JPH0281503A - マイクロ波増幅回路 - Google Patents
マイクロ波増幅回路Info
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- JPH0281503A JPH0281503A JP23321988A JP23321988A JPH0281503A JP H0281503 A JPH0281503 A JP H0281503A JP 23321988 A JP23321988 A JP 23321988A JP 23321988 A JP23321988 A JP 23321988A JP H0281503 A JPH0281503 A JP H0281503A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はマイクロ波増幅回路に関し、特にマイクロ波
増幅器の入力回路に関するものである。
増幅器の入力回路に関するものである。
第５図及び第６図は従来のマイクロ波増幅回路を示す接
続図である。
続図である。
第５図において、ｌａ、ｌｂはマイクロ波増幅用ＦＥＴ
、２は入力信号を分配する分配回路、３ａ、３ｂは分配
回路２とマイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ、ｌｂ間をつなぐ
入力導波路、６ａ、６ｂは分配回路２と入力導波路３ａ
、３ｂ間を直披カットするＤＣカットコンデンサ、７ａ
、７ｂはマイクロ波増幅用ＦＥＴＩに電圧を供給するバ
イアス供給ライン、８はバイアス電流、９は分配回路２
のアイソレーションボートに付加されたアイソレーショ
ン抵抗、１４，１５．１６はそれぞれマイクロ波増幅用
ＦＥＴ１ａ、ｌｂのゲート、ソース。
、２は入力信号を分配する分配回路、３ａ、３ｂは分配
回路２とマイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ、ｌｂ間をつなぐ
入力導波路、６ａ、６ｂは分配回路２と入力導波路３ａ
、３ｂ間を直披カットするＤＣカットコンデンサ、７ａ
、７ｂはマイクロ波増幅用ＦＥＴＩに電圧を供給するバ
イアス供給ライン、８はバイアス電流、９は分配回路２
のアイソレーションボートに付加されたアイソレーショ
ン抵抗、１４，１５．１６はそれぞれマイクロ波増幅用
ＦＥＴ１ａ、ｌｂのゲート、ソース。
及びドレインである。
次に動作について説明する。
入力ポート側より伝達された信号波は分配回路２により
分配され、それぞれ入力導波路３ａ、３ｂを経て、マイ
クロ波増幅用ＦＥＴ１ａ、ｌｂに入力され、増幅出力さ
れる。ここで、マイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ、ｌｂは一
般にソース１５接地で使用され、入力側のゲート１４に
は負の電圧が印加される０本従来例では負電源１３ａ、
３ｂよりそれぞれバイアス供給ライン７ａ、７ｂ、及び
入力導波路３ａ、３ｂを経てマイクロ波増幅用ＦＥＴ１
ａ、ｌｂに電圧が印加される。また、コンデンサ６ａ、
６ｂは入力ボート及び分配回路２とマイクロ波増幅用Ｆ
ＥＴ１ａ、ｌｂとをそれぞれＤＣカットするため、マイ
クロ波増幅用ＦＥＴ１ａ。
分配され、それぞれ入力導波路３ａ、３ｂを経て、マイ
クロ波増幅用ＦＥＴ１ａ、ｌｂに入力され、増幅出力さ
れる。ここで、マイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ、ｌｂは一
般にソース１５接地で使用され、入力側のゲート１４に
は負の電圧が印加される０本従来例では負電源１３ａ、
３ｂよりそれぞれバイアス供給ライン７ａ、７ｂ、及び
入力導波路３ａ、３ｂを経てマイクロ波増幅用ＦＥＴ１
ａ、ｌｂに電圧が印加される。また、コンデンサ６ａ、
６ｂは入力ボート及び分配回路２とマイクロ波増幅用Ｆ
ＥＴ１ａ、ｌｂとをそれぞれＤＣカットするため、マイ
クロ波増幅用ＦＥＴ１ａ。
ｌｂ間の相互干渉により生じる発振などを防止している
。また、９は分配回路２がインタディジティトカブラあ
るいはブランチラインカプラ等の４端子回路で構成され
た時にアイソレーションホードへの信号もれを吸収する
ための抵抗である。
。また、９は分配回路２がインタディジティトカブラあ
るいはブランチラインカプラ等の４端子回路で構成され
た時にアイソレーションホードへの信号もれを吸収する
ための抵抗である。
また第６図において、第５図と同一符号は同−分を示し
、４は入力導波路３間を接続する接続導波路、５ａ、５
ｂは接続導波路部に設けられた抵抗、１３は接続導波路
４とバイアス供給ライン７とをつなぐジャンパ線である
。
、４は入力導波路３間を接続する接続導波路、５ａ、５
ｂは接続導波路部に設けられた抵抗、１３は接続導波路
４とバイアス供給ライン７とをつなぐジャンパ線である
。
第６図ではマイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ、ｌｂのゲート
１４への電圧印加はバイアス供給ライン７から接′Ｉｆ
ｔ導波器４の中央付近へジャンパ１３をつなぎ、そこか
ら抵抗５ａ、５ｂを通じてなされている。
１４への電圧印加はバイアス供給ライン７から接′Ｉｆ
ｔ導波器４の中央付近へジャンパ１３をつなぎ、そこか
ら抵抗５ａ、５ｂを通じてなされている。
従来のマイクロ波増幅回路は以上の第５図及び第６図に
示すように構成されており、第５図に示す回路では各増
幅素子の両サイドより電圧の供給を行わなければならず
回路構成が複雑となる欠点があった。また、第６図に示
す回路ではジャンパ線１３が信号が通過する入力導波路
３ｂを横切るためジャンパ線が回路の特性に影響を与え
るという欠点があった。
示すように構成されており、第５図に示す回路では各増
幅素子の両サイドより電圧の供給を行わなければならず
回路構成が複雑となる欠点があった。また、第６図に示
す回路ではジャンパ線１３が信号が通過する入力導波路
３ｂを横切るためジャンパ線が回路の特性に影響を与え
るという欠点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、電圧供給が単純で、かつ、安定な性能が得ら
れるマイクロ波増幅回路を提供することを目的とする。
たもので、電圧供給が単純で、かつ、安定な性能が得ら
れるマイクロ波増幅回路を提供することを目的とする。
この発明の係るマイクロ波増幅回路は、入力導波路間を
接続導波路でつなぎ、その接続導波路に抵抗を設け、接
続導波路を通じて両マイクロ波増幅用素子に入力を印加
できるようにするとともに両者のマイクロ波増幅用ＦＥ
Ｔ間の干渉による発振等の不安定動作を除去するように
したものである。
接続導波路でつなぎ、その接続導波路に抵抗を設け、接
続導波路を通じて両マイクロ波増幅用素子に入力を印加
できるようにするとともに両者のマイクロ波増幅用ＦＥ
Ｔ間の干渉による発振等の不安定動作を除去するように
したものである。
本発明におけるマイクロ波増幅回路は、接′ｉＩｔ導波
路によりマイクロ波増幅用素子のゲート間を接続するよ
うにしたので、一端からの電圧印加により複数のマイク
ロ波増幅用素子に電圧供給が行えるようになり、しかも
この接続導波路には抵抗を設けるようにしたので、マイ
クロ波増幅用素子間の高周波結合による回路の不安定性
を防止できる。
路によりマイクロ波増幅用素子のゲート間を接続するよ
うにしたので、一端からの電圧印加により複数のマイク
ロ波増幅用素子に電圧供給が行えるようになり、しかも
この接続導波路には抵抗を設けるようにしたので、マイ
クロ波増幅用素子間の高周波結合による回路の不安定性
を防止できる。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例によるマイクロ波増幅回
路を示すブロック図であり、図において、ｌａ、ｌｂは
マイクロ波増幅用ＦＥＴ、２は入力信号を分配する分配
回路、３ａ、３ｂは分配回路２とマイクロ波増幅用ＦＥ
Ｔ１ａ、ｌｂ間をつなぐ入力導波路、６ａ、６ｂは分配
回路２と入力導波路３ａ、３ｂ間を直波カットするＤＣ
カットコンデンサ、７はマイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ、
１ｂに電圧を供給するバイアス供給ライン、８はバイア
ス電源、９は分配回路２のアイソレーションホードに付
加されたアイソレーション抵抗、１４はゲート、１５は
ソース、１６はドレインである。
路を示すブロック図であり、図において、ｌａ、ｌｂは
マイクロ波増幅用ＦＥＴ、２は入力信号を分配する分配
回路、３ａ、３ｂは分配回路２とマイクロ波増幅用ＦＥ
Ｔ１ａ、ｌｂ間をつなぐ入力導波路、６ａ、６ｂは分配
回路２と入力導波路３ａ、３ｂ間を直波カットするＤＣ
カットコンデンサ、７はマイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ、
１ｂに電圧を供給するバイアス供給ライン、８はバイア
ス電源、９は分配回路２のアイソレーションホードに付
加されたアイソレーション抵抗、１４はゲート、１５は
ソース、１６はドレインである。
次に動作について説明する。
入力側ポートより伝達された信号波は従来例の場合と同
様に分配回路２により分配され、ＤＣカットコンデンサ
６ａ、６ｂの入力導波路３を経てマイクロ波増幅用ＦＥ
Ｔ１ａ、ｌｂに入力されて増幅出力される。マイクロ波
増幅用ＦＥＴ１ ａ。
様に分配回路２により分配され、ＤＣカットコンデンサ
６ａ、６ｂの入力導波路３を経てマイクロ波増幅用ＦＥ
Ｔ１ａ、ｌｂに入力されて増幅出力される。マイクロ波
増幅用ＦＥＴ１ ａ。
１ｂの各ゲート１４に印加される負電圧は負電源８より
バイアス供給ライン７を経て、マイクロ波増幅用ＦＥＴ
１ｂに対しては入力導波路３ｂを介して、またマイクロ
波増幅用ＦＥＴ１ａに対しては接続導波路４及び入力導
波路３ａを介して印加される。従って、マイクロ波増幅
用ＦＥ７１ａ。
バイアス供給ライン７を経て、マイクロ波増幅用ＦＥＴ
１ｂに対しては入力導波路３ｂを介して、またマイクロ
波増幅用ＦＥＴ１ａに対しては接続導波路４及び入力導
波路３ａを介して印加される。従って、マイクロ波増幅
用ＦＥ７１ａ。
１ｂに印加される電圧は接続導波路４内に設けられた抵
抗５を流れる電流による電圧変化分だけ異なる。しかし
、通常マイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ。
抗５を流れる電流による電圧変化分だけ異なる。しかし
、通常マイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ。
１ｂのゲート電流値は非常に小さいため、この電圧変化
分による両マイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ１ｂ間の特性差
はマイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ。
分による両マイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ１ｂ間の特性差
はマイクロ波増幅用ＦＥＴ１ａ。
１ｂ間の固有差に比べて小さいものとなる。また、マイ
クロ渡場幅用ＦＥ７１ａ、ｌｂ間の相互干渉により生じ
る発振等の不安定特性を防止するため、分配回路２を通
じての干渉対策としてＤＣカットコンデンサ６により低
周波発振の防止を行っており、また、接続導波路４を通
じての干渉に対しては抵抗５を設け、もれ信号電力を減
衰するとともに抵抗５の抵抗値自体をＭＩＣ導波路のイ
ンピーダンスに比べ高く設定することで信号が接続導波
路４へもれる量自身も小さくしている。
クロ渡場幅用ＦＥ７１ａ、ｌｂ間の相互干渉により生じ
る発振等の不安定特性を防止するため、分配回路２を通
じての干渉対策としてＤＣカットコンデンサ６により低
周波発振の防止を行っており、また、接続導波路４を通
じての干渉に対しては抵抗５を設け、もれ信号電力を減
衰するとともに抵抗５の抵抗値自体をＭＩＣ導波路のイ
ンピーダンスに比べ高く設定することで信号が接続導波
路４へもれる量自身も小さくしている。
なお、接続導波路４に設けた抵抗５を値を大きくするこ
とにより信号のもれ量を抑制しているが、実際に入力導
波路３ａ、３ｂ間の距離が波長（λｇ）と比較して無視
できない場合には位相のズレが影響し、必ずしも抵抗５
の抵抗値を大きくしても入力導波路３から接続導波路４
を見込んだインピーダンスが高くなるとは限らないため
、信号の接続導波路４へのもれ量が太き（なる可能性が
ある。
とにより信号のもれ量を抑制しているが、実際に入力導
波路３ａ、３ｂ間の距離が波長（λｇ）と比較して無視
できない場合には位相のズレが影響し、必ずしも抵抗５
の抵抗値を大きくしても入力導波路３から接続導波路４
を見込んだインピーダンスが高くなるとは限らないため
、信号の接続導波路４へのもれ量が太き（なる可能性が
ある。
第２図は上記の影響を解消するための本発明の第２の実
施例によるマイクロ波増幅回路の構成を示すブロック図
であり、接続導波路４の各入力導波路３ａ、３ｂ端から
約１／４波長（λｇ／４）の位置と接地導体間をＲＦ＞
ａ−）用コンデンサ１０ａ、ＬＯｂで接続している。こ
れによってＲＦショート用コンデンサ１０ａ、１０ｂの
接続部が信号波に対してショート端となり、λｇ／４離
れた入力導波路３ａ、３ｂから見込んだインピーダンス
は高くなる。この場合、抵抗５はＲＦショート用コンデ
ンサ接続部１０ａ、１０ｂ間に設ける。
施例によるマイクロ波増幅回路の構成を示すブロック図
であり、接続導波路４の各入力導波路３ａ、３ｂ端から
約１／４波長（λｇ／４）の位置と接地導体間をＲＦ＞
ａ−）用コンデンサ１０ａ、ＬＯｂで接続している。こ
れによってＲＦショート用コンデンサ１０ａ、１０ｂの
接続部が信号波に対してショート端となり、λｇ／４離
れた入力導波路３ａ、３ｂから見込んだインピーダンス
は高くなる。この場合、抵抗５はＲＦショート用コンデ
ンサ接続部１０ａ、１０ｂ間に設ける。
また、第３図は本発明の第３の実施例であるマイクロ波
増幅回路の構成を示すブロックであり、分配回路２とし
てＹ形骨配器１１を採用している。
増幅回路の構成を示すブロックであり、分配回路２とし
てＹ形骨配器１１を採用している。
この場合、両分配ポート間にアイソレーション抵抗１２
が設けられるため、これをそのまま入力導波路３ａ、３
ｂ間の接続導波路４の代わりに代用することができる。
が設けられるため、これをそのまま入力導波路３ａ、３
ｂ間の接続導波路４の代わりに代用することができる。
また、Ｙ形骨配器１１自身による両マイクロ波増幅用Ｆ
ＥＴＩ間の干渉を防ぐため、ＤＣカットコンデンサ６は
前記実施例と同様に低周波発振を防止する役割を兼ねて
いる。
ＥＴＩ間の干渉を防ぐため、ＤＣカットコンデンサ６は
前記実施例と同様に低周波発振を防止する役割を兼ねて
いる。
なお、上記第１ないし３の実施例では、分配回路は２分
配回路もので述べているが、これはもちろん第４図に示
す多出力分配器１７を使用しても同様の構成ができる。
配回路もので述べているが、これはもちろん第４図に示
す多出力分配器１７を使用しても同様の構成ができる。
以上のように本発明によれば、接続導波路によりマイク
ロ波増幅用素子のゲート間を接続するようにしたので、
一端からの電圧印加により複数のマイクロ波増幅用素子
に電圧供給が行えるようになり、しかもこの接続導波路
には抵抗を設けるようにしたので、マイクロ波増幅用素
子間の高周波結合による回路の不安定性を防止できる。
ロ波増幅用素子のゲート間を接続するようにしたので、
一端からの電圧印加により複数のマイクロ波増幅用素子
に電圧供給が行えるようになり、しかもこの接続導波路
には抵抗を設けるようにしたので、マイクロ波増幅用素
子間の高周波結合による回路の不安定性を防止できる。
なお、本発明はＨＥＭＴ素子等のマイクロ波増幅用ＦＥ
ＴＩと同様のバイアス電圧、電流にて使用するマイクロ
波増幅素子に対しても適用することができる。
ＴＩと同様のバイアス電圧、電流にて使用するマイクロ
波増幅素子に対しても適用することができる。
以上のように本発明によれば、信号電力を分配後の各マ
イクロ波増幅用ＦＥＴと入力導波器間を直流的に絶縁し
、かつ、入力導波路間を途中に抵抗部を持つ接続導波器
により接続し、この接続導波路を介して各マイクロ波増
幅用ＦＥＴゲートへ直流バイアス電圧を印加する方式を
採用したため、回路構成が簡単でかつ、安定した高周波
特性を有するマイクロ波増幅回路が得られる。
イクロ波増幅用ＦＥＴと入力導波器間を直流的に絶縁し
、かつ、入力導波路間を途中に抵抗部を持つ接続導波器
により接続し、この接続導波路を介して各マイクロ波増
幅用ＦＥＴゲートへ直流バイアス電圧を印加する方式を
採用したため、回路構成が簡単でかつ、安定した高周波
特性を有するマイクロ波増幅回路が得られる。
第１図は本発明の第１の実施例によるマイクロ波増幅回
路を示す接続図、第２図は本発明の第２の実施例による
マイクロ波増幅回路を示す接続図、第３図は本発明の第
３の実施例によるマイクロ波増幅回路を示す接続図、第
４図は本発明の応用例を示すマイクロ波増幅回路の接続
図、第５図、及び第６図は従来のマイクロ波増幅回路を
示す接続図である。 図において、１はマイクロ波増幅用ＦＥＴ、２は分配回
路、３は入力導波路、４は接続導波路、５は抵抗、６は
ＤＣカットコンデンサ、７はバイアス供給ライン、８は
バイアス電源、９はアイソレーション抵抗、１０はＲＦ
ショート用コンデンサ、１１はＹ形骨配器、１２はアイ
ソレーション抵抗、１３はジャンパ線、１４はゲート、
１５はソース、１６はドレインである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
路を示す接続図、第２図は本発明の第２の実施例による
マイクロ波増幅回路を示す接続図、第３図は本発明の第
３の実施例によるマイクロ波増幅回路を示す接続図、第
４図は本発明の応用例を示すマイクロ波増幅回路の接続
図、第５図、及び第６図は従来のマイクロ波増幅回路を
示す接続図である。 図において、１はマイクロ波増幅用ＦＥＴ、２は分配回
路、３は入力導波路、４は接続導波路、５は抵抗、６は
ＤＣカットコンデンサ、７はバイアス供給ライン、８は
バイアス電源、９はアイソレーション抵抗、１０はＲＦ
ショート用コンデンサ、１１はＹ形骨配器、１２はアイ
ソレーション抵抗、１３はジャンパ線、１４はゲート、
１５はソース、１６はドレインである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）複数のマイクロ波増幅用素子と、マイクロ波入力
を上記各マイクロ波増幅用素子に分配する分配回路と、
該分配回路の各出力と上記各マイクロ波増幅用素子とを
接続する入力導波路とから構成されるマイクロ波増幅回
路において、 上記各入力導波路間に設けられた、その途中に抵抗部を
有する接続導波路と、 上記入力導波路の１つに直流電圧を印加する直流電圧印
加手段とを備え、上記接続導波路を介して上記各マイク
ロ波増幅用素子の入力側電極に直流電圧を印加するよう
にしたことを特徴とするマイクロ波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23321988A JPH0281503A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | マイクロ波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23321988A JPH0281503A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | マイクロ波増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281503A true JPH0281503A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16951626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23321988A Pending JPH0281503A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | マイクロ波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281503A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774558A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Miri Wave:Kk | 集積化増幅器 |
| JPH1197958A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
| US6005442A (en) * | 1996-03-26 | 1999-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Divider/combiner |
| JP2007158648A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
| EP2288020A3 (en) * | 2009-07-27 | 2011-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| US12562448B2 (en) | 2020-11-24 | 2026-02-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency power divider |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP23321988A patent/JPH0281503A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774558A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Miri Wave:Kk | 集積化増幅器 |
| US6005442A (en) * | 1996-03-26 | 1999-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Divider/combiner |
| JPH1197958A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
| JP2007158648A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
| EP2288020A3 (en) * | 2009-07-27 | 2011-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| US8115554B2 (en) | 2009-07-27 | 2012-02-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| US12562448B2 (en) | 2020-11-24 | 2026-02-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency power divider |
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