JPS62101027A - レジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理方法Info
- Publication number
- JPS62101027A JPS62101027A JP60239455A JP23945585A JPS62101027A JP S62101027 A JPS62101027 A JP S62101027A JP 60239455 A JP60239455 A JP 60239455A JP 23945585 A JP23945585 A JP 23945585A JP S62101027 A JPS62101027 A JP S62101027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- emitted
- semiconductor wafer
- shutter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハに塗布されたレジストの処理
方法に係り、特に高圧水銀灯の放射光と真空吸着孔を有
する処理台を用いたレジスト処理方法に関するものであ
る。
方法に係り、特に高圧水銀灯の放射光と真空吸着孔を有
する処理台を用いたレジスト処理方法に関するものであ
る。
半導体素子製造工程において、レジストパターンの形成
は大きく分けるとレジスト塗布、プレベーク、露光、現
像、ポストベークの順に行われる。
は大きく分けるとレジスト塗布、プレベーク、露光、現
像、ポストベークの順に行われる。
この後、このレジストパターンを用いて、イオン注入、
あるいはレジスト塗布前にあらかじめ半導体ウェハ表面
に形成されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミ
ニウム薄膜などのエツチングなどが行われる。これらの
工程の後にレジストが除去される。
あるいはレジスト塗布前にあらかじめ半導体ウェハ表面
に形成されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミ
ニウム薄膜などのエツチングなどが行われる。これらの
工程の後にレジストが除去される。
近年半導体素子の高集積化、微細化などに伴い、レジス
トがより高分解能のものが使われるようになり、この場
合レジストの耐熱性が悪（なる傾向にある。また一方で
は、エツチング時のレジスト劣化（膜ベリなど）が問題
となっている。
トがより高分解能のものが使われるようになり、この場
合レジストの耐熱性が悪（なる傾向にある。また一方で
は、エツチング時のレジスト劣化（膜ベリなど）が問題
となっている。
レジス１−の耐熱性、耐エツチング性を高める方法とし
てポストベークにおいて段階的に温度を上げ充分な時間
加熱処理する方法や現像後、あるいはポストベーク時に
レジストパターンに紫外線を照射する方法が検討されて
いる。しかし前者の方法では十分な耐熱性５耐エツチン
グ性が得られず、また処理時間が大１１に長くなるとい
う欠点がある。
てポストベークにおいて段階的に温度を上げ充分な時間
加熱処理する方法や現像後、あるいはポストベーク時に
レジストパターンに紫外線を照射する方法が検討されて
いる。しかし前者の方法では十分な耐熱性５耐エツチン
グ性が得られず、また処理時間が大１１に長くなるとい
う欠点がある。
後者の方法では低圧水銀灯のように主として紫外線のみ
を発光するランプを用いた場合、強度が弱く、処理時間
がかかり、充分な耐エツチング性が得られないなどの欠
点があった。さらに後者の方法において、より強力な紫
外線を発光する高圧水銀灯のようなランプを用いた場合
は処理時間は短かくなるが全体の放射光の強度が強いた
め、照射時にウェハ温度が上がりすぎて、レジストパタ
ーンが劣化するという欠点があった。
を発光するランプを用いた場合、強度が弱く、処理時間
がかかり、充分な耐エツチング性が得られないなどの欠
点があった。さらに後者の方法において、より強力な紫
外線を発光する高圧水銀灯のようなランプを用いた場合
は処理時間は短かくなるが全体の放射光の強度が強いた
め、照射時にウェハ温度が上がりすぎて、レジストパタ
ーンが劣化するという欠点があった。
このように、従来のレジスト処理方法においては、現像
後、あるいはポストベーク時に紫外線照射により耐熱性
、耐エツチング性の若干の改良を達成することができた
にしても、処理時間が長くなるか、あるいは照射時に半
導体ウェハの温度が上がり、レジストパターンが劣化す
るという問題があった。
後、あるいはポストベーク時に紫外線照射により耐熱性
、耐エツチング性の若干の改良を達成することができた
にしても、処理時間が長くなるか、あるいは照射時に半
導体ウェハの温度が上がり、レジストパターンが劣化す
るという問題があった。
この発明は、こうした問題点に鑑みて、強力な紫外線を
含む高圧水銀灯の放射光の照射にベークを有機的に組み
合わせて、レジスト処理を効果的に行うことを目的とす
るものである。
含む高圧水銀灯の放射光の照射にベークを有機的に組み
合わせて、レジスト処理を効果的に行うことを目的とす
るものである。
この目的を達成するために、この発明では、真空吸着付
ウェハ処理台上で、半導体ウェハに塗布されたレジスト
を、強力な紫外線を含む高圧水銀灯の放射光を照射する
にあたり、半導体ウェハカウエハ処理台上に真空吸着さ
れていない間は、前記放射光の照射によるレジストの昇
温が所定の温度を超えないように減光調光して照射する
。
ウェハ処理台上で、半導体ウェハに塗布されたレジスト
を、強力な紫外線を含む高圧水銀灯の放射光を照射する
にあたり、半導体ウェハカウエハ処理台上に真空吸着さ
れていない間は、前記放射光の照射によるレジストの昇
温が所定の温度を超えないように減光調光して照射する
。
この発明においては、強力な紫外線を含む高圧水銀灯の
放射光の照射によるレジスト処理に、ベータを有機的に
組み合わせること等により、前記放射光照射によるレジ
スト処理に要する時間を短縮し、レジスト処理能力をア
ップすることが可能となる。
放射光の照射によるレジスト処理に、ベータを有機的に
組み合わせること等により、前記放射光照射によるレジ
スト処理に要する時間を短縮し、レジスト処理能力をア
ップすることが可能となる。
さらに詳細に説明すると、この発明は、半導体ウェハが
ウェハ処理台上に真空吸着されていない間は、減光調光
して前記放射光照射することにより、前記放射光照射に
よるレジスト処理を効果的に行うようにしたものである
。即ち、適当な紫外線を含む放射光照射によればレジス
トの耐熱性等が向上するものの、半導体ウェハがウェハ
処理台上に真空チャックされていない状態で、通常の照
射を行うと問題を生ずる。この状態においては、半導体
ウェハとウェハ処理台との間には空気層が生ずるので、
レジストに通常の紫外線を含む放射光を照射すると、レ
ジストは急激に温度上昇するために、レジストの温度制
御は極めて困難となる。
ウェハ処理台上に真空吸着されていない間は、減光調光
して前記放射光照射することにより、前記放射光照射に
よるレジスト処理を効果的に行うようにしたものである
。即ち、適当な紫外線を含む放射光照射によればレジス
トの耐熱性等が向上するものの、半導体ウェハがウェハ
処理台上に真空チャックされていない状態で、通常の照
射を行うと問題を生ずる。この状態においては、半導体
ウェハとウェハ処理台との間には空気層が生ずるので、
レジストに通常の紫外線を含む放射光を照射すると、レ
ジストは急激に温度上昇するために、レジストの温度制
御は極めて困難となる。
もしレジストが過度に温度上昇した場合には、レジスト
を構成するポリマの変質を引き起こし、レジストパター
ンが膨潤したり、レジストの膜減り、レジストのはかれ
等を生じたりする。従って、半導体ウェハがウェハ処理
台上に真空吸着されている間は通常の照射を行い、真空
吸着さねてぃない間は減光調光して放射光照射すること
により、レジストの耐熱性、耐エツチング性を高める紫
外線照射処理を行う、−とができる。
を構成するポリマの変質を引き起こし、レジストパター
ンが膨潤したり、レジストの膜減り、レジストのはかれ
等を生じたりする。従って、半導体ウェハがウェハ処理
台上に真空吸着されている間は通常の照射を行い、真空
吸着さねてぃない間は減光調光して放射光照射すること
により、レジストの耐熱性、耐エツチング性を高める紫
外線照射処理を行う、−とができる。
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の一実施例
を説明するだめのレジスト処理装置である。ウェハ処理
台６は、ヒータリード線１０により加熱され、冷却水孔
１１に冷却水を流がすことにより冷却される。またウェ
ハ処理台６には、真空吸着孔７が付加されており、真空
ポンプにより連通孔８を通じて真空引きすることが可能
である。
を説明するだめのレジスト処理装置である。ウェハ処理
台６は、ヒータリード線１０により加熱され、冷却水孔
１１に冷却水を流がすことにより冷却される。またウェ
ハ処理台６には、真空吸着孔７が付加されており、真空
ポンプにより連通孔８を通じて真空引きすることが可能
である。
照射部は、高圧水銀灯１．凹面ミラー２．シャッター３
から構成されており、高圧水銀灯１の放射光は、凹面ミ
ラー２により、シャッター３を介して、半導体ウェハ５
に塗布されたレジスト４上に照射される。
から構成されており、高圧水銀灯１の放射光は、凹面ミ
ラー２により、シャッター３を介して、半導体ウェハ５
に塗布されたレジスト４上に照射される。
次に、このレジスト処理装置を用いてレジスト処理する
方法について説明する。レジスト４のパターンが形成さ
れた半導体ウェハ５をウェハ処理台６上に載置する。次
に、真空吸着孔７を真空引きすることにより、半導体ウ
ェハ５をウェハ処理台６上に密着させる。半導体ウェハ
５がウェハ処理台６に密着した状態で、シャッター３を
開き、レジスト４に、高圧水銀灯１から発光された放射
光を、シャッター３を経ずに照射する。シャッター３が
閉しられている場合には、レジストの昇温が所定の温度
を越えないように、高圧水銀灯１から発光された放射光
は減光調光される。
方法について説明する。レジスト４のパターンが形成さ
れた半導体ウェハ５をウェハ処理台６上に載置する。次
に、真空吸着孔７を真空引きすることにより、半導体ウ
ェハ５をウェハ処理台６上に密着させる。半導体ウェハ
５がウェハ処理台６に密着した状態で、シャッター３を
開き、レジスト４に、高圧水銀灯１から発光された放射
光を、シャッター３を経ずに照射する。シャッター３が
閉しられている場合には、レジストの昇温が所定の温度
を越えないように、高圧水銀灯１から発光された放射光
は減光調光される。
真空吸着がされている状態で、放射光照射と同時あるい
は放射光照射から所定の時間を置いて、ウェハ処理台６
を加熱する。適当な時間、ウェハ処理台６を加熱したの
ち、加熱を停止（即ちヒータをオフ）すると同時、もし
くは所定の時間経過後に、冷却水１１を流して水冷する
。次に所定の時間、水冷した後、シャッター３を閉じて
、放射光照射を減光調光状態にし、真空吸着を解除する
。
は放射光照射から所定の時間を置いて、ウェハ処理台６
を加熱する。適当な時間、ウェハ処理台６を加熱したの
ち、加熱を停止（即ちヒータをオフ）すると同時、もし
くは所定の時間経過後に、冷却水１１を流して水冷する
。次に所定の時間、水冷した後、シャッター３を閉じて
、放射光照射を減光調光状態にし、真空吸着を解除する
。
このようにして強力な紫外線を含む放射光処理されたレ
ジストの塗布された半導体ウェハ５をウェハ処理台６上
から取り去り、新たな半導体ウェハをウェハ処理台６上
に載置して、以下、同様にレジスト処理を行う。
ジストの塗布された半導体ウェハ５をウェハ処理台６上
から取り去り、新たな半導体ウェハをウェハ処理台６上
に載置して、以下、同様にレジスト処理を行う。
なお、以上の実施例では、シャッターを用いて放射光照
射の調光制御を行ったが、シャッターを用いる代りに、
高圧水銀灯の発光出力を制御することによって放射光照
射の調光制御を行ってもよいことは゛言うまでもない。
射の調光制御を行ったが、シャッターを用いる代りに、
高圧水銀灯の発光出力を制御することによって放射光照
射の調光制御を行ってもよいことは゛言うまでもない。
また、放射光に含まれる紫外線等の波長を選択するため
に、凹面ミラーの外にフィルタを設けることも可能であ
る。
に、凹面ミラーの外にフィルタを設けることも可能であ
る。
また、高圧水銀灯については、適当な波長の紫外線等を
放射するものであればよく、水銀の外に、他の金属をハ
ライド等の形で含んでもよいことは言うまでもない。
放射するものであればよく、水銀の外に、他の金属をハ
ライド等の形で含んでもよいことは言うまでもない。
さらにまた、この実施例においては、放射光照射による
レジストの処理を促進するために、ウェハ処理台を介し
て加熱処理することについて述べたが、ウェハ処理台に
よる加熱処理を含まないものに適用しても、また、ベー
タ処理に放射光照射を付加するレジスト処理に適用して
も多大な効果をあげ得ることは言うまでもない。
レジストの処理を促進するために、ウェハ処理台を介し
て加熱処理することについて述べたが、ウェハ処理台に
よる加熱処理を含まないものに適用しても、また、ベー
タ処理に放射光照射を付加するレジスト処理に適用して
も多大な効果をあげ得ることは言うまでもない。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、放
射光照射によるレジスト処理に、ベータを有機的に組み
合わせることにより、放射光照射によるレジスト処理に
要する時間を短縮できるばかりでなく、レジストの耐熱
性、半導体ウェハとレジストとの密着性を向上でき、ま
た、この発明をベータ処理に適用した場合には、高温で
ベータ処理することが可能となるので、その後の工程に
おけるレジスト膜のいたみを減゛少することができる等
、レジスト処理を効果的に行うことが可能となる。
射光照射によるレジスト処理に、ベータを有機的に組み
合わせることにより、放射光照射によるレジスト処理に
要する時間を短縮できるばかりでなく、レジストの耐熱
性、半導体ウェハとレジストとの密着性を向上でき、ま
た、この発明をベータ処理に適用した場合には、高温で
ベータ処理することが可能となるので、その後の工程に
おけるレジスト膜のいたみを減゛少することができる等
、レジスト処理を効果的に行うことが可能となる。
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の一実施例
を説明するためのレジスト処理装置である。 図中、１：高圧水銀灯 ３：シャッター４＝レジスト
５：半導体ウェハ ６：ウェハ処理台 代理人 弁理士 １） 北 嵩 晴 しジヌト灯頃對艮１１ 第１図
を説明するためのレジスト処理装置である。 図中、１：高圧水銀灯 ３：シャッター４＝レジスト
５：半導体ウェハ ６：ウェハ処理台 代理人 弁理士 １） 北 嵩 晴 しジヌト灯頃對艮１１ 第１図
Claims (1)
- 真空吸着孔付ウェハ処理台上で、半導体ウェハに塗布さ
れたレジストを、高圧水銀灯による放射光で照射するに
あたり、半導体ウェハがウェハ処理台上に真空吸着され
ていない間は、照射によるレジストの昇温が所定の温度
を越えないように高圧水銀灯を減光調光して照射するこ
とを特徴とするレジスト処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60239455A JPS62101027A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | レジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60239455A JPS62101027A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | レジスト処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101027A true JPS62101027A (ja) | 1987-05-11 |
| JPH0515058B2 JPH0515058B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=17045018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60239455A Granted JPS62101027A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | レジスト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62101027A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01168026A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-07-03 | Teru Kyushu Kk | ベーキング装置 |
| JPH02144333A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-06-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板搬送装置 |
| US6361834B1 (en) * | 1999-10-25 | 2002-03-26 | Nec Corporation | Resist film baking method |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP60239455A patent/JPS62101027A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01168026A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-07-03 | Teru Kyushu Kk | ベーキング装置 |
| JPH02144333A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-06-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板搬送装置 |
| US6361834B1 (en) * | 1999-10-25 | 2002-03-26 | Nec Corporation | Resist film baking method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0515058B2 (ja) | 1993-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |