JPS5868930A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS5868930A
JPS5868930A JP56167529A JP16752981A JPS5868930A JP S5868930 A JPS5868930 A JP S5868930A JP 56167529 A JP56167529 A JP 56167529A JP 16752981 A JP16752981 A JP 16752981A JP S5868930 A JPS5868930 A JP S5868930A
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JP
Japan
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layer
resist
etched
resist layer
water soluble
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Pending
Application number
JP56167529A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Ozawa
小沢　英明
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ′本発明は半導体装置の製法、特にフォトエツチング工
程の改良に関するＯ 半導体装ｔＩｔを製造する場合、絶縁層、配一層等のパ
ターニングにフォトエツチング工程が多用される０ ところで従来フォトエツチングは被エツチング層を有す
る基板上に７オトレジスト溶液をスピンコード法で塗布
した後乾燥ベーキングしてフォトレジスト層を形成し紫
外層、電子層等の放射ｌＩ＃Ｉを照射してレジストを露
−ｙｔ、ｆｉｋ、現像液で現像する。
次いでパターニングさ入たレジスト層をマスクに被エツ
チング層の露出部を工？チング除去し、次いでレジスト
層を有機溶剤で溶解除去する。しかる後リンス、水洗、
乾燥工程を経て次の拡散工程等に進められる。
本発明は有機溶剤の使用ｔ−減らし、水洗のみで゛レジ
スト層が剥離できるＬうに７エツトエツテ／グ工程を改
良し次半導体装置の製法を提供するものである。
本発明の目的はレジスト層を露光現像して形成されたレ
ジストパターンをマスクに被エツチング層をドライエツ
チングする工程を有する半導体装置の製造方法において
該被エツチング層と該レジスト層との間に水洗性ポリマ
ーを介在させたことｔ！！黴とする半導体装置の製造方
法により達成される０ 以下不発＃Ｊｉｉを図を参照してＩｉ５！明する。
３１１図参照：被エツチング層を有する半導体基板上に
ポリビニルアルコール等の水溶性ポリマーを塗布したレ
ジストはく１層２を約ｆｉｏｏＯＡ程度形成する０次い
でレジストはくり層８上にスピンコード法にエリ７オト
レジスト層８ｔ−乾燥後の膜厚が約１ｐとなる千つに塗
布する。レジスト層を乾燥、プリベーキングしｔ後コン
タクト露光法等によシ露元現像する。レジストはくり層
２を＃ＮＬないリンス液でリンス後、乾燥ボストベーク
を行う。
第３図参照二上記基板をドライエツチング装置内の酸素
を含むガスプラズマ中で軽くアッシングして７オ）ｌ／
レジスト層が除去さｆ′Ｌ７を部分のレジストはく）層
Ｂを除去するＯＶレジストく９層２除去後、アッシング
を停止する。次いでドライエツチング装置内のガス雰囲
気を７レオンガス雰囲気とし、半導体基板１′上の被エ
ツチング層ｌである８ｉ０．膜をプラズマエツチングで
除去しバター二／グを行なう。
次いでドライエツチング装置工す半導体基板を取マーで
あるレジストはぐり層を溶解しりフトオ７によりレジス
ト層Ｂを除去する。々お被エツチング層がλ４層である
場合００ｔ、、Ｂ（Ｍ、等の塩化物のガスを含むプラズ
マ中で被エツチング層１１除去する。
本発明のフォトエツチングにぶればフォトレジストの露
光現像後は有機溶剤を用いることなく水中ｌ／ｃ浸漬し
て或いは水蒸気で処理してレジスト層を除去することが
できる０
【図面の簡単な説明】
＃ｇ１図、第２図は本発明ｔ−睨説明る工程断ｒｒｉ図
であるＯ １／二半導体基板、ｌ：被エツチング層、ｚニレジスト
はぐり層、８＝Ｖニレジスト 第１　図 竿？圀

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　レジスト層を露光現像して形成され九レジス
    トパターンをマスクに被エツチング層をドライエツチン
    グする工程を有する半導体装置の製造方法において、咳
    被エツチング層と該レジスト層との間に水溶性ポリマー
    を介在させたことを特徴とする半導体装置の製造方法０ ＜２１　　上記水溶性ポリマーかポリビニルアルコール
    であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
    法０
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JP2014523110A (ja) * 2011-06-15 2014-09-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド レーザスクライビング・プラズマエッチングによるデバイスの個片化用のインサイチュー蒸着マスク層

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