JPH04198745A - Ｘ線回折方法 - Google Patents
Ｘ線回折方法Info
- Publication number
- JPH04198745A JPH04198745A JP2179988A JP17998890A JPH04198745A JP H04198745 A JPH04198745 A JP H04198745A JP 2179988 A JP2179988 A JP 2179988A JP 17998890 A JP17998890 A JP 17998890A JP H04198745 A JPH04198745 A JP H04198745A
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- JP
- Japan
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- sample
- rays
- ray
- angle
- diffraction
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- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｌ１上五■里ユ１
本発明はＸ線回折方法に関し、より詳しくは基板上に形
成された薄膜等の試料の結晶構造を解析するためのｘｗ
Ａ回折方法に関する。
成された薄膜等の試料の結晶構造を解析するためのｘｗ
Ａ回折方法に関する。
兜米凹■カ
ーＭに試料の結晶構造を解析する方法としてはＸ線回折
方法が用いられており、θ−２θ法であるデイフラクト
メーター法、写真を使ったＸ線回折法、視斜角入射Ｘ線
回折法等が知られている。
方法が用いられており、θ−２θ法であるデイフラクト
メーター法、写真を使ったＸ線回折法、視斜角入射Ｘ線
回折法等が知られている。
デイフラクトメーター法では、下記の式（１）で表わさ
れるブラッグの式に基づいてＸ線回折強度と回折角２θ
のプロフィールとを求め、未知物質の同定、格子定数、
歪等の測定を行なっている。
れるブラッグの式に基づいてＸ線回折強度と回折角２θ
のプロフィールとを求め、未知物質の同定、格子定数、
歪等の測定を行なっている。
２ｄｓｉｎθ＝ｎえ −（１）但し、ｄ：格
子面間隔 θ・ブラッグ角 ｎ：反射次数 λ：使用したＸ線の波長 をそれぞれ表わしている。
子面間隔 θ・ブラッグ角 ｎ：反射次数 λ：使用したＸ線の波長 をそれぞれ表わしている。
しかしながらデイフラクトメーター法を用いて、試料と
して例えば基板上に形成された薄膜を測定すると、第９
図に示す如く入射Ｘ ９９ ｒの侵入深さが大きいため
に、基板１１からの回折Ｘ線ｄが薄膜試料１０からの回
折Ｘ ＃Ｊ！ ｄに重なる。従って薄膜試料１０からだ
けの回折Ｘ線ｄが得られず、薄膜試料ｌＯの構造解析は
困難である。
して例えば基板上に形成された薄膜を測定すると、第９
図に示す如く入射Ｘ ９９ ｒの侵入深さが大きいため
に、基板１１からの回折Ｘ線ｄが薄膜試料１０からの回
折Ｘ ＃Ｊ！ ｄに重なる。従って薄膜試料１０からだ
けの回折Ｘ線ｄが得られず、薄膜試料ｌＯの構造解析は
困難である。
そこで従来、基板１１上に形成された薄膜試料１０を測
定する場合には、第１Ｏ図に示すようにＸ＃！の入射角
βを１〜５°程度の小さな角度に固定し侵入深さを制御
して、薄膜試料１０からの回折Ｘ線ｄだけを測定する方
法が行なわれている（Ｙ、Ａｒｎａｕｄ、Ｍ、 Ｂｒｕ
ｎｅｌ ｅｔ ａｌ、Ａｐｐｌｉｅｄ ５ｕｒｆ、Ｓｃ
ｉ。
定する場合には、第１Ｏ図に示すようにＸ＃！の入射角
βを１〜５°程度の小さな角度に固定し侵入深さを制御
して、薄膜試料１０からの回折Ｘ線ｄだけを測定する方
法が行なわれている（Ｙ、Ａｒｎａｕｄ、Ｍ、 Ｂｒｕ
ｎｅｌ ｅｔ ａｌ、Ａｐｐｌｉｅｄ ５ｕｒｆ、Ｓｃ
ｉ。
、２６ （１９８６） １２ ）。この方法によれば基
板１１からの回折Ｘ線ｄを抑えることができ、薄膜試料
１０の構造解析を精度よく行なうことができる。
板１１からの回折Ｘ線ｄを抑えることができ、薄膜試料
１０の構造解析を精度よく行なうことができる。
日が ′しようとする課題
しかしながら上記した方法においては、回折角２θが３
０’以下の場合、第１１図に示す如くＸ線取り出し角α
が小さくなるため、入射Ｘ線ｒが薄膜試料１０表面の凹
凸で散乱されることによって生じる散乱Ｘ線ＳがＸ線検
出器に入り、その結果、測定プロフィールのバックグラ
ウンド強度が上がって正確な測定が困難になるという課
題があった。
０’以下の場合、第１１図に示す如くＸ線取り出し角α
が小さくなるため、入射Ｘ線ｒが薄膜試料１０表面の凹
凸で散乱されることによって生じる散乱Ｘ線ＳがＸ線検
出器に入り、その結果、測定プロフィールのバックグラ
ウンド強度が上がって正確な測定が困難になるという課
題があった。
また「特開平１−１６７６４２号公報」では、散乱スリ
ット、Ｘ線検出器等を試料面と平行に駆動することによ
り、入射ＸＬ９ｒの入射角βだけでなくＸ線取り出し角
αをも小さくして、入射Ｘ線ｒの侵入深さをより小さく
する方法が提案されているが、この方法においでも上記
した課題の解決は図られていなかった。
ット、Ｘ線検出器等を試料面と平行に駆動することによ
り、入射ＸＬ９ｒの入射角βだけでなくＸ線取り出し角
αをも小さくして、入射Ｘ線ｒの侵入深さをより小さく
する方法が提案されているが、この方法においでも上記
した課題の解決は図られていなかった。
本発明は上記した課題に鑑みなされたものであり、試料
の回折角２θが３０°以下の場合でも、散乱ＸＩｓによ
る影響を少なくすることができ、精度良（かつ正確に薄
膜等の試料の構造解析を行なうことができるＸ線回折方
法を提供することを目的としている。
の回折角２θが３０°以下の場合でも、散乱ＸＩｓによ
る影響を少なくすることができ、精度良（かつ正確に薄
膜等の試料の構造解析を行なうことができるＸ線回折方
法を提供することを目的としている。
課題を解決する為の 段
上記した目的を達成するために本発明に係るＸ線回折方
法は、基板上に形成された試料にＸ線を照射し、回折さ
れたＸ線を取り出して前記試料の結晶構造を解析するＸ
線回折方法において、β＝２θ−α（２θ：試料の回折
角、β Ｘ線の基板に対する入射角）で表わされるＸ線
取り出し角ａを、０°より大きくかっ５°以下に設定す
ることを特徴としている。
法は、基板上に形成された試料にＸ線を照射し、回折さ
れたＸ線を取り出して前記試料の結晶構造を解析するＸ
線回折方法において、β＝２θ−α（２θ：試料の回折
角、β Ｘ線の基板に対する入射角）で表わされるＸ線
取り出し角ａを、０°より大きくかっ５°以下に設定す
ることを特徴としている。
作置
上記した方法によれば、β＝２０−α（２θ：試料の回
折角、β：Ｘ線の基板に対する入射角）で表わされるＸ
線取り出し角αを、０°より大きくかつ５°以下に設定
しているので、Ｘ線侵入深さが小さく抑えられると共に
前記入射角βが大きくなり、試料表面における入射Ｘ線
に基づく散乱Ｘ線が抑制される。従って試料の回折プロ
フィールが高感度にしかも正確に得られることとなる。
折角、β：Ｘ線の基板に対する入射角）で表わされるＸ
線取り出し角αを、０°より大きくかつ５°以下に設定
しているので、Ｘ線侵入深さが小さく抑えられると共に
前記入射角βが大きくなり、試料表面における入射Ｘ線
に基づく散乱Ｘ線が抑制される。従って試料の回折プロ
フィールが高感度にしかも正確に得られることとなる。
以下、本発明の詳細な説明する。
試料表面及び界面での反射、屈折を無視すると、Ｘ線侵
入深さｔ、の入射角依存性は次式（２）％式％ μ：試料のＸ線吸収係数 β：Ｘｌａの基板に対する入射角 α：Ｘ線取り出し角 をそれぞれ表わしている。
入深さｔ、の入射角依存性は次式（２）％式％ μ：試料のＸ線吸収係数 β：Ｘｌａの基板に対する入射角 α：Ｘ線取り出し角 をそれぞれ表わしている。
Ｘ線取り出し角ａを固定し、Ｘ線の入射角βを変化させ
たときのＸｌｌ侵入深さｔ２を（２）式を用いて計算し
た結果を第６図に示す。なお、試料はＡｕとした。
たときのＸｌｌ侵入深さｔ２を（２）式を用いて計算し
た結果を第６図に示す。なお、試料はＡｕとした。
第６図から明らかなように、Ｘ線取り出し角αを固定す
ると、Ｘ線侵入深さｔ、はＸ線の基板に対する入射角β
によって変化する。これは逆にＸ線侵入深さ１ｐが、Ｘ
線取り出し角αで制御できることを示している。
ると、Ｘ線侵入深さｔ、はＸ線の基板に対する入射角β
によって変化する。これは逆にＸ線侵入深さ１ｐが、Ｘ
線取り出し角αで制御できることを示している。
一方、第７図は試料１０表面に全反射臨界角β０と同じ
角度で入射Ｘ ｔｒａ ｒを照射したときの様子を示し
た模式図であり、全反射臨界角β。はｒＰ、Ｗｏｂｒａ
ｕｓｃｈｅｋ ｅｔ ａｌ、、Ａｎａｌ、ｃｈｅｍ、、
４７（１９７５１８５２」より次式（３）で示される。
角度で入射Ｘ ｔｒａ ｒを照射したときの様子を示し
た模式図であり、全反射臨界角β。はｒＰ、Ｗｏｂｒａ
ｕｓｃｈｅｋ ｅｔ ａｌ、、Ａｎａｌ、ｃｈｅｍ、、
４７（１９７５１８５２」より次式（３）で示される。
２ρ
βｅ 二（５，４×１Ｏ１０−コーえ２１ ’／２−（
３）但し、ρ；試料の密度（ｇ／ｃｍ’１ ２：試料の原子番号 Ａ：試料の原子量 え、入射Ｘ線の波長（ｃｍ） をそれぞれ表わしている。
３）但し、ρ；試料の密度（ｇ／ｃｍ’１ ２：試料の原子番号 Ａ：試料の原子量 え、入射Ｘ線の波長（ｃｍ） をそれぞれ表わしている。
入射Ｘ線ｒの入射角がこの全反射臨界角β。よりも大き
い場合は入射Ｘ線ｒは試料１０内部に侵入し、回折Ｘ線
ｄと散乱Ｘ線Ｓとを生じる。またＸ線の入射角βがＸ線
取り出し角ａよりも小さい場合、つまり２θ＝１５°程
度のときは、第１１図に示したように試料１０表面の凹
凸に起因する散乱Ｘ線ＳがＸ線検出器に入り、バックグ
ラウンド強度が増大して測定精度が低下する。このよう
な散乱Ｘ線Ｓは、第８図（ａ）、 （ｂ）に示したよう
にＸ線の入射角βをβ１からβ２へと大きくして、試料
１０表面の凹凸による散乱Ｘ線Ｓを抑えることによって
低下する。しかしながら入射角βが大きくなるに従いＸ
線侵入深さ１ｐも大きくなるため、基板１１上に形成さ
れた薄膜を試料１０として測定する場合においては、薄
膜試料ｌＯからだけでなく基板１１からの回折Ｘ ４？
１ ｄも生しることとなり、入射角βを大きく設定する
方法は薄膜試料１０の構造解析には適さない。
い場合は入射Ｘ線ｒは試料１０内部に侵入し、回折Ｘ線
ｄと散乱Ｘ線Ｓとを生じる。またＸ線の入射角βがＸ線
取り出し角ａよりも小さい場合、つまり２θ＝１５°程
度のときは、第１１図に示したように試料１０表面の凹
凸に起因する散乱Ｘ線ＳがＸ線検出器に入り、バックグ
ラウンド強度が増大して測定精度が低下する。このよう
な散乱Ｘ線Ｓは、第８図（ａ）、 （ｂ）に示したよう
にＸ線の入射角βをβ１からβ２へと大きくして、試料
１０表面の凹凸による散乱Ｘ線Ｓを抑えることによって
低下する。しかしながら入射角βが大きくなるに従いＸ
線侵入深さ１ｐも大きくなるため、基板１１上に形成さ
れた薄膜を試料１０として測定する場合においては、薄
膜試料ｌＯからだけでなく基板１１からの回折Ｘ ４？
１ ｄも生しることとなり、入射角βを大きく設定する
方法は薄膜試料１０の構造解析には適さない。
そこで上記とは逆に、Ｘ線取り出し角αをＯ。
より大きくかつ５°以下という小さな角度に設定するこ
とにより、Ｘ線の入射角βをある程度大きくして回折Ｘ
線ｄを取り出せば、Ｘ線侵入深さｔ。
とにより、Ｘ線の入射角βをある程度大きくして回折Ｘ
線ｄを取り出せば、Ｘ線侵入深さｔ。
が小さく抑えられると共に、試料１０表面の凹凸による
散乱Ｘ ！ｌｉ！ ｓが抑制されることとなり、試料１
０の回折プロフィールが高感度にしかも正確に得られる
こととなる。
散乱Ｘ ！ｌｉ！ ｓが抑制されることとなり、試料１
０の回折プロフィールが高感度にしかも正確に得られる
こととなる。
！国舅
以下、本発明に係るＸ線回折方法を図面に基づいて説明
する６なお、従来例と同一機能を有する構成部品には同
一の符合を付すこととする。
する６なお、従来例と同一機能を有する構成部品には同
一の符合を付すこととする。
第１図は本発明に係るＸ線回折方法を実施するための装
置の一実施例を模式的に示した斜視図であり、図中１２
はＸ線源を示している。Ｘ線源１２から発生した入射Ｘ
線ｒはソーラースリット１３を通り、例えば薄膜等の試
料１０表面に入射する、試料１０表面で回折された回折
Ｘ線ｄは第１のスリット１４、ソーラースリット１５、
第２のスリット１６を順次通過し、モノクロメータ１７
で反射された後、第３のスリット１８を通過してＸ線検
出器１９に到達する。
置の一実施例を模式的に示した斜視図であり、図中１２
はＸ線源を示している。Ｘ線源１２から発生した入射Ｘ
線ｒはソーラースリット１３を通り、例えば薄膜等の試
料１０表面に入射する、試料１０表面で回折された回折
Ｘ線ｄは第１のスリット１４、ソーラースリット１５、
第２のスリット１６を順次通過し、モノクロメータ１７
で反射された後、第３のスリット１８を通過してＸ線検
出器１９に到達する。
上記した装置においては、回折されたＸ線ｄの取り出し
角αが０°より大きくかつ５°以下という小さな角度に
予め設定されている。従って試料１０への入射Ｘ線ｒの
侵入深さを制限でき、薄膜等の試料ｌＯの回折Ｘ線を大
きな回折強度で得ることが可能となっている。またＸ線
取り出し角αが小さな角度に設定されているため、試料
１０の回折角２θが小さい場合でもＸ線の基板１１に対
する入射角β（β＝２０−〇）を大きくとることができ
、試料１０表面の凹凸に起因する散乱Ｘ線Ｓを抑えるこ
とができるようになっている。
角αが０°より大きくかつ５°以下という小さな角度に
予め設定されている。従って試料１０への入射Ｘ線ｒの
侵入深さを制限でき、薄膜等の試料ｌＯの回折Ｘ線を大
きな回折強度で得ることが可能となっている。またＸ線
取り出し角αが小さな角度に設定されているため、試料
１０の回折角２θが小さい場合でもＸ線の基板１１に対
する入射角β（β＝２０−〇）を大きくとることができ
、試料１０表面の凹凸に起因する散乱Ｘ線Ｓを抑えるこ
とができるようになっている。
なお入射側及び受光側の２種類のソーラースリット１３
．１５は、いずれも横及び縦の発散を抑えて角度分解能
の低下を防止する働きを有しており、モノクロメータ１
７は蛍光Ｘ線を除去しバックグラウンド強度を下げる効
果を有している。
．１５は、いずれも横及び縦の発散を抑えて角度分解能
の低下を防止する働きを有しており、モノクロメータ１
７は蛍光Ｘ線を除去しバックグラウンド強度を下げる効
果を有している。
次に上記した実施例に係る方法により、ガラス基板上に
形成されたＡｕを試料１０として回折Ｘ＃＃ｄを測定し
た結果について説明する。第２図〜第４図はそれぞれ試
料１０の回折角２θが３０°、２５°、２０°であると
きのＸ線取り出し角αと検出されたＸ線の強度工との関
係を示したグラフである。第２図〜第４図から明らかな
ように、試料１０の回折角２θが小さ（なるにつれて、
またＸ線取り出し角αが大きくなるにつれて検出される
Ｘ線の強度Ｉは強くなり、Ｘ線検出器１９に試料１０表
面の凹凸に起因する散乱Ｘ線が入っていることがわかる
。しかしながら試料１０の回折角２θが２０°でｘＩＪ
ｉ！取り出し角が３″′の場合でも、検出された散乱Ｘ
線の強度■は５ ｃｐｓ程度である。これに対して、従
来方法によりＸ線の入射角βが３°である場合のＸ線の
強度Ｉを測定すると、第１２図に示したように試料１０
の回折角２θが２０°のときの散乱Ｘ線の強度■は４５
ｃｐｓにもなる。
形成されたＡｕを試料１０として回折Ｘ＃＃ｄを測定し
た結果について説明する。第２図〜第４図はそれぞれ試
料１０の回折角２θが３０°、２５°、２０°であると
きのＸ線取り出し角αと検出されたＸ線の強度工との関
係を示したグラフである。第２図〜第４図から明らかな
ように、試料１０の回折角２θが小さ（なるにつれて、
またＸ線取り出し角αが大きくなるにつれて検出される
Ｘ線の強度Ｉは強くなり、Ｘ線検出器１９に試料１０表
面の凹凸に起因する散乱Ｘ線が入っていることがわかる
。しかしながら試料１０の回折角２θが２０°でｘＩＪ
ｉ！取り出し角が３″′の場合でも、検出された散乱Ｘ
線の強度■は５ ｃｐｓ程度である。これに対して、従
来方法によりＸ線の入射角βが３°である場合のＸ線の
強度Ｉを測定すると、第１２図に示したように試料１０
の回折角２θが２０°のときの散乱Ｘ線の強度■は４５
ｃｐｓにもなる。
以上のことからも上記した実施例に係る方法を用いるこ
とによってＸ線侵入深さが抑えられ、試料１０からの回
折Ｘ線を大きな回折強度で得ることができると共に、試
料１０表面の凹凸に起因する散乱Ｘ線を著しく減少させ
ることができることがわかる。従って上記した実施例に
係る方法は、試料１００回折プロフィールを高感度にし
かも正確に得る上で有効である。
とによってＸ線侵入深さが抑えられ、試料１０からの回
折Ｘ線を大きな回折強度で得ることができると共に、試
料１０表面の凹凸に起因する散乱Ｘ線を著しく減少させ
ることができることがわかる。従って上記した実施例に
係る方法は、試料１００回折プロフィールを高感度にし
かも正確に得る上で有効である。
光咀五文逮
以上詳述したように本発明に係るＸ線回折方法にあって
は、β：２θ−α（２θ：試料の回折角、β：Ｘ線の基
板に対する入射角）で表わされるＸ線取り出し角αを、
Ｏｏより大きくかつ５゜以下に設定しているので、試料
の回折角２θが３０゛以下の場合でも、試料表面の凹凸
に起因する散乱Ｘ線による影響を少なくすることができ
、試料が１００人程度の薄膜であっても試料の回折プロ
フィールを高感度にしかも正確に得ることができる。従
って試料の構造解析を精度良くかつ正確に行なうことが
可能となる。
は、β：２θ−α（２θ：試料の回折角、β：Ｘ線の基
板に対する入射角）で表わされるＸ線取り出し角αを、
Ｏｏより大きくかつ５゜以下に設定しているので、試料
の回折角２θが３０゛以下の場合でも、試料表面の凹凸
に起因する散乱Ｘ線による影響を少なくすることができ
、試料が１００人程度の薄膜であっても試料の回折プロ
フィールを高感度にしかも正確に得ることができる。従
って試料の構造解析を精度良くかつ正確に行なうことが
可能となる。
第１図は本発明に係るＸ線回折方法を実施するための装
置の一実施例を模式的に示した斜視図、第２図〜第４図
はそれぞれ試料の回折角２θが３０°、２５°、２０°
であるときのＸ線取り出し角ａと検出されたＸ線の強度
Ｉとの関係を示したグラフ、第５図は本発明に係るＸ線
回折方法を説明するための模式図、第６図は（２）式を
用いてｘ＃ｊ！侵入深さを計算した結果を示したグラフ
、第７図は試料表面に全反射臨界角Ｂｅと同じ角度で入
射ｘＩａを照射したときの様子を示した模式図、第８図
は（ａ）、（ｂ）はＸ線の入射角βと散乱Ｘ線との関係
を示した模式図、第９図は従来のデイフラクトメーター
法を説明するための模式図、第１Ｏ図は薄膜のＸ線回折
を測定するための従来方法を示した模式図、第１１図は
試料の回折角２θが３０’以下である場合の試料表面の
凹凸に起因する散乱Ｘ線の影響を示した模式図、第１２
図は従来方法によりＸ線の入射角βが３°であるときの
Ｘ、ｌｊｊ！の強度Ｉを測定した結果を示したグラフで
ある。 １０・・・試料 １１・・・基板 ｒ・・・入射Ｘ線 ｄ・・・回折Ｘ線 特許出願人：住友金属工業株式会社 代 理 人：弁理士 弁内 龍ニ第５図 ｕ 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 ＋５．０ ２０．０ ２５．０
３０．０口折角 ２ｅ
置の一実施例を模式的に示した斜視図、第２図〜第４図
はそれぞれ試料の回折角２θが３０°、２５°、２０°
であるときのＸ線取り出し角ａと検出されたＸ線の強度
Ｉとの関係を示したグラフ、第５図は本発明に係るＸ線
回折方法を説明するための模式図、第６図は（２）式を
用いてｘ＃ｊ！侵入深さを計算した結果を示したグラフ
、第７図は試料表面に全反射臨界角Ｂｅと同じ角度で入
射ｘＩａを照射したときの様子を示した模式図、第８図
は（ａ）、（ｂ）はＸ線の入射角βと散乱Ｘ線との関係
を示した模式図、第９図は従来のデイフラクトメーター
法を説明するための模式図、第１Ｏ図は薄膜のＸ線回折
を測定するための従来方法を示した模式図、第１１図は
試料の回折角２θが３０’以下である場合の試料表面の
凹凸に起因する散乱Ｘ線の影響を示した模式図、第１２
図は従来方法によりＸ線の入射角βが３°であるときの
Ｘ、ｌｊｊ！の強度Ｉを測定した結果を示したグラフで
ある。 １０・・・試料 １１・・・基板 ｒ・・・入射Ｘ線 ｄ・・・回折Ｘ線 特許出願人：住友金属工業株式会社 代 理 人：弁理士 弁内 龍ニ第５図 ｕ 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 ＋５．０ ２０．０ ２５．０
３０．０口折角 ２ｅ
Claims (1)
- （１）基板上に形成された試料にＸ線を照射し、回折さ
れたＸ線を取り出して前記試料の結晶構造を解析するＸ
線回折方法において、 β＝２θ−αで表わされるＸ線取り出し角αを、０°よ
り大きくかつ５°以下に設定することを特徴とするＸ線
回折方法。 但し、２θ：試料の回折角 β：Ｘ線の基板に対する入射角 をそれぞれ表わす。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179988A JPH04198745A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | Ｘ線回折方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179988A JPH04198745A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | Ｘ線回折方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04198745A true JPH04198745A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=16075497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2179988A Pending JPH04198745A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | Ｘ線回折方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04198745A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000098091A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-07 | Rigaku Corp | ソーラスリット及びｘ線装置 |
| JP2009085669A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Rigaku Corp | Ｘ線回折装置およびｘ線回折方法 |
| JP2009085668A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Rigaku Corp | Ｘ線回折装置およびｘ線回折方法 |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP2179988A patent/JPH04198745A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000098091A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-07 | Rigaku Corp | ソーラスリット及びｘ線装置 |
| JP2009085669A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Rigaku Corp | Ｘ線回折装置およびｘ線回折方法 |
| JP2009085668A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Rigaku Corp | Ｘ線回折装置およびｘ線回折方法 |
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