JPH0282630A - 半導体チップ配列装置 - Google Patents
半導体チップ配列装置Info
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- JPH0282630A JPH0282630A JP23516888A JP23516888A JPH0282630A JP H0282630 A JPH0282630 A JP H0282630A JP 23516888 A JP23516888 A JP 23516888A JP 23516888 A JP23516888 A JP 23516888A JP H0282630 A JPH0282630 A JP H0282630A
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- tape
- chip
- irradiation
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体チップ配・列装置に関し。
UV照射とチップ配列とを同時に行うことにより製造工
程数を低減させると共に、前面チッピングがチップ表面
へ飛び乗ることを防止することにより動作不良チップの
発生を防止することを目的とし。
程数を低減させると共に、前面チッピングがチップ表面
へ飛び乗ることを防止することにより動作不良チップの
発生を防止することを目的とし。
紫外光を照射すると接着力が低下するUVテープの表面
に接着された半導体チップに紫外光を照射して剥がれ易
くした後、コレットにより半導体チップをUVテープか
ら剥離して配列させる半導体チップ配列装置において、
半導体チップ突き上げ手段を備えた突き上げ部を有する
チップ配列部と半導体チップの接着された領域にスポッ
ト状に紫外光を発生するUV装置から紫外光が導入され
るUV照射部とを設け、チップ配列部に搬送されてきた
。UVテープの半導体チップが接着された領域だけにU
V照射部から紫外光を照射した後。
に接着された半導体チップに紫外光を照射して剥がれ易
くした後、コレットにより半導体チップをUVテープか
ら剥離して配列させる半導体チップ配列装置において、
半導体チップ突き上げ手段を備えた突き上げ部を有する
チップ配列部と半導体チップの接着された領域にスポッ
ト状に紫外光を発生するUV装置から紫外光が導入され
るUV照射部とを設け、チップ配列部に搬送されてきた
。UVテープの半導体チップが接着された領域だけにU
V照射部から紫外光を照射した後。
突き上げ部の半導体チップ突き上げ手段により。
当該半導体チ・7プをUVテープから剥がすように構成
する。
する。
本発明は、半導体チップ配列装置、特にUV照射部とチ
ップ配列部とを一体化すると共に、背面チッピングの発
生を防止した半導体チップ配列装置に関する。
ップ配列部とを一体化すると共に、背面チッピングの発
生を防止した半導体チップ配列装置に関する。
半導体チップ処理の自動化に伴い、粘着テープに半導体
ウェハを貼り付け2個々のICチップにダイシングする
ことが一触化している。
ウェハを貼り付け2個々のICチップにダイシングする
ことが一触化している。
このため、ダイシング時には、テープから半導体チップ
が剥がれないように高接着力を有し、ダイシング後テー
プから半導体チップを剥離する際には、容易に剥がれる
ように低接着力となるようなテープが提供されている。
が剥がれないように高接着力を有し、ダイシング後テー
プから半導体チップを剥離する際には、容易に剥がれる
ように低接着力となるようなテープが提供されている。
このテープは、紫外光(UV)を照射するごとにより接
着力を低下させるようにしているので、UVテープと呼
ばれている。
着力を低下させるようにしているので、UVテープと呼
ばれている。
しかしながら、UVテープを使用することで。
UV照射工程が増えるので、生産性を向上させるために
、UV照射とチップ配列とを同時に、かつ。
、UV照射とチップ配列とを同時に、かつ。
小スペースで行う必要がある。
また、半導体チップをUVテープから剥離する際に発生
する背面チッピング(半導体片)は、半導体チップの表
面に傷を付け、動作不良チップが発生する原因になるの
で、UV照射を行う場所および照度を制御することによ
り、背面チッピングの発生を防止する必要がある。
する背面チッピング(半導体片)は、半導体チップの表
面に傷を付け、動作不良チップが発生する原因になるの
で、UV照射を行う場所および照度を制御することによ
り、背面チッピングの発生を防止する必要がある。
従来の半導体チップ配列装置においては、 UVテー
プに貼付された半導体ウェハをダイシングした後、−括
してUV照射し、これをチ・7プ配列装置にセットし、
lチップごとにピックアップして配列していた。
プに貼付された半導体ウェハをダイシングした後、−括
してUV照射し、これをチ・7プ配列装置にセットし、
lチップごとにピックアップして配列していた。
従来の半導体チップ配列装置では、ダイシングの際に半
導体チップの背面のスクライプラインに沿って発生した
背面チッピングが、半導体チップをピックアップすると
きに半導体チップの表面に飛び乗ってしまい、動作不良
を生じさせる。という問題があった。
導体チップの背面のスクライプラインに沿って発生した
背面チッピングが、半導体チップをピックアップすると
きに半導体チップの表面に飛び乗ってしまい、動作不良
を生じさせる。という問題があった。
また、UV照射を一括して独立の工程として行っている
ので5製造工程が増大する、という問題もあった。
ので5製造工程が増大する、という問題もあった。
本発明は、これらの問題点を解決し、UV照射とチップ
配列とを同時に行うことにより製造工程数を低減させる
と共に、背面チッピングが半導体チップの表面に飛び乗
ることを防止した。半導体チップ配列装置を提供するこ
とを目的とする。
配列とを同時に行うことにより製造工程数を低減させる
と共に、背面チッピングが半導体チップの表面に飛び乗
ることを防止した。半導体チップ配列装置を提供するこ
とを目的とする。
上記目的を達成するために1本発明に係る半導体チンブ
配列装置は、紫外光を照射すると接着力が低下するUv
テープの表面に接着された半導体チップに紫外光を照射
して剥がれ易くした後、コレットにより半導体チンブを
UVテープから工11離して配列させる半導体チップ配
列装置において。
配列装置は、紫外光を照射すると接着力が低下するUv
テープの表面に接着された半導体チップに紫外光を照射
して剥がれ易くした後、コレットにより半導体チンブを
UVテープから工11離して配列させる半導体チップ配
列装置において。
半導体チップ突き上げ手段を備えた突き上げ部を有する
チップ配列部と半導体チップの接着された領域にスポッ
ト状に紫外光を発生するUV装置から紫外光が導入され
るUV照射部とを設け、チップ配列部に搬送されてきた
。UVテープの半導体チップが接着された領域だけにU
V照射部から紫外光を照射した後、突き上げ部の半導体
チップ突き上げ手段により、当該半導体チップをUVテ
ープから剥がすように構成する。
チップ配列部と半導体チップの接着された領域にスポッ
ト状に紫外光を発生するUV装置から紫外光が導入され
るUV照射部とを設け、チップ配列部に搬送されてきた
。UVテープの半導体チップが接着された領域だけにU
V照射部から紫外光を照射した後、突き上げ部の半導体
チップ突き上げ手段により、当該半導体チップをUVテ
ープから剥がすように構成する。
第1図は1本発明の原理説明図である。
第1図において、1はUVテープ、2は半導体チップ、
3はチップ配列部、4は突き上げ部、5は突き上げ針、
6はコレット、7はスボ・y ト[I V装置、8は光
ファイバー、9はUV照射部である。
3はチップ配列部、4は突き上げ部、5は突き上げ針、
6はコレット、7はスボ・y ト[I V装置、8は光
ファイバー、9はUV照射部である。
UVテープ1には、半導体チップ2が貼付されている。
半導体チップ2は、ダイシングが終了したLSI、IC
などの半導体チップである。
などの半導体チップである。
チップ配列部3は、内部が真空に引かれており。
その上に搬送されて来た。UVテープ1に貼付された半
導体チップ2をUV照射部9によりUV光を照射して剥
離する部分である。
導体チップ2をUV照射部9によりUV光を照射して剥
離する部分である。
突き上げ部4の上には、複数本の突き上げ針5が植立さ
れている。
れている。
突き上げ針5は、UV光照射により接着力の低下したU
Vテープ1を突き破って半導体チップ2を剥離させるた
めのものである。
Vテープ1を突き破って半導体チップ2を剥離させるた
めのものである。
コレット6は、突き上げ針5により剥離された半導体チ
ップ2を吸着して移動させ、トレイに配列するためのも
のである。
ップ2を吸着して移動させ、トレイに配列するためのも
のである。
スボノ)UV装置7は、スポット状のUV光を発生する
ための装置である。
ための装置である。
光ファイバー8は、スポットUV装置7で発生したUV
光をUV照射部9へ導入するためのものである。
光をUV照射部9へ導入するためのものである。
UV照射部9は、UV光をUVテープ1と半導体チップ
2との接着部分に照射するためのものである。
2との接着部分に照射するためのものである。
本発明の半導体チップ配列装置は、チップ配列部3とU
V照射部9とが一体化されている。
V照射部9とが一体化されている。
個々の半導体チップ2にダイシングされた半導体ウェハ
は、UVテープ1に接着されたままの状態でチップ配列
部3の上に載置される。チップ配列部3の大きさは、半
導体チップ2の1個分の大きさである。
は、UVテープ1に接着されたままの状態でチップ配列
部3の上に載置される。チップ配列部3の大きさは、半
導体チップ2の1個分の大きさである。
チップ配列部3は真空に引かれているので、チップ配列
部3の上に載置されたUVテープ1はチップ配列部3に
固着される。この状態で、UV照射部9によりスポット
状のUV光をUVテープ1およびその上に接着された半
導体チップ2の部分に照射する。すると、UV光が照射
された部分のUVテープ1の接着力は低下するので、そ
の上に接着された半導体チップ2は剥がれやすくなる。
部3の上に載置されたUVテープ1はチップ配列部3に
固着される。この状態で、UV照射部9によりスポット
状のUV光をUVテープ1およびその上に接着された半
導体チップ2の部分に照射する。すると、UV光が照射
された部分のUVテープ1の接着力は低下するので、そ
の上に接着された半導体チップ2は剥がれやすくなる。
次いで、突き上げ部4を上昇させ、突き上げ部4の上に
多数植立された突き上げ針5により、半導体チップ2を
UVテープlから剥離する。
多数植立された突き上げ針5により、半導体チップ2を
UVテープlから剥離する。
UVテープ1から剥離された半導体チップ2は。
コレット6により吸着、移動されてトレイに配列される
。
。
このように1本発明の半導体チ・7プ配列装置では、U
V照射とチップ配列とを同時に行っているので゛、製造
工程数を低減させることができる。また、UV照射は1
回につき半導体チップ1個分の面積に対して行うので、
背面チッピングが半導体チップの表面に飛び乗ることを
防止することができ、半導体チップの動作不良を防止す
ることができる。
V照射とチップ配列とを同時に行っているので゛、製造
工程数を低減させることができる。また、UV照射は1
回につき半導体チップ1個分の面積に対して行うので、
背面チッピングが半導体チップの表面に飛び乗ることを
防止することができ、半導体チップの動作不良を防止す
ることができる。
第2図は1本発明の1実施例構成図である。
第2図において、11はフレーム、12はUvテープ、
13は半導体チップ、14はチップ配列部、15はキャ
ップ、16は認識カメラ、17はスポットUV装置、1
8はUV光源、19は光ファイバー、20はUV照射部
、21はミラー、22は突き上げ部、23は突き上げ針
である。
13は半導体チップ、14はチップ配列部、15はキャ
ップ、16は認識カメラ、17はスポットUV装置、1
8はUV光源、19は光ファイバー、20はUV照射部
、21はミラー、22は突き上げ部、23は突き上げ針
である。
フレーム11は、UVテープ12を支持するためのもの
である。
である。
UVテープ12には、半導体チップ13が貼付されてい
る。
る。
半導体チップ13は、ダイシングが終了したLSI、I
Cなどの半導体チップである。
Cなどの半導体チップである。
チップ配列部14は、内部が真空に引かれており、その
上に搬送されて来た。UVテープ12に貼付された半導
体チップ13にUV光を照射して剥離する部分である。
上に搬送されて来た。UVテープ12に貼付された半導
体チップ13にUV光を照射して剥離する部分である。
キャンプ15は、半導体チップ13が貼付されたUVテ
ープ12を吸着する部分である。
ープ12を吸着する部分である。
認識カメラ16は、チップ配列部14の上に搬送されて
来た半導体チップ13が良品であるか不良品であるかを
判別するためのものである。
来た半導体チップ13が良品であるか不良品であるかを
判別するためのものである。
スポットUV装置17の内部には、UV光源18が設け
られている。
られている。
U■光a18は、スポット状のUV光を発生するための
光源である。
光源である。
光ファイバー19は、スポラ)UV装置17で発生した
UV光をUV照射部20へ導入するためのものである。
UV光をUV照射部20へ導入するためのものである。
UV照射部20は、UV光をUVテープ12と半導体チ
ップ13との接着部分に照射するためのものである。
ップ13との接着部分に照射するためのものである。
ミラー21は、UV照射部20からのUV光をUVテー
プ12と半導体チップ13との接着部に向かわせるため
のものである。
プ12と半導体チップ13との接着部に向かわせるため
のものである。
突き上げ部22には、複数本の突き上げ針23が植立さ
れている。
れている。
突き上げ針23は、UV照射により接着力の低下したU
Vテープ12を突き破って半導体チップ13を剥離させ
るためのものである。
Vテープ12を突き破って半導体チップ13を剥離させ
るためのものである。
以下、第2図を用いて1本発明の1実施例を説明する。
本発明の半導体チップ配列装置は、チップ配列部14と
UV照射部20とが一体化されている。
UV照射部20とが一体化されている。
個々の半導体チップ13にグイシングされ゛た半導体ウ
ェハは、UVテープ12に接着されたままの状態でチッ
プ配列部14上のキャップ15に載置される。キャップ
15の大きさは、半導体チップ13の1個分の大きさで
ある。
ェハは、UVテープ12に接着されたままの状態でチッ
プ配列部14上のキャップ15に載置される。キャップ
15の大きさは、半導体チップ13の1個分の大きさで
ある。
チップ配列部14は真空に引かれているのでキャンプ1
5の上に載置されたUVテープ12はチップ配列部14
に固着される。この状態で、UV照射部20によりスポ
ット状のUV光を発射し。
5の上に載置されたUVテープ12はチップ配列部14
に固着される。この状態で、UV照射部20によりスポ
ット状のUV光を発射し。
それをミラー21により反射させてUVテープ12およ
びその上に接着された半導体チップ13の部分に照射す
る。すると、UV光が照射された部分のUVテープ12
の接着力は低下するので、その上に接着された半導体チ
ップ13は剥がれやすくなる。次いで、突き上げ部22
を上昇させ、突き上げ部22の上に多数植立された突き
上げ針23により、半導体チップ13をUVテープ12
から剥離する。
びその上に接着された半導体チップ13の部分に照射す
る。すると、UV光が照射された部分のUVテープ12
の接着力は低下するので、その上に接着された半導体チ
ップ13は剥がれやすくなる。次いで、突き上げ部22
を上昇させ、突き上げ部22の上に多数植立された突き
上げ針23により、半導体チップ13をUVテープ12
から剥離する。
UVテープ12から剥離された半導体チップ13は、コ
レット(図示せず)により吸着、移動されてトレイ等に
配列される。
レット(図示せず)により吸着、移動されてトレイ等に
配列される。
このように2本発明の半導体チップ配列装置では、UV
照射とチップ配列とを同時に行っているので、製造工程
数を低減させることができる。また、UV照射は1回に
つき半導体チップ1個分の面積に対して行うので、背面
チッピングが半導体チップの表面に飛び乗ることを防止
することができ、半導体チップの動作不良を防止するこ
とができる。
照射とチップ配列とを同時に行っているので、製造工程
数を低減させることができる。また、UV照射は1回に
つき半導体チップ1個分の面積に対して行うので、背面
チッピングが半導体チップの表面に飛び乗ることを防止
することができ、半導体チップの動作不良を防止するこ
とができる。
UV照射部20によるUV光の照射は、第2図に示すよ
うにシャッターによりスポット状にしてもよいし、また
、UV光源18を点滅させることによりスポット状にし
てもよい。
うにシャッターによりスポット状にしてもよいし、また
、UV光源18を点滅させることによりスポット状にし
てもよい。
また、第2図では、UV照射部20をチップ配列部14
の側面に設けているが、突き上げ部22の周囲に環状に
設けてもよい。
の側面に設けているが、突き上げ部22の周囲に環状に
設けてもよい。
本発明によれば、UV照射とチップ配列とを同時に行う
ことにより製造工程数を低減させることができると共に
、背面チッピングがチップ表面へ飛び乗ることを防止す
ることにより動作不良チップの発生を防止することがで
きる。
ことにより製造工程数を低減させることができると共に
、背面チッピングがチップ表面へ飛び乗ることを防止す
ることにより動作不良チップの発生を防止することがで
きる。
このような効果により2本発明は、LSI、1Cなどの
半導体装置の信頼性の向上に寄与するところが大きい。
半導体装置の信頼性の向上に寄与するところが大きい。
第1図は本発明の原理説明図。
第2図は本発明の1実施例構成図
である。
第1図において
1:UVテープ
2:半導体チップ
3:チップ配列部
4:突き上げ部
5;突き上げ針
6:コレット
7:スポットUV装置
8:光ファイバー
:U■照射部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 紫外光を照射すると接着力が低下するUVテープ(1)
の表面に接着された半導体チップ(2)に紫外光を照射
して剥がれ易くした後,コレット(6)により半導体チ
ップ(2)をUVテープ(1)から剥離して配列させる
半導体チップ配列装置において, 半導体チップ突き上げ手段(5)を備えた突き上げ部(
4)を有するチップ配列部(3)と半導体チップの接着
された領域にスポット状に紫外光を発生するUV装置(
7)から紫外光が導入されるUV照射部(9)とを設け
, チップ配列部(3)に搬送されてきた,UVテープ(1
)の半導体チップ(2)が接着された領域だけにUV照
射部(9)から紫外光を照射した後,突き上げ部(4)
の半導体チップ突き上げ手段(5)により,当該半導体
チップ(2)をUVテープ(1)から剥がす ことを特徴とする半導体チップ配列装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23516888A JPH0282630A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体チップ配列装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23516888A JPH0282630A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体チップ配列装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282630A true JPH0282630A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16982068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23516888A Pending JPH0282630A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体チップ配列装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04225537A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-14 | Sharp Corp | チップ位置検出方法 |
| JP2005044949A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体チップの選別装置、半導体チップの選別方法、及び半導体チップの製造方法 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23516888A patent/JPH0282630A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04225537A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-14 | Sharp Corp | チップ位置検出方法 |
| JP2005044949A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体チップの選別装置、半導体チップの選別方法、及び半導体チップの製造方法 |
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