層を室温で3時間にわたって冷却した。
全プロセスは、所望の層厚さが得られるまで操返し行う
ことができる。
ことができる。
添付図面に示すグラフは、本発明の方決により作った層
が110にで超電導特性を示し始め、102にで十分に
超電導になることをしめしている。
が110にで超電導特性を示し始め、102にで十分に
超電導になることをしめしている。
添付図面は、本発明の方法により作った層の超電導特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、カルシウム、ストロンチウム、ビスマスおよび銅の
カルボン酸化合物の形態の金属有機化合物の均質有機溶
剤溶液を基体に堆積し、しかる後に金属有機化合物を熱
分解し、次いで層を700〜950℃の範囲の温度で加
熱する少なくともビスマス−銅酸塩を含む超電導性酸化
層を基体に形成した超電導性酸化層の製造方法において
、ビスマスを鉛で10〜40原子%の範囲の割合で置換
することを特徴とする超電導性酸化層の製造方法。 2、20原子%のビスマスを鉛で置換する請求項1記載
の方法。 3、160〜190℃の範囲の沸点を有する炭化水素を
有機溶剤として用いる請求項1または2記載の方法。 4、金属有機化合物を300〜600℃の範囲の温度で
熱分解する請求項1〜3のいずれか一つの項記載の方法
。 5、堆積プロセス、分解プロセスおよび加熱プロセスを
、所望の層厚さを得るまで繰返し行う請求項1〜4のい
ずれか一つの項記載の方法。 6、基体に堆積し、次いで熱分解する金属有機化合物を
1〜6時間にわたって加熱する請求項1〜5のいずれか
一つの項記載の方法。 7、基体に堆積し、次いで熱分解する金属有機化合物を
850〜878℃の範囲の温度で加熱する請求項1〜6
のいずれか一つの項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3826924.4 | 1988-08-09 | ||
| DE3826924A DE3826924A1 (de) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | Verfahren zur herstellung einer supraleitenden oxidischen schicht |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0280580A true JPH0280580A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=6360466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1204900A Pending JPH0280580A (ja) | 1988-08-09 | 1989-08-09 | 超電導性酸化層の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0354616A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0280580A (ja) |
| KR (1) | KR900003407A (ja) |
| DE (1) | DE3826924A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2029789A1 (en) * | 1989-12-04 | 1991-06-05 | Kenton D. Budd | Flexible superconductor coated zirconia fibers |
| WO2000049665A1 (de) | 1999-02-17 | 2000-08-24 | Solvay Barium Strontium Gmbh | Supraleitende körper aus zinkdotiertem kupferoxidmaterial |
-
1988
- 1988-08-09 DE DE3826924A patent/DE3826924A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-08-03 EP EP19890202027 patent/EP0354616A3/de not_active Withdrawn
- 1989-08-09 KR KR1019890011309A patent/KR900003407A/ko not_active Withdrawn
- 1989-08-09 JP JP1204900A patent/JPH0280580A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0354616A3 (de) | 1990-12-19 |
| DE3826924A1 (de) | 1990-02-15 |
| EP0354616A2 (de) | 1990-02-14 |
| KR900003407A (ko) | 1990-03-26 |
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