JPS5856979B2 - リ−ド線の気密封止方法 - Google Patents
リ−ド線の気密封止方法Info
- Publication number
- JPS5856979B2 JPS5856979B2 JP57086637A JP8663782A JPS5856979B2 JP S5856979 B2 JPS5856979 B2 JP S5856979B2 JP 57086637 A JP57086637 A JP 57086637A JP 8663782 A JP8663782 A JP 8663782A JP S5856979 B2 JPS5856979 B2 JP S5856979B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- glass
- lead frame
- pellet
- wires
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリード線の気密封止方法、特に半導体集積回路
装置の製造における気密封止方法に関する。
装置の製造における気密封止方法に関する。
周知のように、デュアルインライン形のガラス封止半導
体装置は樹脂封止半導体装置に較べ耐温性(気密性)が
よく、半導体装置の信頼性も優れている。
体装置は樹脂封止半導体装置に較べ耐温性(気密性)が
よく、半導体装置の信頼性も優れている。
しかし、このガラス封止半導体装置においてはリード線
はガラスで支持されているため、リード線に外力が加わ
ったりすると、脆弱なガラスは簡単にクラックが入るこ
とがある。
はガラスで支持されているため、リード線に外力が加わ
ったりすると、脆弱なガラスは簡単にクラックが入るこ
とがある。
この結果、半導体装置は気密性が悪くなり、信頼性が低
下する。
下する。
したがって、半導体装置の製造工程にあっては、ガラス
封止時点であらかじめリード線の所定部を折り曲げたリ
ード、あるいはリードフレームを用いている。
封止時点であらかじめリード線の所定部を折り曲げたリ
ード、あるいはリードフレームを用いている。
しかし、このように曲折したリードフレームでは剛性が
ないので外力が加わると簡単に歪む欠点がある。
ないので外力が加わると簡単に歪む欠点がある。
したがって、セラミックベースを加熱しガラスを軟化さ
せたのち、リードフレームおよび半導体ペレット(ペレ
ット)をガラスの中に埋め込む組立工程においても、リ
ードフレームの歪みによりペレットとリードフレームの
各リード線との位置関係が狂うことも多々ある。
せたのち、リードフレームおよび半導体ペレット(ペレ
ット)をガラスの中に埋め込む組立工程においても、リ
ードフレームの歪みによりペレットとリードフレームの
各リード線との位置関係が狂うことも多々ある。
このため、ペレットの電極部とリードとの間をワイヤで
繋ぐワイヤボンディング作業を自動化(機械化)した場
合、適正な電極位置あるいはリード位置にワイヤが固定
されず、所望のワイヤボンディングが行なえない欠点が
ある。
繋ぐワイヤボンディング作業を自動化(機械化)した場
合、適正な電極位置あるいはリード位置にワイヤが固定
されず、所望のワイヤボンディングが行なえない欠点が
ある。
したがって、本発明の目的は剛性のある板状(フラット
)なリードフレームを用いることにより、ペレットとリ
ードとの相対位置精度を向上させるとともに、自動ワイ
ヤボンディング作業の歩留を向上させることにある。
)なリードフレームを用いることにより、ペレットとリ
ードとの相対位置精度を向上させるとともに、自動ワイ
ヤボンディング作業の歩留を向上させることにある。
また、本発明の他の目的は気密性の良い半導体装置を提
供することにある。
供することにある。
このような目的を達成するための本発明の要旨は、非結
晶性ガラスを凝固させてリード線を気密封止する方法に
おいて、前記非結晶性ガラスの軟化温度領域でリード線
を仮封止する工程と、前記リード線に外力を加えて成形
処理する工程と、前記非結晶性ガラスを再度軟化させて
気密封止を行なう工程とを備えることを特徴とするリー
ド線の気密封止方法にある。
晶性ガラスを凝固させてリード線を気密封止する方法に
おいて、前記非結晶性ガラスの軟化温度領域でリード線
を仮封止する工程と、前記リード線に外力を加えて成形
処理する工程と、前記非結晶性ガラスを再度軟化させて
気密封止を行なう工程とを備えることを特徴とするリー
ド線の気密封止方法にある。
以下実施例°により本発明の詳細な説明する。
第1図aないしdは本発明のリード線のガラス気密封止
方法の一実施例を示す。
方法の一実施例を示す。
同図aに示すようなセラミックからなるベース1を用意
する。
する。
このベース1の上面には非結晶性でかつ低融点からなる
ガラス層2が設けられている。
ガラス層2が設けられている。
このベース1を窒素雰囲気中において440℃前後に加
熱し前記ガラス層2を溶かす。
熱し前記ガラス層2を溶かす。
そして、b図のように、ガラス層2上にフラットなリー
ドフレーム3を載置するとともに、このリードフレーム
3を基準にしてベース1の中央に溶融したガラス層2を
介して半導体素子(ペレット)4を取り付ける。
ドフレーム3を載置するとともに、このリードフレーム
3を基準にしてベース1の中央に溶融したガラス層2を
介して半導体素子(ペレット)4を取り付ける。
その後、常温まで冷却したのち、ペレット4の電極部と
これに対応するリード5との間をアルミニウムからなる
細いワイヤ6で繋ぐ。
これに対応するリード5との間をアルミニウムからなる
細いワイヤ6で繋ぐ。
つぎに、0図で示すように、セラミックからなるキャッ
プ7をペレット4.ワイヤ6およびリード5のボンディ
ング部上に被せ、これを再び窒素雰囲気中でガラスの軟
化温度領域(たとえば440℃)にまで加熱し、キャッ
プ7の下面外周縁に沿って設けられた非結晶性のガラス
層8および前記ベース1のガラス層2によって仮の気密
封止を行なう。
プ7をペレット4.ワイヤ6およびリード5のボンディ
ング部上に被せ、これを再び窒素雰囲気中でガラスの軟
化温度領域(たとえば440℃)にまで加熱し、キャッ
プ7の下面外周縁に沿って設けられた非結晶性のガラス
層8および前記ベース1のガラス層2によって仮の気密
封止を行なう。
その後、リードフレーム3の各リード5を繋ぐ外枠部9
を切断分離し各リード5を電気的に独立させるとともに
、d図で示すように、リード5を所定位置で折り曲げ、
デュアルインライン形の半導体装置10を得る。
を切断分離し各リード5を電気的に独立させるとともに
、d図で示すように、リード5を所定位置で折り曲げ、
デュアルインライン形の半導体装置10を得る。
さらに、この半導体装置10を再び窒素雰囲気中にさら
しながらガラスの軟化温度領域に加熱し、前工程で発生
したガラス層内のクラックを除去させる。
しながらガラスの軟化温度領域に加熱し、前工程で発生
したガラス層内のクラックを除去させる。
なお、フラットなリードフレーム3としては第2図で示
すようなものを使用する。
すようなものを使用する。
すなわち、このリードフレーム3は14本のり一ド5と
、これらリード5を繋ぐ外枠部9とによって単位ブロッ
ク11を形成し、各ブロック11は連結体12で繋がっ
ている。
、これらリード5を繋ぐ外枠部9とによって単位ブロッ
ク11を形成し、各ブロック11は連結体12で繋がっ
ている。
また、この連結体12の中央部にはガイド孔13が設け
られている。
られている。
このガイド孔13はリードフレーム3の移送あるいはリ
ードフレーム3を所定の位置にセットする際のガイドと
して用いられるようになっている。
ードフレーム3を所定の位置にセットする際のガイドと
して用いられるようになっている。
また、リードフレームは半導体素子を取り付けるタブを
支持するタブリードを中央に有するようなリードフレー
ムを用いてもよい。
支持するタブリードを中央に有するようなリードフレー
ムを用いてもよい。
さらに各リード間を繋ぐ補強片を有するリードフレーム
であってもよい。
であってもよい。
このような実施例によれは、フラットなリードフレーム
を用いているが、このフラットなリードフレームにおい
ては平面方向の剛性が従来の折り曲げられたリードフレ
ームに較べて太きい。
を用いているが、このフラットなリードフレームにおい
ては平面方向の剛性が従来の折り曲げられたリードフレ
ームに較べて太きい。
したがって、リードフレームの移送あるいは位置決めな
どにおいても簡単に変形しない。
どにおいても簡単に変形しない。
このためリードツレ−ムラ基準にして、ベース・\のペ
レット取り付けを行なっても、従来に比較して遥かに正
確に所定位置に取り付けることができる。
レット取り付けを行なっても、従来に比較して遥かに正
確に所定位置に取り付けることができる。
そして、ペレットとリードとの関係位置精度が高いこと
から、ワイヤボンディング作業においてシーケンシャル
な動きにより自動的に各点を繋ぶ自動ワイヤボンダーの
利用も効果的となり、作業性を高めることができる。
から、ワイヤボンディング作業においてシーケンシャル
な動きにより自動的に各点を繋ぶ自動ワイヤボンダーの
利用も効果的となり、作業性を高めることができる。
また、この実施例においては、不要なリード部分の切断
除去および折り曲げ後に再び加熱し、ベースとキャップ
との間の接続ガラス層を溶融する。
除去および折り曲げ後に再び加熱し、ベースとキャップ
との間の接続ガラス層を溶融する。
したかって、折り曲げ、切断時にリードに作用した外力
によってガラス層内に発生したクラックや歪みは消滅す
る。
によってガラス層内に発生したクラックや歪みは消滅す
る。
このため、フラットなリードフレームを用いて組立を行
なっても気密性に問題がない。
なっても気密性に問題がない。
以上のように、本発明のリード線のガラス気密封止方法
によれば、ガラスの仮封止後にガラス層内にクラックや
歪が発生しても、再度前記のガラス層を溶融固化するこ
とから気密封止が行なえる。
によれば、ガラスの仮封止後にガラス層内にクラックや
歪が発生しても、再度前記のガラス層を溶融固化するこ
とから気密封止が行なえる。
また、剛性のあるフラットなリードフレームを用いてデ
ュアルインライン形の半導体装置を製造することができ
るので、その取り扱い上京に各部の位置関係を正確に保
つことができる。
ュアルインライン形の半導体装置を製造することができ
るので、その取り扱い上京に各部の位置関係を正確に保
つことができる。
このようなことから、シーケンシャルなワイヤボンディ
ング等の組立の自動化が図れ、作業性を向上させること
ができる。
ング等の組立の自動化が図れ、作業性を向上させること
ができる。
第1図aないしdは本発明のリード線の気密封止方法に
よる一実施例を示す工程図、第2図はリードフレームの
形状を示す斜視図である。 1・・・ベース、2・・・ガラス層、3・・・リードフ
レーム、4・・・半導体素子(ペレット)、5・・・リ
ード、6・・・ワイヤ、7・・・キャップ、8・・・ガ
ラス層、9・・・外枠部、10・・・半導体装置、11
・・・単位ブロック、12・・・連結体、13・・・ガ
イド孔。
よる一実施例を示す工程図、第2図はリードフレームの
形状を示す斜視図である。 1・・・ベース、2・・・ガラス層、3・・・リードフ
レーム、4・・・半導体素子(ペレット)、5・・・リ
ード、6・・・ワイヤ、7・・・キャップ、8・・・ガ
ラス層、9・・・外枠部、10・・・半導体装置、11
・・・単位ブロック、12・・・連結体、13・・・ガ
イド孔。
Claims (1)
- 1 非結晶性ガラスを凝固させてリード線を気密封止す
る方法において、前記非結晶性ガラスの軟化温度領域で
リード線を仮封止する工程と、前記リード線に外力を加
えて成形処理する工程と、前記非結晶性ガラスを再度軟
化させて気密封止を行なう工程とを備えることを特徴と
するリード線の気密封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57086637A JPS5856979B2 (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | リ−ド線の気密封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57086637A JPS5856979B2 (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | リ−ド線の気密封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57197846A JPS57197846A (en) | 1982-12-04 |
| JPS5856979B2 true JPS5856979B2 (ja) | 1983-12-17 |
Family
ID=13892530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57086637A Expired JPS5856979B2 (ja) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | リ−ド線の気密封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856979B2 (ja) |
-
1982
- 1982-05-24 JP JP57086637A patent/JPS5856979B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57197846A (en) | 1982-12-04 |
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