JPH0282052U - - Google Patents
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- JPH0282052U JPH0282052U JP16170488U JP16170488U JPH0282052U JP H0282052 U JPH0282052 U JP H0282052U JP 16170488 U JP16170488 U JP 16170488U JP 16170488 U JP16170488 U JP 16170488U JP H0282052 U JPH0282052 U JP H0282052U
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- Japan
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- layer
- base
- base layer
- emitter
- thyristor
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- Pending
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Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の説明図、第２図は
実施例の製造に使用される石英封管法の説明図、
第３図は従来例の縦断面図、第４図から第６図ま
での各図はゲートターンオフの特性図、第７図は
不純物濃度分布の曲線図である。 １……Ｐエミツタ層、２……Ｎベース層、３…
…Ｐベース層、４……Ｎエミツタ層、１１……Ｐ
ベース補正層、２１……アンプル管、２２……Ｓ
ｉウエハ、２３……ＧａＧｅ拡散源。
実施例の製造に使用される石英封管法の説明図、
第３図は従来例の縦断面図、第４図から第６図ま
での各図はゲートターンオフの特性図、第７図は
不純物濃度分布の曲線図である。 １……Ｐエミツタ層、２……Ｎベース層、３…
…Ｐベース層、４……Ｎエミツタ層、１１……Ｐ
ベース補正層、２１……アンプル管、２２……Ｓ
ｉウエハ、２３……ＧａＧｅ拡散源。
Claims (1)
- Ｐエミツタ層、Ｎベース層、Ｐベース層および
Ｎエミツタ層を積層したプレナー型の表面ゲート
構造をもつたゲートターンオフサイリスタにおい
て、前記Ｐベース層に、該Ｐベース層より表面濃
度が高く、かつ拡散深さが前記Ｎエミツタ層より
も浅いＰベース補正層を設けたことを特徴とした
ゲートターンオフサイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16170488U JPH0282052U (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16170488U JPH0282052U (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282052U true JPH0282052U (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=31444881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16170488U Pending JPH0282052U (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282052U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57201078A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor and its manufacture |
| JPS63131574A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | Hitachi Ltd | 半導体スイツチング装置 |
| JPS63209167A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-13 JP JP16170488U patent/JPH0282052U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57201078A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor and its manufacture |
| JPS63131574A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | Hitachi Ltd | 半導体スイツチング装置 |
| JPS63209167A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |