JPH0281409A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0281409A JPH0281409A JP23217888A JP23217888A JPH0281409A JP H0281409 A JPH0281409 A JP H0281409A JP 23217888 A JP23217888 A JP 23217888A JP 23217888 A JP23217888 A JP 23217888A JP H0281409 A JPH0281409 A JP H0281409A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁性薄膜、磁気ヘッド及び磁性薄膜の製造方
法並びにマグネトロンスパッタ装置に係り、特に軟磁気
特性を有する磁性薄膜、このような磁性薄膜を有する磁
気ヘッド及び磁性薄膜の製造方法並びに上記磁性薄膜、
磁気ヘッドを製造するに適したマグネトロンスパッタ装
置に関する。
法並びにマグネトロンスパッタ装置に係り、特に軟磁気
特性を有する磁性薄膜、このような磁性薄膜を有する磁
気ヘッド及び磁性薄膜の製造方法並びに上記磁性薄膜、
磁気ヘッドを製造するに適したマグネトロンスパッタ装
置に関する。
磁気ヘッド、位置検出センサー、速度計等に用いられる
磁性薄膜材料としては、多種多様なものが知られている
。例えば８１Ｎｉ−１９Ｆｅの合金組成を有するパーマ
ロイ薄膜は、小さい保磁力と高周波領域において高い透
磁率を示すので、薄膜磁気ヘッド等の高速スイッチング
素子用磁性材料として、広く使用されている。
磁性薄膜材料としては、多種多様なものが知られている
。例えば８１Ｎｉ−１９Ｆｅの合金組成を有するパーマ
ロイ薄膜は、小さい保磁力と高周波領域において高い透
磁率を示すので、薄膜磁気ヘッド等の高速スイッチング
素子用磁性材料として、広く使用されている。
その−例として、第２図（ａ）に示すような断面構造を
有する誘導型薄膜磁気ヘッドがある。セラミック基板１
上に、ギャップ膜３、絶縁膜６を介して、下部パーマロ
イ膜２と上部パーマロイ膜４が形成されている。なお、
５は導体膜であり、７は保護膜である。そしてこれら下
部及び上部パーマロイ膜２，４の磁気特性は、薄膜磁気
ヘッドの特性を著しく左右する。一般に磁性薄膜に要求
される特性としては、まず、組成変動のないことと、保
磁力小であることが挙げられるが、良好なヘッド特性を
得るためには、磁性薄膜のＦｅ組成を段差部で平坦部と
比べ、±０．２ｗｔ％Ｆｅ以内にその差を抑える必要が
あると同時に、磁性薄膜の磁化困難軸方向の保磁力を１
．ＯＯｅ以下に抑える必要がある。
有する誘導型薄膜磁気ヘッドがある。セラミック基板１
上に、ギャップ膜３、絶縁膜６を介して、下部パーマロ
イ膜２と上部パーマロイ膜４が形成されている。なお、
５は導体膜であり、７は保護膜である。そしてこれら下
部及び上部パーマロイ膜２，４の磁気特性は、薄膜磁気
ヘッドの特性を著しく左右する。一般に磁性薄膜に要求
される特性としては、まず、組成変動のないことと、保
磁力小であることが挙げられるが、良好なヘッド特性を
得るためには、磁性薄膜のＦｅ組成を段差部で平坦部と
比べ、±０．２ｗｔ％Ｆｅ以内にその差を抑える必要が
あると同時に、磁性薄膜の磁化困難軸方向の保磁力を１
．ＯＯｅ以下に抑える必要がある。
このような磁性薄膜の形成は、スパッタリングによるこ
とが多く、バイアススパッタ法、イオンビームスパッタ
法、プラズマスパッタ法等が用いられている。しかし、
いずれも一長一短があり、薄膜が均一に安定して形成し
難かったり、薄膜形成速度が遅かったり、薄膜形成雰囲
気中の残留ガス、例えば酸素等の活性な不純物ガスの影
響で保磁力が高くなる等の問題点を有していた。
とが多く、バイアススパッタ法、イオンビームスパッタ
法、プラズマスパッタ法等が用いられている。しかし、
いずれも一長一短があり、薄膜が均一に安定して形成し
難かったり、薄膜形成速度が遅かったり、薄膜形成雰囲
気中の残留ガス、例えば酸素等の活性な不純物ガスの影
響で保磁力が高くなる等の問題点を有していた。
そこで、近時、特開昭５２−１１２７９７号等のように
高周波スパッタ法やマグネトロンスパッタ法により磁気
ヘッドの磁性薄膜を製造することが行なわれている。マ
グネトロンスパッタ法は、ターゲット表面に平行な磁界
を印加することにより、ターゲットから放出される高速
電子を偏向させ、基板衝突による基板加熱等の悪影響を
抑制すると同時に、アルゴンガスのイオン化に積極的に
利用する方法である。そのため、５ Ｘ １０−’ Ｔ
ｏｒｒ程度の低アルゴンガス圧下でも、ホトレジスト等
の有機絶縁膜上に高速で膜を形成することができ、薄膜
磁気ヘッド用磁性膜形成法として最も適したスパッタ法
といえる。
高周波スパッタ法やマグネトロンスパッタ法により磁気
ヘッドの磁性薄膜を製造することが行なわれている。マ
グネトロンスパッタ法は、ターゲット表面に平行な磁界
を印加することにより、ターゲットから放出される高速
電子を偏向させ、基板衝突による基板加熱等の悪影響を
抑制すると同時に、アルゴンガスのイオン化に積極的に
利用する方法である。そのため、５ Ｘ １０−’ Ｔ
ｏｒｒ程度の低アルゴンガス圧下でも、ホトレジスト等
の有機絶縁膜上に高速で膜を形成することができ、薄膜
磁気ヘッド用磁性膜形成法として最も適したスパッタ法
といえる。
上記従来技術は、軟磁気特性を有する磁性薄膜が凹凸の
ある基板上に形成されることについて配慮されておらず
、凹凸の段差部では平坦部と比較して組成、例えばＦｅ
組成が異なるという問題があった。
ある基板上に形成されることについて配慮されておらず
、凹凸の段差部では平坦部と比較して組成、例えばＦｅ
組成が異なるという問題があった。
すなわち、通常のマグネトロンスパッタ法で放電が持続
する限界であるＩ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒのアルゴン
ガス圧下で、ターゲット電位が７００ Ｖ未満でスパッ
タを行なっても、膜厚１声以上のパーマロイ膜の保磁力
は、段差部で１．ＯＯｅ以下とならず、また、段差部で
のＦｅ組成も平坦部と比較して０，７ｗｔ％ぐらいＦｅ
が少なくなってしまう。
する限界であるＩ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒのアルゴン
ガス圧下で、ターゲット電位が７００ Ｖ未満でスパッ
タを行なっても、膜厚１声以上のパーマロイ膜の保磁力
は、段差部で１．ＯＯｅ以下とならず、また、段差部で
のＦｅ組成も平坦部と比較して０，７ｗｔ％ぐらいＦｅ
が少なくなってしまう。
それ故薄膜磁気ヘッド用磁性膜として使用可能な保磁力
１．００ｅ以下の薄膜を、凹凸のある基板上に安定して
形成することができないという問題があった。
１．００ｅ以下の薄膜を、凹凸のある基板上に安定して
形成することができないという問題があった。
本発明の目的は、凹凸のある基板上に形成された均一な
組成の軟磁気特性を有する磁性薄膜及びその製造方法、
そのような磁性薄膜を有する磁気ヘッド並びにそれらを
製造するに適したマグネトロンスパッタ装置を提供する
ことにある。
組成の軟磁気特性を有する磁性薄膜及びその製造方法、
そのような磁性薄膜を有する磁気ヘッド並びにそれらを
製造するに適したマグネトロンスパッタ装置を提供する
ことにある。
上記目的は、（１）凹凸を有す名基板の上に形成されて
成り１組成が実質的に均一であり、軟磁気特性を有する
ことを特徴とする磁性薄膜、（２）基板上に、ギャップ
膜を介して下部パーマロイ膜及び上部パーマロイ膜を少
なくとも配置した磁気ヘッドにおいて、該パーマロイ膜
の少なくとも一方は、凹凸を有し、その組成が実質的に
均一であり、軟磁気特性を有する磁性薄膜であることを
特徴とする磁気ヘッド、（３）ベルジャー内の陽極近傍
に基板を配設し、該ベルジャー内に不活性ガスを流入し
、所定の真空度に設定し、グロー放電を励起し、ガスを
プラズマ状にイオン化する一方、陰極であるターゲット
に電界方向に対して垂直な磁界を発生し、電界と磁界と
により電子にマグネトロン運動をさせながら上記ターゲ
ットに衝突させ、飛び出した上記ターゲットの構成粒子
を上記基板上に堆積させ磁性薄膜を形成する磁性薄膜の
製造方法において、上記真空度は、１．ＯＸ １０’″
３Ｔ ｏｒｒ以下とし、上記ターゲットに７００ｖ以上
の電位を印加した状態で上記磁性薄膜を形成することを
特徴とする磁性薄膜の製造方法、（４）ベルジャー内に
互いに対向するように配置されたターゲット及び基板ホ
ルダーと、該ターゲット及び基板ホルダー間に電界を印
加する電界印加手段と、該電界印加手段により印加され
た電界に対して直交する磁界を形成する磁界発生手段と
を備え、上記基板ホルダーによって支持された基板上に
磁性薄膜を形成するマグネトロンスパッタ装置において
、上記ベルジャー内の真空度を１．ＯＸ １Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒを越える状態とし、上記電界を７００ｖ以上として
放電を開始させ、その後該真空度を１．ＯＸ １０””
Ｔ ｏｒｒ以下に制御する制御手段を有することを特
徴とするマグネトロンスパッタ装置によって達成される
。
成り１組成が実質的に均一であり、軟磁気特性を有する
ことを特徴とする磁性薄膜、（２）基板上に、ギャップ
膜を介して下部パーマロイ膜及び上部パーマロイ膜を少
なくとも配置した磁気ヘッドにおいて、該パーマロイ膜
の少なくとも一方は、凹凸を有し、その組成が実質的に
均一であり、軟磁気特性を有する磁性薄膜であることを
特徴とする磁気ヘッド、（３）ベルジャー内の陽極近傍
に基板を配設し、該ベルジャー内に不活性ガスを流入し
、所定の真空度に設定し、グロー放電を励起し、ガスを
プラズマ状にイオン化する一方、陰極であるターゲット
に電界方向に対して垂直な磁界を発生し、電界と磁界と
により電子にマグネトロン運動をさせながら上記ターゲ
ットに衝突させ、飛び出した上記ターゲットの構成粒子
を上記基板上に堆積させ磁性薄膜を形成する磁性薄膜の
製造方法において、上記真空度は、１．ＯＸ １０’″
３Ｔ ｏｒｒ以下とし、上記ターゲットに７００ｖ以上
の電位を印加した状態で上記磁性薄膜を形成することを
特徴とする磁性薄膜の製造方法、（４）ベルジャー内に
互いに対向するように配置されたターゲット及び基板ホ
ルダーと、該ターゲット及び基板ホルダー間に電界を印
加する電界印加手段と、該電界印加手段により印加され
た電界に対して直交する磁界を形成する磁界発生手段と
を備え、上記基板ホルダーによって支持された基板上に
磁性薄膜を形成するマグネトロンスパッタ装置において
、上記ベルジャー内の真空度を１．ＯＸ １Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒを越える状態とし、上記電界を７００ｖ以上として
放電を開始させ、その後該真空度を１．ＯＸ １０””
Ｔ ｏｒｒ以下に制御する制御手段を有することを特
徴とするマグネトロンスパッタ装置によって達成される
。
パーマロイ膜等をスパッタ法で形成する場合、膜の保磁
力及び透磁率に影響を及ぼす因子として、例えばアルゴ
ンガス圧力、ターゲット電位、到達真空度がある。保磁
力を小さくするためには、到達真空度を良くし、アルゴ
ンガス圧力を装置の能力範囲内でなるべく低くすること
が望ましい。
力及び透磁率に影響を及ぼす因子として、例えばアルゴ
ンガス圧力、ターゲット電位、到達真空度がある。保磁
力を小さくするためには、到達真空度を良くし、アルゴ
ンガス圧力を装置の能力範囲内でなるべく低くすること
が望ましい。
そのため１本発明の磁性薄膜の製造方法は、例えばマグ
ネトロンスパッタ法で、ターゲット電位を７００ｖ以上
とし、１，０×１０−３Ｔｏｒｒを越えるアルゴンガス
圧下で放電を開始させ１次いで、アルゴンガス流量を徐
々に絞るよう制御することにより、アルゴンガス圧を１
．０Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ以下としてスパッタを行なう。
ネトロンスパッタ法で、ターゲット電位を７００ｖ以上
とし、１，０×１０−３Ｔｏｒｒを越えるアルゴンガス
圧下で放電を開始させ１次いで、アルゴンガス流量を徐
々に絞るよう制御することにより、アルゴンガス圧を１
．０Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ以下としてスパッタを行なう。
それによって、放電が安定して持続し、組成が均一な磁
性薄膜が得られる。
性薄膜が得られる。
前述の如く、パーマロイ膜等をスパッタ法で形成する場
合、膜の保磁力及び透磁率に影響を及ぼす因子として１
例えばアルゴンガス圧力、ターゲット電位、到達真空度
がある。保磁力を小さくするためには、到達真空度を良
くし、アルゴンガス圧力を装置の能力範囲内でなるべく
低くすることが望ましい。
合、膜の保磁力及び透磁率に影響を及ぼす因子として１
例えばアルゴンガス圧力、ターゲット電位、到達真空度
がある。保磁力を小さくするためには、到達真空度を良
くし、アルゴンガス圧力を装置の能力範囲内でなるべく
低くすることが望ましい。
これは、スパッタリング中に膜中に吸蔵される活性な不
純物ガス（例えば、酸素）の量がアルゴンガス圧力の減
少に伴って少なくなるため、不純物ガスによる磁気特性
の劣化が防止されるからである。また、膜の透磁率を向
上させるためにはスパッタリング時のターゲット電位を
高くする必要がある。
純物ガス（例えば、酸素）の量がアルゴンガス圧力の減
少に伴って少なくなるため、不純物ガスによる磁気特性
の劣化が防止されるからである。また、膜の透磁率を向
上させるためにはスパッタリング時のターゲット電位を
高くする必要がある。
上記のマグネトロンスパッタ法による磁性薄膜の製造方
法では、陰極となるターゲットの電位を７００ Ｖ以上
となるように制御し、かつ、ｌＸｌ０−３Ｔｏｒｒ以下
のアルゴンガス圧下で放電させるため、薄膜形成時にお
ける不純物ガスの影響を著しく軽減することが可能であ
る。
法では、陰極となるターゲットの電位を７００ Ｖ以上
となるように制御し、かつ、ｌＸｌ０−３Ｔｏｒｒ以下
のアルゴンガス圧下で放電させるため、薄膜形成時にお
ける不純物ガスの影響を著しく軽減することが可能であ
る。
以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。
第１図は、本発明のマグネトロンスパッタ装置の概略構
成を示す図である。第１図において．ベルジャー（真空
室）１０は、磁界をつくるためのへルムホルツコイル１
６でその回りを取り囲まれている。ベルジャー１０内に
は陰極となるターゲット１７が、永久磁石１３の上に配
設されている。ターゲット１７に対向し空間を介して陽
極となる基板１２が配置しである。さらに．ベルジャー
１０の内側上部には基板１２を加熱するためのヒータ１
５が取り付けてある．ベルジャー１０の下部には、主排
気ポンプ連絡口１１ａを介してベルジャー内を真空にす
るための主排気ポンプ（図示せず）が連結する一方、不
活性ガスを導入するためのガス導入口１４が接続してい
る。この導入口１４の他端は、ガスの流量を制御するガ
ス流量コントローラ８と連結している。
成を示す図である。第１図において．ベルジャー（真空
室）１０は、磁界をつくるためのへルムホルツコイル１
６でその回りを取り囲まれている。ベルジャー１０内に
は陰極となるターゲット１７が、永久磁石１３の上に配
設されている。ターゲット１７に対向し空間を介して陽
極となる基板１２が配置しである。さらに．ベルジャー
１０の内側上部には基板１２を加熱するためのヒータ１
５が取り付けてある．ベルジャー１０の下部には、主排
気ポンプ連絡口１１ａを介してベルジャー内を真空にす
るための主排気ポンプ（図示せず）が連結する一方、不
活性ガスを導入するためのガス導入口１４が接続してい
る。この導入口１４の他端は、ガスの流量を制御するガ
ス流量コントローラ８と連結している。
そしてガス流量コントローラ８に継がれるガス管の途中
にはガス管を開閉するための電磁弁９が設けである。ま
た、ターゲット１７と基板１２のなす空間に位置するよ
う、シャッター１８が．ベルジャー１０内に設けである
。このシャッター１８は、ブリスパッタのとき、基板１
２に不純物が被着しないようにするものである。
にはガス管を開閉するための電磁弁９が設けである。ま
た、ターゲット１７と基板１２のなす空間に位置するよ
う、シャッター１８が．ベルジャー１０内に設けである
。このシャッター１８は、ブリスパッタのとき、基板１
２に不純物が被着しないようにするものである。
この装置において、第２図に示す誘導型薄膜磁気ヘッド
用下部パーマロイ膜２ （１７，５Ｆｅ−Ｎｉ）、上部
パーマロイ膜４を形成する方法を詳述する。
用下部パーマロイ膜２ （１７，５Ｆｅ−Ｎｉ）、上部
パーマロイ膜４を形成する方法を詳述する。
まず、洗浄済のセラミック基板１をベルジャー１０内の
所定の場所に設置し、主排気ポンプ１１によりＩ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒまで排気する。その後、セラミック
基板１をヒータ１５により、３５０℃まで加熱するとと
もに．ベルジャー１０内の残留ガスを排出する。
所定の場所に設置し、主排気ポンプ１１によりＩ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒまで排気する。その後、セラミック
基板１をヒータ１５により、３５０℃まで加熱するとと
もに．ベルジャー１０内の残留ガスを排出する。
ベルジャー１０内のガス圧がＩ Ｘ １０−’ Ｔｏｒ
ｒに達した時点でセラミック基板１の温度を２５０℃ま
で降下させる。所定の時間２５０℃で保持した後．ベル
ジャー１０内のガス圧が５ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒにな
るようにガス流量コントローラ８のポテンショダイヤル
を調整し、アルゴンガスをガス導入口１４から導入する
。また、第３図に示すように．ベルジャー１０の下側に
バリアプルオリフィス２０を介して主排気ポンプ１１が
連結している。このバリアプルオリフィス２０は．ベル
ジャー１０内のアルゴンガス圧力を調整するための絞り
であって．ベルジャー１０内の圧力を測る圧力計１９の
値に応じ、圧力コントローラ２１により、無段階状にコ
ントロールされる。この圧力コントローラ２１を使用し
てガス導入口１４から導入したアルゴンガス圧力を無段
階状にコントロールするわけであるが、その前に、ター
ゲット１７表面を清浄化するため、セラミック基板１表
面に膜が被着しないようにシャッター１８を閉じたまま
でブリスパッタを行なう、この時、電源２３を介して、
ターゲット電極２２に８００ｖのターゲット電位を印加
して、アルゴンガス圧力を圧力コントローラ２１により
、徐々に１０−３Ｔｏｒｒ台にコントロールし、５ Ｘ
ＩＯ−’ Ｔｏｒｒになった時点でｇｏｏ ｖのター
ゲット電位を維持しながら、シャッターを開き、本スパ
ッタを開始し、約２−厚さの下部パーマロイ膜２を形成
する。
ｒに達した時点でセラミック基板１の温度を２５０℃ま
で降下させる。所定の時間２５０℃で保持した後．ベル
ジャー１０内のガス圧が５ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒにな
るようにガス流量コントローラ８のポテンショダイヤル
を調整し、アルゴンガスをガス導入口１４から導入する
。また、第３図に示すように．ベルジャー１０の下側に
バリアプルオリフィス２０を介して主排気ポンプ１１が
連結している。このバリアプルオリフィス２０は．ベル
ジャー１０内のアルゴンガス圧力を調整するための絞り
であって．ベルジャー１０内の圧力を測る圧力計１９の
値に応じ、圧力コントローラ２１により、無段階状にコ
ントロールされる。この圧力コントローラ２１を使用し
てガス導入口１４から導入したアルゴンガス圧力を無段
階状にコントロールするわけであるが、その前に、ター
ゲット１７表面を清浄化するため、セラミック基板１表
面に膜が被着しないようにシャッター１８を閉じたまま
でブリスパッタを行なう、この時、電源２３を介して、
ターゲット電極２２に８００ｖのターゲット電位を印加
して、アルゴンガス圧力を圧力コントローラ２１により
、徐々に１０−３Ｔｏｒｒ台にコントロールし、５ Ｘ
ＩＯ−’ Ｔｏｒｒになった時点でｇｏｏ ｖのター
ゲット電位を維持しながら、シャッターを開き、本スパ
ッタを開始し、約２−厚さの下部パーマロイ膜２を形成
する。
その後、従来と同様にＲＦ２極スパッタリング法でアル
ミナのギャップ膜３を０．５−の厚さに形成し、絶縁膜
６としてポリイミド樹脂を回転塗布法により３−の厚さ
に形成し、ホトレジスト法で所望の形状とし、Ｃｕの導
体膜を２−の厚さに所望の形状に形成し、さらに絶縁膜
６をその上に回転塗布法で７虜の厚さに形成する。
ミナのギャップ膜３を０．５−の厚さに形成し、絶縁膜
６としてポリイミド樹脂を回転塗布法により３−の厚さ
に形成し、ホトレジスト法で所望の形状とし、Ｃｕの導
体膜を２−の厚さに所望の形状に形成し、さらに絶縁膜
６をその上に回転塗布法で７虜の厚さに形成する。
上部パーマロイ膜４を２−の厚さに前記と同じ方法で形
成し、ついで従来と同様に２０虜厚のアルミナの保護膜
７をＲＦ２極スパッタ法で形成し。
成し、ついで従来と同様に２０虜厚のアルミナの保護膜
７をＲＦ２極スパッタ法で形成し。
以下従来と同様にして薄膜磁気ヘッドを形成した。
この例では、第２図に示すようにターゲット電位をｇｏ
ｏ ｖ維持した際には、段差中央部のＢ点でも平坦なＡ
、Ｃ点と同様のＦｅ組成を有するパーマロイ膜を得るこ
とができた。これに対し、同様の実験をターゲット電位
５００ｖで確認すると段差中央部のＢ点で平坦なＡ、Ｃ
点と比較して約０．５〜１．０ｗｔ％Ｆｅが少なくなる
。
ｏ ｖ維持した際には、段差中央部のＢ点でも平坦なＡ
、Ｃ点と同様のＦｅ組成を有するパーマロイ膜を得るこ
とができた。これに対し、同様の実験をターゲット電位
５００ｖで確認すると段差中央部のＢ点で平坦なＡ、Ｃ
点と比較して約０．５〜１．０ｗｔ％Ｆｅが少なくなる
。
薄膜磁気ヘッドのような積層構造を有するデバイスの場
合、他の層から磁性膜（この場合パーマロイ膜（Ｎｉ−
Ｆｅ））に及ぼす応力が複雑となるため、磁性膜そのも
のの磁歪定数が零近傍になるよう、組成を高精度にコン
トロールする必要がある。しかも高速磁化反転を必要と
するため、磁性膜そのものの保磁力を極力小さくする必
要がある。
合、他の層から磁性膜（この場合パーマロイ膜（Ｎｉ−
Ｆｅ））に及ぼす応力が複雑となるため、磁性膜そのも
のの磁歪定数が零近傍になるよう、組成を高精度にコン
トロールする必要がある。しかも高速磁化反転を必要と
するため、磁性膜そのものの保磁力を極力小さくする必
要がある。
これらを実現するためには、ガス圧力を１Ｏ−４Ｔ ｏ
ｒｒ台とし、しかもその際のターゲット電位を７００ｖ
以上とする必要があることが分かった。
ｒｒ台とし、しかもその際のターゲット電位を７００ｖ
以上とする必要があることが分かった。
上述した本実施例のように、放電しやすいアルゴンガス
圧力下で一旦放電を励起させると、その後アルゴンガス
圧力を低下させても放電は安定的に持続することが確認
できた。
圧力下で一旦放電を励起させると、その後アルゴンガス
圧力を低下させても放電は安定的に持続することが確認
できた。
なお、本実施例においては、高透磁率磁性材料からなる
磁性薄膜として、Ｆｅ−Ｎｉ合金（パーマロイ）膜を形
成する場合について述べたが、ＦｅＮｉ Ｍｏ、 Ｆ
ｓ−Ａｌｌ−３ｉ、Ｆｅ−Ｂ、Ｆｅ−Ｃ１Ｃｏ−Ｔｉ、
Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ等の高透磁率材料
の薄膜を形成する場合についても実験したところ、同様
の結果が得られた。
磁性薄膜として、Ｆｅ−Ｎｉ合金（パーマロイ）膜を形
成する場合について述べたが、ＦｅＮｉ Ｍｏ、 Ｆ
ｓ−Ａｌｌ−３ｉ、Ｆｅ−Ｂ、Ｆｅ−Ｃ１Ｃｏ−Ｔｉ、
Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ等の高透磁率材料
の薄膜を形成する場合についても実験したところ、同様
の結果が得られた。
また１本実施例においては、誘導型薄膜磁気ヘッドにつ
いて述べたが、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドについて
も同様の効果が確認できた。
いて述べたが、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドについて
も同様の効果が確認できた。
本発明によれば、不純物活性ガスの少ない状態で安定し
て放電が持続でき、段差部での組成変動が少ない、低保
磁力の磁性膜を再現性よく製造することができる。本発
明の薄膜磁気ヘッドは従来より再生出力が向上した。
て放電が持続でき、段差部での組成変動が少ない、低保
磁力の磁性膜を再現性よく製造することができる。本発
明の薄膜磁気ヘッドは従来より再生出力が向上した。
第１図は本発明のマグネトロンスパッタ装置の一例の概
略を示す構成図、第２図は誘導型薄膜磁気ヘッドの一例
を示す断面図並びにＦｅ組成及び保磁力と測定位置の関
係を表わす図、第３図は本発明のマグネトロンスパッタ
装置の一例の概略構成図である。 １・・・セラミック基板 ２・・・下部パーマロイ膜
３・・・ギャップ膜 ４・・・上部パーマロイ膜
５・・・導体膜 ６・・・絶縁膜７・・・保
護膜 ８・・・ガス流量コントローラ ９・・・電磁弁 １０・・・ベルジャー１１
ａ・・・主排気ポンプ連絡口 １１・・・主排気ポンプ １２・・・基板１３・・
・永久磁石 １４・・・ガス導入口１５・・・
ヒータ １６・・・ヘルムホルツコイル１７
・・・ターゲット １８・・・シャッター１９・
・・圧力計 ２０・・・バリアプルオリフィス ２１・・・圧力コントローラ ２２・・・ターゲット電
極２３・・・電源 ２４・・・電圧計２５
・・・制御用コンピュータ 代理人弁理士 中 村 純之助 第１図 第３図 第２図
略を示す構成図、第２図は誘導型薄膜磁気ヘッドの一例
を示す断面図並びにＦｅ組成及び保磁力と測定位置の関
係を表わす図、第３図は本発明のマグネトロンスパッタ
装置の一例の概略構成図である。 １・・・セラミック基板 ２・・・下部パーマロイ膜
３・・・ギャップ膜 ４・・・上部パーマロイ膜
５・・・導体膜 ６・・・絶縁膜７・・・保
護膜 ８・・・ガス流量コントローラ ９・・・電磁弁 １０・・・ベルジャー１１
ａ・・・主排気ポンプ連絡口 １１・・・主排気ポンプ １２・・・基板１３・・
・永久磁石 １４・・・ガス導入口１５・・・
ヒータ １６・・・ヘルムホルツコイル１７
・・・ターゲット １８・・・シャッター１９・
・・圧力計 ２０・・・バリアプルオリフィス ２１・・・圧力コントローラ ２２・・・ターゲット電
極２３・・・電源 ２４・・・電圧計２５
・・・制御用コンピュータ 代理人弁理士 中 村 純之助 第１図 第３図 第２図
Claims (5)
- １．凹凸を有する基板の上に形成されて成り、組成が実
質的に均一であり、軟磁気特性を有することを特徴とす
る磁性薄膜。 - ２．基板上に、ギャップ膜を介して下部パーマロイ膜及
び上部パーマロイ膜を少なくとも配置した磁気ヘッドに
おいて、該パーマロイ膜の少なくとも一方は、凹凸を有
し、その組成が実質的に均一であり、軟磁気特性を有す
る磁性薄膜であることを特徴とする磁気ヘッド。 - ３．ベルジャー内の陽極近傍に基板を配設し、該ベルジ
ャー内に不活性ガスを流入し、所定の真空度に設定し、
グロー放電を励起し、ガスをプラズマ状にイオン化する
一方、陰極であるターゲットに電界方向に対して垂直な
磁界を発生し、電界と磁界とにより電子にマグネトロン
運動をさせながら上記ターゲットに衝突させ、飛び出し
た上記ターゲットの構成粒子を上記基板上に堆積させ磁
性薄膜を形成する磁性薄膜の製造方法において、上記真
空度は、１．０×１０＾−＾３Ｔｏｒｒ以下とし、上記
ターゲットに７００Ｖ以上の電位を印加した状態で上記
磁性薄膜を形成することを特徴とする磁性薄膜の製造方
法。 - ４．上記真空度は、１．０×１０＾−＾３Ｔｏｒｒを越
える状態で上記グロー放電を開始し、ついで１．０×１
０＾−＾３Ｔｏｒｒ以下として上記磁性薄膜を形成する
請求項３記載の磁性薄膜の製造方法。 - ５．ベルジャー内に互いに対向するように配置されたタ
ーゲット及び基板ホルダーと、該ターゲット及び基板ホ
ルダー間に電界を印加する電界印加手段と、該電界印加
手段により印加された電界に対して直交する磁界を形成
する磁界発生手段とを備え、上記基板ホルダーによって
支持された基板上に磁性薄膜を形成するマグネトロンス
パッタ装置において、上記ベルジャー内の真空度を１．
０×１０＾−＾３Ｔｏｒｒを越える状態とし、上記電界
を７００Ｖ以上として放電を開始させ、その後該真空度
を１．０×１０＾−＾３Ｔｏｒｒ以下に制御する制御手
段を有することを特徴とするマグネトロンスパッタ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232178A JPH0748440B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232178A JPH0748440B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281409A true JPH0281409A (ja) | 1990-03-22 |
| JPH0748440B2 JPH0748440B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=16935231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63232178A Expired - Lifetime JPH0748440B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748440B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5609971A (en) * | 1993-06-24 | 1997-03-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| JP2011230053A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Canon Inc | 洗浄装置、および洗浄方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5288796A (en) * | 1976-01-21 | 1977-07-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Magnetic material block |
| JPS63110617A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Hitachi Ltd | 磁性薄膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP63232178A patent/JPH0748440B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5288796A (en) * | 1976-01-21 | 1977-07-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Magnetic material block |
| JPS63110617A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-16 | Hitachi Ltd | 磁性薄膜の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5609971A (en) * | 1993-06-24 | 1997-03-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
| JP2011230053A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Canon Inc | 洗浄装置、および洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748440B2 (ja) | 1995-05-24 |
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