JPH0287583A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
- Publication number
- JPH0287583A JPH0287583A JP63238706A JP23870688A JPH0287583A JP H0287583 A JPH0287583 A JP H0287583A JP 63238706 A JP63238706 A JP 63238706A JP 23870688 A JP23870688 A JP 23870688A JP H0287583 A JPH0287583 A JP H0287583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- channel stopper
- guard ring
- breakdown voltage
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は５ｉ−ＡＰＤ（アバランシェホトダイオード）
に係り１％にガードリング−チャネルストッパ間の間隔
を設定することにより、降伏電圧の不良発生防止に好適
な半導体受光装置に関する。
に係り１％にガードリング−チャネルストッパ間の間隔
を設定することにより、降伏電圧の不良発生防止に好適
な半導体受光装置に関する。
アナログ伝送用かつプレープ構造を有するＳｔ −ＡＰ
Ｄで、リーチスルー増倍率が２〜３で、降伏電［カ１９
０ Ｖ以上２２０ Ｖ以下（１９０Ｖヨ！＋小サクする
と、リーチスルー増倍率が５〜７となυ、アナログ伝送
用には使用子６’Ｊ ）のものを得るには、各層の不純
物濃度、深さ等々をそれに対応するものにしなければな
らない。その中の一つにガードリング−チャネルストッ
パ間があるが、これは１ポイントではなくある下限値を
もっているので、その下限値以上の値の範囲でチップサ
イズ等を考慮したポイントを用いればよい。なおこの種
の装置として関連するものには例えば、特開昭５８−１
７００７８号が挙げられる。
Ｄで、リーチスルー増倍率が２〜３で、降伏電［カ１９
０ Ｖ以上２２０ Ｖ以下（１９０Ｖヨ！＋小サクする
と、リーチスルー増倍率が５〜７となυ、アナログ伝送
用には使用子６’Ｊ ）のものを得るには、各層の不純
物濃度、深さ等々をそれに対応するものにしなければな
らない。その中の一つにガードリング−チャネルストッ
パ間があるが、これは１ポイントではなくある下限値を
もっているので、その下限値以上の値の範囲でチップサ
イズ等を考慮したポイントを用いればよい。なおこの種
の装置として関連するものには例えば、特開昭５８−１
７００７８号が挙げられる。
５ｉ−ＡＰＤが正常に動作するためには、ブレークダウ
ンが受光面部におけるｐ−ｎ接合で起こらなければなら
ない。したがって受光面部での降伏電圧よりもガードリ
ング−チャネルストッパ間での降伏電圧の方が高（なげ
ればならない。アナログ伝送用としては１９０ Ｖ以上
であるから、ガードリング−チャネルストッパ間の降伏
電圧は少な（とも１９０ｖ以上な（すればならない、Ｃ
ＡＤシミエレーシ一ツによりガードリング−チャネルス
トッパ間の降伏電圧を１９０Ｖ以上とするには、π層比
抵抗１００Ω・α以上１間隔２０μｍ以上あれば良いと
いうことは既に報告されており、現在はπ層比抵抗３０
０Ω・α。
ンが受光面部におけるｐ−ｎ接合で起こらなければなら
ない。したがって受光面部での降伏電圧よりもガードリ
ング−チャネルストッパ間での降伏電圧の方が高（なげ
ればならない。アナログ伝送用としては１９０ Ｖ以上
であるから、ガードリング−チャネルストッパ間の降伏
電圧は少な（とも１９０ｖ以上な（すればならない、Ｃ
ＡＤシミエレーシ一ツによりガードリング−チャネルス
トッパ間の降伏電圧を１９０Ｖ以上とするには、π層比
抵抗１００Ω・α以上１間隔２０μｍ以上あれば良いと
いうことは既に報告されており、現在はπ層比抵抗３０
０Ω・α。
ホトマスクは間隔３５μｍのものを使用して製造してい
るが、降伏電圧１６０■のウェーハも出来、アナログ伝
送には使えない。本発明は、ガードリンク−チャネルス
トッパの間隔ｆ４Ｑ１ｒｍ以上とすれば。
るが、降伏電圧１６０■のウェーハも出来、アナログ伝
送には使えない。本発明は、ガードリンク−チャネルス
トッパの間隔ｆ４Ｑ１ｒｍ以上とすれば。
１９０ｖ以下のウェーハが発生する可能性が低減され１
歩留りが向上することにある。
歩留りが向上することにある。
上記目的は、新ホトマスクを作製することにより、達成
される。
される。
受光面部におけるｎ＋ｐ接合面で発生する空乏層が基板
のＰ＋層に到達する前に、ガードリングのｎと基板のπ
層間でのｎｐ接合で発生する空乏層が。
のＰ＋層に到達する前に、ガードリングのｎと基板のπ
層間でのｎｐ接合で発生する空乏層が。
チャネルストツバのｐＫ到遅しないように、ガードリン
グ−チャネルストッパ間の間隔馨４０μｍ以上とするこ
とにより、ＡＰＤとしての機能を有するこ）が出来る。
グ−チャネルストッパ間の間隔馨４０μｍ以上とするこ
とにより、ＡＰＤとしての機能を有するこ）が出来る。
以下１本発明の根拠となるＣＡＤシミュレーシ這ン結果
を第２図に及び一実施例を第３図（ａｔ〜（旬に示す製
作工程図によシ説明する。第２図にガードリング−チャ
ネルストッパ間の間隔と降伏電圧の関係を示す。同図よ
り１間隔が３５μｍ以上では、降伏電圧が飽和している
ことがわかる。第３図（ａｌにおいて６本発明のＳ ｉ
−Ａ Ｐ Ｄはｐ 基板１にπ層２のエピタキシャル
層を、比抵抗３１６Ω・儂にし、酸化膜３を６７０ＯＡ
形成する。次に第３図（ｂｌに示すように酸化膜３をマ
スクを介して塗布し、ＡＰＤの光吸収層分を窓開けした
後に、イオン注入によってボロンを注入量４．６ Ｘ
１０１％ｌ−としてπ層２に注入してその後熱処理して
Ｐ Ｉ４４を形成する。次に第３図（ｃ）に示すように
、暗電流を減少させるためのチャネルストッパ５を形成
する。次に第３図（ｄｌに示すように、エツジブレーク
ダウンを防止するためのガードリングの１層６を形成す
る。この時このガードリングのｎ層とチャネルストッパ
のＰ＋層の澗隔な４０μｍ以上の範囲とする。次に第３
図（ｅ）に示すように１表面保護膜としてのパッジペー
ジ３ン膜７を形成する０次に第３図げ）に示すように受
光面部のｎ層層をイオン注入によってヒ素を注入量１×
１ＯｃＩＩＬ として２層４に注入し、その後熱処理
して１層８を形成する。次に第３図（ｇｌに示すように
、受光面部に反射防止膜としてＳ ｉ０２膜９を１５０
ＯＡ形成する。次に第３図（ｈｌに示すように電極とし
てＡ１１０を形成する。
を第２図に及び一実施例を第３図（ａｔ〜（旬に示す製
作工程図によシ説明する。第２図にガードリング−チャ
ネルストッパ間の間隔と降伏電圧の関係を示す。同図よ
り１間隔が３５μｍ以上では、降伏電圧が飽和している
ことがわかる。第３図（ａｌにおいて６本発明のＳ ｉ
−Ａ Ｐ Ｄはｐ 基板１にπ層２のエピタキシャル
層を、比抵抗３１６Ω・儂にし、酸化膜３を６７０ＯＡ
形成する。次に第３図（ｂｌに示すように酸化膜３をマ
スクを介して塗布し、ＡＰＤの光吸収層分を窓開けした
後に、イオン注入によってボロンを注入量４．６ Ｘ
１０１％ｌ−としてπ層２に注入してその後熱処理して
Ｐ Ｉ４４を形成する。次に第３図（ｃ）に示すように
、暗電流を減少させるためのチャネルストッパ５を形成
する。次に第３図（ｄｌに示すように、エツジブレーク
ダウンを防止するためのガードリングの１層６を形成す
る。この時このガードリングのｎ層とチャネルストッパ
のＰ＋層の澗隔な４０μｍ以上の範囲とする。次に第３
図（ｅ）に示すように１表面保護膜としてのパッジペー
ジ３ン膜７を形成する０次に第３図げ）に示すように受
光面部のｎ層層をイオン注入によってヒ素を注入量１×
１ＯｃＩＩＬ として２層４に注入し、その後熱処理
して１層８を形成する。次に第３図（ｇｌに示すように
、受光面部に反射防止膜としてＳ ｉ０２膜９を１５０
ＯＡ形成する。次に第３図（ｈｌに示すように電極とし
てＡ１１０を形成する。
本発明によれば、ガードリング−チャネルストッパ間隔
を４０μｍ以上とすることによジ、受光面部の降伏電圧
よシ光分高い降伏電圧を得ることが出来るので、降伏電
圧に関する不良発生要因が減り。
を４０μｍ以上とすることによジ、受光面部の降伏電圧
よシ光分高い降伏電圧を得ることが出来るので、降伏電
圧に関する不良発生要因が減り。
歩留りが約２０％程度アップする効果がある。
第１図は本発明の一実施例の５ｉ−ＡＰＤの断面構造図
、第２図はガードリング−チャネルストッパ間隔と降伏
電圧の関係を示すシミーレージ叢ン結果、第３図は第１
図のプロセス工程の各工程における断面構造図で、ちる
。 ５・・・チャネルストッパ ６・・・ガードリング。
、第２図はガードリング−チャネルストッパ間隔と降伏
電圧の関係を示すシミーレージ叢ン結果、第３図は第１
図のプロセス工程の各工程における断面構造図で、ちる
。 ５・・・チャネルストッパ ６・・・ガードリング。
Claims (1)
- １、受光面部のエッジブレークダウンを防止するために
形成されるガードリングと、表面リーク電流を防止する
ために形成されるチャネルストッパ間の間隔を、４０μ
ｍ以上とすることにより、ブレークダウンを受光面部に
おいて行わせることを可能とし、製造マージンを上げる
ことを可能としたことを特徴とする受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63238706A JPH0287583A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63238706A JPH0287583A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287583A true JPH0287583A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17034071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63238706A Pending JPH0287583A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287583A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100353058C (zh) * | 2006-03-03 | 2007-12-05 | 邬志昂 | 一种压缩机气阀 |
| CN115995511A (zh) * | 2023-01-17 | 2023-04-21 | 深圳市灵明光子科技有限公司 | 一种低暗计数率的单光子雪崩二极管器件及其制作方法 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63238706A patent/JPH0287583A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100353058C (zh) * | 2006-03-03 | 2007-12-05 | 邬志昂 | 一种压缩机气阀 |
| CN115995511A (zh) * | 2023-01-17 | 2023-04-21 | 深圳市灵明光子科技有限公司 | 一种低暗计数率的单光子雪崩二极管器件及其制作方法 |
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