JPH05291346A - 半導体装置および該半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置および該半導体装置の実装方法Info
- Publication number
- JPH05291346A JPH05291346A JP4085285A JP8528592A JPH05291346A JP H05291346 A JPH05291346 A JP H05291346A JP 4085285 A JP4085285 A JP 4085285A JP 8528592 A JP8528592 A JP 8528592A JP H05291346 A JPH05291346 A JP H05291346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin
- electrode
- wiring board
- circuit pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フリップチップの半導体装置において気密性
を高めて装置の信頼性を向上させるとともに、バンプ電
極を形成することなく、プリント配線基板に実装できる
ようにする。 【構成】 表面側に回路パターンエリア3を有し、引出
用のアルミパッド4が形成された半導体素子2のアルミ
パッド4以外の部分をモールド樹脂5で封止している。
また、プリント配線基板9の電極パッド10に半田11
を供給し、アルミパッド4以外の部分が樹脂封止された
半導体装置1の表面側のアルミパッド4を、電極パッド
10に接続するようにしている。
を高めて装置の信頼性を向上させるとともに、バンプ電
極を形成することなく、プリント配線基板に実装できる
ようにする。 【構成】 表面側に回路パターンエリア3を有し、引出
用のアルミパッド4が形成された半導体素子2のアルミ
パッド4以外の部分をモールド樹脂5で封止している。
また、プリント配線基板9の電極パッド10に半田11
を供給し、アルミパッド4以外の部分が樹脂封止された
半導体装置1の表面側のアルミパッド4を、電極パッド
10に接続するようにしている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、さ
らに詳しくは、回路パターンが形成されている表面側を
下にしてプリント配線基板に実装する半導体装置および
その実装方法に関する。
らに詳しくは、回路パターンが形成されている表面側を
下にしてプリント配線基板に実装する半導体装置および
その実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図8は、従来例の半導体装置の斜視図で
あり、図9は図8の切断面線B−Bから見た断面図であ
る。
あり、図9は図8の切断面線B−Bから見た断面図であ
る。
【0003】この半導体装置15は、半導体素子2の表
面に回路パターンエリア3が設けられるとともに、この
回路パターン引出用の電極配線であるアルミパッド(図
示せず)上に、半田などによる突起電極、いわゆるバン
プ電極16が形成されたフリップチップである。
面に回路パターンエリア3が設けられるとともに、この
回路パターン引出用の電極配線であるアルミパッド(図
示せず)上に、半田などによる突起電極、いわゆるバン
プ電極16が形成されたフリップチップである。
【0004】この半導体装置15は、図10に示されよ
うに、表面側を下にしてバンプ電極16を、プリント配
線基板9の表面に形成された電極パッド10に、例え
ば、半田で融着することにより接続され、さらに、回路
パターンエリア3を保護するために、ポッティング樹脂
17などによってカバーコートが形成されている。
うに、表面側を下にしてバンプ電極16を、プリント配
線基板9の表面に形成された電極パッド10に、例え
ば、半田で融着することにより接続され、さらに、回路
パターンエリア3を保護するために、ポッティング樹脂
17などによってカバーコートが形成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来例の半導体装置では、プリント配線基板9に接続さ
れた半導体装置15は、回路パターンを保護するために
樹脂17がコーティングされているだけであるので、気
密性に劣り、水分の侵入などによって半導体装置15の
性能が劣化するといった難点があり、また、プリント配
線基板9に実装するために、バンプ電極16を形成しな
ければならなかった。
従来例の半導体装置では、プリント配線基板9に接続さ
れた半導体装置15は、回路パターンを保護するために
樹脂17がコーティングされているだけであるので、気
密性に劣り、水分の侵入などによって半導体装置15の
性能が劣化するといった難点があり、また、プリント配
線基板9に実装するために、バンプ電極16を形成しな
ければならなかった。
【0006】本発明は、上述の点に鑑みて為されたもの
であって、フリップチップの半導体装置において気密性
を高めて装置の信頼性を向上させるとともに、バンプ電
極を形成することなく、プリント配線基板に実装できる
ようにすることを目的とする。
であって、フリップチップの半導体装置において気密性
を高めて装置の信頼性を向上させるとともに、バンプ電
極を形成することなく、プリント配線基板に実装できる
ようにすることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明では、上述の目的
を達成するために、次のように構成している。
を達成するために、次のように構成している。
【0008】すなわち、請求項第1項に記載の本発明
は、表面側に回路パターンおよび該回路パターン引出用
の電極配線が形成された半導体素子の前記電極配線以外
の部分が樹脂封止されている。
は、表面側に回路パターンおよび該回路パターン引出用
の電極配線が形成された半導体素子の前記電極配線以外
の部分が樹脂封止されている。
【0009】また、請求項第2項に記載の本発明の実装
方法は、プリント配線基板の電極パッドに導電性の接続
用材料を供給し、前記請求項第1項記載の半導体装置の
表面側の電極配線部分を、前記電極パッドに接続するよ
うにしている。
方法は、プリント配線基板の電極パッドに導電性の接続
用材料を供給し、前記請求項第1項記載の半導体装置の
表面側の電極配線部分を、前記電極パッドに接続するよ
うにしている。
【0010】
【作用】請求項第1項記載の半導体装置では、電極配線
以外の部分は、樹脂封止されるので、ポッティング樹脂
などによるカバーコートに比べて気密性が高まることに
なる。
以外の部分は、樹脂封止されるので、ポッティング樹脂
などによるカバーコートに比べて気密性が高まることに
なる。
【0011】請求項第2項記載の実装方法では、プリン
ト配線基板の電極パッドに導電性の接続用材料を供給し
て半導体装置の電極配線部分を接続するので、電極配線
部分にバンプ電極を形成しておく必要がない。
ト配線基板の電極パッドに導電性の接続用材料を供給し
て半導体装置の電極配線部分を接続するので、電極配線
部分にバンプ電極を形成しておく必要がない。
【0012】
【実施例】以下、図面によって本発明の実施例につい
て、詳細に説明する。
て、詳細に説明する。
【0013】実施例1.図1は、請求項第1項記載の本
発明の一実施例の半導体装置の斜視図であり、図2は、
図1の切断面線A−Aから見た断面図である。
発明の一実施例の半導体装置の斜視図であり、図2は、
図1の切断面線A−Aから見た断面図である。
【0014】この実施例の半導体装置1は、半導体素子
2の表面に回路パターンの形成された回路パターンエリ
ア3が設けられるとともに、この回路パターンの引出用
の電極配線であるアルミパッド4が形成されており、以
上の構成は、従来例と同様である。
2の表面に回路パターンの形成された回路パターンエリ
ア3が設けられるとともに、この回路パターンの引出用
の電極配線であるアルミパッド4が形成されており、以
上の構成は、従来例と同様である。
【0015】この実施例では、アルミパッド4の部分に
バンプ電極を形成する以前に、該アルミパッド4の部分
のみに樹脂が入り込まないようにした金型を用いてモー
ルド成形してアルミパッド4以外の部分をモールド樹脂
5で樹脂封止して形成されるものである。
バンプ電極を形成する以前に、該アルミパッド4の部分
のみに樹脂が入り込まないようにした金型を用いてモー
ルド成形してアルミパッド4以外の部分をモールド樹脂
5で樹脂封止して形成されるものである。
【0016】このようにアルミパッド4以外の部分が樹
脂封止された半導体装置1を、例えば、図3に示される
ように、半田槽6に浸けてアルミパッド4の部分に半田
をつけることにより、図4に示される接続用のバンプ電
極7を形成する。
脂封止された半導体装置1を、例えば、図3に示される
ように、半田槽6に浸けてアルミパッド4の部分に半田
をつけることにより、図4に示される接続用のバンプ電
極7を形成する。
【0017】このように半田槽6に浸けるだけでバンプ
電極7を形成することができるので、従来例に比べてバ
ンプ電極7の形成が容易である。
電極7を形成することができるので、従来例に比べてバ
ンプ電極7の形成が容易である。
【0018】あるいは、アルミパッド以外の部分を樹脂
封止するためのモールド成形において、アルミパッド4
の部分に金属線を配設して同時にモールドすることによ
り、図5に示されるように、半田の代えて金属線による
接続用パンプ8を同時に形成することもできる。
封止するためのモールド成形において、アルミパッド4
の部分に金属線を配設して同時にモールドすることによ
り、図5に示されるように、半田の代えて金属線による
接続用パンプ8を同時に形成することもできる。
【0019】以上の各半導体装置1は、従来と同様にし
てプリント配線基板に実装されるが、半導体素子は、樹
脂封止されているので、ポッティング樹脂などによるカ
バーコートに比べて気密性が高まり、半導体装置1の信
頼性が向上することになる。
てプリント配線基板に実装されるが、半導体素子は、樹
脂封止されているので、ポッティング樹脂などによるカ
バーコートに比べて気密性が高まり、半導体装置1の信
頼性が向上することになる。
【0020】実施例2.図6は、請求項第2項記載の実
装方法を示す断面図である。
装方法を示す断面図である。
【0021】この実施例の実装方法は、図1に示される
半導体装置1、すなわち、アルミパッド以外の部分が樹
脂封止された半導体装置1をプリント配線基板9に実装
するものである。
半導体装置1、すなわち、アルミパッド以外の部分が樹
脂封止された半導体装置1をプリント配線基板9に実装
するものである。
【0022】先ず、プリント配線基板9の電極パッド1
0に、半田11を供給しておき、図1に示される半導体
装置1の表面側を下にして樹脂封止されていないアルミ
パッド4を半田11部分に合わせ、図7に示されるよう
に、融着して接続されるものである。
0に、半田11を供給しておき、図1に示される半導体
装置1の表面側を下にして樹脂封止されていないアルミ
パッド4を半田11部分に合わせ、図7に示されるよう
に、融着して接続されるものである。
【0023】このとき、半導体装置1の回路パターンエ
リア3は、樹脂封止されているので、半田11が回路パ
ターン3に接触するようなこともない。
リア3は、樹脂封止されているので、半田11が回路パ
ターン3に接触するようなこともない。
【0024】このようにプリント配線基板9に半田11
を供給して半導体装置1を実装するので、半導体装置1
には、従来例のようなバンプ電極を形成しておく必要が
ない。
を供給して半導体装置1を実装するので、半導体装置1
には、従来例のようなバンプ電極を形成しておく必要が
ない。
【0025】なお、プリント配線基板9には、半田11
に代えて、導電性接着剤などの他の接続材料を供給する
ようにしてもよいのは勿論である。
に代えて、導電性接着剤などの他の接続材料を供給する
ようにしてもよいのは勿論である。
【0026】また、図1の半導体装置1、すなわち、ア
ルミパッド4が露出した半導体装置1を保管するような
場合には、アルミパッド4が形成されている表面側を、
シリコンシートなどの保護シートで覆うようにしてもよ
い。
ルミパッド4が露出した半導体装置1を保管するような
場合には、アルミパッド4が形成されている表面側を、
シリコンシートなどの保護シートで覆うようにしてもよ
い。
【0027】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体装置では、
電極配線以外の部分は、樹脂封止されているので、ポッ
ティング樹脂などによるカバーコートに比べて気密性が
高まり、半導体装置の信頼性が向上することになる。
電極配線以外の部分は、樹脂封止されているので、ポッ
ティング樹脂などによるカバーコートに比べて気密性が
高まり、半導体装置の信頼性が向上することになる。
【0028】また、本発明の実装方法では、プリント配
線基板の電極パッドに導電性の接続用材料を供給して半
導体装置の電極配線部分を接続するので、半導体装置の
電極配線部分にバンプ電極を形成しておく必要がない。
線基板の電極パッドに導電性の接続用材料を供給して半
導体装置の電極配線部分を接続するので、半導体装置の
電極配線部分にバンプ電極を形成しておく必要がない。
【図1】本発明の一実施例の斜視図である。
【図2】図1の切断面線A−Aから見た断面図である。
【図3】バンプ電極の形成を示す図である。
【図4】バンプ電極が形成さた半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図5】本発明の他の実施例の半導体装置の断面図であ
る。
る。
【図6】本発明の実装方法を説明するための断面図であ
る。
る。
【図7】本発明方法によって実装された状態を示す断面
図である。
図である。
【図8】従来例の斜視図である。
【図9】図8の切断面線B−Bから見た断面図である。
【図10】従来例の実装状態を示す断面図である。
1 半導体装置 3 回路パターンエリア 4 アルミパッド 5 モールド樹脂 9 プリント配線基板 10 電極パッド 11 半田
Claims (2)
- 【請求項1】 表面側に回路パターンおよび該回路パタ
ーン引出用の電極配線が形成された半導体素子の前記電
極配線以外の部分が樹脂封止されていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項2】 プリント配線基板の電極パッドに導電性
の接続用材料を供給し、回路パターン引出用の電極配線
以外の部分が樹脂封止されている半導体装置の前記電極
配線部分を、前記電極パッドに接続することを特徴とす
る半導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085285A JPH05291346A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 半導体装置および該半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085285A JPH05291346A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 半導体装置および該半導体装置の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291346A true JPH05291346A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13854304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4085285A Pending JPH05291346A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 半導体装置および該半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291346A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0281448A (ja) * | 1988-09-17 | 1990-03-22 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体集積回路の実装方法 |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP4085285A patent/JPH05291346A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0281448A (ja) * | 1988-09-17 | 1990-03-22 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体集積回路の実装方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100294719B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 및 그 제조방법, 리드프레임 | |
| EP1143514A2 (en) | Resin-sealed power semiconductor device including substrate with all electronic components for control circuit mounted thereon | |
| KR960705357A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR0177395B1 (ko) | 반도체소자를 칩 상태로 장착시켜서 된 전자회로 보드 및 그 제조방법 | |
| JP2734424B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000349222A (ja) | リードフレーム及び半導体パッケージ | |
| JPS6384128A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH05291346A (ja) | 半導体装置および該半導体装置の実装方法 | |
| JP3670371B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100253397B1 (ko) | 칩단위 패키지 및 그의 제조방법 | |
| JPS63244631A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
| JP2830221B2 (ja) | ハイブリッド集積回路のマウント構造 | |
| KR200172710Y1 (ko) | 칩 크기의 패키지 | |
| JPH065641A (ja) | チップキャリア型半導体装置 | |
| JP2000252406A (ja) | 電子回路装置 | |
| JP2813587B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR950003904B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPH0739244Y2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH05291345A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0214558A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR100567045B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPH11186465A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6245159A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63137442A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05251507A (ja) | 配線基板 |