JPH0293355A - 蛍光ｘ線分析装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析装置Info
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- JPH0293355A JPH0293355A JP63246327A JP24632788A JPH0293355A JP H0293355 A JPH0293355 A JP H0293355A JP 63246327 A JP63246327 A JP 63246327A JP 24632788 A JP24632788 A JP 24632788A JP H0293355 A JPH0293355 A JP H0293355A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、新規な蛍光Ｘ線分析装置に関するもので、特
に目的元素が固体表面、又は表面近傍に存在する場合の
非破壊的な表面分析、深さ方向分析装着に関するもので
ある。 ［従来の技術］ 表面分析手段として最も一般的なものにオージェ電子分
光法がある。従来、この方法が最も感度が優れていると
されているが、これは軽元素に関するもので、原子番号
の大きな元素に対しては感度が著しく低下するという問
題点がある。また、ざらにオージェ電子分光法では、オ
ージェ電子の脱出深さが数十人であるので、深さ方向の
元素分析を行う場合にはエツチング等を行う必要があり
、結果的に破壊分析になってしまうという問題点がある
。光電子分光法も同じ理由で破壊分析となる。２次イオ
ン質量分析法は、イオン照射によって試料をエツチング
しながら分析するため、これも破壊分析である。 従来の蛍光Ｘ線分析、及び電子線マイクロアナリシスは
、非破壊分析法であるが、通常の蛍光Ｘ線分析法や電子
線マイクロアナリシスは表面層からの情報に比較してバ
ルクからの情報が非常に大きいので、固体の表面層を分
析する手段としては適当な方法とは言い難い。そこで、
蛍光Ｘ線分析法や電子線マイクロアナリシスを表面分析
に適用するためにいくつかの方法が提案されている。 それらは、Ｘ線の屈折現象、及びそれに関連した全反射
現象に着目したものである。 全反射蛍光Ｘ線分析法は、試料表面に一次Ｘ線を全反射
臨界角以下の小さな角度で入射させることによって試料
内部への一次Ｘ線の侵入を押え、表面近傍の原子から放
出される蛍光Ｘ！ｓのみを検知するものである（特開昭
５４−７９９１．特開昭６２−２２２１５０） また
、これとは別に一次ビームの入射方向には制限と設けず
に、発生した特性Ｘ Ｉａをその試料に対する全反射角
に近い角度で取り出すことによって試料内部で発生する
特性Ｘ線、散乱Ｘ線を排除し、表面からの情報のみを得
る方法−全反射角Ｘ ！ａ分光法（ＴＲＡＸＳ）も考案
されている。（特開昭６０−８２８４０．特開昭６ｌ−
７８０４１）しかし、前述の全反射蛍光Ｘ線分析法は、
確かに表面のみの分析に対しては有効であるが、−次Ｘ
線の視射角を変化させて深さ方向の元素分析を行う場合
には、入射Ｘ線と反射Ｘ線が干渉を起こすために、得ら
れる蛍光Ｘ線強度データが非常に複雑となり解析が困難
であるなどの問題点を持っている。また、全反射角Ｘ線
分光法においても、現状では試料の深さ方向元素分析に
有効に作用する方法及び装置は提供されていない。 ［発明の目的］ 本発明は、励起用−次ビームとしてＸ線を用いた場合、
（全反射角蛍光Ｘ線分析法において）試料が表面から十
分な深さまで均一に励起されるので取り出し角と蛍光Ｘ
線強度の関係を測定すれば、蛍光Ｘ線の試料中での吸収
と表面での屈折を考慮したモデルを使い、試料の深さ方
向元素分析を行うことが可能となるという知見に基づき
なされたもので、特に、蛍光Ｘ線の取り出し角を非常に
高精度に決定することにより、試料の深さ方向での元素
分析が有効に行なえる装置を提供することを目的として
いる。 ［目的を達成するための手段］ 本発明は、全反射角蛍光Ｘ線分析において、試料面に対
する蛍光Ｘ線の取り出し角度を正確に決定することによ
って、非破壊的深さ方向分析への応用を可能としたもの
である。 そこで精密な位置及び角度あわせが行なえる全反射角蛍
光Ｘ線分析装置を提供する。 つまり、試料への励起Ｘ線の照射によって、該試料から
発生する蛍光Ｘ線を該試料表面における全反射角又はそ
の近傍の角度で検出し、さらに該試料より放出される蛍
光Ｘ線のスペクトル分布の少なくとも１部を求め、蛍光
Ｘ＃ｉ強度を得るからの蛍光Ｘ線取り出し角を精密に決
定するために、位置合わせの基準としてＸ線ビームを用
い、それにより決定された取り出し角と前記蛍光Ｘ線強
度の関係より試料の分析を行なう、全反射角蛍光Ｘ線分
析法及び該方法に適した装置を提供している。 Ｌ−二一１ より具体的に説明すると、本発明は、Ｘ線源とこれより
発生するＸ線を細いビームにする光学系と、試料を固定
することができ、かつ定位置の試料面と同一平面上に配
置された少なくとも２つのナイフェツジを備えた試料ホ
ルダーとそれを一方向に平行移動させる手段及び回転運
動させる手段を有する台と、その台を一方向に移動させ
る手段とを有する全反射角蛍光Ｘ線分析装置を提供する
。 第１図は、本発明の特徴を最もよくあられす図である。 Ｘ線源１からのＸ線はＸ線光学系２により細いビーム３
に変換される。Ｘ線光学系２は幅５０μｍ以下のＸ線ビ
ームをつくることができるもので、スリット等の組み合
わせにより構成される。このＸ線ビームを検知でとる位
置にＸ線検出器４が置かれる。５は試料ホルダーであっ
て試料を固定することができ、かつ定位置の試料面と同
一平面上に少なくとも２つのナイフェツジ１２が配置さ
れている。試料ホルダー５は、ゴニオメータ６の上に置
かれた試料台７に保持される。試料台７は、一方向の平
行移動をする機能を備えており、また、ゴニオメータ６
は一方向の平行移動と回転運動をする機能を有している
０本発明においては、角度あわせの方法が、最も重要な
部分を占めているので、第１図に従って試料の位置、及
び角度合わせの方法について説明する。 最初に試料ホルダー５を外した状態で基準Ｘ線ビーム３
の中心がゴニオメータ６の回転中心を通るようにゴニオ
メータ位置の調整を行う、基準Ｘ線のダイレクトビーム
のプロファイルを描かせ、強度が最大となる位置に検出
器４を固定した後に、ゴニオメータ６の回転中心の位置
に幅の狭いスリットを有したセツティング治具をとり付
け、このスリットを通って検出されるＸ線の強度が最大
となるようにゴニオメータ６を移動させることによって
この調整を行うことができる。 次に試料ホルダー６を取り付け、その２つのナイフェツ
ジ１２で基準Ｘ線が２等分される様に試料台７の調整を
行う、即ち、ゴニオメータ６によって試料ホルダー５を
回転させ、検出器４で検出されるＸ線強度の最大値が試
料ホルダー５を付けていない場合の１／２になる様に試
料台を調整する。 この後に試料を定位置に固定すれば試料面とゴニオメー
タの回転中心が一致し、かつ検出器４に対する試料面の
角度を正確に決定することが可能である。 以下実施例に従って説明する。 ［実施例１］ 第２図は、本発明の実施例１の概略構成を示す図である
。Ｘ線源１は角度あわせ用基準Ｘ線源と励起用Ｘ線源と
を兼ねている。励起用Ｘ線はエネルギーの高いものが有
利で、従ってＸ線源１のターゲットとしては原子番号の
大きな元素を用い、電子ビームの電圧、電流を大きくし
て使用するのが望ましい。 この場合、上述の様に角度あわせを行った後にこの状態
からゴニオメータ６によって試料と検出器４とを共に９
０°回転させる。この位置でＸ線の取り出し角がＯｏと
なり、以後、ゴニオメータ６によって試料のみを回転さ
せ、取り出し角を変化させてＸ線の検出を行う。（符号
９はゴニオメータ−ドライバーである。）検出器スリッ
ト８は、蛍光Ｘ線の取り出し角の角度分解能を決定する
もので角度分解能が１／１００°〜１／２００゛程度と
なる様な狭い幅のものを用いることが望ましい。 て記録され、解析される。 第５図は、ゲルマニウムウェハーを試料として用い、本
分析装置を用いて取り出し角角度０．１°〜０．７°の
範囲を走査して測定した結果で、また第６図は■〜■の
式を用いて計算した理論曲線である。図中θｔて示した
角度が傘幹参斡全反射臨界角の洟卓喝ヰ理論値を十≠手
中示し滑らかな表面を有する厚゛さｄの均一な物質から
放出される蛍光Ｘ線の強度の角度分布の理論は物質中で
のＸ線の吸収による減衰の効果と、界面での屈折の効果
とより次のように考えることができる。 放出される蛍光Ｘ線の波長をλ、蛍光Ｘ線の取り出し角
をθｔ、全反射臨界角をθＣ１物質中での波長λの蛍光
Ｘ線の線吸収係数をμとする。はじめに吸収による減衰
の効果について考える。物質中から放出された蛍光Ｘ線
の強度が１ ／ ｅとなる深さｚ１八は次の式であられ
される。 ｚｌ八へλ／４πＢ （Ｂ−１／ご・（
に目的元素が固体表面、又は表面近傍に存在する場合の
非破壊的な表面分析、深さ方向分析装着に関するもので
ある。 ［従来の技術］ 表面分析手段として最も一般的なものにオージェ電子分
光法がある。従来、この方法が最も感度が優れていると
されているが、これは軽元素に関するもので、原子番号
の大きな元素に対しては感度が著しく低下するという問
題点がある。また、ざらにオージェ電子分光法では、オ
ージェ電子の脱出深さが数十人であるので、深さ方向の
元素分析を行う場合にはエツチング等を行う必要があり
、結果的に破壊分析になってしまうという問題点がある
。光電子分光法も同じ理由で破壊分析となる。２次イオ
ン質量分析法は、イオン照射によって試料をエツチング
しながら分析するため、これも破壊分析である。 従来の蛍光Ｘ線分析、及び電子線マイクロアナリシスは
、非破壊分析法であるが、通常の蛍光Ｘ線分析法や電子
線マイクロアナリシスは表面層からの情報に比較してバ
ルクからの情報が非常に大きいので、固体の表面層を分
析する手段としては適当な方法とは言い難い。そこで、
蛍光Ｘ線分析法や電子線マイクロアナリシスを表面分析
に適用するためにいくつかの方法が提案されている。 それらは、Ｘ線の屈折現象、及びそれに関連した全反射
現象に着目したものである。 全反射蛍光Ｘ線分析法は、試料表面に一次Ｘ線を全反射
臨界角以下の小さな角度で入射させることによって試料
内部への一次Ｘ線の侵入を押え、表面近傍の原子から放
出される蛍光Ｘ！ｓのみを検知するものである（特開昭
５４−７９９１．特開昭６２−２２２１５０） また
、これとは別に一次ビームの入射方向には制限と設けず
に、発生した特性Ｘ Ｉａをその試料に対する全反射角
に近い角度で取り出すことによって試料内部で発生する
特性Ｘ線、散乱Ｘ線を排除し、表面からの情報のみを得
る方法−全反射角Ｘ ！ａ分光法（ＴＲＡＸＳ）も考案
されている。（特開昭６０−８２８４０．特開昭６ｌ−
７８０４１）しかし、前述の全反射蛍光Ｘ線分析法は、
確かに表面のみの分析に対しては有効であるが、−次Ｘ
線の視射角を変化させて深さ方向の元素分析を行う場合
には、入射Ｘ線と反射Ｘ線が干渉を起こすために、得ら
れる蛍光Ｘ線強度データが非常に複雑となり解析が困難
であるなどの問題点を持っている。また、全反射角Ｘ線
分光法においても、現状では試料の深さ方向元素分析に
有効に作用する方法及び装置は提供されていない。 ［発明の目的］ 本発明は、励起用−次ビームとしてＸ線を用いた場合、
（全反射角蛍光Ｘ線分析法において）試料が表面から十
分な深さまで均一に励起されるので取り出し角と蛍光Ｘ
線強度の関係を測定すれば、蛍光Ｘ線の試料中での吸収
と表面での屈折を考慮したモデルを使い、試料の深さ方
向元素分析を行うことが可能となるという知見に基づき
なされたもので、特に、蛍光Ｘ線の取り出し角を非常に
高精度に決定することにより、試料の深さ方向での元素
分析が有効に行なえる装置を提供することを目的として
いる。 ［目的を達成するための手段］ 本発明は、全反射角蛍光Ｘ線分析において、試料面に対
する蛍光Ｘ線の取り出し角度を正確に決定することによ
って、非破壊的深さ方向分析への応用を可能としたもの
である。 そこで精密な位置及び角度あわせが行なえる全反射角蛍
光Ｘ線分析装置を提供する。 つまり、試料への励起Ｘ線の照射によって、該試料から
発生する蛍光Ｘ線を該試料表面における全反射角又はそ
の近傍の角度で検出し、さらに該試料より放出される蛍
光Ｘ線のスペクトル分布の少なくとも１部を求め、蛍光
Ｘ＃ｉ強度を得るからの蛍光Ｘ線取り出し角を精密に決
定するために、位置合わせの基準としてＸ線ビームを用
い、それにより決定された取り出し角と前記蛍光Ｘ線強
度の関係より試料の分析を行なう、全反射角蛍光Ｘ線分
析法及び該方法に適した装置を提供している。 Ｌ−二一１ より具体的に説明すると、本発明は、Ｘ線源とこれより
発生するＸ線を細いビームにする光学系と、試料を固定
することができ、かつ定位置の試料面と同一平面上に配
置された少なくとも２つのナイフェツジを備えた試料ホ
ルダーとそれを一方向に平行移動させる手段及び回転運
動させる手段を有する台と、その台を一方向に移動させ
る手段とを有する全反射角蛍光Ｘ線分析装置を提供する
。 第１図は、本発明の特徴を最もよくあられす図である。 Ｘ線源１からのＸ線はＸ線光学系２により細いビーム３
に変換される。Ｘ線光学系２は幅５０μｍ以下のＸ線ビ
ームをつくることができるもので、スリット等の組み合
わせにより構成される。このＸ線ビームを検知でとる位
置にＸ線検出器４が置かれる。５は試料ホルダーであっ
て試料を固定することができ、かつ定位置の試料面と同
一平面上に少なくとも２つのナイフェツジ１２が配置さ
れている。試料ホルダー５は、ゴニオメータ６の上に置
かれた試料台７に保持される。試料台７は、一方向の平
行移動をする機能を備えており、また、ゴニオメータ６
は一方向の平行移動と回転運動をする機能を有している
０本発明においては、角度あわせの方法が、最も重要な
部分を占めているので、第１図に従って試料の位置、及
び角度合わせの方法について説明する。 最初に試料ホルダー５を外した状態で基準Ｘ線ビーム３
の中心がゴニオメータ６の回転中心を通るようにゴニオ
メータ位置の調整を行う、基準Ｘ線のダイレクトビーム
のプロファイルを描かせ、強度が最大となる位置に検出
器４を固定した後に、ゴニオメータ６の回転中心の位置
に幅の狭いスリットを有したセツティング治具をとり付
け、このスリットを通って検出されるＸ線の強度が最大
となるようにゴニオメータ６を移動させることによって
この調整を行うことができる。 次に試料ホルダー６を取り付け、その２つのナイフェツ
ジ１２で基準Ｘ線が２等分される様に試料台７の調整を
行う、即ち、ゴニオメータ６によって試料ホルダー５を
回転させ、検出器４で検出されるＸ線強度の最大値が試
料ホルダー５を付けていない場合の１／２になる様に試
料台を調整する。 この後に試料を定位置に固定すれば試料面とゴニオメー
タの回転中心が一致し、かつ検出器４に対する試料面の
角度を正確に決定することが可能である。 以下実施例に従って説明する。 ［実施例１］ 第２図は、本発明の実施例１の概略構成を示す図である
。Ｘ線源１は角度あわせ用基準Ｘ線源と励起用Ｘ線源と
を兼ねている。励起用Ｘ線はエネルギーの高いものが有
利で、従ってＸ線源１のターゲットとしては原子番号の
大きな元素を用い、電子ビームの電圧、電流を大きくし
て使用するのが望ましい。 この場合、上述の様に角度あわせを行った後にこの状態
からゴニオメータ６によって試料と検出器４とを共に９
０°回転させる。この位置でＸ線の取り出し角がＯｏと
なり、以後、ゴニオメータ６によって試料のみを回転さ
せ、取り出し角を変化させてＸ線の検出を行う。（符号
９はゴニオメータ−ドライバーである。）検出器スリッ
ト８は、蛍光Ｘ線の取り出し角の角度分解能を決定する
もので角度分解能が１／１００°〜１／２００゛程度と
なる様な狭い幅のものを用いることが望ましい。 て記録され、解析される。 第５図は、ゲルマニウムウェハーを試料として用い、本
分析装置を用いて取り出し角角度０．１°〜０．７°の
範囲を走査して測定した結果で、また第６図は■〜■の
式を用いて計算した理論曲線である。図中θｔて示した
角度が傘幹参斡全反射臨界角の洟卓喝ヰ理論値を十≠手
中示し滑らかな表面を有する厚゛さｄの均一な物質から
放出される蛍光Ｘ線の強度の角度分布の理論は物質中で
のＸ線の吸収による減衰の効果と、界面での屈折の効果
とより次のように考えることができる。 放出される蛍光Ｘ線の波長をλ、蛍光Ｘ線の取り出し角
をθｔ、全反射臨界角をθＣ１物質中での波長λの蛍光
Ｘ線の線吸収係数をμとする。はじめに吸収による減衰
の効果について考える。物質中から放出された蛍光Ｘ線
の強度が１ ／ ｅとなる深さｚ１八は次の式であられ
される。 ｚｌ八へλ／４πＢ （Ｂ−１／ご・（
【θｔ２−θｃ ２ ）＋４β２】）
−（θｔ２−θＣ２））札β＝λμ／４π） 従って、この場合吸収の効果をあられす式は、■（θｔ
） ＝ Ｉｏ Ｓ ： ｅｘｐ （−ｘ／Ｚ’八）ｄｘ
−■と書くことができる。 次に表面での屈折の効果について考える。第４図のよう
に放出Ｘ線の界面への視射角をθｉ、屈折光の表面との
なす角を０１（＝取り出し角）、屈折率をｌ−δとする
と、スネルの法則より次の０式が導びける。 よって蛍光Ｘ線強度の角度分布をあられす０式と０式の
積となり、 であられせる。 波長λのＸ線に対する物質の屈折率、及び全反射臨界角
は、自由電子近似を用いた分散理論によって計算するこ
とがで咎るので、この場合、試料の厚さｄがわかってい
れば、０〜０式を用いて蛍光Ｘ線強度の角度分布を理論
的に求められることになる。 また、同様にガラス上の銅蒸着膜（膜厚８００人）を試
料として用いた場合の測定結果、及び理論曲線をそれぞ
れ第７図、第８図に示す。 それぞれの試料について測定された全反射臨界角の値は
、理論値にほぼ等しく、また、曲線の形状もほぼ一致し
ていた。 この事は本発明によって測定された結果が十分な精度、
分解能を有している事を示している。 上記理論を用いて測定結果を解析する事により試料の深
さ方向元素分析を非破壊的に行う事が可能である事が分
る。 ［実施例２］ 第３図は、本発明の実施例２の概略構成を示すものであ
る。Ｘ線源を、角度を測定するための角度基準用Ｘ線源
１と蛍光Ｘ線を発生させるための励起Ｘ線源１１とに分
けて用いている。こうすることにより、それぞれの目的
に最適な線質のＸ線源を用いることができる。 本実施例では、実施例１と同様にゴニオメータ６の位置
の調整、及び試料台７の調整を行って角度あわせが終了
した位置が取り出し角０°となる。従ってゴニオメータ
の可動範囲は小さくて良い。 励起用Ｘ線源１１は試料測定面により近づけることがで
きるので、試料測定面上でのＸ線強度が大損くなるため
に有利である。 励起用Ｘ線源１１としては、蛍光Ｘ線分析に用いられて
いる縦型管球を用いることができる。さらに薄膜の透過
型ターゲットを用いたＸ線源を用いることも可能である
。 検出器４、信号処理装置１０については実施例１と同様
である。 ［発明の効果］ 本発明は、細く絞ったＸ線ビームの鋭い指向性を利用し
て試料の位置、及び角度を正確に決定することで、全反
射角蛍光Ｘ線分析法を深さ方向の元素分析に利用するこ
とを可能としたものである。この方法によると試料面の
位置を２５μｍ以下の精度で決定することができ、その
結果、試料と検出器スリット８との間隔を例えば２８５
ｍｍとした場合、角度測定精度は１／２００°以下とな
る。本発明以外の方法、例えば一般に極めて鋭い指向性
を有しているとされているＨｅ−Ｎｅレーザー（λ＝６
３２８人）をＸ線の代わりに用いると、レーザー光はＸ
線に比較して回折の効果が大きくなり、試料位置でビー
ムが１ｍｍ程度まで広がってしまうので、位置あわせに
は不適当である。よって、位萱合わせ及び角度の測定基
準にＸ線ビームを用い、蛍光Ｘ線の取り出し角を高精度
に決定しつつ、取り出し角と蛍光Ｘ線強度の関係を測定
できる本発明は、深さ方向の元素分析に有効な全反射角
蛍光Ｘ線分析装置となっている。
−（θｔ２−θＣ２））札β＝λμ／４π） 従って、この場合吸収の効果をあられす式は、■（θｔ
） ＝ Ｉｏ Ｓ ： ｅｘｐ （−ｘ／Ｚ’八）ｄｘ
−■と書くことができる。 次に表面での屈折の効果について考える。第４図のよう
に放出Ｘ線の界面への視射角をθｉ、屈折光の表面との
なす角を０１（＝取り出し角）、屈折率をｌ−δとする
と、スネルの法則より次の０式が導びける。 よって蛍光Ｘ線強度の角度分布をあられす０式と０式の
積となり、 であられせる。 波長λのＸ線に対する物質の屈折率、及び全反射臨界角
は、自由電子近似を用いた分散理論によって計算するこ
とがで咎るので、この場合、試料の厚さｄがわかってい
れば、０〜０式を用いて蛍光Ｘ線強度の角度分布を理論
的に求められることになる。 また、同様にガラス上の銅蒸着膜（膜厚８００人）を試
料として用いた場合の測定結果、及び理論曲線をそれぞ
れ第７図、第８図に示す。 それぞれの試料について測定された全反射臨界角の値は
、理論値にほぼ等しく、また、曲線の形状もほぼ一致し
ていた。 この事は本発明によって測定された結果が十分な精度、
分解能を有している事を示している。 上記理論を用いて測定結果を解析する事により試料の深
さ方向元素分析を非破壊的に行う事が可能である事が分
る。 ［実施例２］ 第３図は、本発明の実施例２の概略構成を示すものであ
る。Ｘ線源を、角度を測定するための角度基準用Ｘ線源
１と蛍光Ｘ線を発生させるための励起Ｘ線源１１とに分
けて用いている。こうすることにより、それぞれの目的
に最適な線質のＸ線源を用いることができる。 本実施例では、実施例１と同様にゴニオメータ６の位置
の調整、及び試料台７の調整を行って角度あわせが終了
した位置が取り出し角０°となる。従ってゴニオメータ
の可動範囲は小さくて良い。 励起用Ｘ線源１１は試料測定面により近づけることがで
きるので、試料測定面上でのＸ線強度が大損くなるため
に有利である。 励起用Ｘ線源１１としては、蛍光Ｘ線分析に用いられて
いる縦型管球を用いることができる。さらに薄膜の透過
型ターゲットを用いたＸ線源を用いることも可能である
。 検出器４、信号処理装置１０については実施例１と同様
である。 ［発明の効果］ 本発明は、細く絞ったＸ線ビームの鋭い指向性を利用し
て試料の位置、及び角度を正確に決定することで、全反
射角蛍光Ｘ線分析法を深さ方向の元素分析に利用するこ
とを可能としたものである。この方法によると試料面の
位置を２５μｍ以下の精度で決定することができ、その
結果、試料と検出器スリット８との間隔を例えば２８５
ｍｍとした場合、角度測定精度は１／２００°以下とな
る。本発明以外の方法、例えば一般に極めて鋭い指向性
を有しているとされているＨｅ−Ｎｅレーザー（λ＝６
３２８人）をＸ線の代わりに用いると、レーザー光はＸ
線に比較して回折の効果が大きくなり、試料位置でビー
ムが１ｍｍ程度まで広がってしまうので、位置あわせに
は不適当である。よって、位萱合わせ及び角度の測定基
準にＸ線ビームを用い、蛍光Ｘ線の取り出し角を高精度
に決定しつつ、取り出し角と蛍光Ｘ線強度の関係を測定
できる本発明は、深さ方向の元素分析に有効な全反射角
蛍光Ｘ線分析装置となっている。
第１図は、本発明の基本的構成を示す図、第２図は本発
明の実施例１の概略構成図、第３図は本発明の実施例３
の構成を示す図である。 第４図はＸ線が異種媒質界面を通過する際の進み方を説
明するための図、第５図は本発明を用い１０−一侶号処
理装置 １１−一一励起用Ｘ線源 ！２−−ナイフェツジ ｔ−−−Ｘ線源 ２−一−Ｘ線光学系 ３−ｍ＝基準Ｘ線ビーム ４−−−Ｘ線検出器 ５−ｍ−試料ホルダー ６−ｍ−ゴニオメータ ７−ｍ−試料台 ８−ｍ−検出器スリット ９−一一ゴニオメータドライバー Ｏイ 宇 ワ 口 ｖｅ（２） υ１１
明の実施例１の概略構成図、第３図は本発明の実施例３
の構成を示す図である。 第４図はＸ線が異種媒質界面を通過する際の進み方を説
明するための図、第５図は本発明を用い１０−一侶号処
理装置 １１−一一励起用Ｘ線源 ！２−−ナイフェツジ ｔ−−−Ｘ線源 ２−一−Ｘ線光学系 ３−ｍ＝基準Ｘ線ビーム ４−−−Ｘ線検出器 ５−ｍ−試料ホルダー ６−ｍ−ゴニオメータ ７−ｍ−試料台 ８−ｍ−検出器スリット ９−一一ゴニオメータドライバー Ｏイ 宇 ワ 口 ｖｅ（２） υ１１
Claims (3)
- （１）Ｘ線源とこれより発生するＸ線を細いビームにす
る光学系と、試料を固定することができ、かつ定位置の
試料面と同一平面上に配置された少なくとも２つのナイ
フエッジを備えた試料ホルダーとそれを一方向に平行移
動させる手段及び回転運動させる手段を有する台と、そ
の台を一方向に移動させる手段とを有する全反射角蛍光
Ｘ線分析装置。 - （２）さらに蛍光Ｘ線の検知のためにエネルギー分散型
Ｘ線分析装置を備えている請求項１記載の全反射角蛍光
Ｘ線分析装置。 - （３）さらに蛍光Ｘ線検知器の信号を蓄積し、加工する
ための信号処理装置を備えている請求項１又は２記載の
全反射角蛍光Ｘ線分析装 置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246327A JP2592931B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246327A JP2592931B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0293355A true JPH0293355A (ja) | 1990-04-04 |
| JP2592931B2 JP2592931B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=17146912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63246327A Expired - Lifetime JP2592931B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2592931B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148457A (en) * | 1990-06-28 | 1992-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | System for analyzing metal impurity on the surface of a single crystal semiconductor by using total reflection of x-rays fluorescence |
| US5305366A (en) * | 1991-01-09 | 1994-04-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63246327A patent/JP2592931B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148457A (en) * | 1990-06-28 | 1992-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | System for analyzing metal impurity on the surface of a single crystal semiconductor by using total reflection of x-rays fluorescence |
| US5305366A (en) * | 1991-01-09 | 1994-04-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2592931B2 (ja) | 1997-03-19 |
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