JPH0285826A - 表示パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示装置等に利用できる表示パネルに係り
、特にその特性向上、歩留向上を可能にする構造および
製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来の表示パネル（例えば液晶パネル）では第４図に示
すような構造が用いられていた。同図において、２１は
基板、２２はＣｒ、２３はＡｌ、２４はＳｉＮ、２５は
ａ　−Ｓ　ｉ、２６はソース電極、２９はドレイン電極
を兼ねる信号配線、２７は透明電極からなる画素電極を
示す。

同図に示すように従来はゲート電極にＯｒを用い、ゲー
ト絶縁物にはＳｉＮが用いられている６一方、ゲート配
線にはＣｒとＡｌ１との２層の金属が使用されている。

このようにゲート電極とゲート配線とが異なった材料で
形成されている理由を以下に説明する。先ず、ゲート金
属２２は基板との接着性が良いこと、表面に凹凸がない
ことと、ゲート絶縁膜であるＳｉＮを形成する過程で変
質しないことが条件になる。この条件としてはＣｒが適
している。一方、ゲート配線は抵抗の低いことが要求さ
れるｓｃｒはＡｌに比較して個有抵抗率が一桁以上高く
、ゲート配線には適していない。

逆にＡΩはヒロックが発生しやすく１表面に針状に凸形
になった欠陥ができやすい。さらにゲート絶縁膜である
ＳｉＮ　（通常、プラズマＣＶＤ法で基板温度２００〜
３５０℃で堆積される）の形成工程でこのヒロックが成
長するという問題点があり、ゲート電極に使えない、し
たがって、従来はゲート電極にＣｒ、ゲート配線にはＣ
ｒとＡｌの２層構造の金属を用いていた。さらに従来構
造の問題点を挙げるならば、第４図より明らかなように
ゲート電極（２２）・配線２８とドレイン電極・信号配
線２９、ソース電極２６との間にはゲート絶縁膜である
５ｉＮ（２４）とａ−Ｓｉ（２５）とが介在し、これが
ゲート電極（２２）とドレイン電極（２９）、ソース電
極２６とを電気的に分離している。しかし、ＳｉＮおよ
びａ　−Ｓ　ｉとも通常、薄膜であるため（ＳｉＮ〜０
．３μｍ。

ａ−８ｉ＝０．２μｍ　が多用されている）と、プラズ
マＣＶＤ法で形成しているために膜にゴミが原因のピン
ホールが発生しやすく、ゲート電極・配線とその他の電
極・配線との間が短絡するため、表示パネルの製作上大
きな障害となっている。以上、説明したように従来は ■ゲート電極とゲート配線に異なる材料が用いられてい
た。これは工程の増加をもたらしていた。

■ゲート電極・配線とその他の電極・配線との間が短絡
しやすかった。これは歩留低下の原因となる。

一方１周知の技術として、ＴａやＡｌの陽極化成技術が
ある（例えば電気化学便覧（丸＋ｌ）昭和３９年１２月
発行、第８７４頁〜第８９２頁参照）。

これは金属の表面を電気化学的に酸化する技術であり、
従来、キャパシタや表面コートに使われているものであ
る。

この技術による酸化１１！ｉ（絶縁膜）の利点はゴミに
よる欠陥が生じにくい点にある。このため、この技術を
ＴＦＴに利用した従来技術がある（特開昭５８−１４７
０６９号参照）。

尚、本発明に関連する従来技術としては、陽極酸化に関
するものとして特開昭６３−１６４号、蓄積容量の電極
あるいは誘電体に関するものとして特開昭５８−９０７
７０号、特開昭５８−９３０９２号をあげることができ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術はプロセスの簡略化、ゲート電極・配線と
その他の電極との短絡あるいはゲート配線抵抗等の点に
ついて配慮がなされておらず１表示パネルの特性２歩留
、コストの面で問題があった。

本発明はこれらの問題を解決する技術を提供することを
目的とする。すなわち、簡単なプロセスで、ゲート配線
抵抗を低くシ、上記短絡を防止し。

しかも薄膜トランジスタの特性および表示パネルの特性
を向上することを実現し得る技術を提供するものである
。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、ゲート電極、ゲート配線お
よび付加容量の電極にＡｌもしくはＡＩ！を主体とする
金属を用い、また、ゲート絶縁膜、付加容量の誘電体膜
、配線交差部の層間絶縁膜のうち少なくとも一に上記金
属の欠陥のない陽極酸化膜を用いる。上記ゲート絶縁膜
、付加容量の誘電体膜、陵線交差部の眉間絶縁膜のすべ
てに上記陽極酸化膜を用いるのがより好ましい。

〔作用〕

ＡｌもしくはＡｆｌを主体とする金属膜をゲート電極・
配線、付加容量部に用い、これを陽極化成することによ
って、その表面はＡｌｚＯｓで被覆される。これにより
、次の技術的特徴が生じる。

１、適した陽極化成液を用いることにより、平坦で欠陥
のない酸化膜（絶縁膜）でゲート電極・配線および付加
容量部を被覆することができる。

したがって、ゲート配線抵抗を低くでき、かつゲート電
極・配線および付加容量部における他の電極および配線
間の短絡を防止できる。

２、特にＡｌ−８ｉ−Ａ１１−Ｐｄを用いればさらにヒ
ロックのない平坦なゲート電極・配線、付加容量電極が
得られ、より歩留の良いパネルが製作できる。

３、さらに、これらの絶縁膜の上にプラズマＣＶＤ法に
よるＳｉＮもしくは５ｉＯｚを堆積して２層構造とする
ことにより、短絡を防止すると同時にＴＦＴのしきい値
を安定にすることができる。

４、ゲート電極・配線（端子部）および付加容量電極外
に延在する部分の金属膜をすべて酸化することにより、
ゲート電極・配線の段差を低くするとともに、基板保護
膜を形成することができ、より高信頼の表示パネルを得
ることができる。

５、陽極酸化を局所的に行なうことにより、配線抵抗を
さらに小さくすることができる。

〔実施例〕

第５図にＴＦＴ基板の２画素分に対応する部分回路図を
示す、（ａ）は付加容量がない場合、（ｂ）は隣接した
ゲート配線との間に付加容量を形成した場合、（ｃ）は
自段のゲート配線との間で付加容量を形成した場合を示
す、（ｄ）は隣接したゲート配線との間に付加容量を形
成する場合の別の例を示す、同図において、３ｏはゲー
ト配線、３１は隣接したゲート配線、３２は薄膜トラン
ジスタ、３３は液晶表示部、Ｇ、Ｓ、Ｄは各々薄膜トラ
ンジスタのゲート、ソース、ドレインである。３４は対
向電極、３５は配線交差部、３６は付加容量、３７．３
８は信号配線である０例としてこの第５図（ｂ）の回路
に対応するゲート電極、ゲート配線、付加容量電極のレ
イアウト図の一例を第６図に示す、ここでは隣接の画素
が同ピツチの例を示しているが、半ピツチずらしたレイ
アウトでも本技術は全く同様に使用できる。

また、ここではゲート部（Ａ）、配線交差部（Ｂ）が分
層している例を示したが、分離していなくても良い。絶
縁性基板上にＡｌもしくはＡΩを主体とする金属を形成
し、ホトエッチング工程により、例えば、第６図のよう
にパターン化する。

この−回のホトエツチング工程によりゲート配線３０、
ゲート電極（領域Ａ）、付加容量電極（領域Ｃ）が形成
できる。続いて、陽極酸化を行ない上記パターン化され
た金属の表面に酸化アルミ（ＡΩＺＯＳ）を成長させる
。ＴＦＴ基板において特にＡ　Ｑ　ｚ　Ｏｓ膜が必要な
部分は第６図に示したように薄膜トランジスタ部（Ａ）
配線交差部（Ｂ）、付加容量部（Ｃ）の３ケ所である。

１回の陽極酸化でこれらの必要な部分にＡｌｔｏｓを形
成するのも本技術の特徴である。これらの部分において
は上記金属３０と信号配線あるいは画素電極とが重なっ
た構造となり、層間絶縁膜あるいは誘電体膜が必要とな
るためである。

従って、ここで必要とされるＡｌｚＯａ膜としては欠陥
のない、リークの小さなことが要求される。

陽極酸化はウェットプロセスであるため、ゴミなどの異
物付着に対して影響を受けに＜＜、欠陥のない酸化膜を
得やすい特徴があるが、酸化膜の構造やリーク特性に対
しては化成液に大きく左右される。このため、化成液の
選択が重要である。

Ａｌを陽極酸化した場合、大別して２種類のＡｌｚＯａ
膜が得られる。ひとつは多孔質の＾ｔｚｏｓであり、他
のひとつは無孔質のものである。前者は化成液としてリ
ン酸、蓚酸のような強酸系の液で、後者は硼酸、酒石酸
のような弱酸系で得られることは周知（上述の電気化学
便覧等）の通りである６本発明の目的のためには後者の
無孔質のものが適している。しかし弱酸系の液を用いた
場合に得られる無孔質のＡｕ１Ｏａにもその表面の粗れ
方に差異のあることがわかった。例えば化成液として、
主として濃度数％の酒石酸水溶液を用いたにＡ４ｚＯｓ
の耐圧およびリーク特性を著しく損なうものであり望ま
しくない。この酒石酸を例えばエチレングリコールもし
くはプロピレングリコールで希釈したＰＨ７，０±０．
５の化成液を用いるに極めて良好な耐圧特性、リーク特
性を有することがわかった。エチレングリコールとプロ
ピレングリコールとの比較では、前者の方が通常の半導
体プロセスで汎用されており入手しやすいこと、液の安
定性が良いことなどの観点から見てより望ましい、Ａｌ
２ｚ○δ膜をゲート絶縁膜として単独で使用することも
できるが、しきい値電圧のドリフトを小さくするために
は窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）や酸化シリコン膜（Ｓ　
ｉ　Ｏｘ膜）との複合膜にすることが有効である。Ｓｉ
Ｎ膜や５ｉｎｓ膜は活性層であるａ　−Ｓ　ｉと連続形
成ができるので清浄な界面が得やすいからである。一方
、ＳｉＮ膜や５ｉＯｚ膜の形成には通常、２００℃以上
の温度を必要とするが、Ａｌ電極の場合この温度でヒロ
ックが発生し表面が粗れる。しかしながら、Ａｌ表面を
ＡｆｉｚＯｓ膜で被覆した場合には、このヒロック発生
が抑止される。

さらにＡｌｚＯａの絶縁特性を良くするにはＡｌｚＯａ
形成後熱処理することが有効である。第８図にＡｌｚＯ
ｓのリーク電流と熱処理温度との関係を示す、熱処理温
度としては２００℃〜４００℃が望ましい、これ以上高
温になるとＡｌ膜に剥離が生じる。

ここで重要なことはＡｌｚＯａの膜厚である。薄膜トラ
ンジスタの相互コンダクタンスｇｍから言えばゲート絶
縁膜は薄い程良い、一方、薄くなれば絶縁耐圧が下がる
。第９図にＡｌｚＯａ膜厚と耐圧（■し）の関係を示す
。通常の液晶パネルではゲートとドレイン（信号配線）
間には最大２５Ｖ程度の電圧が印加される。したがって
Ａｌｔｏ３膜厚としては５００Å以上が必要である。こ
れはゲート絶縁膜をＡｌｚＯａとＳｉＮや５ｉＯｚとの
２層の構造にした場合でも同じである。ＳｉＮ膜や５ｉ
ｎｓ膜にピンホールが生じた場合、電圧はＡ　Ｑ　ｚ　
Ｏａのみに印加されるからである。

以上、ゲート電極・配線に純Ａｌを用いる場合について
説明したが、純ＡΩは極めて活性な金属であり、真空蒸
着で形成する場合に再現性が得にくいこと、また１通常
のホトエツチングプロセスに必要な百数十度の温度でも
ヒロックが発生しやすく突起状の面になりやすい等の欠
点を有する。

これらの欠点はＳｉあるいはＰｄを数％以下の微量混入
したＡｌを用いることにより解消できる。

このＡｌ−ＳｉあるいはＡｌ−Ｐｄ材料も前述した方法
により全く同様に陽極化成でき、同じ特性のＡ　Ｑ　ｚ
　Ｏｓ膜が得られることがわかった。したがってＡｌ−
８ｉ材料あるいはＳ　ｉ　−Ｐ　ｄも純Ａｌと全く同様
にパネルに適用できる。

さらに、ゲート電極・配線として２層構造の金属を用い
た場合の例を第６図に示す、この例は２層の金属に同種
の金属を用いた場合であり、ここではＡｌを示している
。ゲート電極・配線４１として第１のＡｌをパターン化
し、その上にすべてＡ　Ｑ　ｚ　Ｏｓに変えてしまうた
めの第２のＡｌ４２を全面に堆積する。その後、陽極酸
化によりこの第２のＡｌをすべてＡ１１ｚＯｓ４３にす
る。　Ａ　Ｑ　ｚｏ　ａ膜は透過率８０％以上の透明体
であり、しかも基板側からの不純物を阻止するための層
として使用でき、基板の保護膜としても利用できるもの
である。したがって、この方法により、ゲート絶縁膜用
のＡｌｚＯｓ、配線被覆用のＡ　Ｑ　ｚ　Ｏａ、不純物
阻止層、基板保護層を同時に一回の陽極酸化で得ること
ができる。さらにゲート電極・配線の段差をＡｌｚＯｓ
の膜厚分だけ小さくできる利点もある。

この手法はＡｌ−８ｉ、Ａｌ−Ｐｄでも同様に利用でき
ることは勿論である。

以上の説明ではゲート電極・配線、付加容量部の表面を
全て陽極酸化する場合について述べたがゲート電極・付
加容量部およびゲート配線部と信号線との交差部のみを
局部的に陽極酸化しても良いことは勿論である。この場
合、第５図で示したように前記ＡｌもしくはＡｌを主体
とした金属をパターン化してゲート配線３０を形成した
後ホトレジストを全面に塗布した後５領域（Ａ）、（Ｂ
）（Ｃ）の部分のレジストを除去した状態で陽極化成を
行う、この場合、レジストの耐圧特性から（耐圧以上の
電圧が印加されると、Ａｌが放電のため消失する）、化
成電圧を高くすることは適当ではなく１５０Ｖ（この時
Ａα二〇ｓ膜厚は約２１００人）以下が望ましい。より
望ましくは１２０ｖ（この時ＡｌｘＯδ膜厚は約１６０
０人）以下が良い。

このように局所的に陽極化成することによって配線抵抗
をさらに低くすることが可能になる。

〈実施例１〉 第１図を用いて説明する。第１図（ａ）は本実施例によ
る薄膜トランジスタアレイ基板の断面を示し、第１図（
ｂ）は平面を示す、同図において。

１は絶縁性基板、２はＡｌ、３はＡｌの陽極化成膜（Ａ
ｌｚＯｓ）　、４は窒化シリコン（１）、５は水素化非
晶質シリコン膜、６は窒化シリコン膜（２）、７はリン
ドープ水素化非晶質シリコン膜。

８はＣｒ膜、９はＡｌ膜、１０は透明電極、１１は保護
膜、１２はゲート配線パスライン、１３．１４はゲート
配線、１５，１５’は信号線（薄膜トランジスタのドレ
イン電極をも兼ねる）、ＡはＴＦＴ部の陽極化成領域、
Ｂは配線交差部の陽極化成領域を示す。

絶縁性基板１上にＡｌを１０００人抵抗加熱蒸着もしく
はスパッタ蒸着により形成し、パターン化して、ゲート
配線パスライン、ゲート電極およびゲート配線２を形成
する。この時、各ゲート配線１３．１４はゲート配線パ
スライン１２に接続しておく、ゲート配線パスラインは
同じＡｌで形成するものであり、陽極化成時の電圧供給
ラインとして使用する。その後、ホトレジストを３．０
μｍ塗布し、ホトエツチングプロセスにより、第１図（
ｂ）に破線で囲んだ領域Ａ、Ｂの部分のレジストを除去
する。領域ＡはＴＦＴの部分、Ｂは配線交差部である。

第１図（ａ）の断面図は第６図のａ−ａ’　およびｂ−
ｂ’の部分に対応する。

この状態で、基板を化成液に浸し、ゲート配線パスライ
ンに＋７２Ｖの電圧を供給する。約３０分後領域Ａ、Ｂ
にあるＡｌの表面に約１０００人のＡｌｘＯｓ膜３が得
られる。この時Ａ　Ｑ　１７００人の内７００人が酸化
される。化成液としては３層酒石酸溶液をエチレングリ
コールもしくはプロブレンゲリコールで希釈し、アンモ
ニア水を添加してＰＨ７，０±０．５に調整した溶液を
用いる。このように局所的に陽極化成することにより、
ゲート配線１３．１４の大部分のＡｌが陽極化成されず
に済むため、配線抵抗を低くおさえることができる。ま
た、ＡｌとＡｌｚＯｓの選択エツチング技術も不要とな
る。レジストを除去した後、大気中あるいは真空中で２
００〜４００℃で６０分加熱する。この加熱によってＡ
　Ｑ　ｚ　Ｏｏのリーク電流が一桁以上減少する。この
上にプラズマＣＶＤ法により、第１の窒化シリコン４を
１０００〜３０００人、水素化非晶質シリコン（ａ−８
ｉ）５を２００〜１０００人、第２の窒化シリコン６を
１０００〜２０００人堆積する。この時、基板温度は１
５０〜３２０℃を多用する。その後、第２の窒化シリコ
ン６をパターン化し、ＴＦＴのチャネル上を配線交差部
のみに残す（第１図（ａ））。

リンを０．６〜２．５％ドーピングした非晶質シ艮 リコン（ｌ十層）７を２００〜５００人堆積し。

パターン化してＴＦＴのソース−ドレイン部のみに残す
、この時ａ　−Ｓ　ｉ　５も同時に除去する。

Ｃｒ　８を５００〜１０００人、Ａｌ９を３０００〜８
０００人抵抗加熱蒸着あるいはスパッタ蒸着にて堆積し
。

パターン化して、信号線１５、ＴＦＴのドレイン・ソー
ス電極等を形成する。このＡｌ　（９）加工時に先に形
成したゲート配線パスラインを除去し、各々のゲート配
線を分離する０次に酸化インジウムよりなる透明電極１
０を約１０００人スパッタ蒸着により堆積しパターン化
して、画素電極、端子等を形成する。

最後にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン１１を約１
μｍ堆積し、ホトエツチングプロセスにより端子部上の
窒化シリコンを除去して、薄膜トランジスタプレイ基板
が完成する（第１図）。

この基板と対向基板とを合わせ、間に液晶を封止するこ
とにより１表示パネルが完成する。

こうして得られた表示パネルはゲート配線抵抗が低く、
ＴＦＴ部、および配線交差部での電極間短絡がなく、ま
た、ＡｌｚＯｓの比誘電率は８．７と窒化シリコンの６
．９　より２５％高く、この分、ＴＦＴのｇｍが向上し
、付加容量部の面積が小さくでき透過率が向上した。こ
のように、高歩留、高性能の表示パネルを得た。

ここではゲート電極配線としてＡｌを用いた場合の例で
示したが、Ａｌの代わりにＳｉを１〜３％含んだＡ　Ｑ
　−Ｓ　ｉさらにはＰｄを微量含んだＳ　ｉ　−Ｐ　ｄ
でも全く同様に使用できる。また、信号線にＡ　Ｑ　／
　Ｃｒを用いたがＡｌの代わりに先のＡｌ−８ｉ、Ａｌ
−Ｐｄを使用できる。さらに、Ｃｒは必ずしも必要では
ない。

本実施例では局部的に陽極酸化したが、端子部を除いて
全面陽極酸化しても良いことは勿論である。また、本実
施例ではＴＦＴ領域Ａと配線交差領域Ｂとを分離して示
しているが領域Ａと領域Ｂとは連続した領域であっても
良い。

〈実施例２〉 本実施例は陽極化成膜を薄膜トランジスタのゲート絶縁
膜、配線交差部及び付加容量部での絶縁膜の少なくとも
一部に使用するものである。

第２図、第３図を用いて説明する。第２図（ａ）は本実
施例によるＴＦＴ基板の断面を示し、第２図（ｂ）は平
面を示す、第３図は各工程における断面図を示す、各部
の記号は実施例１と同様である。

本実施例は第２図（ｂ）中に破線で示した領域Ｃが存在
している点のみが実施例１と異なる。領域Ｃは第５図で
説明したように画素電極１０と隣接するゲート配線とで
容量を形成する部分である。

製法は実施例１の場合と全く同様である。第３図（ａ）
は陽極化成後の断面を、（ｂ）は第２の窒化シリコン６
をパターン化した時の断面を、（Ｃ）はｎ十層をパター
ン化した時の断面を、（ｄ）はＣｒ　８およびＡｌ９を
パターン化した時の断面を、（ｅ）は画素電極１０をパ
ターン化した時の断面を各々示す。

第２図（ａ）に示すように付加容量の誘電体としてはＡ
ｌｚＯｓと窒化シリコン膜との２層構造としているが、
Ａ　Ｑ　ｚ　Ｏａと窒化シリコン膜は選択エッチがしや
すいため、八Ω２ｏδのみを誘電体として使用できるこ
とは勿論である。

〈実施例３〉 実施例１．２ではＡ　１１　ｚ　Ｏｓの上に窒化シリコ
ン膜を形成する場合について述べたが、実施例１．２で
窒化シリコンの代わりに５ｉＯｚを使うことができる。

５ｉＯｚは次の方法で形成する。５ｉＨｉとＮ　ｚ　Ｏ
とを主成分とする混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法に
て膜厚１０００〜３０００人の５ｉｎｓ膜を形成する基
板温度は２００〜３００℃とする。この５ｉＯｚ膜を用
いた場合の構造は第１図および第２図の窒化シリコン膜
４が５ｉＯｚ膜になるところのみが違う、その他は実施
例１．２と全く同様である。

〈実施例４〉 実施例１．２ではプラズマＣＶＤ法によりＡｌｚＯａ膜
の上に第１の窒化シリコン、非晶質シリコン、第２の窒
化シリコンの順に堆積したが。

本実施例では第２の窒化シリコンを使用しない。

第１１図を用いて説明する、第１１図は第６図で示した
薄膜トランジスタ部（領域Ａ）、配線交差部（領域Ｂ）
、付加容量部（領域Ｃ）に対応する部分の断面図を各々
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示したものである０図の記号
は第２図と同様である。

平面レイアウトは第２図と同様である。

絶縁性基板１上にＡｉｌもしくはＡα（Ｓ　ｉ　３％）
。

Ａｌ　　（０，３％Ｐｄ）を２３００人形成する。パタ
ーン化して、ゲート電極・配線（付加容量電極も含む）
２を形成する。陽極化成にて、Ａαｚ　Ｏａ　３を形成
するゆ化成電圧１４４ｖとする。この時ＡｌｚＯｓ３の
膜厚は約２０００人となり、化成されないＡｌ２の膜厚
は約１０００人である。この上にプラズマＣＶＤ法によ
り窒化シリコンもしくは酸化シリコンを１０００〜３０
００人形成する。続いて、非晶質シリコンを２００〜２
０００人形成する。さらにリンを０．５〜２．５％含ん
だ非晶質シリコンを堆積する。その後ホトエツチングプ
ロセスにて、薄膜トランジスタ部、配線交差部以外の部
分の非晶質シリコン膜を除去する。その後、Ｃｒを４０
０〜１０００人、Ａｌを３０００〜５０００人形成し、
パターン化して、信号配線、ｍ膜トランジスタのソース
・ドレイン電極８，９を形成する。次でこれをマスクに
リンドープ非晶質シリコン７を加工する。その後、酸化
インジウム透明電極（ｉＴｏ電極）を５００〜２０００
人スパッタ法により形成し画素電極１０を形成する。こ
のｉＴＯ電極はＡｉｌの上全域に残しても良い、これで
第１１図に示した断面構造を持つＴＦＴ基板が完成する
。この上に保ｉ！膜（窒化シリコン約１μｍ）を形成し
、後は実施例１と同様の方法でパネルが完全する。

配線交差部と付加容量部はこの構造のみでなく、例えば
第１１図（ｂ’　）、（ｃ’　）のような構造をとるこ
とができる。（ｂ’　）は配線交差部のＷＩｆＩ５１絶
縁膜をＡΩｓｏｎのみにした例、（ｃ’）は付加容量部
の誘電体をＡｌｚＯａのみにした例を示したものである
。このようにＡｌｚＯａ、ＳｉＮもしくは５ｉＯｚ、ａ
−８Ｌのどれを挟み込むかはマスクを変えることによっ
て選択できることは勿論である。

本実施例では非晶質シリコンとリンドープ非晶質シリコ
ン膜とが連続で形成でき、薄膜トランジスタの特性が安
定できるところが特徴となる。

ここでは信号配線にＣｒとＡｌとの２層膜を使用したが
Ａｌのみでも良い。

〈実施例５〉 さらなる実施例を第１２図に示す。絶縁性基板６０上に
第１のＡｌ１６１を１５００人堆積し、パターン化する
。その上に第２のＡｆ１６２を７００人全面上堆積する
。この状態で実施例１．２と同様。

化成電圧７２Ｖで陽極酸化する。これで第２のＡｌｌす
べてがＡｊｌｚＯａ６３になり、透明のＡｌｚＯｓにな
る。以下、実施例１．２と全く同様にパネルを製作する
。

本発明の利点は、ゲート段差が小さくできること、Ａｌ
ｚＯａ膜で基板全面が保護されることである。

以上の実施例では第４図（ｂ）に示した例の場合を示し
たが、他の場合でも全く同様の技術でパネルが製作でき
ることは勿論である。

〔発明の効果〕

本発明は以上に説明したようにゲート電極・配線にＡｌ
もしくはＳｉやＰｄを含むＡｌを単独または複合膜とし
て用いるため、配線抵抗を低くした上、これらを陽極酸
化することによって得られるＡｌ２０δでコートすると
同時にこれをゲート絶縁膜・容量部の誘電体として利用
するため、簡単なプロセスで短絡による不良のない、高
性能のパネルが得られた０歩留は従来のＳｉＮのみを用
いる場合の倍以上、ｇｍも２５％〜１００％向上し、光
利用率も２０％以上向上した。また、Ａｌを局所的に陽
極化成することにより、さらに配線抵抗を下げることも
できた。また、薄いＡｌを基板全面に堆積し、これを全
てＡ　Ｑ　ｚ　Ｏａにすることにより、基板保護膜を同
時に形成でき、ゲート段差を低減することもでき、段差
における断線をなくすこともできた。

ここではＴＦＴの活性層として非晶質シリコンの例につ
いて述べたが、この材料はこれに限るものではなく、Ｔ
ｅやポリＳｉ等の材料であってもよいことは無論である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図は本発
明の第２の実施例を示す図、第３図は本発明の第２の実
施例の工程を示す図、第４図は従来技術を示す図、第５
図はＴＦＴ基板の部分回路図、第６図は本発明の説明図
、第７図は化成液とリーク特性との関係を示す図、第８
図は熱処理の効果を示す図、第９図はＡｌｚＯδ膜厚と
耐圧との関係を示す図、第１０図は第１のＡｌと第２の
Ａｏとの２層金属を用いた場合の説明図、第１１図は本
発明の第４の実施例を示す図、第１２図は本発明の第５
の実施例を示す図である。 １・・・基板、　２−Ａ　Ｑ　（Ａ　Ｑ−８ｉ）　、　
３−ＡｌｚＯａ、４・・・窒化シリコン（１）、５・・
・ａ−８ｉ、６・・・窒化シリコン（２）　、７・・・
不純物ａ−３ｉ、８・・・Ｃｒ、９・・・Ａｌ、１０・
・・透明電極、１２・・・ゲート配線パスライン、Ａ・
・・ＴＦＴ部、１３．１４・・・ゲート配線、１５・・
・信号線、Ｂ・・・配線交差部、Ｃ・・・付加容量部。 竿 凹 （＾） 第　２　図 （ａ−） （ｂン １８枝 ネ ■ 第 り 囚 １４　　口 （０＋） Ａ−へ′鱈値 （ｂ） 第 記 第 り 凹 第 ＃０ 第 凹 （の 第 記 Ａ！よθｓ（Ａン 寥 囚 αす （ｂン 鴇 ζｃＬ） 久 久 ＜ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板上に形成された複数本のゲート配線と、
   これと交差して配置された複数本の信号配線と、前記ゲ
   ート配線と信号配線との交点に薄膜トランジスタを配置
   してなるＴＦＴ基板を有する表示パネルにおいて、前記
   ゲート配線および前記薄膜トランジスタのゲート電極が
   ＡｌもしくはＡｌを主成分とする金属からなり、前記薄
   膜トランジスタのゲート部および配線交差部における絶
   縁膜のうち少なくとも一方が上記金属の陽極化成膜を含
   むことを特徴とする表示パネル。 ２、前記ゲート部および配線交差部における絶縁膜がい
   ずれも上記金属の陽極酸化膜を含むことを特徴とする請
   求項１記載の表示パネル。 ３、付加容量を形成する絶縁膜がＡｌもしくはＡｌを主
   成分とする金属の陽極化成膜を少なくとも含むことを特
   徴とする請求項１または２記載の表示パネル。 ４、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜が前記陽極化
   成膜と前記陽極化成膜と異なるもう一つの異種絶縁膜と
   の複合膜であることを特徴とする請求項１、２または３
   記載の表示パネル。 ５、前記異種絶縁膜が窒化シリコン膜であることを特徴
   とする請求項４記載の表示パネル。 ６、前記異種絶縁膜が酸化シリコン膜であることを特徴
   とする請求項４記載の表示パネル。 ７、前記薄膜トランジスタの活性層を構成する材料が水
   素化非晶質シリコンであることを特徴とする請求項１な
   いし６の一に記載の表示パネル。 ８、前記配線交差部の電極間薄膜が前記陽極化成膜、異
   種絶縁膜、水素化非晶質シリコン膜からなることを特徴
   とする請求項１ないし７の一に記載の表示パネル。 ９、前記配線交差部の電極間薄膜が前記陽極化成膜、前
   記異種絶縁膜からなることを特徴とする請求項１ないし
   ７の一に記載の表示パネル。 １０、前記付加容量を形成する誘電体薄膜が前記陽極化
   成膜、前記異種絶縁膜、前記水素化非晶質シリコン膜か
   らなることを特徴とする請求項１ないし９の一に記載の
   表示パネル。 １１、前記付加容量を形成する誘電体薄膜が前記陽極化
   成膜、前記異種絶縁膜からなることを特徴とする請求項
   １ないし９の一に記載の表示パネル。 １２、前記ゲート配線を全て前記陽極化成膜で被覆した
   ことを特徴とする請求項１ないし１１の一に記載の表示
   パネル。 １３、前記陽極化成を前記薄膜トランジスタのゲート部
   、前記配線交差部、前記付加容量部の少なくともいずれ
   かにのみ行うことを特徴とする請求項１ないし１１の一
   に記載の表示パネル。 １４、前記陽極化成膜の膜厚が５００Å以上であること
   を特徴とする請求項１ないし１３の一に記載の表示パネ
   ル。 １５、前記陽極化成が酒石酸を含むグリコール溶液を化
   成液として行われることを特徴とする請求項１ないし１
   ４の一に記載の表示パネル。