JPH0281448A - 半導体集積回路の実装方法 - Google Patents
半導体集積回路の実装方法Info
- Publication number
- JPH0281448A JPH0281448A JP63233109A JP23310988A JPH0281448A JP H0281448 A JPH0281448 A JP H0281448A JP 63233109 A JP63233109 A JP 63233109A JP 23310988 A JP23310988 A JP 23310988A JP H0281448 A JPH0281448 A JP H0281448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- electrodes
- wiring
- wiring electrodes
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば半導体集積回路（以下ｔＣと記す）で
駆動される液晶表示値！におけるように、ＩＣチップの
突起電極を基板上の配線電極にフェースダウンで位置合
わせし、両電極に塗布したペースト状接続材により両電
極を接着させ電気的に接続するＩＣの実装方法に関する
。
駆動される液晶表示値！におけるように、ＩＣチップの
突起電極を基板上の配線電極にフェースダウンで位置合
わせし、両電極に塗布したペースト状接続材により両電
極を接着させ電気的に接続するＩＣの実装方法に関する
。
近年、小型、低消費電力である液晶表示による画像表示
が多方面で検討されている。これに伴い、薄型化、より
小型化の気運が高まり、液晶表示体と駆動ＩＣ等の電子
部品との接続は、微細化、かつ多端子化の傾向が強まっ
ていて、その一つの方法として、液晶表示体の透明ガラ
ス基板上に駆動ＩＣ等の電子部品を直接接続する方法が
採られて来ている。この方法は、直接接続する方法とい
う事で、Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ（略して、Ｃ０Ｇ
）とよばれる、その構成手段は、スペース効率が高く、
薄型で、より小型になるため、将来的に有望視されてい
る。しかし、この接続は、液晶表示体の画像表示電極数
が多く、例えば一画面が約２４０本×約４８０本であり
、このため配線電極も、例えば０．３Ｍピンチ×０．４
鶴ピンチの微細ピンチパターン化および、例えばＩＣ１
個当たり約１２０本の多端子パターン化しており、直接
接続のための接続材料の塗布方法も種々検討されている
。従来技術の接続材塗布方法としては、スクリーン印刷
によるもの、デイスペンサによる等の方法が採られてい
る。
が多方面で検討されている。これに伴い、薄型化、より
小型化の気運が高まり、液晶表示体と駆動ＩＣ等の電子
部品との接続は、微細化、かつ多端子化の傾向が強まっ
ていて、その一つの方法として、液晶表示体の透明ガラ
ス基板上に駆動ＩＣ等の電子部品を直接接続する方法が
採られて来ている。この方法は、直接接続する方法とい
う事で、Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ（略して、Ｃ０Ｇ
）とよばれる、その構成手段は、スペース効率が高く、
薄型で、より小型になるため、将来的に有望視されてい
る。しかし、この接続は、液晶表示体の画像表示電極数
が多く、例えば一画面が約２４０本×約４８０本であり
、このため配線電極も、例えば０．３Ｍピンチ×０．４
鶴ピンチの微細ピンチパターン化および、例えばＩＣ１
個当たり約１２０本の多端子パターン化しており、直接
接続のための接続材料の塗布方法も種々検討されている
。従来技術の接続材塗布方法としては、スクリーン印刷
によるもの、デイスペンサによる等の方法が採られてい
る。
まず、スクリーン印刷による方法を第２図ｔａ）（ｂｌ
を用いて説明する。すなわち、液晶表示体の透明ガラス
基板上２１に、配線電極ｌが駆動ＩＣの突起電極と対応
するようにパターン化されている。
を用いて説明する。すなわち、液晶表示体の透明ガラス
基板上２１に、配線電極ｌが駆動ＩＣの突起電極と対応
するようにパターン化されている。
印刷スクリーン２２には、配線電極と同一間隔のパター
ンが形成されている。このスクリーン２２を配線電極パ
ターンとあらかじめ位１合わせして基板２１の上方に配
！し、塗布すゐ導電性ペースト樹脂２をスクリーン上に
載せ （図ａ）、スクリーン２２の下面が配線電極１に
付着するように荷重を加えて矢印方向にスキージ２３を
移動する事により、ペースト樹脂を押出して配線電極１
上に塗布する （図ｂ）、一方、第３図に示すように駆
動ＩＣ３の突起電極４の上にもスクリーン２２を置き、
矢印方向にスキージ１３を移動することにより樹脂２を
塗布する。この駆動ＩＣ３を第４図のように裏返しにし
、ガラス基板２１の配線電極１に突起電極２と位置合わ
せして接着させ、樹脂２を硬化処理することにより接続
する。第５図はデイスペンサによる塗布方法を示し、図
示のようにデイスペンサ２４は注射器のような構造で、
容器の内側にペースト樹脂２を充填して、図示していな
いが外から空気圧でもって、中の材料であるペースト樹
脂２を所定の場所にごく少量の所定量を押出す。
ンが形成されている。このスクリーン２２を配線電極パ
ターンとあらかじめ位１合わせして基板２１の上方に配
！し、塗布すゐ導電性ペースト樹脂２をスクリーン上に
載せ （図ａ）、スクリーン２２の下面が配線電極１に
付着するように荷重を加えて矢印方向にスキージ２３を
移動する事により、ペースト樹脂を押出して配線電極１
上に塗布する （図ｂ）、一方、第３図に示すように駆
動ＩＣ３の突起電極４の上にもスクリーン２２を置き、
矢印方向にスキージ１３を移動することにより樹脂２を
塗布する。この駆動ＩＣ３を第４図のように裏返しにし
、ガラス基板２１の配線電極１に突起電極２と位置合わ
せして接着させ、樹脂２を硬化処理することにより接続
する。第５図はデイスペンサによる塗布方法を示し、図
示のようにデイスペンサ２４は注射器のような構造で、
容器の内側にペースト樹脂２を充填して、図示していな
いが外から空気圧でもって、中の材料であるペースト樹
脂２を所定の場所にごく少量の所定量を押出す。
ＩＣチップ３の突起電極としては一般に／ｓ、ｊンプ電
極が用いられる。第６図！ａｌｌに示したのは金７ｓｌ
ンブで、表面に酸化膜３２を有するシリコン基板３１に
下層Ｍ配線３３と上層Ｍ配線３４からなる多層配線が眉
間絶縁膜３５を介して形成され、上層Ｍ配線３４を被覆
するパフシベーシツン膜３６の開口部においてＡ７−Ｎ
ｌからなる下地金属層４２を介してＡｕバンプ４１が接
触している。 Ａｕバンプ４１の表面は中央に凹部が生
じている。第６図（ｂｌに示したのは銅４３でめっきさ
れた金バンプ４で、８１基板３１に５ｌｓＮａの膜３７
開ロ部で接触するりパッド３８の上にポリイミド膜３９
を介してｋｌ−Ｃｒ−Ｃｕ構造の下地金属層４４が設け
られ、レジストＷＡ４０の開口部でＡｕバンプ４１がこ
の下地金属層４４に接触している。第６図ｔｃ＋に示し
たのははんだバンプで、ＳＩ基板３１の上の５１０！膜
３２の上に形成されたＭ配置３３に、ガラスなどの絶縁
膜３５の開口部において接触する下層Ｃｒ４５．上層Ｃ
ｕ４６の下地金属層が設けられており、この下地金属層
の上にはんだバンプ４７が形成される。第６回申）およ
びｆｏｌに示したバンプは半球状である。
極が用いられる。第６図！ａｌｌに示したのは金７ｓｌ
ンブで、表面に酸化膜３２を有するシリコン基板３１に
下層Ｍ配線３３と上層Ｍ配線３４からなる多層配線が眉
間絶縁膜３５を介して形成され、上層Ｍ配線３４を被覆
するパフシベーシツン膜３６の開口部においてＡ７−Ｎ
ｌからなる下地金属層４２を介してＡｕバンプ４１が接
触している。 Ａｕバンプ４１の表面は中央に凹部が生
じている。第６図（ｂｌに示したのは銅４３でめっきさ
れた金バンプ４で、８１基板３１に５ｌｓＮａの膜３７
開ロ部で接触するりパッド３８の上にポリイミド膜３９
を介してｋｌ−Ｃｒ−Ｃｕ構造の下地金属層４４が設け
られ、レジストＷＡ４０の開口部でＡｕバンプ４１がこ
の下地金属層４４に接触している。第６図ｔｃ＋に示し
たのははんだバンプで、ＳＩ基板３１の上の５１０！膜
３２の上に形成されたＭ配置３３に、ガラスなどの絶縁
膜３５の開口部において接触する下層Ｃｒ４５．上層Ｃ
ｕ４６の下地金属層が設けられており、この下地金属層
の上にはんだバンプ４７が形成される。第６回申）およ
びｆｏｌに示したバンプは半球状である。
スクリーン印刷の場合、被塗布面が平面であれば、問題
なく形成されるが、第２図のような液晶表示体のガラス
基板２１とガラス基板２５との段差部に駆動ＩＣを実装
する場合、ＩＣ実装部のスペースは最少限にするため、
配線電極ｌをできるだけ上側基板２５に近付けることが
望ましい、その結果狭い面積で段差の大きい場所におい
ては、スクリーン２２が上側基板２５にぶつかる。この
ため、透明ガラス基板のエツジに近い部分の配線電極に
ペースト樹脂がほとんど塗布形成されないという問題を
有していた。また、第３図のようにして樹脂ペースト２
をスクリーン印刷で塗布したＩＣチップ３は、塗布後移
動して反転させなければならない。
なく形成されるが、第２図のような液晶表示体のガラス
基板２１とガラス基板２５との段差部に駆動ＩＣを実装
する場合、ＩＣ実装部のスペースは最少限にするため、
配線電極ｌをできるだけ上側基板２５に近付けることが
望ましい、その結果狭い面積で段差の大きい場所におい
ては、スクリーン２２が上側基板２５にぶつかる。この
ため、透明ガラス基板のエツジに近い部分の配線電極に
ペースト樹脂がほとんど塗布形成されないという問題を
有していた。また、第３図のようにして樹脂ペースト２
をスクリーン印刷で塗布したＩＣチップ３は、塗布後移
動して反転させなければならない。
この作業を行うと、突起量８ｉ４上に設置したペースト
樹脂２が流れたり、あるいは、変形して膜厚が変わった
りするという難点がある。これは、突起電極が平坦であ
る場合とくに顕著である。しかし、第６図（ａ）に示し
たように中央に凹部を有する金バンブの場合は、凹部に
樹脂が加圧状態で閉しこめられ、その応力により圧力を
取去ったのら配線電極から剥がれてしま・）。
樹脂２が流れたり、あるいは、変形して膜厚が変わった
りするという難点がある。これは、突起電極が平坦であ
る場合とくに顕著である。しかし、第６図（ａ）に示し
たように中央に凹部を有する金バンブの場合は、凹部に
樹脂が加圧状態で閉しこめられ、その応力により圧力を
取去ったのら配線電極から剥がれてしま・）。
次に、デイスペンサの場合は、先端にあるノズル径が一
般的に直径０．２■１以上であり、ファインピッチパタ
ーンでドツトタイプ電極に対しては、厚み制御が難しく
、また、塗布回数も増え、作業時間が長くなるという欠
点を有している。直径０，２ ｔｓ以上の塗布面積に対
しては、多連デイスペンサにより、配線電極１を数個お
きにずらして設置し、数回繰り返して塗布する。樹脂吐
出し塗布方法が採られるが、さらに、微細ピンチパター
ン。
般的に直径０．２■１以上であり、ファインピッチパタ
ーンでドツトタイプ電極に対しては、厚み制御が難しく
、また、塗布回数も増え、作業時間が長くなるという欠
点を有している。直径０，２ ｔｓ以上の塗布面積に対
しては、多連デイスペンサにより、配線電極１を数個お
きにずらして設置し、数回繰り返して塗布する。樹脂吐
出し塗布方法が採られるが、さらに、微細ピンチパター
ン。
多端子パターンに対しては適応しにくい欠点を有してい
た。
た。
本発明の課題は、一つには段差のある基板上の段差部に
近接した配線電極へのペースト状接続材の塗布も容易に
できるようにし、他の一つはＩＣチップの突起電極の端
面に塗布したペースト状接続材の電極への付着力が強く
、ＩＣチップの反転。
近接した配線電極へのペースト状接続材の塗布も容易に
できるようにし、他の一つはＩＣチップの突起電極の端
面に塗布したペースト状接続材の電極への付着力が強く
、ＩＣチップの反転。
移動時に接続材の流下あるいは変形による膜厚の変化が
おきないようにし、ＩＣチップと配線電極との接続が確
実にできるＩＣの実装方法を提供することにある。
おきないようにし、ＩＣチップと配線電極との接続が確
実にできるＩＣの実装方法を提供することにある。
（１１！１１を解決するための手段〕
上記のｉＩ題の解決のために、本発明は、ＩＣチップの
複数の突起電極を基板との複数の配線電極をフェースダ
ウンで位置合わせし、ペースト状接続材により画電極を
接着せしめて両電極間を電気的に接続させる際に、基板
上の配線電極の位置と鏡面対称の位置に突起を有する押
印治具を配線電極への接続材の塗布に用い、各治具の先
端を一定の厚さの接続材層に浸漬したのち引上げ、垂直
方向から配線電極上に押印するものとする。また、端面
に一定の深さを持ち、外周まで延びる複数の放射状の凹
溝を有する突起電極を用い、この突起電極の先端を一定
の厚さの接続材層に浸漬したのち引上げて付着した接続
材を配線電橋上に塗布するものとする。
複数の突起電極を基板との複数の配線電極をフェースダ
ウンで位置合わせし、ペースト状接続材により画電極を
接着せしめて両電極間を電気的に接続させる際に、基板
上の配線電極の位置と鏡面対称の位置に突起を有する押
印治具を配線電極への接続材の塗布に用い、各治具の先
端を一定の厚さの接続材層に浸漬したのち引上げ、垂直
方向から配線電極上に押印するものとする。また、端面
に一定の深さを持ち、外周まで延びる複数の放射状の凹
溝を有する突起電極を用い、この突起電極の先端を一定
の厚さの接続材層に浸漬したのち引上げて付着した接続
材を配線電橋上に塗布するものとする。
配線電極への接続材の塗布を、先端を一定の深さの接続
材に浸漬して接続材を付着させた押印治具を垂直方向か
ら押印することにより行えば、段差部が近接していても
障害にならず、同時に複数の配線電極へ均一に塗布する
ことができる。また、ＩＣチップの突起電橋端面に放射
状で外周まで延びる複数の凹溝を設ける１ことにより、
その凹溝により一定の厚さに接着材が保持され、流下す
る量が少なく、スクリーンを用いないで塗布できる。
材に浸漬して接続材を付着させた押印治具を垂直方向か
ら押印することにより行えば、段差部が近接していても
障害にならず、同時に複数の配線電極へ均一に塗布する
ことができる。また、ＩＣチップの突起電橋端面に放射
状で外周まで延びる複数の凹溝を設ける１ことにより、
その凹溝により一定の厚さに接着材が保持され、流下す
る量が少なく、スクリーンを用いないで塗布できる。
さらに、配線電極に対して加圧接着させても、接着材は
凹溝により外部に通じていて閉しこめられないので応力
が加わった状態にならず、剥離のおそれがない。
凹溝により外部に通じていて閉しこめられないので応力
が加わった状態にならず、剥離のおそれがない。
第１図ｔａｌ〜（的は本発明の一実施例のＩＣチップの
実装工程を示し、前出の各図と共通の部分には同一の符
号が付されている。先ず、方形樹脂溜容器１１にペース
ト樹脂２を充填し、スキージ１２を方形容器１１の対向
する二辺に乗せ、図では左から右へ移動して平坦面を出
す（図ａ）ｓ次に、押印治具１３を用いる。押印治具１
３は金属板１４にドリルで直径０．２鶴の穴をあけ、そ
の穴にはめ合いで金属棒１５を植え込み、１ｍ以内突出
させたものである。
実装工程を示し、前出の各図と共通の部分には同一の符
号が付されている。先ず、方形樹脂溜容器１１にペース
ト樹脂２を充填し、スキージ１２を方形容器１１の対向
する二辺に乗せ、図では左から右へ移動して平坦面を出
す（図ａ）ｓ次に、押印治具１３を用いる。押印治具１
３は金属板１４にドリルで直径０．２鶴の穴をあけ、そ
の穴にはめ合いで金属棒１５を植え込み、１ｍ以内突出
させたものである。
この金属棒１５は第１図ｔｅｌに示すように金属板１４
に配線電極と同ピンチの０．３ｕＸ０．３鶴の格子状に
埋込まれている。この治具１３を矢印方向に下げて金属
棒１５の先端を樹脂２に涜ける （図ｂ）、そして治具
１３を引上げると、金属棒１５の先端に樹脂２が付着す
る （図ｃ）０次に、治具１３の下にガラス基板２１を
、金属棒１５の先端の真下に配線電極ｌが来るように、
Ｘ、Ｙ、 θテーブルを用いて目視で位置合わせし
（図ｅ）、治具１３を下ろして樹脂２を配線電極１に転
写する （図ｆ）、この場合、上側基板２５に近接した
配線電極１にも支障なく転写できる。
に配線電極と同ピンチの０．３ｕＸ０．３鶴の格子状に
埋込まれている。この治具１３を矢印方向に下げて金属
棒１５の先端を樹脂２に涜ける （図ｂ）、そして治具
１３を引上げると、金属棒１５の先端に樹脂２が付着す
る （図ｃ）０次に、治具１３の下にガラス基板２１を
、金属棒１５の先端の真下に配線電極ｌが来るように、
Ｘ、Ｙ、 θテーブルを用いて目視で位置合わせし
（図ｅ）、治具１３を下ろして樹脂２を配線電極１に転
写する （図ｆ）、この場合、上側基板２５に近接した
配線電極１にも支障なく転写できる。
別にＩＣチップ３の突起電極４にペースト樹脂を印刷ス
クリーンなどで塗布しておき、真空チャックにより固定
し、これをＸ−Ｙ・θテーブルにてガラス基板２１の下
面より目視で位置合わせを行ったのち、両方の樹脂を接
着させる （図ｇ）、この後、ＩＣチップ３を上より加
圧してその状態で硬化処理する。 実験では、治具１３
の金属板１４には黄銅。
クリーンなどで塗布しておき、真空チャックにより固定
し、これをＸ−Ｙ・θテーブルにてガラス基板２１の下
面より目視で位置合わせを行ったのち、両方の樹脂を接
着させる （図ｇ）、この後、ＩＣチップ３を上より加
圧してその状態で硬化処理する。 実験では、治具１３
の金属板１４には黄銅。
アルミニウム等のような軟質金属を用い、金属棒１５に
は、圧入時に変形しにくいステンレスａｍのような硬質
金属を用いた。第７図に示す別の実施例としては、治具
１３の金属棒１５の先端部１６を、例えばシリコンゴム
、多孔質シリコンゴム、ウレタンゴム等を用いて形成す
る事により、基板ｔｌｉｌに転写時に樹脂のきれを良く
するようにした。また、第８図に示した治具１３は、金
ｙＡ細線１５をシリコンゴム１７に埋込み成型したもの
である。この治具の特徴はさらにピッチが敵側化して０
．ＩＩピッ千程度まで対応出来るようにしたものである
。転写する膜厚の制御は、樹脂溜容器１１の凹部の深さ
を調整する事により数十Ｊｊａ〜２０〇−程度まで自由
に替えられる。第９図＋ａ＋〜（Ｑｌは別の実施例を示
し、この場合は図ａに示すようなドクターブレード１９
を用い、ＰＴＦＥシート１Ｂ上に１Ｊ１１２を流してか
らギャップ調整されたドクターブレード１９を矢印方向
に動かす く図ｂ）、これによりブレード１９で樹脂２
が平坦化して、所定の厚みの樹脂２の膜を作成する事が
出来る （図ｃ）ｅ以後の工程は第１図（ｂｌ〜（Ｋｌ
と同様である。この場合の特徴としては、特に膜厚が薄
くて良い場合に有効である。
は、圧入時に変形しにくいステンレスａｍのような硬質
金属を用いた。第７図に示す別の実施例としては、治具
１３の金属棒１５の先端部１６を、例えばシリコンゴム
、多孔質シリコンゴム、ウレタンゴム等を用いて形成す
る事により、基板ｔｌｉｌに転写時に樹脂のきれを良く
するようにした。また、第８図に示した治具１３は、金
ｙＡ細線１５をシリコンゴム１７に埋込み成型したもの
である。この治具の特徴はさらにピッチが敵側化して０
．ＩＩピッ千程度まで対応出来るようにしたものである
。転写する膜厚の制御は、樹脂溜容器１１の凹部の深さ
を調整する事により数十Ｊｊａ〜２０〇−程度まで自由
に替えられる。第９図＋ａ＋〜（Ｑｌは別の実施例を示
し、この場合は図ａに示すようなドクターブレード１９
を用い、ＰＴＦＥシート１Ｂ上に１Ｊ１１２を流してか
らギャップ調整されたドクターブレード１９を矢印方向
に動かす く図ｂ）、これによりブレード１９で樹脂２
が平坦化して、所定の厚みの樹脂２の膜を作成する事が
出来る （図ｃ）ｅ以後の工程は第１図（ｂｌ〜（Ｋｌ
と同様である。この場合の特徴としては、特に膜厚が薄
くて良い場合に有効である。
ペースト樹脂の膜厚？よ、導電材スリ：ｒボ々・“／樹
脂等の場合は出来るだけ厚＜ １００〜２００−程度が
良く、光硬化樹脂の場合は出来るだけ薄＜１０−〜２Ｏ
ｎ程度が良い条件である。導電材入りエポキシ樹脂等の
場合、導電ｔオとしてＮ１．Ｃｒ、炭素１はんだ球等が
混合されており、この導電材の接触により、数Ω〜数十
Ωの低い導通抵抗で電極間が接続される。そしてエポキ
シ樹脂により、ＩＣチップの突起電極と配線電極間に駆
動ＩＣチップ当たり数Ｋ。
脂等の場合は出来るだけ厚＜ １００〜２００−程度が
良く、光硬化樹脂の場合は出来るだけ薄＜１０−〜２Ｏ
ｎ程度が良い条件である。導電材入りエポキシ樹脂等の
場合、導電ｔオとしてＮ１．Ｃｒ、炭素１はんだ球等が
混合されており、この導電材の接触により、数Ω〜数十
Ωの低い導通抵抗で電極間が接続される。そしてエポキ
シ樹脂により、ＩＣチップの突起電極と配線電極間に駆
動ＩＣチップ当たり数Ｋ。
の接着強度が得られる。光硬化樹脂の場合は、電気的接
続は、ガラス基板電極と駆動ＩＣの突起電極とを直接接
触によって行われる０両電極間の接着は、電極間に残っ
た樹脂により行われる。詳しく言えば、電極の表面に数
十ないし数百人の微細凹凸があるため、その隙間に残っ
た樹脂によた接着力が保持される。
続は、ガラス基板電極と駆動ＩＣの突起電極とを直接接
触によって行われる０両電極間の接着は、電極間に残っ
た樹脂により行われる。詳しく言えば、電極の表面に数
十ないし数百人の微細凹凸があるため、その隙間に残っ
た樹脂によた接着力が保持される。
上述の実施例ではＩＣチップの突起電極にもペースト樹
脂を塗布したが、配線電極側にのみ樹脂を塗布して両電
掻を接着させても、上記程度の導通および接着力を得る
ことができる。
脂を塗布したが、配線電極側にのみ樹脂を塗布して両電
掻を接着させても、上記程度の導通および接着力を得る
ことができる。
次にＩＣチップの突起！極にのみベース）［脂を塗布し
た実施例の工程を第１０図＋８）〜ｆｆｌに示す。
た実施例の工程を第１０図＋８）〜ｆｆｌに示す。
ＰＴＦＥシート１８の上にペースト樹脂２を置きドクタ
ーブレード１９で平坦化する工程（図ａ）は、第９図と
同様である。ドクターブレードを用いる場合、第９図の
場合もそうであるが、粘度管理が重要である。粘度は、
膜厚制御に対しても影響する。
ーブレード１９で平坦化する工程（図ａ）は、第９図と
同様である。ドクターブレードを用いる場合、第９図の
場合もそうであるが、粘度管理が重要である。粘度は、
膜厚制御に対しても影響する。
通常、導電打入リペースト樹脂の場合、２０００〜５０
００ｃＰ （センチボワズ）位、光硬化樹脂の場合は５
００〜２０００ｃＰ位が良い０次に、駆動用１ｃチフプ
３に突起１ｔ＄ｌｊ４をあらかじめ形成したものを、図
示していないが真空チャックにより固定して下げ（図ｂ
）、平坦ペースト樹脂２に浸漬する （図ｃ）。
００ｃＰ （センチボワズ）位、光硬化樹脂の場合は５
００〜２０００ｃＰ位が良い０次に、駆動用１ｃチフプ
３に突起１ｔ＄ｌｊ４をあらかじめ形成したものを、図
示していないが真空チャックにより固定して下げ（図ｂ
）、平坦ペースト樹脂２に浸漬する （図ｃ）。
ＩＣチップを引上げると突起電極の先端にシート１８上
の樹脂の厚さと粘度によって決まる、例えば２００μの
厚さの樹脂２が付着して残る０次にＩＣチップ３を液晶
表示体のガラス基板２１の上に形成しであるＩＴＯより
なる透明配線１掻１０の上に移動し、１ｍｌを用いて下
側から見て、基Ｆｉ２１を支持するＸ−Ｙ・θテーブル
を操作しながら位置合わせを行う （図ｅ）。そしてＩ
Ｃチップ３を垂直方向に下ろし、１にｇ程度の圧力で先
端に樹脂２の付着した突起型８ｉ４を配線電極１０に押
圧する （図ｒ）。
の樹脂の厚さと粘度によって決まる、例えば２００μの
厚さの樹脂２が付着して残る０次にＩＣチップ３を液晶
表示体のガラス基板２１の上に形成しであるＩＴＯより
なる透明配線１掻１０の上に移動し、１ｍｌを用いて下
側から見て、基Ｆｉ２１を支持するＸ−Ｙ・θテーブル
を操作しながら位置合わせを行う （図ｅ）。そしてＩ
Ｃチップ３を垂直方向に下ろし、１にｇ程度の圧力で先
端に樹脂２の付着した突起型８ｉ４を配線電極１０に押
圧する （図ｒ）。
この状態のまま樹脂を硬化させる。導電材入りペースト
の場合は約１７０℃で３０分加熱し熱硬化させる。光硬
化樹脂の場合は紫外線を約２００ｍＷ ／ｃｄの照度で
数十秒照射して硬化させる。硬化後押圧力を除く。
の場合は約１７０℃で３０分加熱し熱硬化させる。光硬
化樹脂の場合は紫外線を約２００ｍＷ ／ｃｄの照度で
数十秒照射して硬化させる。硬化後押圧力を除く。
ＩＣチップの突起電橿配宜の例を第１１図、第１２図に
示し、いずれも（４）が平面図５（ｂ）が側面図である
。第１１図は格子状に配置した例で、突起電極４のピッ
チは０．３寵亀ＸＱ、４ｍ、高さは２０〜５０−である
、第１２図は両側に配室した例で、突起電極４のピッチ
は０．１ ｆｉ位ときびしく、高さは５〜２０μｍであ
る。
示し、いずれも（４）が平面図５（ｂ）が側面図である
。第１１図は格子状に配置した例で、突起電極４のピッ
チは０．３寵亀ＸＱ、４ｍ、高さは２０〜５０−である
、第１２図は両側に配室した例で、突起電極４のピッチ
は０．１ ｆｉ位ときびしく、高さは５〜２０μｍであ
る。
第１３図ないし第１５図は本発明に基づく金バンブの形
状の例で、ｆａｔがいずれも平面図、（ｂ）がｔａｌの
八−Ａ腺、Ｂ−Ｂ腺、ｃ−ｃＮＩＡに沿っての断面図で
ある。これらは、ペースト樹脂が密着しやす（、樹脂内
の応力発生のないバンプ１掻である。第１３図は方形、
第１４図は大角形で、共にＡｕバンプ４！の中央部に凹
部５を有し、十字状に同一の深さの凹部６が形成されて
いる。第１５図は凹部５が形成されず、十字状の凹ａ６
のみ形成されている。凹溝６の形成は、フォトプロセス
を用いて容易にできる、ただし、はんだバンプ４７の場
合はレーザ加工等を必要とする。第１６図ないし第１８
図は第１５図に示したＡｕバンプを有するＩＣチップを
ペースト樹脂を用いて実装した例であり、第１６図では
、ペースト樹脂２として導電材入り樹脂を用い樹脂厚が
約２００ ｎ以下になるように接着した。この時の透明
配線電極１０とＭ配＆１１３３の間の導通抵抗は数Ωな
いし数十Ωであった。樹脂２はバンプ４１の凹溝６に入
り込むため、ＩＣチップ当たり数Ｋｇの接着強度が得ら
れ、実用的に問題がない、第１７図では、耐温度、接着
強度等の信顛性をさらに向上させるため、ＩＣチップ３
とガラス基板２１の間隙に絶縁樹脂７を真空含浸したも
のである。第１８図では、ペースト樹脂２に光硬化樹脂
を用いた。この場合はバンプ４１と透明配線型＄１１０
とが直接接触するように、ｌバンプ当たり４０〜１００
ｇの力で加圧し、加圧状態で紫外線により硬化処理した
。接着強度は、はみ出した樹脂２と凹部５および凹溝６
に残った樹脂により保持される。導通抵抗は２０Ω以下
が得られた。この場合も、第１７図のように間隙を絶縁
樹脂で埋めてもよい。
状の例で、ｆａｔがいずれも平面図、（ｂ）がｔａｌの
八−Ａ腺、Ｂ−Ｂ腺、ｃ−ｃＮＩＡに沿っての断面図で
ある。これらは、ペースト樹脂が密着しやす（、樹脂内
の応力発生のないバンプ１掻である。第１３図は方形、
第１４図は大角形で、共にＡｕバンプ４！の中央部に凹
部５を有し、十字状に同一の深さの凹部６が形成されて
いる。第１５図は凹部５が形成されず、十字状の凹ａ６
のみ形成されている。凹溝６の形成は、フォトプロセス
を用いて容易にできる、ただし、はんだバンプ４７の場
合はレーザ加工等を必要とする。第１６図ないし第１８
図は第１５図に示したＡｕバンプを有するＩＣチップを
ペースト樹脂を用いて実装した例であり、第１６図では
、ペースト樹脂２として導電材入り樹脂を用い樹脂厚が
約２００ ｎ以下になるように接着した。この時の透明
配線電極１０とＭ配＆１１３３の間の導通抵抗は数Ωな
いし数十Ωであった。樹脂２はバンプ４１の凹溝６に入
り込むため、ＩＣチップ当たり数Ｋｇの接着強度が得ら
れ、実用的に問題がない、第１７図では、耐温度、接着
強度等の信顛性をさらに向上させるため、ＩＣチップ３
とガラス基板２１の間隙に絶縁樹脂７を真空含浸したも
のである。第１８図では、ペースト樹脂２に光硬化樹脂
を用いた。この場合はバンプ４１と透明配線型＄１１０
とが直接接触するように、ｌバンプ当たり４０〜１００
ｇの力で加圧し、加圧状態で紫外線により硬化処理した
。接着強度は、はみ出した樹脂２と凹部５および凹溝６
に残った樹脂により保持される。導通抵抗は２０Ω以下
が得られた。この場合も、第１７図のように間隙を絶縁
樹脂で埋めてもよい。
これに対し第１９図（ａｌ、 （ｂｌ、 ｔｃ＋に示す
ように凹溝のないバンプを用いた場合、第１９図ｔａｇ
、 ｆｂｌでは凹部５にペースト樹脂が保持されるが、
接続後の導通不良が多く発生した。これは既に述べたよ
うに、凹部４８の内部の樹脂が対向する配線電極との間
の空間に閉じ込められ、加圧の際の応力がそのまま残っ
て応力歪で剥離しやすいためと考えられる。
ように凹溝のないバンプを用いた場合、第１９図ｔａｇ
、 ｆｂｌでは凹部５にペースト樹脂が保持されるが、
接続後の導通不良が多く発生した。これは既に述べたよ
うに、凹部４８の内部の樹脂が対向する配線電極との間
の空間に閉じ込められ、加圧の際の応力がそのまま残っ
て応力歪で剥離しやすいためと考えられる。
これに対し第１９図ｆｃ）ではペースト樹脂の保持は悪
く接着強度は低いが、接触による導通性はかなり良い、
第１３図ないし第１５図に示したバンプはこれらの欠点
を除いたものである。
く接着強度は低いが、接触による導通性はかなり良い、
第１３図ないし第１５図に示したバンプはこれらの欠点
を除いたものである。
以上説明したように、本発明によれば、基板上の配線電
極への接続材塗布に押印治具を用い、定の厚さの接続材
層へ治具先端を浸漬後、垂直方向から配線電極上押印す
ることにより、所期の膜厚の接続材の塗布ができ、段差
部に接近した配線電極のＩＣチップの実装に問題がなく
なった。また本発明によれば、ＩＣチップの突起電極の
端面に放射杖の溝を形成することにより樹脂の保持を良
好にし、押印治具と同様、一定の厚さの接続材層へ浸漬
後、配線電極に位置合わせして接続することが可能にな
り、スクリーン印刷あるいはデイスペンサの使用が不能
となった。さらに突起電極端面中央凹部と配線電極との
間の空間への接続材の閉じ込めの問題もなくなり、作業
が簡単で信転性の高いＩＣの実装方法が得られた。
極への接続材塗布に押印治具を用い、定の厚さの接続材
層へ治具先端を浸漬後、垂直方向から配線電極上押印す
ることにより、所期の膜厚の接続材の塗布ができ、段差
部に接近した配線電極のＩＣチップの実装に問題がなく
なった。また本発明によれば、ＩＣチップの突起電極の
端面に放射杖の溝を形成することにより樹脂の保持を良
好にし、押印治具と同様、一定の厚さの接続材層へ浸漬
後、配線電極に位置合わせして接続することが可能にな
り、スクリーン印刷あるいはデイスペンサの使用が不能
となった。さらに突起電極端面中央凹部と配線電極との
間の空間への接続材の閉じ込めの問題もなくなり、作業
が簡単で信転性の高いＩＣの実装方法が得られた。
第１図（ａｌ〜（ｇ）は本発明の一実施例のＩＣ実装工
程を順次示す断面図および平面図、第２図（ａｌ、 ｆ
ｂｌは従来のスクリーン印刷法での配線電極への樹脂塗
布の工程を示す断面図、第３図はスクリーン印刷法での
ＩＣチップの突起電極への樹脂塗布工程を示す断面図、
第４図は第２図、第３図の工程後の接続工程を示す断面
図、第５図は従来のデイスペンサによる配線電極への樹
脂塗布工程を示す断面図、第６図（ａｌ 、 （ｂ）
、 ｔｅｌは従来ｒｃの突起１ｔｌｌｉｉとして用いら
れている３種のバンプの断面図、第７図、第８図は第１
図に示した押印治具の異なる実施例をそれぞれ示す断面
図、第９図ｔａ＋〜ｆｃｌは第１図に示した浸γ責用樹
脂層形成の別の実施例を示す正面図、第１０図！ａｌ〜
（ｆｌは本発明の別の実施例のＩＣ実装工程を順次示す
断面図、第１１図、第１２図はＩＣチップの突起電橋配
置の二つの例を示し、いずれもｆａｌは平面図、（ｂ）
は側面図、第１３図、第１４図第１５図は本発明の実施
例に用いるａｔｌ類のバンプをそれぞれ示し、（４）は
いずれも平面図、（ｂ）はそれソｔｌｌａｌ（２）Ａ
−ＡＭ、 Ｂ −Ｂ線、Ｃ−Ｃ線に沿ッテの矢視断面図
、第１６図、第１７図、第１８図は本発明の三つの実施
例により形成された接続部の断面図、第１９図ｆａｔ〜
（ｃｌは第１３〜１５図と比較のために示した３１１Ｉ
ｆｆのバンプの平面図である。 １：配線電極、２：ペースト樹脂、３：ＩＣチップ、４
：突起電極、４１ ： Ａｕバンプ、５：凹部、６：凹
溝、１１：樹脂溜容器、１２：スキージ、１３：押印治
具、１４：金属板、１５：金属棒、１９：ドクターブレ
ード、２１ニガラス基板。 代序人ｆ１）Ｙ上 山 口 巌 ＼ご＋／ 第１ 図 ＳＺ図 １！３１１ 第４図 １１５図 ｉｉ６図 第７図 ５１８図 第９図 （ｂ） 第１１図 （ｂ） ； １１２図 第１０図 第１４図 （Ｑ） （ｂ） 第１５図 第１６図 イ３ ＼ （ 第１７図 第１９図
程を順次示す断面図および平面図、第２図（ａｌ、 ｆ
ｂｌは従来のスクリーン印刷法での配線電極への樹脂塗
布の工程を示す断面図、第３図はスクリーン印刷法での
ＩＣチップの突起電極への樹脂塗布工程を示す断面図、
第４図は第２図、第３図の工程後の接続工程を示す断面
図、第５図は従来のデイスペンサによる配線電極への樹
脂塗布工程を示す断面図、第６図（ａｌ 、 （ｂ）
、 ｔｅｌは従来ｒｃの突起１ｔｌｌｉｉとして用いら
れている３種のバンプの断面図、第７図、第８図は第１
図に示した押印治具の異なる実施例をそれぞれ示す断面
図、第９図ｔａ＋〜ｆｃｌは第１図に示した浸γ責用樹
脂層形成の別の実施例を示す正面図、第１０図！ａｌ〜
（ｆｌは本発明の別の実施例のＩＣ実装工程を順次示す
断面図、第１１図、第１２図はＩＣチップの突起電橋配
置の二つの例を示し、いずれもｆａｌは平面図、（ｂ）
は側面図、第１３図、第１４図第１５図は本発明の実施
例に用いるａｔｌ類のバンプをそれぞれ示し、（４）は
いずれも平面図、（ｂ）はそれソｔｌｌａｌ（２）Ａ
−ＡＭ、 Ｂ −Ｂ線、Ｃ−Ｃ線に沿ッテの矢視断面図
、第１６図、第１７図、第１８図は本発明の三つの実施
例により形成された接続部の断面図、第１９図ｆａｔ〜
（ｃｌは第１３〜１５図と比較のために示した３１１Ｉ
ｆｆのバンプの平面図である。 １：配線電極、２：ペースト樹脂、３：ＩＣチップ、４
：突起電極、４１ ： Ａｕバンプ、５：凹部、６：凹
溝、１１：樹脂溜容器、１２：スキージ、１３：押印治
具、１４：金属板、１５：金属棒、１９：ドクターブレ
ード、２１ニガラス基板。 代序人ｆ１）Ｙ上 山 口 巌 ＼ご＋／ 第１ 図 ＳＺ図 １！３１１ 第４図 １１５図 ｉｉ６図 第７図 ５１８図 第９図 （ｂ） 第１１図 （ｂ） ； １１２図 第１０図 第１４図 （Ｑ） （ｂ） 第１５図 第１６図 イ３ ＼ （ 第１７図 第１９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体集積回路チップの複数の突起電極を基板上の
複数の配線電極をフェースダウンで位置合わせし、ペー
スト状接続材により両電極を電気的に接続させる際に、
基板上の配線電極の位置と鏡面対称の位置に突起を有す
る押印治具を配線電極への接続材の塗布に用い、各治具
の先端を一定の厚さの接続材層に浸漬したのち引上げ、
垂直方向から配線電極上に押印することを特徴とする半
導体集積回路の実装方法。 ２）半導体集積回路チップの複数の突起電極を基板上の
複数の配線電極をフェースダウンで位置合わせし、ペー
スト状接続材により両電極を電気的に接続させる際に、
端面に一定の深さを持ち、外周まで延びる複数の放射状
の凹溝を有する突起電極を用い、この突起電極の先端を
一定の厚さの接続材層に浸漬したのち引上げて付着した
接続材を配線電極上に塗布することを特徴とする半導体
集積回路の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233109A JP2546351B2 (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 半導体集積回路の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233109A JP2546351B2 (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 半導体集積回路の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281448A true JPH0281448A (ja) | 1990-03-22 |
| JP2546351B2 JP2546351B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=16949914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63233109A Expired - Lifetime JP2546351B2 (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 半導体集積回路の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546351B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291346A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および該半導体装置の実装方法 |
| JP2007233117A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Denso Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2011176368A (ja) * | 2011-06-01 | 2011-09-08 | Fujitsu Ltd | 電極、電子部品及び基板 |
| US8101768B2 (en) | 2004-03-31 | 2012-01-24 | Nippon Soda Co., Ltd. | Cyclic amine compound and pest control agent |
| JP2012227423A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Denso Corp | 半導体センサの実装方法 |
-
1988
- 1988-09-17 JP JP63233109A patent/JP2546351B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291346A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および該半導体装置の実装方法 |
| US8101768B2 (en) | 2004-03-31 | 2012-01-24 | Nippon Soda Co., Ltd. | Cyclic amine compound and pest control agent |
| USRE45364E1 (en) | 2004-03-31 | 2015-02-03 | Nippon Soda Co., Ltd. | Cyclic amine compound and pest control agent |
| JP2007233117A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Denso Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2012227423A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Denso Corp | 半導体センサの実装方法 |
| JP2011176368A (ja) * | 2011-06-01 | 2011-09-08 | Fujitsu Ltd | 電極、電子部品及び基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2546351B2 (ja) | 1996-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5903056A (en) | Conductive polymer film bonding technique | |
| US5783465A (en) | Compliant bump technology | |
| EP0424106B1 (en) | A method for connecting circuit boards | |
| JP5152177B2 (ja) | 導電性バンプとその製造方法および電子部品実装構造体 | |
| US7297876B2 (en) | Circuit board and method of manufacturing the same | |
| CN100411163C (zh) | 芯片在薄膜上的半导体器件 | |
| JPH05144817A (ja) | 電子部品実装接続体およびその製造方法 | |
| KR20010034625A (ko) | 이방성 도전 접착제를 이용한 반도체 장치의 실장 방법 | |
| CN101395975A (zh) | 电子部件安装结构体及其制造方法 | |
| JPH02180036A (ja) | 電極の形成方法 | |
| JPH0281448A (ja) | 半導体集積回路の実装方法 | |
| JP3514649B2 (ja) | フリップチップ接続構造および接続方法 | |
| JP2985640B2 (ja) | 電極接続体及びその製造方法 | |
| JP3562615B2 (ja) | 異方導電性膜状接続部材およびその製造方法 | |
| KR0149721B1 (ko) | 이방성 도전 접착제를 사용한 집적회로 실장 방법 | |
| JP2003188212A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05152381A (ja) | 電子部品搭載モジユール | |
| JPH07318962A (ja) | 電気装置の電極基板、電極形成方法及び実装方法 | |
| KR102540569B1 (ko) | 프리코팅된 COF(Chip on film) 제조방법 및 이 제조 방법에 의하여 제조된 COF | |
| US7735717B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor apparatus and method of forming viscous liquid layer | |
| JPH04323838A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JP4032320B2 (ja) | 電極の接続方法 | |
| JPH0888247A (ja) | 回路接続方法 | |
| JP2005032989A (ja) | 半導体装置の接続方法 | |
| JPS63151031A (ja) | 半導体装置の接続方法 |