JPH0285365A - スパッタリング方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、マグネトロンスパッタリングの方法と装置の
改良に関する。

（従来技術） 従来、薄膜等の作成にスパッタリング方法、装置が利用
されている。工業的にとのスパッタリングを利用すると
き、低温で、高速に成膜できる利点から、数多くあるス
パッタリング方法の中でも、マグネトロンスパッタリン
グ方法が利用されている。その中でも、近年、ハードデ
ィスク、光磁気ディスク等の情報媒体に利用するスパッ
タリング、さらにはフィルムコート等に利用するスパッ
タリングが採用され、これらにおいても、比較的低温で
、高速に成膜できるマグネトロンスパッタリングが多用
されている。

（発明の解決しようとする課題） マグネトロンスパッタリングにおいて、比較的他のスパ
ッタリング方法にくらべて、低潟で成膜できるといって
も、成膜時にスパッタリング効率を上げるため等により
、被成膜体（例えば、光磁気ディスクの基板）がかなり
の熱にさらされることになる。これら被成膜体は、多（
存機高分子物が利用される。これら高分子物質は、熱に
対して比較的弱く、変形、変質を生じる。そのため、ス
パッタリング速度（成膜速度）を低下さして、対処する
等、スパッタリング効率を低下せしめて、はじめて実用
性がある等の課題を存している。

スパッタリングにおける熱の発生は、プラズマによるも
のと、ターゲットまたは防ｃ仮等の熱輻射によるものが
あり、熱輻射については熱源を冷却する等して防ぐこと
が比較的容易だが、プラズマによる熱は防ぐことが困難
である。

（課題を解決するための手段） スパッタリング効率を低下さすことな（、被成膜体の異
常加熱を防止し、基板（被成膜体）の材料の選択幅を広
げうるスパッタリング方法と装置を提供するため検２す
し、本発明に到った。

すなわち本発明は、マグネトロンスパッタリング方法に
おいてターゲット（および／またはカンード）の裏面と
、それ以外の場所に別に磁力線発生手段を配し、各々別
の磁力線発生手段（磁界発生手段）からの磁力線が、基
板（被成膜体）とターゲットとの対向域においての電界
方向に対して主として垂直方向に発生するようにしてス
パッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング方
法であり、またマグネトロンスパッタリング装置におい
て、ターゲット（および／またはカンード）の裏面と、
それ以外の別の場所に磁力線発生手段を配設したことを
特徴とするマグネトロンスパッタリング装置である。

第１図に本発明の一例を示した。第２図に従来例を示し
た。′Ｉ４１図と第２図により本発明を説明する。

従来のマグネトロンスパッタリング方法は第２図に示す
ように主としてターゲット（またはカンード）の裏面に
磁力線発生手段（すなわちマグネットまたはその他の手
段）を配し、その磁力線は■で示す方向に発生する。こ
れに対し、本発明例の第１図においては、■のターゲッ
ト裏面の磁界発生手段以外の場所に設けられた磁界発生
手段により■以外の電界方向に主として垂直方向に発生
する磁力線■が生じ、プラズマの基板■への到達を妨げ
、熱の発生をおさえることができる。この本発明におけ
るターゲット裏面の磁力線発生手段を設け、これにより
、ターゲット裏面の磁力線発生手段により生ずる磁力線
以外の、電界方向（すなわちプラズマ方向）に対して垂
直な磁力線を発生するための第２の磁力線発生手段の配
し方の例として、第３図、第４図に示したが、これに限
定されるものではない。

（発明の効果） 本発明により、従来のマグネトロンスパッタリング方式
に比較して、スパッタ効率を上げることができ、基板に
熱ダメージを与えにクク、生産性に対する配し方の他の
例を示す図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）マグネトロンスパッタリング方法においてターゲ
   ット（およびまたはカソード）の裏面と、それ以外の場
   所とに、磁力線発生手段を配し、各々の磁力線発生手段
   からの磁力線が、基板とターゲットとの対向域の電界方
   向に対して主として垂直方向に、発生するようにしてス
   パッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング方
   法。
2. （２）マグネトロンスパッタリング装置においてターゲ
   ット（およびまたはカソード）の裏面と、それ以外の場
   所とに、磁力線発生手段を配設したことを特徴とするマ
   グネトロンスパッタリング装置。