JPH0287147A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
- Publication number
- JPH0287147A JPH0287147A JP23858488A JP23858488A JPH0287147A JP H0287147 A JPH0287147 A JP H0287147A JP 23858488 A JP23858488 A JP 23858488A JP 23858488 A JP23858488 A JP 23858488A JP H0287147 A JPH0287147 A JP H0287147A
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- JP
- Japan
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- resist
- pure water
- semiconductor substrate
- organic solvent
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体製造に於けるＰＲ処
理工程のレジスト除去方法に関するものである。
理工程のレジスト除去方法に関するものである。
半導体製造に於ける重要な工程の１つに半導体基板上の
絶縁膜を選択的に除去して選択拡散を行ったりするため
の窓孔を形成するＰＲ（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅ５ｉｓｔ）処
理工程がある。このＰＲ処理工程は一般に第２図の（ａ
）〜（ｆ）に示すように行われている。
絶縁膜を選択的に除去して選択拡散を行ったりするため
の窓孔を形成するＰＲ（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅ５ｉｓｔ）処
理工程がある。このＰＲ処理工程は一般に第２図の（ａ
）〜（ｆ）に示すように行われている。
即ち、第２図の（ａ）は半導体基板（ウェーハ）上に絶
縁膜（２）を形成したものを示し、この状態に於いて先
ず第２図の（ｂ）に示すように、レジスト（３）上に透
明ガラス基板の下面に選択的に不透明部分（４）を形成
したマスク（５）を被せて、マスク（５）上方より垂直
に光（紫外線）を照射してレジス１−（３）を選択露光
して、露光部分を光重合反応で硬化変質させる。次に、
マスク（５）を外してレジスト（３）を現像して非露光
部分を除去し、第２図の（ｄ）に示すように、窓孔（６
）を形成する。後は窓孔（６）から覗く絶縁膜（２）を
、残存したレジスト（３）を耐食マスクとしてエツチン
グし第２図の（ｅ）に示すように選択除去して、絶縁膜
（２）に所望の窓孔（７）を形成し、最後に第２図の（
「）に示すように、レジスト（３）を有機溶剤で溶解し
て除去する。
縁膜（２）を形成したものを示し、この状態に於いて先
ず第２図の（ｂ）に示すように、レジスト（３）上に透
明ガラス基板の下面に選択的に不透明部分（４）を形成
したマスク（５）を被せて、マスク（５）上方より垂直
に光（紫外線）を照射してレジス１−（３）を選択露光
して、露光部分を光重合反応で硬化変質させる。次に、
マスク（５）を外してレジスト（３）を現像して非露光
部分を除去し、第２図の（ｄ）に示すように、窓孔（６
）を形成する。後は窓孔（６）から覗く絶縁膜（２）を
、残存したレジスト（３）を耐食マスクとしてエツチン
グし第２図の（ｅ）に示すように選択除去して、絶縁膜
（２）に所望の窓孔（７）を形成し、最後に第２図の（
「）に示すように、レジスト（３）を有機溶剤で溶解し
て除去する。
ところで、半導体製造に於けるＰＲ処理工程のレジスト
（３）の除去を、従来は前述したように有機溶剤で溶解
して行っている為、次のような問題が生じていた。即ち
、除去後、半導体基板（１）に付着した有機溶剤を取り
除く為、メチル・ケチル・ケトン（ＭＥＫ）、イソ・プ
ロピル・アルコール（ＩＰＡ）、純水の順で洗浄する必
要があって、工数が多くなり、生産性が悪かった。また
、使用済み有機溶剤の廃液処理が大変であり、しかも廃
液に伴って環境汚染を生ずる虞れもある。更に、大量に
有機溶剤及び純水等を使用しなければならない為、製造
コストが高くつ（。
（３）の除去を、従来は前述したように有機溶剤で溶解
して行っている為、次のような問題が生じていた。即ち
、除去後、半導体基板（１）に付着した有機溶剤を取り
除く為、メチル・ケチル・ケトン（ＭＥＫ）、イソ・プ
ロピル・アルコール（ＩＰＡ）、純水の順で洗浄する必
要があって、工数が多くなり、生産性が悪かった。また
、使用済み有機溶剤の廃液処理が大変であり、しかも廃
液に伴って環境汚染を生ずる虞れもある。更に、大量に
有機溶剤及び純水等を使用しなければならない為、製造
コストが高くつ（。
この発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、その目
的は、有機溶剤を用いないレジスト除去方法を提供する
ことである。
的は、有機溶剤を用いないレジスト除去方法を提供する
ことである。
この発明は上記目的を達成する為、レジストを付着した
半導体基板を、高温、高圧に昇温、昇圧する純水に浸漬
して、上記レジストを上記昇温、昇圧した純水の溶存酸
素によって酸化分解するものである。
半導体基板を、高温、高圧に昇温、昇圧する純水に浸漬
して、上記レジストを上記昇温、昇圧した純水の溶存酸
素によって酸化分解するものである。
上記手段により、半導体基板に付着したレジストは、純
水の溶存酸素によって二酸化炭素と水に酸化分解されて
除去される。
水の溶存酸素によって二酸化炭素と水に酸化分解されて
除去される。
以下この発明に係るレジスト除去方法を第１図に示す具
体的実施装置を参照して説明する。
体的実施装置を参照して説明する。
第１図に於いて、（８）は圧力容器で、内部に純水（９
）が貯溜され、かつ、図面に示されていないがヒーター
及び容器内昇圧装置が付設されている。而して、上記ヒ
ーターを加熱させると圧力容器（８）内に貯溜された純
水（９）が徐々に昇温され、また、上記容器内昇圧装置
を作動させると圧力容器（８）内が徐々に昇圧される。
）が貯溜され、かつ、図面に示されていないがヒーター
及び容器内昇圧装置が付設されている。而して、上記ヒ
ーターを加熱させると圧力容器（８）内に貯溜された純
水（９）が徐々に昇温され、また、上記容器内昇圧装置
を作動させると圧力容器（８）内が徐々に昇圧される。
（ｌＯ）はレジスト除去しようとする半導体基板で、キ
ャリア（１１）に多数−括して保持されている。
ャリア（１１）に多数−括して保持されている。
上記構成に於いてその動作を説明すると、ヒーターを加
熱させて圧力容器（８）内に貯溜された純水（９）の水
温を、２００〜３００°Ｃ程度Ｇ４昇温すると共に、昇
圧装置を作動させて圧力容″Ｈ（８）内の気圧を５０〜
１００）［ｇ−ｆ ／ ｃｆｆｌ程度に昇圧しておき、
多数の半導体基板（１０） （１０）・・・をキャリ
ア（１１）に保持した状態で圧力容器（８）の純水（９
）内に浸漬して、レジスト除去を行う。このレジスト除
去は純水（８）が昇温、昇圧によって活性化されてその
溶存酸素によって、次のように行われる。即ち、半導体
基板（１０）上に付着したレジスト［ＣｘＨｙ）を純水
（８）の溶存酸素〔０□〕によって次式のように二酸化
炭素（ＣＯＺ）と水（ＵＺＯ）に酸化分解させる。
熱させて圧力容器（８）内に貯溜された純水（９）の水
温を、２００〜３００°Ｃ程度Ｇ４昇温すると共に、昇
圧装置を作動させて圧力容″Ｈ（８）内の気圧を５０〜
１００）［ｇ−ｆ ／ ｃｆｆｌ程度に昇圧しておき、
多数の半導体基板（１０） （１０）・・・をキャリ
ア（１１）に保持した状態で圧力容器（８）の純水（９
）内に浸漬して、レジスト除去を行う。このレジスト除
去は純水（８）が昇温、昇圧によって活性化されてその
溶存酸素によって、次のように行われる。即ち、半導体
基板（１０）上に付着したレジスト［ＣｘＨｙ）を純水
（８）の溶存酸素〔０□〕によって次式のように二酸化
炭素（ＣＯＺ）と水（ＵＺＯ）に酸化分解させる。
ｍｃｘｌｌｙ ＋ｎ０２ −＋ ０ＣＯ２＋Ｐ）１
．０この反応工程で半導体基板（１０）上に付着したレ
ジスト（Ｃｘｌｌｙ）は除去される。
．０この反応工程で半導体基板（１０）上に付着したレ
ジスト（Ｃｘｌｌｙ）は除去される。
例えば厚さ０．２−のポジ型レジストを付着した半導体
基板（１０）を用いて、純水（９）の水温を２５０″Ｃ
１圧力容器（８）内の気圧を７０Ｋｇ −ｆ／ ｃ＋ｆ
ｉの条件で実験を行った。その結果、半導体基板（１０
）上に付着したｊ！￥さ０．２ｕｎのポジ型レジストを
完全に除去することができた。
基板（１０）を用いて、純水（９）の水温を２５０″Ｃ
１圧力容器（８）内の気圧を７０Ｋｇ −ｆ／ ｃ＋ｆ
ｉの条件で実験を行った。その結果、半導体基板（１０
）上に付着したｊ！￥さ０．２ｕｎのポジ型レジストを
完全に除去することができた。
この発明によれば、有機溶剤を用いないでレジストを除
去することができ、したがって、除去後、洗浄の必要が
なくなってＰ Ｒ処理工程の工数が削減されて生産性が
改善される。また、純水でレジスト除去を行っている為
、廃液処理が非常に容易であり、しかも、ＣＯ□と１１
．０に分解するから廃液に伴って環境汚染を招（虞れが
皆無であり、製造コストも低減し得る。
去することができ、したがって、除去後、洗浄の必要が
なくなってＰ Ｒ処理工程の工数が削減されて生産性が
改善される。また、純水でレジスト除去を行っている為
、廃液処理が非常に容易であり、しかも、ＣＯ□と１１
．０に分解するから廃液に伴って環境汚染を招（虞れが
皆無であり、製造コストも低減し得る。
第１図はこの発明に係るレジスト除去方法による具体的
実施装置を示す概略断面図、第２図はＰＲ処理工程の詳
細な説明する為の拡大した各段階の断面図である。 （８） −圧力容器、 （９）−・−純水、（１０
）・・・半導体基板、 （ＩＩＬ−キャリア。
実施装置を示す概略断面図、第２図はＰＲ処理工程の詳
細な説明する為の拡大した各段階の断面図である。 （８） −圧力容器、 （９）−・−純水、（１０
）・・・半導体基板、 （ＩＩＬ−キャリア。
Claims (1)
- （１）レジストを付着した半導体基板を、高温、高圧に
昇温、昇圧する純水に浸漬して、上記レジストを上記昇
温、昇圧した純水の溶存酸素によって酸化分解させるこ
とを特徴とするレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23858488A JP2583292B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23858488A JP2583292B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | レジスト除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287147A true JPH0287147A (ja) | 1990-03-28 |
| JP2583292B2 JP2583292B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=17032373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23858488A Expired - Lifetime JP2583292B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583292B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383065A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Masaru Nishikawa | レジストのパターン形成方法、レジストの除去方法及び基板の洗浄方法 |
| US5800665A (en) * | 1995-02-10 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for fabricating semiconductor device |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP23858488A patent/JP2583292B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383065A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Masaru Nishikawa | レジストのパターン形成方法、レジストの除去方法及び基板の洗浄方法 |
| US5800665A (en) * | 1995-02-10 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for fabricating semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2583292B2 (ja) | 1997-02-19 |
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