JPH0288788A - 金めっき液 - Google Patents
金めっき液Info
- Publication number
- JPH0288788A JPH0288788A JP23871688A JP23871688A JPH0288788A JP H0288788 A JPH0288788 A JP H0288788A JP 23871688 A JP23871688 A JP 23871688A JP 23871688 A JP23871688 A JP 23871688A JP H0288788 A JPH0288788 A JP H0288788A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- ions
- gold plating
- plating solution
- plating soln
- Prior art date
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- Pending
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は有害なシアンイオンを含まない金めつき液に係
り、特に安定性に優れた金めつき液とこれを用いて製造
する電子部品に関するものである。
り、特に安定性に優れた金めつき液とこれを用いて製造
する電子部品に関するものである。
従来、金めつき液に関しては、金イオンの錯化剤として
有害なシアンイオンを用いる場合がほとんどであった。
有害なシアンイオンを用いる場合がほとんどであった。
かかる金めつき液の重大な欠点の一つは、錯化剤として
用いるシアンイオンが極めて毒性が強く、有害であるこ
とであり、この欠点を除くために、錯化剤を亜硫酸、チ
オ硫酸イオン等のイオウの酸素酸イオンとする金めつき
液が用いられて来たことも周知である。このような非シ
アン系の金めつき液の例はエレクトロケミカルバプリケ
ージ日ン社発行のゴールド ブレーティング テクノロ
ジー 第５２頁〜第５７頁（Ｄ、Ｇ、Ｆｏｕｌｋｅ、Ｇ
ｏｌｄ Ｐｒａｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ｐ５
２−５７゜Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｕｂｌ
ｉｃａｔｉｏｎ （１９７４） ）に多く示されている
。
用いるシアンイオンが極めて毒性が強く、有害であるこ
とであり、この欠点を除くために、錯化剤を亜硫酸、チ
オ硫酸イオン等のイオウの酸素酸イオンとする金めつき
液が用いられて来たことも周知である。このような非シ
アン系の金めつき液の例はエレクトロケミカルバプリケ
ージ日ン社発行のゴールド ブレーティング テクノロ
ジー 第５２頁〜第５７頁（Ｄ、Ｇ、Ｆｏｕｌｋｅ、Ｇ
ｏｌｄ Ｐｒａｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ｐ５
２−５７゜Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｕｂｌ
ｉｃａｔｉｏｎ （１９７４） ）に多く示されている
。
しかし、イオウの酸素酸イオンな錯化剤とする金めつき
液では、錯化剤の熱力学的不安定性に起因する金イオン
の還元分解の対策がなされておらず、シアンイオンを錯
化剤とする金めつき液に比較して、液安定性が著しく劣
る問題があった。
液では、錯化剤の熱力学的不安定性に起因する金イオン
の還元分解の対策がなされておらず、シアンイオンを錯
化剤とする金めつき液に比較して、液安定性が著しく劣
る問題があった。
本発明の目的は、イオウの酸素酸イオンを錯化剤とする
金めつき液において、液安定性を著しく向上する新規な
金めつき液を提供するにある。
金めつき液において、液安定性を著しく向上する新規な
金めつき液を提供するにある。
さらに精密な配線や電極の形成が必須なエレクトロニク
ス分野においては、金めつき液が高価であることに加え
、従来の不安定な金めつき液を用いると著しく歩留りが
低下して製品価格を上昇する問題があった。このため、
本発明の他の目的は、液安定性を著しく向上した新規な
金めつき液を用いることにより、安価でかつ精度良い配
線板や半導体等の電子部品を提供するにある。
ス分野においては、金めつき液が高価であることに加え
、従来の不安定な金めつき液を用いると著しく歩留りが
低下して製品価格を上昇する問題があった。このため、
本発明の他の目的は、液安定性を著しく向上した新規な
金めつき液を用いることにより、安価でかつ精度良い配
線板や半導体等の電子部品を提供するにある。
上記目的を達成するために、次のような金めつき液の組
成とする。すなわち、金（Ｉ）イオンの錯化剤として、
イオウの酸素酸イオンを用いる金めつき液において、芳
香族ニトロ化合物を安定剤として加えるものである。
成とする。すなわち、金（Ｉ）イオンの錯化剤として、
イオウの酸素酸イオンを用いる金めつき液において、芳
香族ニトロ化合物を安定剤として加えるものである。
通常、金めつき液として用いる場合には、金（Ｉ）イオ
ンを１乃至２０ ｔ／ｌに対し、錯化剤を金イオンに対
し、２当量以上加える。ここに錯化剤として用いるイオ
ウの酸素酸イオンは、亜硫酸イオンおよび／又はチオ硫
酸イオンが好んで用いられる。
ンを１乃至２０ ｔ／ｌに対し、錯化剤を金イオンに対
し、２当量以上加える。ここに錯化剤として用いるイオ
ウの酸素酸イオンは、亜硫酸イオンおよび／又はチオ硫
酸イオンが好んで用いられる。
本発明に係る安定剤としての芳香族ニトロ化合物とは、
モノ、ジ、トリニトロ安息香酸、モノ。
モノ、ジ、トリニトロ安息香酸、モノ。
ジニトロサリチル酸、ニトロフタル酸、モノ、ジ。
トリニトロフェノール、ジニトロアミノフェノール、モ
ノ、ジ、トリニトロベンゼン、モノシ、トリニトロナフ
タレン、モノ、ジオトリニトロナフトール、モノ、ジ、
トリニトロレゾルシノール等を代表とするニトロ化合物
もしくはその誘導体を示す、かかるニトロ化合物は、金
めつき液に溶解するため水溶性であることが好ましく、
その配合量は、金めつき液１を当り１ミリモル以上溶解
限度以内とすることが望ましい。
ノ、ジ、トリニトロベンゼン、モノシ、トリニトロナフ
タレン、モノ、ジオトリニトロナフトール、モノ、ジ、
トリニトロレゾルシノール等を代表とするニトロ化合物
もしくはその誘導体を示す、かかるニトロ化合物は、金
めつき液に溶解するため水溶性であることが好ましく、
その配合量は、金めつき液１を当り１ミリモル以上溶解
限度以内とすることが望ましい。
ただし、本発明のニトロ化合物は上記に限定されるもの
ではないことは強調されるべきである。
ではないことは強調されるべきである。
さらに、本発明の金めつき液には、その用途に応じて、
金（Ｉ）イオン、金（Ｉ）イオンの錯化剤、芳香族ニト
ロ化合物の他に、他の成分を含む場合があり、これらも
本発明を何ら制限するものでないことはもちろんである
。
金（Ｉ）イオン、金（Ｉ）イオンの錯化剤、芳香族ニト
ロ化合物の他に、他の成分を含む場合があり、これらも
本発明を何ら制限するものでないことはもちろんである
。
かかる他の成分の例としては、ＰＨ調整剤、ＰＨ援衝剤
、重金属イオンのマスキング剤、電位調整剤、イオン強
度調整剤等を挙げることができ、これらの使用に関して
は当該業者に周知である。
、重金属イオンのマスキング剤、電位調整剤、イオン強
度調整剤等を挙げることができ、これらの使用に関して
は当該業者に周知である。
さらに、金を電気的に析出させる電解めっき液として用
いる場合のみに止まらず、無電的に析出させる無電解め
っき液として用いる場合にも、本発明はさらに有効であ
ることは強調されるべきである。かかる場合には、他の
成分として金（Ｉ）イオンの還元剤を必須成分として含
む必要があり、これに関しても当該業者に周知の還元剤
を用いることができる。
いる場合のみに止まらず、無電的に析出させる無電解め
っき液として用いる場合にも、本発明はさらに有効であ
ることは強調されるべきである。かかる場合には、他の
成分として金（Ｉ）イオンの還元剤を必須成分として含
む必要があり、これに関しても当該業者に周知の還元剤
を用いることができる。
本発明の芳香族ニトロ化合物は、イオウの酸素酸イオン
が分解して生じる、金（Ｉ）イオンを還元する活性な中
間体に作用し、これを不活性化することで、めっき液が
自然に分解するのを防止するものである。かかる作用を
有するため、有害なシアンイオンを含まない金めつき液
で、液安定性を著しく向上することが可能になったので
ある。
が分解して生じる、金（Ｉ）イオンを還元する活性な中
間体に作用し、これを不活性化することで、めっき液が
自然に分解するのを防止するものである。かかる作用を
有するため、有害なシアンイオンを含まない金めつき液
で、液安定性を著しく向上することが可能になったので
ある。
さらに、本発明の金めつき液を用いて半導体等の電子部
品に金めつきを施すと、作業の歩留りが著しく向上する
ため、かかる部品の製造を著しく容易にする。
品に金めつきを施すと、作業の歩留りが著しく向上する
ため、かかる部品の製造を著しく容易にする。
以下に本発明の一実施例を説明する。
実施例１
次の組成の金めつき液をｖＩ４堅し、めっき液の安定性
を調べた。
を調べた。
かかるめっき液はおよそ電流密度０．２乃至１、ＯｍＡ
／−で金を還元析出させることができる。作業温度は５
０乃至７０℃が好ましい。めっき液の不安定性は、めっ
き液が自己分解し、液中で金を還元析出する現象に顕著
に表れる。そこで、本発明に係る芳香族ニトロ化合物の
効果を調べるために、めっき液を６０℃で１００時間加
熱して、液中の金の沈澱の有無を判定した。
／−で金を還元析出させることができる。作業温度は５
０乃至７０℃が好ましい。めっき液の不安定性は、めっ
き液が自己分解し、液中で金を還元析出する現象に顕著
に表れる。そこで、本発明に係る芳香族ニトロ化合物の
効果を調べるために、めっき液を６０℃で１００時間加
熱して、液中の金の沈澱の有無を判定した。
この結果、第１図に示すように、芳香族ニトロ化合物を
含まない場合には、１００時間の放置で金めつき液が分
解し、金の沈澱を生じてしまうのに対し、本発明に係る
芳香族ニトロ化合物を含んだめっき液では沈澱を生じる
ことが全くなかった。
含まない場合には、１００時間の放置で金めつき液が分
解し、金の沈澱を生じてしまうのに対し、本発明に係る
芳香族ニトロ化合物を含んだめっき液では沈澱を生じる
ことが全くなかった。
かかる結果より、芳香族ニトロ化合物の分解抑制効果が
著しいものであることがわかった。
著しいものであることがわかった。
さらに、亜硫酸イオンな錯化剤とする金めつき液に止ま
らず、他のイオウの酸素酸イオンとしてチオ硫酸イオン
もしくは亜硫酸イオンとチオ硫酸イオンの混合物などを
錯化剤として用いる場合においても、芳香族ニトロ化合
物の顕著な効果は、全くかわらないこともわかった。
らず、他のイオウの酸素酸イオンとしてチオ硫酸イオン
もしくは亜硫酸イオンとチオ硫酸イオンの混合物などを
錯化剤として用いる場合においても、芳香族ニトロ化合
物の顕著な効果は、全くかわらないこともわかった。
実施例２
本発明の金めつき液を用いて、第２図に示すように半導
体に微細な突起電極１を形成した。かかる電極形成法は
当該業者には周知の方法であり、前工程を経たシリコン
ウェハ２の全面にバリア金属膜３を形成した後、所定部
を７オトレジスト（図示しない）でマスキングする。次
でこのウェハに、本発明の金めつき液を用いて２５μｍ
厚の金めつきを施した後、レジストを除去し、不要なバ
リア金属６を溶解して突起電極１を形成した。かかる突
起電極１は、パシベーション層４で保護されたアルミ配
線５の所定部に設けられ、外部回路との接続に利用され
ることも当該業者には周知である。
体に微細な突起電極１を形成した。かかる電極形成法は
当該業者には周知の方法であり、前工程を経たシリコン
ウェハ２の全面にバリア金属膜３を形成した後、所定部
を７オトレジスト（図示しない）でマスキングする。次
でこのウェハに、本発明の金めつき液を用いて２５μｍ
厚の金めつきを施した後、レジストを除去し、不要なバ
リア金属６を溶解して突起電極１を形成した。かかる突
起電極１は、パシベーション層４で保護されたアルミ配
線５の所定部に設けられ、外部回路との接続に利用され
ることも当該業者には周知である。
かかる突起電極形成においては、電極の寸法が小になれ
ばなるほど本発明の金めつき液はその著しい液安定性に
より、極めて良好な生産性を発揮することがわかった。
ばなるほど本発明の金めつき液はその著しい液安定性に
より、極めて良好な生産性を発揮することがわかった。
その最も好ましい電極寸法はおよそ８０μｍ以下である
。
。
本発明によれば、無害でかつ安定性に優れた金めつき液
を工業的に利用できるようになり、その経済効果には測
り知れないものがある。
を工業的に利用できるようになり、その経済効果には測
り知れないものがある。
第１図は本発明の一実施例の効果を示す表示図、第２図
は本発明の金めつき液を用いて形成した、半導体装置の
突起電極部分の断面図である。 １・・・突起電極、２・・・シリコンウェハ、３・・・
ドリア金属層、４・・・パシベーション層、５・・・ア
ルミ配線。
は本発明の金めつき液を用いて形成した、半導体装置の
突起電極部分の断面図である。 １・・・突起電極、２・・・シリコンウェハ、３・・・
ドリア金属層、４・・・パシベーション層、５・・・ア
ルミ配線。
Claims (1)
- １、金（Ｉ）イオン、イオウの酸素酸イオンを必須成分
とする金めっき液において、芳香族ニトロ化合物を含ん
でなることを特徴とする金めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23871688A JPH0288788A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 金めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23871688A JPH0288788A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 金めっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288788A true JPH0288788A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17034206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23871688A Pending JPH0288788A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 金めっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0288788A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010024099A1 (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 硬質金系めっき液 |
| JP2011012314A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Ne Chemcat Corp | 電極形成用金めっき浴及びそれを用いた電極形成方法 |
| JP2014139348A (ja) * | 2008-08-25 | 2014-07-31 | Electroplating Eng Of Japan Co | 硬質金系めっき液 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP23871688A patent/JPH0288788A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010024099A1 (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 硬質金系めっき液 |
| JP2010077527A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-04-08 | Electroplating Eng Of Japan Co | 硬質金系めっき液 |
| JP2014139348A (ja) * | 2008-08-25 | 2014-07-31 | Electroplating Eng Of Japan Co | 硬質金系めっき液 |
| JP2011012314A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-20 | Ne Chemcat Corp | 電極形成用金めっき浴及びそれを用いた電極形成方法 |
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