JPH0287518A - ウエハ周辺露光方法 - Google Patents
ウエハ周辺露光方法Info
- Publication number
- JPH0287518A JPH0287518A JP23889488A JP23889488A JPH0287518A JP H0287518 A JPH0287518 A JP H0287518A JP 23889488 A JP23889488 A JP 23889488A JP 23889488 A JP23889488 A JP 23889488A JP H0287518 A JPH0287518 A JP H0287518A
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- JP
- Japan
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- wafer
- light
- resist
- exposure
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ｒｃ、ＬＳ１．その他のエレクトロニクス
素子における部品の加工における微細パターンの形成工
程において、シリコンウェハに代表される半導体基板、
あるいは誘電体、金属、絶縁体等の基板に塗布されたレ
ジストの内の該基板周辺部の不要レジストを現像工程て
除去するためのウェハ周辺露光方法に関するものである
。
素子における部品の加工における微細パターンの形成工
程において、シリコンウェハに代表される半導体基板、
あるいは誘電体、金属、絶縁体等の基板に塗布されたレ
ジストの内の該基板周辺部の不要レジストを現像工程て
除去するためのウェハ周辺露光方法に関するものである
。
［従来の技術］
ＩＣやＬＳＩ等の製造工程においては、微細パターンを
形成するにあたって、シリコンウェハ等の表面にレジス
トを塗布し、さらに露光、現像を行いレジストパターン
を形成することか行われる。次に、このレジストパター
ンをマスクにしてイオン注入、エツチング、リフトオフ
等の加工が行われる。
形成するにあたって、シリコンウェハ等の表面にレジス
トを塗布し、さらに露光、現像を行いレジストパターン
を形成することか行われる。次に、このレジストパター
ンをマスクにしてイオン注入、エツチング、リフトオフ
等の加工が行われる。
通常、レジストの塗布はスピンコード法によって行われ
る。スピンコード法はウェハ表面の中心位置にレジスト
を注ぎながらウェハを回転させ、遠心力によってウェハ
の表面にレジストを塗布するものである。しかしこのス
ピンコード法によると、レジストがウェハ周辺部をはみ
出し、ウェハの裏側にまわり込んてしまう場合もある。
る。スピンコード法はウェハ表面の中心位置にレジスト
を注ぎながらウェハを回転させ、遠心力によってウェハ
の表面にレジストを塗布するものである。しかしこのス
ピンコード法によると、レジストがウェハ周辺部をはみ
出し、ウェハの裏側にまわり込んてしまう場合もある。
第２図は、このウェハの裏側へまわり込んだレジストを
示すウェハの一部断面図で、ｌはウェハ、ｉｐはウェハ
周辺部、１ａはパターン形成部のレジスト、■ｂはウェ
ハ周辺部ＩＰの表面のレジスト、ｌｃかウェハｌのエツ
ジから裏側へまわり込んだレジストを示す。この裏側に
まわり込んだレジストＩＣはパターン形成のための露光
工程て照射されず、ポジ型レジストの場合、現像後も残
る。
示すウェハの一部断面図で、ｌはウェハ、ｉｐはウェハ
周辺部、１ａはパターン形成部のレジスト、■ｂはウェ
ハ周辺部ＩＰの表面のレジスト、ｌｃかウェハｌのエツ
ジから裏側へまわり込んだレジストを示す。この裏側に
まわり込んだレジストＩＣはパターン形成のための露光
工程て照射されず、ポジ型レジストの場合、現像後も残
る。
第３図はウェハに露光された回路パターンの形状を示す
図である。Ｔて示した１つの領域か１つの回路パターン
に相当する。ウェハ周辺部ては大部分の場合正しく回路
パターンを描くととかてきず、例え描けたとしても歩留
まりか悪い。ウェハ周辺部のレジストｌｂは回路パター
ン形成にあたってはほとんど不要なレジストである。尚
、第３図の如くウェハ周辺部を露光したとしても、現像
後レジストは残る。
図である。Ｔて示した１つの領域か１つの回路パターン
に相当する。ウェハ周辺部ては大部分の場合正しく回路
パターンを描くととかてきず、例え描けたとしても歩留
まりか悪い。ウェハ周辺部のレジストｌｂは回路パター
ン形成にあたってはほとんど不要なレジストである。尚
、第３図の如くウェハ周辺部を露光したとしても、現像
後レジストは残る。
ウェハ周辺部の表面及びエツジからウェハ周辺部の表側
にまわり込んだ不要レジストの残留は次のような問題を
引き起こす。即ち、レジストの塗４１されたウェハはい
ろいろな処理工程及びいろいろな方式で搬送される。こ
の時、ウェハ周辺部を機械的につかんで保持したり、ウ
ェハ周辺部かウェハカセット等の収納器の壁にとすれた
りする。
にまわり込んだ不要レジストの残留は次のような問題を
引き起こす。即ち、レジストの塗４１されたウェハはい
ろいろな処理工程及びいろいろな方式で搬送される。こ
の時、ウェハ周辺部を機械的につかんで保持したり、ウ
ェハ周辺部かウェハカセット等の収納器の壁にとすれた
りする。
この時、ウェハ周辺部の不要レジストかとれてウェハの
パターン形成部に付着すると、正しいパターン形成かで
きなくなり１歩留まりを下げる。
パターン形成部に付着すると、正しいパターン形成かで
きなくなり１歩留まりを下げる。
ウェハ周辺部に残留した不要レジストが「ゴミ」となっ
て歩留まりを低下させることは、特に集積回路の高機能
化、微細化か進みつつある現在、深刻な問題となってい
る。
て歩留まりを低下させることは、特に集積回路の高機能
化、微細化か進みつつある現在、深刻な問題となってい
る。
そこで、このような現像後も残留したウェハ周辺部の不
要レジストを除去するため、溶剤噴射法によって除去す
る技術か実用化されている。
要レジストを除去するため、溶剤噴射法によって除去す
る技術か実用化されている。
これは、レジストか塗布されたウェハ周辺部の裏面から
溶剤を噴射して不要なレジストを溶かし去るものである
。しかしこの方法ては、第２図のはみ出し部分のレジス
トＩＣは除去てきるが、ウェハ周辺部の表面の不要レジ
スト１ｂは除去されない。このウェハ周辺部の表面の不
要レジストｌｂを除去すべくウェハｌの表面から溶剤を
噴射するようにしても、溶剤の飛沫の問題が生ずるばか
りでなく、ウェハ周辺部の表面の不要レジストｌｂと後
のエツチングやイオン注入等の際のマスク層として必要
なレジストであるパターン形成部のレジスト１ａとの境
界部分をシャープに、かつ制御性良く不要レジストのみ
を除去することはできない。
溶剤を噴射して不要なレジストを溶かし去るものである
。しかしこの方法ては、第２図のはみ出し部分のレジス
トＩＣは除去てきるが、ウェハ周辺部の表面の不要レジ
スト１ｂは除去されない。このウェハ周辺部の表面の不
要レジストｌｂを除去すべくウェハｌの表面から溶剤を
噴射するようにしても、溶剤の飛沫の問題が生ずるばか
りでなく、ウェハ周辺部の表面の不要レジストｌｂと後
のエツチングやイオン注入等の際のマスク層として必要
なレジストであるパターン形成部のレジスト１ａとの境
界部分をシャープに、かつ制御性良く不要レジストのみ
を除去することはできない。
そこて、最近ではパターン形成のための露光工程とは別
にウェハ１４辺部の不要レジストを現像１程て除去する
ために別途露光することか行われている。
にウェハ１４辺部の不要レジストを現像１程て除去する
ために別途露光することか行われている。
このウェハ周辺露光方法は、第２図におけるウェハ周辺
部の表面の不要レジストｌｂと後のイオン注入等の際の
マスク層として必要なパターン形成部のレジストｌａと
の境界部分かシャープに、制御性良く除去てきるのて、
溶剤噴射法に比べ優れている。
部の表面の不要レジストｌｂと後のイオン注入等の際の
マスク層として必要なパターン形成部のレジストｌａと
の境界部分かシャープに、制御性良く除去てきるのて、
溶剤噴射法に比べ優れている。
［発明か解決しようとする課８］
１−記のような従来のウェハ周辺露光方法ては、レジス
トに対して始めから強い紫外線を照射すると、レジスト
中に含まれる有機溶媒の分解による蒸発やレジスト自体
の光化学反応によって発生するガス等が充分にレジスト
外部に放出されず、レジスト内て泡となることかある。
トに対して始めから強い紫外線を照射すると、レジスト
中に含まれる有機溶媒の分解による蒸発やレジスト自体
の光化学反応によって発生するガス等が充分にレジスト
外部に放出されず、レジスト内て泡となることかある。
この発泡かあると、発泡した部分かウェハカセット等に
こすれて飛散し、飛散したレジストがゴミとなって前記
ウェハのパターン形成部に付着し、前述のパターン欠陥
の問題を中起こす。
こすれて飛散し、飛散したレジストがゴミとなって前記
ウェハのパターン形成部に付着し、前述のパターン欠陥
の問題を中起こす。
この発明はかかる課題を解決するためになされたもので
、レジストからの発泡かなく、パターン欠陥もなく歩留
まりの高いウニへ固辺露光方法を提供することを目的と
する。
、レジストからの発泡かなく、パターン欠陥もなく歩留
まりの高いウニへ固辺露光方法を提供することを目的と
する。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するために、この出願の第１番目の発
明のウェハ周辺露光方法は、ライトガイドファイバて導
かれた光を照射するにあたり、同一照射領域を２回以上
照射し、かつ第１回目に照射される露光に必要な波長領
域の光の照度は２回目以降に照射される露光に必要な波
長領域の光の照度より弱くすることてあり、第２番目の
発明は、少なくとも第１回目の照射にあたり、ウェハを
加熱した状態にして、第１番目の発明を行うものである
。
明のウェハ周辺露光方法は、ライトガイドファイバて導
かれた光を照射するにあたり、同一照射領域を２回以上
照射し、かつ第１回目に照射される露光に必要な波長領
域の光の照度は２回目以降に照射される露光に必要な波
長領域の光の照度より弱くすることてあり、第２番目の
発明は、少なくとも第１回目の照射にあたり、ウェハを
加熱した状態にして、第１番目の発明を行うものである
。
［作用］
本発明によると、最初に弱い照度の光か照射されること
によってレジスト内部から発生したガスか一箇所に集中
することもなく少しづづレジスト外部に放出されて、レ
ジストか発泡することはない。さらに２回目以後の露光
ては、強い照度の光を照射しても最初の露光でガスは殆
ど放出されてしまって発泡することはないのて、回転ス
ピードを上げて露光時間を短くすることができる。
によってレジスト内部から発生したガスか一箇所に集中
することもなく少しづづレジスト外部に放出されて、レ
ジストか発泡することはない。さらに２回目以後の露光
ては、強い照度の光を照射しても最初の露光でガスは殆
ど放出されてしまって発泡することはないのて、回転ス
ピードを上げて露光時間を短くすることができる。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例であるウェハ周辺露光方法
を実施するための露光装置の主要部の概略構成を示す図
である。
を実施するための露光装置の主要部の概略構成を示す図
である。
第１図において、ｌは周辺露光を行うウェハ、２はこの
ウェハｌをａ置するステージ、３はステージ２を回転さ
せるステージ駆動系、４はシステムコントローラ、５は
ウェハ１をステージ２に搬送するためのウェハ搬送系、
６はシャッタアクチュエータ、７はこのシャッタアクチ
ュエータ６によって開閉動作をするシャッタ、８は減光
フィルタアクチュエータ、９は露光すべき光の透過率を
制御する金属メツシュ等で構成された減光フィルタ、１
０は露光すべき光を導くライトガイドファイバ、１１は
このライトガイドファイバ１０の出射端、１２は平面反
射鏡、１３は楕円集光鏡、１４はショートアーク型の放
電灯（以下ランプという）であり、シャッタアクチュエ
ータ６、減光フィルタアクチュエータ８は例えばロータ
リソレノイド等て構成すればよい。
ウェハｌをａ置するステージ、３はステージ２を回転さ
せるステージ駆動系、４はシステムコントローラ、５は
ウェハ１をステージ２に搬送するためのウェハ搬送系、
６はシャッタアクチュエータ、７はこのシャッタアクチ
ュエータ６によって開閉動作をするシャッタ、８は減光
フィルタアクチュエータ、９は露光すべき光の透過率を
制御する金属メツシュ等で構成された減光フィルタ、１
０は露光すべき光を導くライトガイドファイバ、１１は
このライトガイドファイバ１０の出射端、１２は平面反
射鏡、１３は楕円集光鏡、１４はショートアーク型の放
電灯（以下ランプという）であり、シャッタアクチュエ
ータ６、減光フィルタアクチュエータ８は例えばロータ
リソレノイド等て構成すればよい。
第１図の露光装置を用いた露光方法の一具体例について
以下に説明する。
以下に説明する。
まず、システムコントローラ４からの信号によってウェ
ハ搬送系５かウェハｌを搬送してステージ２にａ置する
。ウェハｌかａ置されたステージ２は不図示の真空チャ
ック機構か動作を開始してステージ２−ヒのウェハ１を
真空吸着する。その後、ステージ２は回転を開始し、シ
ステムコントローラ４からの信号に基づいてシャッタア
クチュエータ６によりシャッタ７か開くが、照射光路に
位置する減光フィルタ９はそのままの位置てあり、ラン
プ１４からの光が減光されてライトガイドファイバ１０
の出射端１１から出射され、ウェハｌを１回転させなが
らウェハｌの周辺部に対して初回の露光を行う。
ハ搬送系５かウェハｌを搬送してステージ２にａ置する
。ウェハｌかａ置されたステージ２は不図示の真空チャ
ック機構か動作を開始してステージ２−ヒのウェハ１を
真空吸着する。その後、ステージ２は回転を開始し、シ
ステムコントローラ４からの信号に基づいてシャッタア
クチュエータ６によりシャッタ７か開くが、照射光路に
位置する減光フィルタ９はそのままの位置てあり、ラン
プ１４からの光が減光されてライトガイドファイバ１０
の出射端１１から出射され、ウェハｌを１回転させなが
らウェハｌの周辺部に対して初回の露光を行う。
そして、ライトガイドファイバ１０からの出射開始から
ウェハｌの１回転の回転終了は不図示の検知手段（例え
ばステージ駆動系３に用いられるパルスモータのパルス
をカウントするか、ロータリエンコータを設けて検知す
る）によって確認しなから、第２回目の露光を行うため
、ステージ２の回転を継続させる。第２回目の露光に際
しては、システムコントローラ４からの信号に基づいて
減光フィルタアクチュエータ８によって減光フィルタ９
を照射光路外に退避させる。その他の機構に関しては初
回の露光時と同様にしてシャッタ７を開いて、出射端１
１からウェハｌの周辺部をより強い照度の光で露光する
。
ウェハｌの１回転の回転終了は不図示の検知手段（例え
ばステージ駆動系３に用いられるパルスモータのパルス
をカウントするか、ロータリエンコータを設けて検知す
る）によって確認しなから、第２回目の露光を行うため
、ステージ２の回転を継続させる。第２回目の露光に際
しては、システムコントローラ４からの信号に基づいて
減光フィルタアクチュエータ８によって減光フィルタ９
を照射光路外に退避させる。その他の機構に関しては初
回の露光時と同様にしてシャッタ７を開いて、出射端１
１からウェハｌの周辺部をより強い照度の光で露光する
。
２回の露光が終了したらウェハ搬送系５によってステー
ジ２からウェハ１を他の場所へ搬送し、周知の手段によ
り現像してウェハ周辺部のレジストを取除く。
ジ２からウェハ１を他の場所へ搬送し、周知の手段によ
り現像してウェハ周辺部のレジストを取除く。
第４図（ａ）、（ｂ）は第１回目及び第２回目以降のそ
れぞれの照度を示したものである。
れぞれの照度を示したものである。
尚、この実施例では第１回目と第２回目の露光に際して
の光の照度は、減光フィルタ９を加減することにより初
回は弱く、第２回目に強くするようにしたか、具体的に
は２鉢■厚のフェノールノボラック系のポジ型レジスト
て第１回目の照度は２００”’へ、′、第２回目の照度
は２０００−’へ、′にした。
の光の照度は、減光フィルタ９を加減することにより初
回は弱く、第２回目に強くするようにしたか、具体的に
は２鉢■厚のフェノールノボラック系のポジ型レジスト
て第１回目の照度は２００”’へ、′、第２回目の照度
は２０００−’へ、′にした。
しかし、レジストの材質によって各回の照度及び露光時
間及び回転速度も多少異なるのは勿論である。
間及び回転速度も多少異なるのは勿論である。
上記実施例において、ウェハ温度を例えば１００°Ｃに
加熱保持して露光すると、第１回目の照度をｓｏｏ”八
、′まて強くしても発砲か生ぜず、第１回目露光時間が
約３分の１まで短縮できる。これは温度が高くなると、
露光によって生じたガスかレジスト内を速く拡散し、レ
ジスト外部に放出されるためである。
加熱保持して露光すると、第１回目の照度をｓｏｏ”八
、′まて強くしても発砲か生ぜず、第１回目露光時間が
約３分の１まで短縮できる。これは温度が高くなると、
露光によって生じたガスかレジスト内を速く拡散し、レ
ジスト外部に放出されるためである。
尚、加熱温度はレジストの耐熱温度以下にする必要かあ
る。
る。
また、上記実施例のように各回転毎に１回ずつの露光を
行う方法とは違って、第５図（ｂ）に示すように１回転
中に複数のライトガイドファイバを用い、それらファイ
バを互いに位置及び時間をずらせて連続的に露光を行う
ようにしてもよい。
行う方法とは違って、第５図（ｂ）に示すように１回転
中に複数のライトガイドファイバを用い、それらファイ
バを互いに位置及び時間をずらせて連続的に露光を行う
ようにしてもよい。
ただその際、初めの露光を行う光の照度は次に露光を行
う光の照度より弱く、かつ最初の露光によってレジスト
か発泡しないようにしなければならない。
う光の照度より弱く、かつ最初の露光によってレジスト
か発泡しないようにしなければならない。
そして、照度調整手段としては減光フィルタ以外にラン
プの供給電力を調整したり、ダイクロイックミラーを用
いたりすることも可能である。
プの供給電力を調整したり、ダイクロイックミラーを用
いたりすることも可能である。
［発ＩＩの効果］
以上説明したとおり、この発明のウェハ周辺露光方法に
おけるライトガイドファイバで導かれた光の照射は、時
間間隔をおいて２回以上照射し、かつ最初に照射される
光の照度は２回目以降に照射される光の照度より弱いよ
うにしたのて、レジストの発泡はなく、それによって製
品の歩留まりはよく、またスルーブツトはウェハの回転
速度を上げること及びライトガイドファイバの数を増加
させることにより向上させることかできる。
おけるライトガイドファイバで導かれた光の照射は、時
間間隔をおいて２回以上照射し、かつ最初に照射される
光の照度は２回目以降に照射される光の照度より弱いよ
うにしたのて、レジストの発泡はなく、それによって製
品の歩留まりはよく、またスルーブツトはウェハの回転
速度を上げること及びライトガイドファイバの数を増加
させることにより向上させることかできる。
第１図はこの発明の一実施例であるウェハ周辺露光方法
を実施するための露光装置の主要部の概略構成を示す図
、第２図はウェハの裏側へまわり込んだレジストを示す
ウェハの一部断面図、第３図はウェハに露光された回路
パターンの形状を示す図、７ｉＳＡ図はこの発明の露光
方法における照度とウェハ回転角度との関係を示した図
で、同図（ａ）は各回の露光を間欠的に行った場合を示
し、同図（ｂ）は各回の露光を連続的に行った場合を示
した図である。 図中。 ウェハ ステージ ステージ駆動系 システムコントローラ ウェハ搬送系 シャッタアクチュエータ シャッタ 減光フィルタアクチュエータ 減光フィルタ ライトガイドファイバ １１：出射端 １２：平面反射鏡 １３：楕円集光鏡 １４ ランプ 代理人 弁理士 １）北 嵩 晴 第 図 （α） 第 図 第 図 第 図
を実施するための露光装置の主要部の概略構成を示す図
、第２図はウェハの裏側へまわり込んだレジストを示す
ウェハの一部断面図、第３図はウェハに露光された回路
パターンの形状を示す図、７ｉＳＡ図はこの発明の露光
方法における照度とウェハ回転角度との関係を示した図
で、同図（ａ）は各回の露光を間欠的に行った場合を示
し、同図（ｂ）は各回の露光を連続的に行った場合を示
した図である。 図中。 ウェハ ステージ ステージ駆動系 システムコントローラ ウェハ搬送系 シャッタアクチュエータ シャッタ 減光フィルタアクチュエータ 減光フィルタ ライトガイドファイバ １１：出射端 １２：平面反射鏡 １３：楕円集光鏡 １４ ランプ 代理人 弁理士 １）北 嵩 晴 第 図 （α） 第 図 第 図 第 図
Claims (2)
- （１）ウェハを回転させながら、ライトガイドファイバ
で導かれた光をウェハ周辺部に照射して露光するウェハ
周辺露光方法において、前記ライトガイドファイバで導
かれた光を照射するにあたり、同一照射領域を２回以上
照射し、かつ第１回目に照射される露光に必要な波長領
域の光の照度は２回目以降に照射される露光に必要な波
長領域の光の照度より弱くすることを特徴とするウェハ
周辺露光方法。 - （２）ウェハを回転させなから、ライトガイドファイバ
で導かれた光をウェハ周辺部に照射して露光するウェハ
周辺露光方法において、前記ライトガイドファイバで導
かれた光を照射するにあたり、同一照射領域を２回以上
照射し、かつ少なくとも第１回目の照射にあたり、ウェ
ハを加熱した状態にして、第１回目に照射される露光に
必要な波長領域の光の照度は２回目以降に照射される露
光に必要な波長領域の光の照度より弱くすることを特徴
とするウェハ周辺露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63238894A JPH0750677B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | ウエハ周辺露光方法 |
| US07/734,077 US5204224A (en) | 1988-09-26 | 1991-07-22 | Method of exposing a peripheral part of a wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63238894A JPH0750677B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | ウエハ周辺露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287518A true JPH0287518A (ja) | 1990-03-28 |
| JPH0750677B2 JPH0750677B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=17036851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63238894A Expired - Fee Related JPH0750677B2 (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | ウエハ周辺露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750677B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383322A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置およびレジスト処理方法 |
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| JPS50766A (ja) * | 1973-05-02 | 1975-01-07 | ||
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| JPS5892221A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板露光装置 |
| JPS58159535A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Nec Corp | 感光性樹脂塗布装置 |
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| JPH0750676A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-02-21 | Fujitsu Ltd | Ａｔｍ交換網におけるノード間試験方式 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63238894A patent/JPH0750677B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0750676A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-02-21 | Fujitsu Ltd | Ａｔｍ交換網におけるノード間試験方式 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383322A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置およびレジスト処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750677B2 (ja) | 1995-05-31 |
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