JPH0290656A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0290656A JPH0290656A JP63243205A JP24320588A JPH0290656A JP H0290656 A JPH0290656 A JP H0290656A JP 63243205 A JP63243205 A JP 63243205A JP 24320588 A JP24320588 A JP 24320588A JP H0290656 A JPH0290656 A JP H0290656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- component
- semiconductor device
- molded
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体素子を樹脂でモールドした半導体装置
に関するものである。
に関するものである。
第４図は従来の半導体装置の組立中の状態を示す平面図
、第５図はその側面図であり、フルモールド形トライア
ックの場合を示す、これらの図において、（１）は金属
製のリードフレームで、図示のものが図において上下に
何個かつながって一連のものになっている。（２八＞、
（２Ｂ＞はリードフレーム（１１の両側端部に形成さ
れた一対の辺、（３）は辺（２Ａ）からリードフレーム
（１）の中心方向に伸びた２本の支持腕、＜４Ａ） 、
（４Ｂ） 、 ＜４Ｃ）は辺（２Ｂ）からリードフレ
ームｆ１．ｌの中心方向に伸びたリード、（５）は支持
腕（３）とリード（４Ｂ）の間に設けられてこれらに支
持された素子装着部、（６）は素子装着部（９に形成さ
れた丸穴、（７）は素子装着部（５１に装着された半導
体素子、（８八＞、 （８［１）はそれぞれリード（４
Ａ） 、 （４Ｃ）の端部に設けられたワイヤボンド部
、（９）は半導体素子（２）とワイヤボンド部（８Ａ）
、 （８１１）を接続するワイヤ、０〔はリード（４
Ａ）〜（４Ｃ）を機械的に連結するタイバー（１１）は
半導体素子口、素子装着部［５１、ワイヤ（９）。
、第５図はその側面図であり、フルモールド形トライア
ックの場合を示す、これらの図において、（１）は金属
製のリードフレームで、図示のものが図において上下に
何個かつながって一連のものになっている。（２八＞、
（２Ｂ＞はリードフレーム（１１の両側端部に形成さ
れた一対の辺、（３）は辺（２Ａ）からリードフレーム
（１）の中心方向に伸びた２本の支持腕、＜４Ａ） 、
（４Ｂ） 、 ＜４Ｃ）は辺（２Ｂ）からリードフレ
ームｆ１．ｌの中心方向に伸びたリード、（５）は支持
腕（３）とリード（４Ｂ）の間に設けられてこれらに支
持された素子装着部、（６）は素子装着部（９に形成さ
れた丸穴、（７）は素子装着部（５１に装着された半導
体素子、（８八＞、 （８［１）はそれぞれリード（４
Ａ） 、 （４Ｃ）の端部に設けられたワイヤボンド部
、（９）は半導体素子（２）とワイヤボンド部（８Ａ）
、 （８１１）を接続するワイヤ、０〔はリード（４
Ａ）〜（４Ｃ）を機械的に連結するタイバー（１１）は
半導体素子口、素子装着部［５１、ワイヤ（９）。
ワイヤボンド部（８Ａ）、 （８Ｂ）を封止するようモ
ールドした第１の樹脂、（１２）は丸穴（６１のところ
で第１の樹脂（１１）に形成された取付穴、（１３）は
第１の樹脂（１１）に形成された取付面で、半導体装置
が他の装置（図示せず）に組込まれて使用されるときに
は、取付面（１３）を相手側に密着させ、取付穴（１２
）にねじ（図示せず）を通してこれで取付ける。
ールドした第１の樹脂、（１２）は丸穴（６１のところ
で第１の樹脂（１１）に形成された取付穴、（１３）は
第１の樹脂（１１）に形成された取付面で、半導体装置
が他の装置（図示せず）に組込まれて使用されるときに
は、取付面（１３）を相手側に密着させ、取付穴（１２
）にねじ（図示せず）を通してこれで取付ける。
このような半導体装置の製造方法について説明する。ま
ず、リードフレーム（１）の素子装着部（９に半導体素
子（７）を装着し、ワイヤ（９）で半導体素子ｍとワイ
ヤボンド部（８Ａ）、 （８［１）とをそれぞれ接続す
る９次に、これらを型（図示せず）にセットして、トラ
ンスファモールド法により第１の樹脂（１１）でこれら
をモールドする。素子装着部＋５１は支持腕（３）とリ
ード（４Ａ）〜（４Ｃ）により、両側から支持されてい
るので位置のばらつきは少なく、精度良くモールドされ
る。モールドが終われば支持腕（３）、辺（２Ａ）が切
断除去される。支持腕（３）を除去した跡は第１の樹脂
（１１）に穴がおいて素子装着部（Ｉｌｌｌｌの一部が
露出し、絶縁性能が低下するので、これを防止するため
、第６図の完成後の半導体装置の平面図に示すように、
ボッティングにより第２の樹脂（１４）で上記穴をふさ
ぐ、続いて、タイバーＱω、辺（２Ｂ）が切断除去され
、第６図に示すように完成する。リード（４Ａ）〜（４
Ｃ）は全て第１の樹脂の１つの側面（１５）から引き出
され、３本はそれぞれＴｌ。
ず、リードフレーム（１）の素子装着部（９に半導体素
子（７）を装着し、ワイヤ（９）で半導体素子ｍとワイ
ヤボンド部（８Ａ）、 （８［１）とをそれぞれ接続す
る９次に、これらを型（図示せず）にセットして、トラ
ンスファモールド法により第１の樹脂（１１）でこれら
をモールドする。素子装着部＋５１は支持腕（３）とリ
ード（４Ａ）〜（４Ｃ）により、両側から支持されてい
るので位置のばらつきは少なく、精度良くモールドされ
る。モールドが終われば支持腕（３）、辺（２Ａ）が切
断除去される。支持腕（３）を除去した跡は第１の樹脂
（１１）に穴がおいて素子装着部（Ｉｌｌｌｌの一部が
露出し、絶縁性能が低下するので、これを防止するため
、第６図の完成後の半導体装置の平面図に示すように、
ボッティングにより第２の樹脂（１４）で上記穴をふさ
ぐ、続いて、タイバーＱω、辺（２Ｂ）が切断除去され
、第６図に示すように完成する。リード（４Ａ）〜（４
Ｃ）は全て第１の樹脂の１つの側面（１５）から引き出
され、３本はそれぞれＴｌ。
Ｔ２．ゲート用リードとして外部へ接続するために使用
される。
される。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
モールドした樹脂にできる、リードフレームの支持腕を
切断除去した跡の穴をポツティングにより樹脂でふさが
ねばならず、樹脂処理の工程が２回必要となり、また、
支持腕の切断も必要となる。更に、このボッティング時
に上記穴にあった空気が気泡になって表面に出て来た形
で硬１ヒしたり、また、その樹脂が硬化するまでに取付
面側に垂れて、半導体装置を他の装置に組込んで取付け
たときに取付面が相手側に密着せず、半導体装置の熱が
放散されにくくなることがあるなどの問題点があった。
モールドした樹脂にできる、リードフレームの支持腕を
切断除去した跡の穴をポツティングにより樹脂でふさが
ねばならず、樹脂処理の工程が２回必要となり、また、
支持腕の切断も必要となる。更に、このボッティング時
に上記穴にあった空気が気泡になって表面に出て来た形
で硬１ヒしたり、また、その樹脂が硬化するまでに取付
面側に垂れて、半導体装置を他の装置に組込んで取付け
たときに取付面が相手側に密着せず、半導体装置の熱が
放散されにくくなることがあるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、樹脂処理が１回で済み、支持腕の切断も不要
で、かつ、樹脂の表面の気泡や垂れがない半導体装置を
得ることを目的とする。
たもので、樹脂処理が１回で済み、支持腕の切断も不要
で、かつ、樹脂の表面の気泡や垂れがない半導体装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、半導体素子、素子装着部
とこれらを支持する支持部品を樹脂でモールドすると共
に、上記支持部品を樹脂の表面に達するように設けたも
のである。
とこれらを支持する支持部品を樹脂でモールドすると共
に、上記支持部品を樹脂の表面に達するように設けたも
のである。
この発明における半導体装置は、モールド時に素子装着
部が支持部品により型内に支持されるので、リードフレ
ームの支持腕が不要で、従って、当然、支持腕除去跡の
穴をふさぐ樹脂のボッティングも不要となる。
部が支持部品により型内に支持されるので、リードフレ
ームの支持腕が不要で、従って、当然、支持腕除去跡の
穴をふさぐ樹脂のボッティングも不要となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例による半導体装置の組立中の状
態を示す平面図、第２図はその側面図であり、第４図、
第５図の従来例同様、フルモールド型！・ライアックの
場合を示す、これらの図において、（１）はリードフレ
ーム、（２）はリードフレーム（１）の−側端に形成さ
れた辺、（４Ａ）、 （４Ｂ）。
図はこの発明の一実施例による半導体装置の組立中の状
態を示す平面図、第２図はその側面図であり、第４図、
第５図の従来例同様、フルモールド型！・ライアックの
場合を示す、これらの図において、（１）はリードフレ
ーム、（２）はリードフレーム（１）の−側端に形成さ
れた辺、（４Ａ）、 （４Ｂ）。
（４Ｃ）は辺（２１からリードフレーム（１）の中心方
向に伸ぴたり一部、（５）はリード（４Ｂ）の辺（２１
とは反対側の端部に設けられた素子装着部、以下、ｆ６
１．（７１゜（８八） 、 （８１１）、 （９１〜（
１１）、 （１３）は第４図、第５図の従来例と同様で
あるので、これらの説明は省略する。
向に伸ぴたり一部、（５）はリード（４Ｂ）の辺（２１
とは反対側の端部に設けられた素子装着部、以下、ｆ６
１．（７１゜（８八） 、 （８１１）、 （９１〜（
１１）、 （１３）は第４図、第５図の従来例と同様で
あるので、これらの説明は省略する。
但し、（１１）は従来例では第１の樹脂であったが、こ
の実施例では樹脂と称する。 （１６）は絶縁物製の支
持部品であり、円筒（１７）の一端につげ（１８）が付
いた形で、円筒（１７）の部分が素子装着部（四の丸穴
（６）に丁度嵌合する直径になっている。 （１２）は
取付穴で支持部品（１６）の中空部で形成されている。
の実施例では樹脂と称する。 （１６）は絶縁物製の支
持部品であり、円筒（１７）の一端につげ（１８）が付
いた形で、円筒（１７）の部分が素子装着部（四の丸穴
（６）に丁度嵌合する直径になっている。 （１２）は
取付穴で支持部品（１６）の中空部で形成されている。
次に、上記の半導体装置の製造方法について説明する。
まず、従来例と同様に素子装着部［５１に半導体素子（
７）を装着し、ワイヤ（９）で半導体素子（７）とワイ
ヤボンド部（ＦＩＡ）、 （８Ｂ）を接続すると共に、
支持部品（１６）を素子装着部（５）の丸穴（６）に嵌
合させる。
７）を装着し、ワイヤ（９）で半導体素子（７）とワイ
ヤボンド部（ＦＩＡ）、 （８Ｂ）を接続すると共に、
支持部品（１６）を素子装着部（５）の丸穴（６）に嵌
合させる。
支持部品（１６）は丸穴（６）に丁度嵌合する直径であ
るのでそこから脱落せず、１や振力により保持される。
るのでそこから脱落せず、１や振力により保持される。
次に、これらを型（図示せず）にセットする。この時、
支持部品（１６）の軸方向の両端（１９）はそれぞれ丁
度上型と下型（共に図示せず）に達してこれらに当接す
る寸法になっており、素子装着部（５′Ｉはこの支持部
品（１６）とリード（４Ｂ）により型（図示せず）の中
に支持されるので位置のばらつきは少ない。この状態で
トランスファモールド法により、樹脂（１１）でこれら
をモールドする。支持部品（Ｉ６）の両端（１９）は型
（図示せず）に当接しているので、モールドされたとき
、樹脂（ＩＩ）の取付面（１３）およびその反対側の表
面（２０）に達する。続いて、タイバー（１０）、辺（
ａを切断除去して、半導体装置が完成する。従来例のよ
うな支持腕がないので、これの除去跡をふさぐための樹
脂のボッティングは必要ない。
支持部品（１６）の軸方向の両端（１９）はそれぞれ丁
度上型と下型（共に図示せず）に達してこれらに当接す
る寸法になっており、素子装着部（５′Ｉはこの支持部
品（１６）とリード（４Ｂ）により型（図示せず）の中
に支持されるので位置のばらつきは少ない。この状態で
トランスファモールド法により、樹脂（１１）でこれら
をモールドする。支持部品（Ｉ６）の両端（１９）は型
（図示せず）に当接しているので、モールドされたとき
、樹脂（ＩＩ）の取付面（１３）およびその反対側の表
面（２０）に達する。続いて、タイバー（１０）、辺（
ａを切断除去して、半導体装置が完成する。従来例のよ
うな支持腕がないので、これの除去跡をふさぐための樹
脂のボッティングは必要ない。
第３図はこの発明の他の実施例による半導体装置の組立
中の状態を示す側面図で、支持部品（１６）として円筒
（１７）の外面側に段部（２１）を付けたものを用いる
ことにより、樹脂（１１）と支持部品（１６）の界面に
おける沿面距離を延ばして絶縁性能を向上させると共に
、モールド後の樹脂（１１）と支持部品（１６）の間の
固着力を強化している。
中の状態を示す側面図で、支持部品（１６）として円筒
（１７）の外面側に段部（２１）を付けたものを用いる
ことにより、樹脂（１１）と支持部品（１６）の界面に
おける沿面距離を延ばして絶縁性能を向上させると共に
、モールド後の樹脂（１１）と支持部品（１６）の間の
固着力を強化している。
なお、上記実施例では支持部品（１６）を摩擦力により
素子装着部（（５）に保持するようにしたが、接着剤で
保持するようにしてもよいし、または、つば（１８）や
段部（２１）を第２図、第３図において素子装着部（５
１より上方に設けるか若しくはモールド時に第２図、第
３図とは上下反対にすることにより、支持部品（１６）
を素子装着部（５１に引っ掛けるようにしてもよい、更
に、フルモード型トライアックについて説明したが、Ｍ
ＯＳ ＦＥＴなど他の半導体装置にも適用できる。
素子装着部（（５）に保持するようにしたが、接着剤で
保持するようにしてもよいし、または、つば（１８）や
段部（２１）を第２図、第３図において素子装着部（５
１より上方に設けるか若しくはモールド時に第２図、第
３図とは上下反対にすることにより、支持部品（１６）
を素子装着部（５１に引っ掛けるようにしてもよい、更
に、フルモード型トライアックについて説明したが、Ｍ
ＯＳ ＦＥＴなど他の半導体装置にも適用できる。
以上のように、この発明によれば、支持部品を用いてモ
ールド時に素子装着部を型内に支持するようにしたので
、支持腕が不要で、従って、支持腕除去跡をふさぐ樹脂
のボッティングも不要となり、そのため、樹脂処理がモ
ールドだけの１回で済み、支持腕の切断も不要で、かつ
、樹脂の表面の気泡や垂れがない半導体装置が得られる
効果がある。
ールド時に素子装着部を型内に支持するようにしたので
、支持腕が不要で、従って、支持腕除去跡をふさぐ樹脂
のボッティングも不要となり、そのため、樹脂処理がモ
ールドだけの１回で済み、支持腕の切断も不要で、かつ
、樹脂の表面の気泡や垂れがない半導体装置が得られる
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の組立中
の状態を示す平面図、第２図はその側面図、第３図はこ
の発明の他の実施例による半導体装置の組立中の状態を
示す側面図、第４図は従来の半導体装置の組立中の状態
を示す平面図、第５図はその側面図、第６図は第４図、
第５図の半導体装置の完成後の平面図である。 図において、（４Ａ）〜（４Ｃ）はリード、（９は素子
装着部、（７）は半導体素子、（１１１は樹脂、（１５
）は樹脂の１つの側面、（Ｉ６）は支持部品、（２０）
は樹脂の表面である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 第２図 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 第３図
の状態を示す平面図、第２図はその側面図、第３図はこ
の発明の他の実施例による半導体装置の組立中の状態を
示す側面図、第４図は従来の半導体装置の組立中の状態
を示す平面図、第５図はその側面図、第６図は第４図、
第５図の半導体装置の完成後の平面図である。 図において、（４Ａ）〜（４Ｃ）はリード、（９は素子
装着部、（７）は半導体素子、（１１１は樹脂、（１５
）は樹脂の１つの側面、（Ｉ６）は支持部品、（２０）
は樹脂の表面である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 第２図 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 第３図
Claims (1)
- 半導体素子、この半導体素子を装着する素子装着部、上
記半導体素子を外部へ接続するためのリードを備えたも
のにおいて、上記半導体素子、素子装着部、これらを支
持する絶縁物の支持部品および上記リードを樹脂でモー
ルドすると共に、全ての上記リードを上記樹脂の１つの
側面から引き出し、かつ、上記支持部品を上記樹脂の表
面に達するように設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243205A JPH0290656A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243205A JPH0290656A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290656A true JPH0290656A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17100394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63243205A Pending JPH0290656A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290656A (ja) |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP63243205A patent/JPH0290656A/ja active Pending
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