JPH0511802B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0511802B2 JPH0511802B2 JP62075951A JP7595187A JPH0511802B2 JP H0511802 B2 JPH0511802 B2 JP H0511802B2 JP 62075951 A JP62075951 A JP 62075951A JP 7595187 A JP7595187 A JP 7595187A JP H0511802 B2 JPH0511802 B2 JP H0511802B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- wavelength
- high frequency
- wavelength transmission
- signal line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は増幅器等の高周波能動回路におけるバ
イアス回路に関し、特に使用周波数帯域内で低損
失であり、帯域外での反射損失の良いバイアス回
路に関する。
イアス回路に関し、特に使用周波数帯域内で低損
失であり、帯域外での反射損失の良いバイアス回
路に関する。
従来、増幅器等の高周波能動回路の信号ライン
に接続するバイアス回路は、使用周波数帯域内の
影響を少なくしてバイアスを供給するために、先
端シヨートの1/4トランスミツシヨンラインやチ
ヨークコイル等の構成を取つている。
に接続するバイアス回路は、使用周波数帯域内の
影響を少なくしてバイアスを供給するために、先
端シヨートの1/4トランスミツシヨンラインやチ
ヨークコイル等の構成を取つている。
上述した従来のバイアス回路は、使用周波数帯
域外において反射損失が悪く、場合によつては完
全反射となる場合がある。このため、この種のバ
イアス回路を増幅器等に使用した場合は、発振等
の不具合が生ずるという問題があり、このような
帯域外の影響を取り除くためには専用の別回路の
接続が必要とされている。
域外において反射損失が悪く、場合によつては完
全反射となる場合がある。このため、この種のバ
イアス回路を増幅器等に使用した場合は、発振等
の不具合が生ずるという問題があり、このような
帯域外の影響を取り除くためには専用の別回路の
接続が必要とされている。
本発明は使用周波数帯域内で低損失であり、帯
域外での反射損失の良いバイアス回路を提供する
ことを目的としている。
域外での反射損失の良いバイアス回路を提供する
ことを目的としている。
本発明のバイアス回路は、高周波信号ラインに
１／４波長トランスミツシヨンラインを分岐接続し、
この1/4波長トランスミツシヨンラインの先端に
１／４波長オープンスタブと、終端抵抗により終端
される1/4波長トランスミツシヨンラインを接続
した構成としている。
１／４波長トランスミツシヨンラインを分岐接続し、
この1/4波長トランスミツシヨンラインの先端に
１／４波長オープンスタブと、終端抵抗により終端
される1/4波長トランスミツシヨンラインを接続
した構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明のバイアス回路構成図である。
図示のように、高周波信号ライン１１に1/4波
長トランスミツシヨンライン１を接続して分岐を
行い、この1/4波長トランスミツシヨンライン１
の先端に1/4波長オープンスタブ２と、終端抵抗
４により終端された1/4波長トランスミツシヨン
ライン３を接続している。終端抵抗４には、高周
波短絡コンデンサ５とチヨークコイル６を接続
し、バイアス電源VBに接続している。
長トランスミツシヨンライン１を接続して分岐を
行い、この1/4波長トランスミツシヨンライン１
の先端に1/4波長オープンスタブ２と、終端抵抗
４により終端された1/4波長トランスミツシヨン
ライン３を接続している。終端抵抗４には、高周
波短絡コンデンサ５とチヨークコイル６を接続
し、バイアス電源VBに接続している。
この構成において、高周波信号ライン１１から
見た通過特性と反射損失特性を第２図に示す。
見た通過特性と反射損失特性を第２図に示す。
すなわち、使用周波数帯域は1/4波長トランス
ミツシヨンライン１と1/4波長オープンスタブ２
により開放となり、通過損失（減衰特性）はなく
なる。また、帯域外は1/4波長トランスミツシヨ
ン３と終端抵抗４、コンデンサ５により反射損失
を改善する。
ミツシヨンライン１と1/4波長オープンスタブ２
により開放となり、通過損失（減衰特性）はなく
なる。また、帯域外は1/4波長トランスミツシヨ
ン３と終端抵抗４、コンデンサ５により反射損失
を改善する。
これらにより帯域制限特性を得ることができ
る。また、設計時に1/4波長トランスミツシヨン
ライン１、1/4波長オープンスタブ２のインピー
ダンスを任意に設定することにより、帯域幅を変
えることができる。
る。また、設計時に1/4波長トランスミツシヨン
ライン１、1/4波長オープンスタブ２のインピー
ダンスを任意に設定することにより、帯域幅を変
えることができる。
以上説明したように本発明は、高周波信号ライ
ンに1/4波長トランスミツシヨンラインを分岐接
続し、この1/4波長トランスミツシヨンラインの
先端に1/4波長オープンスタブと、終端抵抗によ
り終端される1/4波長トランスミツシヨンライン
を接続しているので、増幅器等の高周波能動回路
に使用した場合でも、使用周波数帯域内で低損失
であるとともに、帯域外での反射損失を改善して
帯域外発振等の帯域外の影響を防ぐことができる
効果がある。
ンに1/4波長トランスミツシヨンラインを分岐接
続し、この1/4波長トランスミツシヨンラインの
先端に1/4波長オープンスタブと、終端抵抗によ
り終端される1/4波長トランスミツシヨンライン
を接続しているので、増幅器等の高周波能動回路
に使用した場合でも、使用周波数帯域内で低損失
であるとともに、帯域外での反射損失を改善して
帯域外発振等の帯域外の影響を防ぐことができる
効果がある。
第１図は本発明のバイアス回路の一実施例の回
路構成図、第２図は信号ラインにおける減衰量、
反射損失の周波数特性図である。 １…1/4波長トランスミツシヨンライン、２…
１／４波長オープンスタブ、３…1/4波長トランスミ
ツシヨンライン、４…終端抵抗、５…高周波短絡
コンデンサ、６…チヨークコイル、１１…高周波
信号ライン。
路構成図、第２図は信号ラインにおける減衰量、
反射損失の周波数特性図である。 １…1/4波長トランスミツシヨンライン、２…
１／４波長オープンスタブ、３…1/4波長トランスミ
ツシヨンライン、４…終端抵抗、５…高周波短絡
コンデンサ、６…チヨークコイル、１１…高周波
信号ライン。
Claims (1)
- １ 高周波信号ラインに接続するバイアス回路に
おいて、前記高周波信号ラインに1/4波長トラン
スミツシヨンラインを分岐接続し、この1/4波長
トランスミツシヨンラインの先端に1/4波長オー
プンスタブと、終端抵抗により終端される1/4波
長トランスミツシヨンラインを接続し、この終端
抵抗の他端側と接地との間に高周波短絡コンデン
サを接続し、かつその接続点にバイアス電源を接
続したことを特徴とするバイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075951A JPS63244906A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075951A JPS63244906A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | バイアス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244906A JPS63244906A (ja) | 1988-10-12 |
| JPH0511802B2 true JPH0511802B2 (ja) | 1993-02-16 |
Family
ID=13591034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62075951A Granted JPS63244906A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244906A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4641285B2 (ja) * | 2006-06-21 | 2011-03-02 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波増幅器 |
| JP5143523B2 (ja) * | 2006-10-25 | 2013-02-13 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | バイアス回路 |
| WO2010096582A2 (en) | 2009-02-18 | 2010-08-26 | Rayspan Corporation | Metamaterial power amplifier systems |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62075951A patent/JPS63244906A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63244906A (ja) | 1988-10-12 |
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