JPH0282675A - Ｌｄ劣化検出回路 - Google Patents
Ｌｄ劣化検出回路Info
- Publication number
- JPH0282675A JPH0282675A JP63233557A JP23355788A JPH0282675A JP H0282675 A JPH0282675 A JP H0282675A JP 63233557 A JP63233557 A JP 63233557A JP 23355788 A JP23355788 A JP 23355788A JP H0282675 A JPH0282675 A JP H0282675A
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- JP
- Japan
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- circuit
- deterioration
- bias current
- transistor
- laser diode
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
概要
光通信システムに使用されるレーザダイオード（ＬＤ）
の劣化を検出するＬＤ劣化検出回路に関し、 ＬＤの劣化の判定を正確に行うことを目的とし、レーザ
ダイオードの後方向出力による信号と基準信号を比較し
、その比較結果を、レーザダイオードをバイアス電流で
駆動するバイアス電流駆動回路とレーザダイオードの劣
化を判定するＬＤ劣化判定回路へ送出するＬＤ劣劣化化
検出回路おいて、レーザダイオードの後方向出力による
信号と基準信号を比較し、その比較結果を、バイアス電
流駆動回路へ送出する第１比較回路とＬＤ劣化判定回路
へ送出する第２比較回路を設けて構成する。
の劣化を検出するＬＤ劣化検出回路に関し、 ＬＤの劣化の判定を正確に行うことを目的とし、レーザ
ダイオードの後方向出力による信号と基準信号を比較し
、その比較結果を、レーザダイオードをバイアス電流で
駆動するバイアス電流駆動回路とレーザダイオードの劣
化を判定するＬＤ劣化判定回路へ送出するＬＤ劣劣化化
検出回路おいて、レーザダイオードの後方向出力による
信号と基準信号を比較し、その比較結果を、バイアス電
流駆動回路へ送出する第１比較回路とＬＤ劣化判定回路
へ送出する第２比較回路を設けて構成する。
産業上の利用分野
本発明は光通信システムに使用されるレーザダイオード
（ＬＤ）の劣化を検出するＬＤ劣化検出回路に関する。
（ＬＤ）の劣化を検出するＬＤ劣化検出回路に関する。
電気通信サービスのトラフィクの増大、サービスの多様
化、高度化に伴い電気通信システムは、大容量化、ディ
ジタル化が進められてきており、伝送路においても低損
失、広帯域を特徴とする光フアイバーケーブルが使用さ
れるようになってききている。光通信システムの伝送路
上に設置された中継装置は、伝送路の光信号を電気信号
に変換して、パルスの再生を行い、その電気信号による
パルスを光信号に変換して、再び伝送路上へ送出するよ
うにしている。この電気信号を光信号に変換するときの
素子としては、レーザダイオード（ＬＤ）を用いること
が多い。ＬＤは、温度変化や経時変化により、その光出
力が変動するため、ＬＤへのバイアス電流を制御して一
定光出力となるようにしている。
化、高度化に伴い電気通信システムは、大容量化、ディ
ジタル化が進められてきており、伝送路においても低損
失、広帯域を特徴とする光フアイバーケーブルが使用さ
れるようになってききている。光通信システムの伝送路
上に設置された中継装置は、伝送路の光信号を電気信号
に変換して、パルスの再生を行い、その電気信号による
パルスを光信号に変換して、再び伝送路上へ送出するよ
うにしている。この電気信号を光信号に変換するときの
素子としては、レーザダイオード（ＬＤ）を用いること
が多い。ＬＤは、温度変化や経時変化により、その光出
力が変動するため、ＬＤへのバイアス電流を制御して一
定光出力となるようにしている。
また、経時変化等によるＬＤの劣化に対しては、その劣
化を監視して適切な保守作業等を行う必要がある。
化を監視して適切な保守作業等を行う必要がある。
従来の技術
第３図は従来のＬＤ劣化検出回路の回路図を示している
。
。
本回路では、マイナス電源電圧−■を使用している。抵
抗Ｒ６ｓ、２１５％ ）ランジスタＴＲ５によりバイ
アス電流駆動回路が構成されている。抵抗ＲＣ３、ＲＣ
４、ＲＣ８、ＲＥ８、トランジスタＴＲ３、ＴＲ４、Ｔ
Ｒ６及び定電流源２３によりＬＤ劣化判定回路が構成さ
れている。オペレーショナル・アンプ（ＯＰ−ＡＭＰ）
２４は、ＬＤ後方向出力による信号の電圧を平滑化した
電圧と基準電圧をを比較し、その差分を増幅した結果を
、ベースが共通接続されたトランジスタＴＲ５、ＴＲ６
に送出するようにしている。ＯＰ−ＡＭＰ ２４に人力
する基準電圧には、ＬＤ２０を発光させるためのパルス
信号の電圧を平滑化した電圧を用いている。
抗Ｒ６ｓ、２１５％ ）ランジスタＴＲ５によりバイ
アス電流駆動回路が構成されている。抵抗ＲＣ３、ＲＣ
４、ＲＣ８、ＲＥ８、トランジスタＴＲ３、ＴＲ４、Ｔ
Ｒ６及び定電流源２３によりＬＤ劣化判定回路が構成さ
れている。オペレーショナル・アンプ（ＯＰ−ＡＭＰ）
２４は、ＬＤ後方向出力による信号の電圧を平滑化した
電圧と基準電圧をを比較し、その差分を増幅した結果を
、ベースが共通接続されたトランジスタＴＲ５、ＴＲ６
に送出するようにしている。ＯＰ−ＡＭＰ ２４に人力
する基準電圧には、ＬＤ２０を発光させるためのパルス
信号の電圧を平滑化した電圧を用いている。
バイアス電流駆動回路は、ＬＤ２０の光出力−電流特性
の閾値電流の変動に応じて、バイアス電流Ｉｓ を供給
する。バイアス電流■、の最大値は、抵抗ＲＣ５、ＲＥ
５の値により設定されており、バイアス電流Ｉｎが増
加して抵抗ＲＣ５、ＲＥＳの両端電圧が増加すると、ト
ランジスタＴＲ５が飽和することになる。ＬＤ劣化判定
回路は、抵抗ＲＣ３、Ｒｃ４、トランジスタＴＲ３、Ｔ
Ｒ４及び定電流源２３による電流切替形論理回路におい
て、ＯＰ−ＡＭＰ２４からの出力による電圧と基準電圧
ＶＲ１Ｆを比較してＬＤ２０の劣化を判定するようにし
ている。トランジスタＴＲ６のベースに送出されたＯＦ
−ＡＭＰ ２４の出力により、電流Ｉｃ の値が制御さ
れ、トランジスタＴＲ３のベースを位が設定される。
の閾値電流の変動に応じて、バイアス電流Ｉｓ を供給
する。バイアス電流■、の最大値は、抵抗ＲＣ５、ＲＥ
５の値により設定されており、バイアス電流Ｉｎが増
加して抵抗ＲＣ５、ＲＥＳの両端電圧が増加すると、ト
ランジスタＴＲ５が飽和することになる。ＬＤ劣化判定
回路は、抵抗ＲＣ３、Ｒｃ４、トランジスタＴＲ３、Ｔ
Ｒ４及び定電流源２３による電流切替形論理回路におい
て、ＯＰ−ＡＭＰ２４からの出力による電圧と基準電圧
ＶＲ１Ｆを比較してＬＤ２０の劣化を判定するようにし
ている。トランジスタＴＲ６のベースに送出されたＯＦ
−ＡＭＰ ２４の出力により、電流Ｉｃ の値が制御さ
れ、トランジスタＴＲ３のベースを位が設定される。
ＬＤ２０が劣化してくると、ＬＤ後方向出力が減衰し、
ＯＰ−ＡＭＰ ２４からの出力値が増大するため、トラ
ンジスタＴＲ５のベース電流が増加して、バイアス電流
Ｉ、が増加し、ＬＤ２０からの光出力を一定に保つこと
ができる。
ＯＰ−ＡＭＰ ２４からの出力値が増大するため、トラ
ンジスタＴＲ５のベース電流が増加して、バイアス電流
Ｉ、が増加し、ＬＤ２０からの光出力を一定に保つこと
ができる。
発明が解決しようとする課題
上述したような従来のＬＤ劣化検出回路では、ＬＤ後方
向出力と基準電圧を比較するＯＰ−ＡＭＰの出力を、バ
イアス電流駆動回路とＬＤ劣化判定回路で共通に使用し
ている。このため、ＬＤへのバイアス電流にリミットが
掛かる（ｌａ 最大値となる）と、その後、ＬＤが劣化
してもＯＦ−ＡＭＰからの出力は増加しなくなるため、
バイアス電流が最大値以下のときにしか劣化判定ができ
ないという問題があった。
向出力と基準電圧を比較するＯＰ−ＡＭＰの出力を、バ
イアス電流駆動回路とＬＤ劣化判定回路で共通に使用し
ている。このため、ＬＤへのバイアス電流にリミットが
掛かる（ｌａ 最大値となる）と、その後、ＬＤが劣化
してもＯＦ−ＡＭＰからの出力は増加しなくなるため、
バイアス電流が最大値以下のときにしか劣化判定ができ
ないという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、ＬＤの劣化の判定が正確に行え
るＬＤ劣化検出回路を提供することである。
の目的とするところは、ＬＤの劣化の判定が正確に行え
るＬＤ劣化検出回路を提供することである。
課題を解決するための手段
第１図は本発明の原理ブロック図である。
レーザダイオードの後方向出力による信号と基準信号を
比較し、その比較結果を、ル−ザダイオードをバイアス
電流で駆動するバイアス電流駆動回路１０とレーザダイ
オードの劣化を判定するＬＤ劣化判定回路１１へ送出す
るＬＤ劣化検出回路において、レーザダイオードの後方
向出力による信号と基準信号を比較し、その比較結果を
、バイアス電流駆動回路１０へ送出する第１比較回路１
２とＬＤ劣化判定回路１１へ送出する第２比較回路１３
を設ける。
比較し、その比較結果を、ル−ザダイオードをバイアス
電流で駆動するバイアス電流駆動回路１０とレーザダイ
オードの劣化を判定するＬＤ劣化判定回路１１へ送出す
るＬＤ劣化検出回路において、レーザダイオードの後方
向出力による信号と基準信号を比較し、その比較結果を
、バイアス電流駆動回路１０へ送出する第１比較回路１
２とＬＤ劣化判定回路１１へ送出する第２比較回路１３
を設ける。
作 用
本発明によれば、レーザダイオードの後方向出力による
信号と基準信号の比較結果が、第１比較回路１２と第２
比較回路１３により別々に出力されて、第１比較回路１
２によりバイアス電流駆動回路１０が制御され、第２比
較回路１３によりＬＤ劣化判定回路１１が制御される。
信号と基準信号の比較結果が、第１比較回路１２と第２
比較回路１３により別々に出力されて、第１比較回路１
２によりバイアス電流駆動回路１０が制御され、第２比
較回路１３によりＬＤ劣化判定回路１１が制御される。
よって、バイアス電流駆動回路１０により制御されるバ
イアス電流にリミットが掛かった後でも、レーザダイオ
ードの劣化を検出して劣化であると判定することができ
る。
イアス電流にリミットが掛かった後でも、レーザダイオ
ードの劣化を検出して劣化であると判定することができ
る。
実 施 例
以下本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第２図は本発明によるＬＤ劣化検出回路の一実施例回路
図を示している。
図を示している。
第２図において第３図の従来例と同一構成部分について
は、同一符号を付して説明する。
は、同一符号を付して説明する。
本実施例回路では、マイナス電源電圧−■を使用してい
る。オペレーショナル・アンプ（ＯＰＡＭＰ）２１．２
２は、ＬＤ後方向出力の信号による電圧と基準電圧を比
較している。この基準電圧は、ＬＤ２０を発光させるた
めの信号の電圧である。抵抗ＲＣＩ、Ｒ２１、トランジ
スタＴＲＩによりバイアス電流駆動回路が構成され、抵
抗Ｒｃ ２、ＲＥ２、Ｒｃ３、ＲＣ４、トランジスタＴ
Ｒ２〜ＴＲ４及び定電流源２３によりＬＤ劣化判定回路
が構成されている。ＬＤ劣化判定回路の抵抗Ｒ６３、Ｒ
Ｃ４、トランジスタＴＲ３、ＴＲ４及び定電流源２３は
、電流切替形論理回路を構成している。
る。オペレーショナル・アンプ（ＯＰＡＭＰ）２１．２
２は、ＬＤ後方向出力の信号による電圧と基準電圧を比
較している。この基準電圧は、ＬＤ２０を発光させるた
めの信号の電圧である。抵抗ＲＣＩ、Ｒ２１、トランジ
スタＴＲＩによりバイアス電流駆動回路が構成され、抵
抗Ｒｃ ２、ＲＥ２、Ｒｃ３、ＲＣ４、トランジスタＴ
Ｒ２〜ＴＲ４及び定電流源２３によりＬＤ劣化判定回路
が構成されている。ＬＤ劣化判定回路の抵抗Ｒ６３、Ｒ
Ｃ４、トランジスタＴＲ３、ＴＲ４及び定電流源２３は
、電流切替形論理回路を構成している。
ＯＰ−ＡＭＰ ２１は、トランジスタＴＲＩを制御して
おり、バイアス電流ＩＢ が増加して、抵抗ＲＣＩとＲ
！＋の両端電圧により、トランジスタＴＲ１が飽和する
と、バイアス電流Ｉ、はそれ以上増加しなくなる。ＯＰ
−八ＭＰ２２は、トランジスタＴＲ２を制御している。
おり、バイアス電流ＩＢ が増加して、抵抗ＲＣＩとＲ
！＋の両端電圧により、トランジスタＴＲ１が飽和する
と、バイアス電流Ｉ、はそれ以上増加しなくなる。ＯＰ
−八ＭＰ２２は、トランジスタＴＲ２を制御している。
このトランジスタＴＲ２に流れる電流１ｃ は、バイア
ス電流■、よりもかなり低い値となるように抵抗ＲＣ２
、Ｒ２２を設定し、トランジスタＴＲ２が飽和しないよ
うにする。
ス電流■、よりもかなり低い値となるように抵抗ＲＣ２
、Ｒ２２を設定し、トランジスタＴＲ２が飽和しないよ
うにする。
電流■。の値によりトランジスタＴＲ３のベース電位が
設定され、この電位と基準電圧Ｖｌｌ！Ｆ を比較する
ことにより、ＬＤ２０の劣化が判定される。
設定され、この電位と基準電圧Ｖｌｌ！Ｆ を比較する
ことにより、ＬＤ２０の劣化が判定される。
発明の効果
本発明のＬＤ劣化検出回路は、以上詳述したように構成
したので、ＬＤのバイアス電流のリミットに関係なくＬ
Ｄの劣化を検出できるため、ＬＤの長寿命化が計れると
いう効果を奏する。
したので、ＬＤのバイアス電流のリミットに関係なくＬ
Ｄの劣化を検出できるため、ＬＤの長寿命化が計れると
いう効果を奏する。
第１図は本発明の原理プロ・ツク図、
第２図は本発明によるＬＤ劣化検出回路の一実施例回路
図、 第３図は従来のＬＤ劣化検出回路の回路図を示している
。 １１・・・ＬＤ劣化判定回路、 １２・・・第１比較回路、 １３・・・第２比較回路、
２０・・・ＬＤ。 ２１．２２．２４・・・ＯＰＡＭＰ、 ２３・・・定電流源、 ＲＣＩ、ＲＩ！ｌ・・・抵抗、 ＴＲｌ−ＴＲ６・・・トランジスタ。
図、 第３図は従来のＬＤ劣化検出回路の回路図を示している
。 １１・・・ＬＤ劣化判定回路、 １２・・・第１比較回路、 １３・・・第２比較回路、
２０・・・ＬＤ。 ２１．２２．２４・・・ＯＰＡＭＰ、 ２３・・・定電流源、 ＲＣＩ、ＲＩ！ｌ・・・抵抗、 ＴＲｌ−ＴＲ６・・・トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザダイオードの後方向出力による信号と基準信号を
比較し、その比較結果を、レーザダイオードをバイアス
電流で駆動するバイアス電流駆動回路（１０）とレーザ
ダイオードの劣化を判定するＬＤ劣化判定回路（１１）
へ送出するＬＤ劣化検出回路において、 レーザダイオードの後方向出力による信号と基準信号を
比較し、その比較結果を、バイアス電流駆動回路（１０
）へ送出する第１比較回路（１２）と、ＬＤ劣化判定回
路（１１）へ送出する第２比較回路（１３）を設けたこ
とを特徴とするＬＤ劣化検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233557A JPH0282675A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | Ｌｄ劣化検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233557A JPH0282675A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | Ｌｄ劣化検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282675A true JPH0282675A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16956933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63233557A Pending JPH0282675A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | Ｌｄ劣化検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282675A (ja) |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63233557A patent/JPH0282675A/ja active Pending
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