JPH0283888A - 磁気記憶素子の駆動方法 - Google Patents
磁気記憶素子の駆動方法Info
- Publication number
- JPH0283888A JPH0283888A JP63237037A JP23703788A JPH0283888A JP H0283888 A JPH0283888 A JP H0283888A JP 63237037 A JP63237037 A JP 63237037A JP 23703788 A JP23703788 A JP 23703788A JP H0283888 A JPH0283888 A JP H0283888A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bloch
- pulse
- magnetic
- transfer path
- film
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は不揮発性の超高密度固体磁気記憶素子に関する
。
。
（従来の技術と発明が解決しようとする問題点）高密度
固体磁気記憶素子を目脂して、磁気バブル素子の開発が
各所で盛んに行われている。しかし、現在使用されてい
るガーネット材料では、到達可能な最小バブル径は０．
３ｐｍといわれている。したがって、０．３ｐｍ径以下
のバブルを保持するバブル材料はガーネット材料以外に
求めなければならない。これは容易ではなく、ここがバ
ブル高密度化の限界であるとさえ考えられている。
固体磁気記憶素子を目脂して、磁気バブル素子の開発が
各所で盛んに行われている。しかし、現在使用されてい
るガーネット材料では、到達可能な最小バブル径は０．
３ｐｍといわれている。したがって、０．３ｐｍ径以下
のバブルを保持するバブル材料はガーネット材料以外に
求めなければならない。これは容易ではなく、ここがバ
ブル高密度化の限界であるとさえ考えられている。
このようなバブル保持層の特性に基ずく高密度化限界を
大幅に改善し、かつ情報読み出し時間は従来の素子と同
程度に保ことかできる超高密度磁気記憶素子として膜面
垂直方向を磁化容易方向とする軟磁性強磁性体（フェリ
磁性体を含む）膜に形成されるストライブドメインの境
界を形成するブロッホ磁壁の中に静的に安定に存在する
垂直ブロッホライン（以下単にブロッホラインと称する
）２個からなるブロッホライン列を記憶単位として用い
る素子が発明された（特願昭５７−１８２３４６）。
大幅に改善し、かつ情報読み出し時間は従来の素子と同
程度に保ことかできる超高密度磁気記憶素子として膜面
垂直方向を磁化容易方向とする軟磁性強磁性体（フェリ
磁性体を含む）膜に形成されるストライブドメインの境
界を形成するブロッホ磁壁の中に静的に安定に存在する
垂直ブロッホライン（以下単にブロッホラインと称する
）２個からなるブロッホライン列を記憶単位として用い
る素子が発明された（特願昭５７−１８２３４６）。
本素子において、素子実用化上重要な部分の一つは情報
転送路であるストライプドメイン磁壁状態の初期化であ
る。従来この目的のためには、ドメイン形成時に発生し
たブロッホライン対をドメイン先端に移動させた後、ド
メイン端を切断することにより１ビツトずつ消去してい
た。しかしながらこのような方法では、素子全ビットを
アクセスするに等しい作業量となる、大容量素子の場合
、効率的に問題があった。
転送路であるストライプドメイン磁壁状態の初期化であ
る。従来この目的のためには、ドメイン形成時に発生し
たブロッホライン対をドメイン先端に移動させた後、ド
メイン端を切断することにより１ビツトずつ消去してい
た。しかしながらこのような方法では、素子全ビットを
アクセスするに等しい作業量となる、大容量素子の場合
、効率的に問題があった。
本発明の目的はこのような従来の問題点を除去したもの
で、ストライプドメインによる転送路の効率的な初期化
機構を有する磁気記憶素子を提供するにある。
で、ストライプドメインによる転送路の効率的な初期化
機構を有する磁気記憶素子を提供するにある。
（問題点を解決するための手段）
即ち、本発明は情報読み出し手段、情報書込み手段及び
情報蓄積手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容
易方向とする軟磁性の強磁性体（フェリ磁性体を含む）
膜に存在するストライプドメインの境界のブロッホ磁壁
中につくった相隣る２つの垂直ブロッホラインからなる
垂直ブロッホライン対をブロッホ磁壁内で駆動する手段
を有する磁気記憶素子に関して、パルス時間幅の小さな
バイアスパルス磁界を印加することを特徴とする磁気記
憶素子の駆動方法である。
情報蓄積手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容
易方向とする軟磁性の強磁性体（フェリ磁性体を含む）
膜に存在するストライプドメインの境界のブロッホ磁壁
中につくった相隣る２つの垂直ブロッホラインからなる
垂直ブロッホライン対をブロッホ磁壁内で駆動する手段
を有する磁気記憶素子に関して、パルス時間幅の小さな
バイアスパルス磁界を印加することを特徴とする磁気記
憶素子の駆動方法である。
（実施例）
本発明の目的は上述の構成をとることにより、転送路で
あるストライプドメイン磁壁土の不用なブロッホライン
対を効率良く消去できる機構を備えたブロッホラインを
情報の担い手とする磁気記憶素子を提供するにある。以
下、本発明の構成例の詳細な説明をする。
あるストライプドメイン磁壁土の不用なブロッホライン
対を効率良く消去できる機構を備えたブロッホラインを
情報の担い手とする磁気記憶素子を提供するにある。以
下、本発明の構成例の詳細な説明をする。
第１図は本発明による磁気記憶素子主要部の構成を示し
たものである。本実施例では、５ｐｍ径バブルを生じる
組成（ＹＳｍＬｕＣａ）３（ＦｅＧｅ）５ｏ １２の磁
性ガーネット膜を用い、該膜中に生じるストライプドメ
イン磁壁を転送路とし、該転送路の周囲を囲むようにル
ープ状の導体を厚さ５０００Ａ金膜により形成している
。
たものである。本実施例では、５ｐｍ径バブルを生じる
組成（ＹＳｍＬｕＣａ）３（ＦｅＧｅ）５ｏ １２の磁
性ガーネット膜を用い、該膜中に生じるストライプドメ
イン磁壁を転送路とし、該転送路の周囲を囲むようにル
ープ状の導体を厚さ５０００Ａ金膜により形成している
。
転送路としてストライプドメインを所定の位置に位置さ
せた時、一般には該ストライプドメインの磁壁中には複
数のブロッホライン対が発生している。前期ループ状導
体にパルス時間幅の小さなパルス電流を印加し、パルス
磁界を発生させた。
せた時、一般には該ストライプドメインの磁壁中には複
数のブロッホライン対が発生している。前期ループ状導
体にパルス時間幅の小さなパルス電流を印加し、パルス
磁界を発生させた。
第２図のように、パルス幅が８ｎ秒以上でかつ２５ｎ秒
以下、かつパルス振幅が７０ｅ以上でかつ１５０ｅ以下
のとき本動作によりストライプドメイン磁壁中のブロッ
ホライン対は全て消滅した。
以下、かつパルス振幅が７０ｅ以上でかつ１５０ｅ以下
のとき本動作によりストライプドメイン磁壁中のブロッ
ホライン対は全て消滅した。
該磁壁中のブロッホラインが全て消滅するために必要な
パルスは数パルス数で充分であった。
パルスは数パルス数で充分であった。
（発明の効果）
以上のごとく、本発明の磁気記憶素子では、従来問題で
あったブロッホライン対の転送路であるストライプドメ
イン磁壁内のブロッホライン対を容易かつ迅速に消滅さ
せることができる。したがって、本素子の製造工程、検
査工程において、素子転送路の初期化を従来の方法にく
らべ、飛躍的に効率良く行うことができるうえ、転送路
初期化の信頼性も向上し、製造原価を低減することがで
き、大容量磁気記憶素子の実用化に資すること大である
。
あったブロッホライン対の転送路であるストライプドメ
イン磁壁内のブロッホライン対を容易かつ迅速に消滅さ
せることができる。したがって、本素子の製造工程、検
査工程において、素子転送路の初期化を従来の方法にく
らべ、飛躍的に効率良く行うことができるうえ、転送路
初期化の信頼性も向上し、製造原価を低減することがで
き、大容量磁気記憶素子の実用化に資すること大である
。
第１図は本発明による磁気記憶素子の主要部の構成を示
す図であり、第２図は本発明の磁気記憶素子の転送路初
期化を行うためのバイアスパルス磁界の条件を示す図で
ある。
す図であり、第２図は本発明の磁気記憶素子の転送路初
期化を行うためのバイアスパルス磁界の条件を示す図で
ある。
Claims (1)
- 情報読み出し手段、情報書込み手段及び情報蓄積手段を
有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容易方向とする軟
磁性の強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するス
トライプドメインの境界のブロッホ磁壁中につくった相
隣る２つの垂直ブロッホラインからなる垂直ブロッホラ
イン対をブロッホ磁壁内で駆動する手段を有する磁気記
憶素子に関して、パルス幅が８ｎ秒から２５ｎ秒の間で
、振幅が７０ｅから１５０ｅのバイアスパルス磁界を印
加することを特徴とする磁気記憶素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237037A JPH0283888A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 磁気記憶素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237037A JPH0283888A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 磁気記憶素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283888A true JPH0283888A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=17009462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63237037A Pending JPH0283888A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 磁気記憶素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0283888A (ja) |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63237037A patent/JPH0283888A/ja active Pending
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