JPS60206202A - マイクロ波回路のバイアスパタ−ン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、例えばＳＨＦ受信機において１ＧＨｚ帝の衛
星放送信号をさらにＶＨＦ帝の信号に変換するだめのコ
ンバータに用いられるマイクロ波回路におけるバイアス
パターンに関する。

〔発明の技術的背景とその問題点」 一般にＩＧＨｄＪ以上の４６号を処理するマイクロ波回
路は、一方の面を接地導体面とする誘電体基板の他方の
面上にマイクロストリップラインを形成して構成される
。この場合、第１図（ａ）の等価回路で示すトランジス
タ増幅回路を同図（ｂ）に示す如くマイクロ波回路で構
成したとき、トランジスタＴｒ　にｔ源を供給するバイ
アスパターン（１）の線路長が使用マイクロ波の波長人
の憾に相当する長さとなった際に不要共振が生じ問題と
なることがある。このため、従来は第１図（ｂ）に示す
如く、バイアスパターン（１）とアースパターン（２）
　間にいくつかのバスコンデンサ（８Ｌ（８）を配置し
、上記不要共振を防いでいた。

しかしながら、バイアスパターン（１）中に前記バスコ
ンデンサ（８）、　（８）を配置するためには、常にバ
イアスパターン（１）をアースパターン（２）に近接し
て設けねばならず回路構成上の自由度が小さくなるとい
う不具合を招いていた。

また、不敬共振を防ぐその他の方法としては、第２１に
示すインダクタンス［６（４）をバイアスパターン（１
）中に挿入する方法がある。インダクタンス回路（４）
はランド部＠ｐとこのランド部蝶すの暢よシ狭い幅を有
し、ランド部ＩＬＩｖ間を接続するストリップ線録９と
から構成されており、集中定数的にはインダクタンスと
して作用する回路である。

しさしながら、上記インダクタンス回路（イ）が分布定
数的に作用するときは、それ自体が不快共振を生ずるに
至ってしまうものであった。

〔発明の目的〕

本発明は上述の問題点にａみなされたものであり、ノ々
スコンデンサ（８）、　（８）を用いず高周波的に安定
したバイアスパターンを構成することを目的と“　する
。

〔発明のａ要〕

本発明のバイアスパターンは、バイアスパターン中にイ
ンダクタンス回路を挿入すると共に、このインダクタン
ス上に抵抗素子をＨ，置することを特徴とする。

〔発明の実施例〕

以下、第３図、第４図を用いて本発明のバイアスパター
ンの一実施例を説明する。

本発明では第３図に示す如く、不要共振を防ぐ目的で用
いられてきた従来のインダクタンス回路（４）における
ストリップ線路に）上に抵抗素子６υを載置し、両者を
並列接続することによシマイクロ波阻止回路りを用意し
、これをバイアスパターン中に挿入する。このときマイ
クロ波阻止回路（５）は集中定数的にインダクタンスと
抵抗で並列にダンピングされた回路となシ、不要共振を
減衰させる機能を有したものとなっている。さらに抵抗
素子６υとして図示の如くチップ抵抗素子を用いれば、
通常チップ抵抗素子はセラミック基板をベースにしその
上に抵抗体を塗布して形成されているため、ストリップ
線路に）上に尚誘電率の誘電体が載置されたことになり
、ストリップ線路−のインピーダンスは低くなる。よっ
て、この場合ストリップ線路Ｏａ自体の不要共振をさら
に防ぐことが可能となる。

第４図に上記マイクロ波阻止回路（５）が挿入されたバ
イアスパターン（６）を示す。第４図の実施例はバイア
スパターン（６）の線路長がλ／４以上の長さを有する
場合の例であ）、バイアスパターン（６）中に上呂Ｃマ
イクロ波阻止回路（６）、　（５）はλ／４以下の間隔
で挿入されている。このようにマイクロ波阻止回路（５
）　？　（５）間のバイアスパターン６ルの線路長をλ
／４以下とすることにより、バイアスパターン旬自体の
不要共振を防ぐことができる。

〔発明の効果〕

以上の如く、本発明によれば、バイアスパターン自体の
不快共振をインダクタンス回路とこの上に載置される抵
抗素子からなるマイクロ波阻止回路により防止すること
によｐ高周波的に安定したバイアスパターンを構成する
ことができる。この際、従来の如くバイアスパターン中
にアースノくターンと接続されるバイパスコンデンサー
を配置する必要がないため、回路設計上のひとつの制約
を解消することができ自由度のあるマイクロ波回路構成
が可能となる・

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のマイクロ波回路の構成図、第２図は従来
のインダクタンス回路の構成図、第襖図は本発明に用い
られるマイクロ波阻止回路の構成図、第を図は本発明の
一実施例に係るバイアスパターンの構成図である。 （５）・・・・・・マイクロ波阻止回路、（６）・・・
・・・バイアスパターン、　１１）・・・・・・ランド
部、（転）・・・・・・インダクタンス回路、６◇・・
・・・・抵抗素子、旬・・・・・・マイクロストリップ
線路 代理人　弁理士　則　近　憲　市 （ほか１名） 第１図 第２図 第３図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）誘電体基板上に形成される複数のマイクロストリ
   ップ線路の長手方向の端部相互を前記ストリップ線路の
   線路幅以下の幅を有する第２のマイクリ ロストノブ線路およびこの第２のストリップ線路■ 上に載置される抵抗素子の両者を並列に接続してなるマ
   イクロ波阻止回路を介して接続することにより形成され
   てなることを特徴とするマイクロ波回路におけるバイア
   スパターン。
2. （２）抵抗素子はセラミック基板をベースとしその上に
   抵抗体を形成してなるチップ抵抗素子であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波回路にお
   けるバイアスパターン。
3. （３）複数のマイクロストリップ線路の線路長は使用マ
   イクロ波の波長のＡ以下の長さであることを’Ｉ？徴と
   する特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波回路におけ
   るバイアスパターン。