JPH028402Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、裏面が1/3以上接地された導体で覆
われている誘電体基板を用いた、サスペンデツド
サブストレートストリツプライン構造のマイクロ
波基板回路に関するものである。

従来、この種のマイクロ波基板回路は、第１図
の斜視図に示すような構造になつている。また高
い線路インピーダンスを必要とする場合は、第２
図に示すように、裏面の接地導体を取り去り、低
い線路インピーダンスを必要とする場合は、第３
図に示すように、裏面の接地導体を残す構造とな
つていた。この構造はマイクロストリツプライン
構造の回路に比べ、極めて広い範囲の線路インピ
ーダンスを実現することが可能であるという特徴
がある。この回路はマイクロ波フイルタ等に使用
され、マイクロストリツプライン構造のマイクロ
波フイルタに比べて良好な特性が得られているに
もかかわらず、その応用範囲がフイルタ等の極め
て狭い範囲に限られていた。

更に詳述すると従来のサスペンデツドサブスト
レートストリツプライン構造のマイクロ波回路
は、第２図に示すように、本来基板の裏面に設置
導体を配置せずに、基板回路の表面か裏面または
その両方に回路パターンを配置してマイクロ波回
路を構成している。ところが、時として、マイク
ロ波基板回路を支持する構造として、第３図に示
すように、基板回路の裏面の一部（例えば、裏面
の1/10程度の面積）に導体を配置し、この導体と
基板支持体とをハンダ付、またはロー付すること
により、マイクロ波回路基板を固定する構造にす
ることがある。この場合、裏面に導体を配置した
部分に相当する表面の部分は、従来のサスペンデ
ツドサブストレートストリツプライン構造のマイ
クロ波回路としては利用できない無効面積部分と
されるため、この無効面積部分を出来るだけ少な
くするように従来は設計していた。この無効面積
部分は、裏面の1/10かそれ以下、多くとも1/5を
越えることがない。

本考案のサスペンデツドサブストレートストリ
ツプライン構造のマイクロ波回路は、基板の裏面
に接地導体（接地部）を配置し、その部分に対応
する表面に基板表面導体を配置してその導体の特
性インピーダンスを容量性の低インピーダンスに
する事が可能である。また、基板の裏面に接地導
体を配置しない部分（開放部）に対応する表面に
基板表面導体を配置すれば、その導体の特性イン
ピーダンスをインダクタンス性の高インピーダン
スにすることが可能である。この特性インピーダ
ンスを低い値にもまた高い値にも設定出来ると言
う特徴を利用することにより、従来のマイクロ波
回路で実現出来なかつた良好な特性のマイクロ波
回路が実現出来る。ところが、基板の接地導体が
１／３未満の場合、特性インピーダンスの低い基板
表面導体が極くわずかなものとなつてしまい、こ
の様なマイクロ波回路の特性は上述した従来の構
造で実現したものと実質的に差がなくなつてしま
う。

したがつて、本考案の目的はダイオード、トラ
ンジスタ、コンデンサ、抵抗などの部品を、裏面
の1/3以上を接地導体で覆つた誘電体基板上に取
付ける事により、マイクロ波ミキサ、アンプ等の
回路を構成し、良好な特性のマイクロ波基板回路
を提供する事にある。

本願考案のマイクロ波基板回路は、裏面が1/3
以上接地された接地部と開放部とから構成された
誘電体基板を用いて低域通過フイルタをサスペン
デツドサブストレートストリツプライン構造と
し、前記低域通過フイルタを、前記接地部に対向
した前記誘電体基板の上面に形成された容量性の
低インピーダンス線路部と、前記開放部に対向し
た前記誘電体基板の上面に形成されたインダクタ
ンス性の高インピーダンス線路部とから構成して
いる。

以下、図面により本考案を詳細に説明する。

第４図は本考案の実施例の斜視図で、低域通過
フイルタとこのフイルタに接続したダイオードと
によりマイクロ波ミキサを構成したものである。
第５図は第４図の表面導体の平面図、第６図はそ
の裏面導体の平面図である。図中、１は接地導
体、２は誘電体基板、３は表面導体、４は裏面導
体、５はスルーホール、６は外付けダイオード、
７はストリツプ導体を表わす。

第７図はこの実施例に使用した低域通過フイル
タの減衰特性図で、高い周波数まで良好なフイル
タの阻止特性を示し、サスペンデツド・サブスト
レートストリツプライン回路の特徴が現われてい
る。また第８図はこの考案の実施例のマイクロ波
ミキサの変換損失の実測特性図であるが、マイク
ロストリツプライン構造の同様なミキサの帯域が
500MHz以下に比べ1GHz以上に広帯域となり、前
記低域通過フイルタの広帯域な特性が生かされて
いる。

すなわち、第８図の実測特性図において、 本考案によるミキサの変換損失5.5dB以下の周
波数域を見ると、4.0GHz〜5.3GHzと1GHz以上の
帯域が得られる。ところが、従来のサスペンデツ
ドサブストレートストリツプライン構造のマイク
ロ波回路では、広い範囲の特性インピーダンスの
表面導体を使用できないため、ミキサの変換損失
5.5dB以下の帯域幅は500MHz以下しか得られず、
本考案の実施例の様な広帯域にわたつて良好な特
性のミキサは実現出来ない。図中、_Lは局発周波
数である。上の実施例の様に本考案のサスペンデ
ツドサブストレートストリツプライン構造のマイ
クロ波回路は、従来のものに比べ非常に良好な特
性を有している。

このように外付部品を取り付ける事により、サ
スペンデツド・サブストレート・ストリツプライ
ン回路の特徴を有効に利用した種々のマイクロ波
回路を構成する事が可能である。

以上の説明から明らかなように、本考案の適用
により広範囲な応用が可能で、且つ良好な特性の
サスペンデツド・サブストレート・ストリツプラ
イン構造のマイクロ波回路が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の裏面が1/3以上接地導体で覆わ
れたサスペンデツド・サブストレート・ストリツ
プライン構造の斜視図、第２図及び第３図は第１
図の断面図、第４図は本考案の実施例の斜視図、
第５図は第４図の表面導体の平面図、第６図は第
４図の裏面導体の平面図、第７図は本実施例に使
用した低域通過フイルタの減衰特性図、第８図は
実施例のミキサの変換損失の実測特性図である。 図において、１……接地導体、２……誘電体基
板、３……基板表面導体、４……基板裏面導体、
５……スルーホール、６……外付ダイオード、７
……ストリツプ導体である。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 裏面が1/3以上接地された接地部と開放部とか
   ら構成された誘電体基板を用いて低域通過フイル
   タをサスペンデツドサブストレートストリツプラ
   イン構造とし、 前記低域通過フイルタを、 前記接地部に対向した前記誘電体基板の上面に
   形成された容量性の低インピーダンス線路部と、 前記開放部に対向した前記誘電体基板の上面に
   形成されたインダクタンス性の高インピーダンス
   線路部と から構成することを特徴とするマイクロ波基板回
   路。