JPH029445B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH029445B2 JPH029445B2 JP57053089A JP5308982A JPH029445B2 JP H029445 B2 JPH029445 B2 JP H029445B2 JP 57053089 A JP57053089 A JP 57053089A JP 5308982 A JP5308982 A JP 5308982A JP H029445 B2 JPH029445 B2 JP H029445B2
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- Japan
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- nitride film
- quartz tube
- wafer
- grown
- film
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/694—Inorganic materials composed of nitrides
- H10P14/6943—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon
- H10P14/69433—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は半導体装置を製造する装置、より詳し
くは化学気相成長法によりウエハ表面に窒化膜の
成長を行う半導体装置の製造装置に関する。
くは化学気相成長法によりウエハ表面に窒化膜の
成長を行う半導体装置の製造装置に関する。
(2) 技術の背景
化学気相成長法（CVD法）は半導体装置製造
において重要な成膜技術である。このCVD法は
反応管内にウエハを配置し、結晶成長に必要なガ
スを流し込み、加熱することによつてウエハ面上
に結晶を成長させる技術である。
において重要な成膜技術である。このCVD法は
反応管内にウエハを配置し、結晶成長に必要なガ
スを流し込み、加熱することによつてウエハ面上
に結晶を成長させる技術である。
第１図は上記CVD法によつてウエハ表面に窒
化膜（Si3N4）を成長させる石英反応管の構造を
示す斜視図である。
化膜（Si3N4）を成長させる石英反応管の構造を
示す斜視図である。
同図を参照すると、直径が例えば115mmの石英
反応管１内に複数枚のウエハ２がバスケツト３に
保持されて配置されている。このバスケツト３は
石英管への出し入れが自由であつてウエハ２の交
換を容易にするものである。
反応管１内に複数枚のウエハ２がバスケツト３に
保持されて配置されている。このバスケツト３は
石英管への出し入れが自由であつてウエハ２の交
換を容易にするものである。
上記装置による窒化膜の成長は、石英管１内に
外部からシラン（SiH4）とアンモニア（NH3）
の混合ガスを流し込み、加熱装置（図示せず）に
よる800℃の高温下で行われる。このとき窒化膜
の成長速度は35Å／minである。また反応したガ
スは排気装置（図示せず）によつて石英管１の外
部へ排出される。
外部からシラン（SiH4）とアンモニア（NH3）
の混合ガスを流し込み、加熱装置（図示せず）に
よる800℃の高温下で行われる。このとき窒化膜
の成長速度は35Å／minである。また反応したガ
スは排気装置（図示せず）によつて石英管１の外
部へ排出される。
ところで、上記CVD法による窒化膜成長にお
いて、膜形成時にウエハ表面を清浄に保つことが
きわめて重要である。これはウエハ表面に付着物
があると、微細パターンの形成が不可能となるだ
けでなく、付着物の存在するチツプは不良品とな
ることを免れず、半導体装置の製造歩留りの低下
と信頼性低下をもまねくからである。
いて、膜形成時にウエハ表面を清浄に保つことが
きわめて重要である。これはウエハ表面に付着物
があると、微細パターンの形成が不可能となるだ
けでなく、付着物の存在するチツプは不良品とな
ることを免れず、半導体装置の製造歩留りの低下
と信頼性低下をもまねくからである。
(3) 従来技術と問題点
第２図は従来技術による窒化膜成長時における
石英反応管の断面図で、同図において第１図に示
したものと同じ部分は同じ符号を付して示す。
石英反応管の断面図で、同図において第１図に示
したものと同じ部分は同じ符号を付して示す。
第１図に示す装置を用いてウエハ２の表面に窒
化膜を成長させると、同時に石英反応管１の内壁
にも窒化膜４が付着する。いま窒化膜形成を、シ
ランとアンモニアの混合気体を用いて、前記した
温度800℃、膜成長速度35Å／minの条件で行う
と、ウエハ表面に成長する窒化膜の厚さが2μm程
度になつたところでウエハ２に付着物（ゴミ）が
付着していることが確認された。このゴミの多く
は石英管１の内壁についた窒化膜４がはがれて落
下し、その破片がウエハ２の表面に付着したもの
である。なお、従来技術では上記ゴミの付着を防
止するため、窒化膜の厚さが2μm程度に成長した
ところで、石英管１の内壁についた窒化膜４をふ
つ酸により除去している。
化膜を成長させると、同時に石英反応管１の内壁
にも窒化膜４が付着する。いま窒化膜形成を、シ
ランとアンモニアの混合気体を用いて、前記した
温度800℃、膜成長速度35Å／minの条件で行う
と、ウエハ表面に成長する窒化膜の厚さが2μm程
度になつたところでウエハ２に付着物（ゴミ）が
付着していることが確認された。このゴミの多く
は石英管１の内壁についた窒化膜４がはがれて落
下し、その破片がウエハ２の表面に付着したもの
である。なお、従来技術では上記ゴミの付着を防
止するため、窒化膜の厚さが2μm程度に成長した
ところで、石英管１の内壁についた窒化膜４をふ
つ酸により除去している。
以上述べた如く、従来技術では窒化膜の膜厚が
2μm以上になると、ウエハ表面にゴミが発生する
ため、微細パターンの形成が妨げられるだけでな
く当該装置の連続使用が中断される問題点があ
る。すなわちこの付着物の発生を防止するため、
石英管内壁についた窒化膜の除去処理を適宜行わ
なければならないことも半導体装置製造の歩留り
の観点から従来技術の問題点である。
2μm以上になると、ウエハ表面にゴミが発生する
ため、微細パターンの形成が妨げられるだけでな
く当該装置の連続使用が中断される問題点があ
る。すなわちこの付着物の発生を防止するため、
石英管内壁についた窒化膜の除去処理を適宜行わ
なければならないことも半導体装置製造の歩留り
の観点から従来技術の問題点である。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来技術の欠点に鑑み、付着物
（ゴミ）の発生がなく、長時間連続して窒化膜成
長が行い得る半導体装置の製造装置の提供を目的
とする。
（ゴミ）の発生がなく、長時間連続して窒化膜成
長が行い得る半導体装置の製造装置の提供を目的
とする。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、内壁に化学
気相成長法によつてポリシリコン層を成長させた
石英管を用いて窒化膜成長を行う半導体製造装置
を提供することによつて達成される。
気相成長法によつてポリシリコン層を成長させた
石英管を用いて窒化膜成長を行う半導体製造装置
を提供することによつて達成される。
(6) 発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面によつて詳述す
る。
る。
第３図は本発明による石英管の断面図で、同図
において第１図および第２図に示したものと同じ
部分は同じ符号を付して示す。
において第１図および第２図に示したものと同じ
部分は同じ符号を付して示す。
同図を参照すると、石英管１の内壁に厚さ
1.5μmのポリシリコン膜５をCVD法で形成する。
このポリシリコン膜５の形成は窒化膜成長の場合
と同様に石英管１内にウエハ２を配置し、シラン
ガスを用いて温度620℃の条件で行う。この場合
のウエハは窒化膜成長と同じ状態とするためのも
のである。このときのポリシリコン膜の成長速度
は50Å／minである。
1.5μmのポリシリコン膜５をCVD法で形成する。
このポリシリコン膜５の形成は窒化膜成長の場合
と同様に石英管１内にウエハ２を配置し、シラン
ガスを用いて温度620℃の条件で行う。この場合
のウエハは窒化膜成長と同じ状態とするためのも
のである。このときのポリシリコン膜の成長速度
は50Å／minである。
本願の発明者は上述した内壁にポリシリコン膜
を形成した石英管１を用いて窒化膜成長を行う
と、付着物の発生が激減し、合計4μmの厚さの窒
化膜の成長が安定になし得ることを確認した。
を形成した石英管１を用いて窒化膜成長を行う
と、付着物の発生が激減し、合計4μmの厚さの窒
化膜の成長が安定になし得ることを確認した。
従来技術に比べ２倍の厚さの窒化膜成長が行な
える理由は、石英管１の内壁に形成したポリシリ
コン５と窒化膜との密着性が良いためである。な
お4μmの窒化膜成長を行なつた後は、石英管１を
洗浄してポリシリコン層および付着した窒化膜を
除去し、再び新たなポリシリコン層を形成して窒
化膜成長を行う。
える理由は、石英管１の内壁に形成したポリシリ
コン５と窒化膜との密着性が良いためである。な
お4μmの窒化膜成長を行なつた後は、石英管１を
洗浄してポリシリコン層および付着した窒化膜を
除去し、再び新たなポリシリコン層を形成して窒
化膜成長を行う。
(7) 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の半導体
装置の製造装置は、ウエハ表面への窒化膜成長に
対して、付着物の発生がなく従来の２倍以上の連
続使用に耐えるため、経済性に優れるだけでな
く、半導体装置の信頼性向上（高品質）および微
細パターンの形成に効果大である。
装置の製造装置は、ウエハ表面への窒化膜成長に
対して、付着物の発生がなく従来の２倍以上の連
続使用に耐えるため、経済性に優れるだけでな
く、半導体装置の信頼性向上（高品質）および微
細パターンの形成に効果大である。
第１図は窒化膜形成に用いる石英管の斜視図、
第２図は従来技術における石英管の断面図、第３
図は本発明にかかる石英管の断面図である。 １…石英管、２…ウエハ、３…バスケツト、４
…窒化膜、５…ポリシリコン膜。
第２図は従来技術における石英管の断面図、第３
図は本発明にかかる石英管の断面図である。 １…石英管、２…ウエハ、３…バスケツト、４
…窒化膜、５…ポリシリコン膜。
Claims (1)
- １ 円筒形石英管内にウエハを配設し、化学気相
成長法によつて前記ウエハ表面上に窒化膜を成長
させる半導体装置の製造装置において、該円筒形
石英管の内壁表面にポリシリコン層を形成して成
ることを特徴とする半導体装置製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053089A JPS58170019A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053089A JPS58170019A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58170019A JPS58170019A (ja) | 1983-10-06 |
| JPH029445B2 true JPH029445B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=12933050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57053089A Granted JPS58170019A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58170019A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152229A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 熱処理炉 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2025203B (en) * | 1978-07-12 | 1983-02-16 | Knees H | Cooking utensil |
| JPS55127021A (en) * | 1979-03-24 | 1980-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | Deposition apparatus for gaseous phase reaction |
| JPS55151339A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Quartz tube for heat treatment |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053089A patent/JPS58170019A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58170019A (ja) | 1983-10-06 |
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