JPH0287692A - 半導体光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体光素子に関し、特に半導体レーザの発
振波長の制御方法に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図（ａｌ、　（ｂｌは例えばアブライドフイジツク
スレータズ４８巻、　１７２５頁（１９８６年）に示さ
れた従来の分布帰還（ＤＦＢ）型ツイン・ストライプレ
ーザの端面の構造と、そのＡ−ＡあるいはＢ−Ｂ断面図
を示す。図において、１は上部電極、２はｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰＤンタクト層、３はｐ型！ｎＰクラッド層、４は
ｐ型１　ｎＧａＡｓ　Ｐアンチメルトバック層、５はア
ンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、６はｎ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ導波路層、７はｎ型ＩｎＰ基板、８は下部電極、９は
絶縁層、１０はＦｅドープ半絶縁ｒｎＰうめこみ層であ
る。

次に動作について説明する。

本分布帰還（ＤＦＢ）型レーザの２つの導波路ＡとＢは
、その幅が異なり、そのため有効屈折率ｎ　ｅ　ｆ　ｆ
も異なる値となる。ここで回折格子の周期を八とすると
き発振波長は近似的に λ＝２ｎｅｒｒΔ／ｍ　　（ｍ：整数）で与えられる。

従ってｎ＠ｆｆが異なるので２つの導波路から異なった
波長のレーザ光が得られる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の分布帰還型レーザ装置は以上のように作りつけの
屈折率ガイド型の導波路を有するものであるため、発振
する位置は固定であった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、発振波長と発振位置とを任意に制御できる半
導体光素子を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体光素子は、レーザの導波路を利得
ガイド型とし、複数のストライプ電極を近接させ並べて
設けたものである。

〔作用〕

この発明においては、作りつけの導波路をもたないため
に、電流注入の仕方をかえることにより実効的な導波路
幅を変えることが出来る。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図において３本のストライプ電極をもった分布帰還
型、利得導波レーザを考える。ここで３本の電極１に流
す電流をそれぞれｒｌ、Ｉｚ＋　　ｒｌとする。

これら上部電極１は近接して形成されており、また導波
路は利得導波型であるので、まず中央の電極１に電流■
２を注入してレーザ発振させておき、その左右の電極に
も電流■１や、■、を注入することにより実効的な導波
路幅を変化させることができる。従ってこれにより有効
屈折率や共振器損失を変化させて、発振波長を変化させ
ることが出来る。

この際、発光位置はＩ、−１３とすることによりＩ２電
極の下に、また１１と！、の大きさをかえることにより
、中心から左右にふることができる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、分布帰還型構造の半
導体光素子において、複数の利得導波路を近接して形成
するようにしたので、各電極に流す電流を変えることに
より有効屈折率や内部損失を変化させて、発振波長及び
、発振位置を変えることが出来る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるレーザの端面を示す
図、第２図（ａ）は従来の分布帰還型ツイン・ストライ
プレーザの端面を示す図、第２図（ｂ）はそのＡ−Ａ、
あるいはＢ−Ｂ断面図である。 １は上部電極、２はｐ型１ｎＧａＡｓＰ：２ンタクト層
、３はｐ型ＩｎＰクラッド層、４はｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
アンチメルトバック層、５はアンドープＩｎＧａＡｓＰ
活性層、６はｎ型Ｉ　ｎＧａＡｓＰ導波路層、７はｎ型
ＩｎＰ基板、８は下部電極、９は絶縁層、１０はＦｅド
ープ半絶縁ＩｎＰうめこみ層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）分布帰還型構造で複数の利得導波路を近接して形
   成したレーザダイオードにおいて、 各導波路に注入する電流レベルを変化させることにより
   発振波長を制御するようにしたことを特徴とする半導体
   光素子。