JPH029457B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH029457B2 JPH029457B2 JP56148334A JP14833481A JPH029457B2 JP H029457 B2 JPH029457 B2 JP H029457B2 JP 56148334 A JP56148334 A JP 56148334A JP 14833481 A JP14833481 A JP 14833481A JP H029457 B2 JPH029457 B2 JP H029457B2
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- layer
- carrier type
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/69—Insulating materials thereof
- H10W70/692—Ceramics or glasses
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテープキヤリア型実装方式のICに用
いる基板材料に関するものであり、耐熱性及び熱
放散性を改善して、テープキヤリア型実装方式の
適用可能範囲を著しく向上させることを可能にす
る基板を提供するものである。
いる基板材料に関するものであり、耐熱性及び熱
放散性を改善して、テープキヤリア型実装方式の
適用可能範囲を著しく向上させることを可能にす
る基板を提供するものである。
テープキヤリア型IC実装はIC実装に連続化及
びボンデイング速度の向上の面でIC実装技術の
中でも注目されている。しかしながら基板用フイ
ルムとしてポリイミドなどの有機物が用いられる
ことから耐熱性及び熱放散性が十分でなく、近年
需要がますます増大しつつあるパワーIC用途へ
の展開や部品実装の高密度化などが困難であり実
用可能範囲が限定されているのが実情である。
びボンデイング速度の向上の面でIC実装技術の
中でも注目されている。しかしながら基板用フイ
ルムとしてポリイミドなどの有機物が用いられる
ことから耐熱性及び熱放散性が十分でなく、近年
需要がますます増大しつつあるパワーIC用途へ
の展開や部品実装の高密度化などが困難であり実
用可能範囲が限定されているのが実情である。
本発明はかかるテープキヤリア型IC実装用基
板フイルムの欠点を解消し、耐熱性、熱放散性良
好なる基板フイルムを提供せんとするものであ
る。第１図は現在広く用いられているテープキヤ
リア型IC実装に用いられる基板フイルムの一部
断面構造を示すもので、ポリイミドフイルム１の
上に銅箔２を接着したものである。この銅箔をレ
ジスト法により回路形成したものがリードフレー
ムとして用いられている。しかし、この方法はポ
リイミドフイルムと銅箔の接合性が150℃以上の
温度に長時間さらされると著しく劣化すること及
びポリイミドフイルム自体の熱伝導性が悪いこと
からIC組立工程での高温処理やIC動作時に発生
する熱の放散などの点で問題点が多い。
板フイルムの欠点を解消し、耐熱性、熱放散性良
好なる基板フイルムを提供せんとするものであ
る。第１図は現在広く用いられているテープキヤ
リア型IC実装に用いられる基板フイルムの一部
断面構造を示すもので、ポリイミドフイルム１の
上に銅箔２を接着したものである。この銅箔をレ
ジスト法により回路形成したものがリードフレー
ムとして用いられている。しかし、この方法はポ
リイミドフイルムと銅箔の接合性が150℃以上の
温度に長時間さらされると著しく劣化すること及
びポリイミドフイルム自体の熱伝導性が悪いこと
からIC組立工程での高温処理やIC動作時に発生
する熱の放散などの点で問題点が多い。
第２図は本発明によるテープキヤリア型IC実
装用基板フイルムの一部断面構造を示すもので、
基板として有機物でなく、十分可撓性のある金属
箔３を用い、この上に電気絶縁性のセラミツクフ
イルム４を被覆した後、そのセラミツク層の上に
銅フイルム５を被覆したもので三層構造を示す。
金属箔３は十分な可撓性を必要とするため厚みは
0.01〜0.10mmに限定される。材質としては、ICの
熱膨脹特性と熱放散特性に対する要求に応じて選
択されるが、コバール、42アロイ（42％Ni−
Fe）、各種銅合金、Cuクラツド42アロイクラツド
Cu、CuクラツドステンレスクラツドCu、42アロ
イクラツド銅フラツド42アロイなどの材料が有効
である。又被覆セラミツク層４としては、厚み
0.1〜3μmで、BN、Al2O3、AlN、SiC、Si3N4、
Y2O3から選ばれた１種又は２種以上の酸化物が
有益であり、回路基板の要求特性に応じて選択す
ることができる。セラミツク被覆層の厚みが0.1μ
以下では絶縁性の上で問題があり、3μ以上では
被覆コストが高くなることと可撓性、密着強度の
点で問題がある。
装用基板フイルムの一部断面構造を示すもので、
基板として有機物でなく、十分可撓性のある金属
箔３を用い、この上に電気絶縁性のセラミツクフ
イルム４を被覆した後、そのセラミツク層の上に
銅フイルム５を被覆したもので三層構造を示す。
金属箔３は十分な可撓性を必要とするため厚みは
0.01〜0.10mmに限定される。材質としては、ICの
熱膨脹特性と熱放散特性に対する要求に応じて選
択されるが、コバール、42アロイ（42％Ni−
Fe）、各種銅合金、Cuクラツド42アロイクラツド
Cu、CuクラツドステンレスクラツドCu、42アロ
イクラツド銅フラツド42アロイなどの材料が有効
である。又被覆セラミツク層４としては、厚み
0.1〜3μmで、BN、Al2O3、AlN、SiC、Si3N4、
Y2O3から選ばれた１種又は２種以上の酸化物が
有益であり、回路基板の要求特性に応じて選択す
ることができる。セラミツク被覆層の厚みが0.1μ
以下では絶縁性の上で問題があり、3μ以上では
被覆コストが高くなることと可撓性、密着強度の
点で問題がある。
セラミツク被覆層の上に被覆する銅箔５は10〜
50μmの厚みが必要でこれは導電回路形成の上で
必要な厚さに基くものである。
50μmの厚みが必要でこれは導電回路形成の上で
必要な厚さに基くものである。
セラミツク及び銅フイルムの被覆法としては薄
く均一で安定な密着性の点で物理的気相蒸着法
（PVC法）や化学的気相蒸着法（CVD法）などの
気相メツキ法を用いると本発明の効果が顕著であ
る。
く均一で安定な密着性の点で物理的気相蒸着法
（PVC法）や化学的気相蒸着法（CVD法）などの
気相メツキ法を用いると本発明の効果が顕著であ
る。
しかし、銅フイルムの被覆は接着剤による方
法、圧接法も利用し得る。
法、圧接法も利用し得る。
以下実施例によつて説明する。
板厚0.10mmの銅クラツド42アロイクラツド銅の
上にイオンプレーテイング法でAl2O3薄膜を
1.0μm被覆したのち、スパツタリング法で20μm
のCu膜を被覆した。
上にイオンプレーテイング法でAl2O3薄膜を
1.0μm被覆したのち、スパツタリング法で20μm
のCu膜を被覆した。
基板としては積層金属テープを用い熱膨張係数
を7.0×10-6／degとする為、銅比率（断面積比）
で60％とした。Al2O3被覆の為のイオンプレーテ
イングは原料としてAl2O3焼結体を用い、電子ビ
ーム加熱により蒸発させ、酸素圧４×10-4Torr
で、13.56MHz、100〜200Wの高周波電力を印加
して蒸発物質の一部をイオン化し、基板を200℃
に加熱してAl2O3を厚さ1.0μm被覆し、絶縁耐圧
3Mv／cm以上の絶縁性良好でかつ密着性、可撓
性のよいフイルムを作製した。又銅フイルムを形
成するスパツタリング条件はターゲツトとして無
酸素銅を用い、アルゴンガス雰囲気で、基板を
200℃に加熱して行つた。このようにして作製し
た基板フイルムは200℃で長時間さらされてもそ
の特性は劣化することもなく、被覆層が剥離する
こともなく可撓性も十分であつた。
を7.0×10-6／degとする為、銅比率（断面積比）
で60％とした。Al2O3被覆の為のイオンプレーテ
イングは原料としてAl2O3焼結体を用い、電子ビ
ーム加熱により蒸発させ、酸素圧４×10-4Torr
で、13.56MHz、100〜200Wの高周波電力を印加
して蒸発物質の一部をイオン化し、基板を200℃
に加熱してAl2O3を厚さ1.0μm被覆し、絶縁耐圧
3Mv／cm以上の絶縁性良好でかつ密着性、可撓
性のよいフイルムを作製した。又銅フイルムを形
成するスパツタリング条件はターゲツトとして無
酸素銅を用い、アルゴンガス雰囲気で、基板を
200℃に加熱して行つた。このようにして作製し
た基板フイルムは200℃で長時間さらされてもそ
の特性は劣化することもなく、被覆層が剥離する
こともなく可撓性も十分であつた。
以上説明した如く、十分な熱伝導性と所要の熱
膨張特性を有し、かつフイルムとして可撓性をも
つ金属又は複合合金テープ上に電気絶縁性を有す
るセラミツク膜を被覆した後、回路形成のための
Cuフイルムを被覆することにより、耐熱性及び
放熱性良好なテープキヤリア型実装方式のICに
用いる基板材料を作製することができ、テープキ
ヤリア型実装方式の適用範囲を著しく拡大するこ
とが可能となつた。
膨張特性を有し、かつフイルムとして可撓性をも
つ金属又は複合合金テープ上に電気絶縁性を有す
るセラミツク膜を被覆した後、回路形成のための
Cuフイルムを被覆することにより、耐熱性及び
放熱性良好なテープキヤリア型実装方式のICに
用いる基板材料を作製することができ、テープキ
ヤリア型実装方式の適用範囲を著しく拡大するこ
とが可能となつた。
第１図は従来の基板フイルム１部断面図、第２
図は本発明による基板フイルムの１部断面図であ
る。 １：ポリイミドフイルム、２：銅箔、３：金属
箔、４：セラミツクフイルム、５：銅箔。
図は本発明による基板フイルムの１部断面図であ
る。 １：ポリイミドフイルム、２：銅箔、３：金属
箔、４：セラミツクフイルム、５：銅箔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 板厚0.01〜0.10mmの可撓性のある金属又は複
合合金テープの上に、厚さ0.1〜3μmで電気絶縁
性を有するセラミツク薄層があり、更にその上に
銅フイルムが10〜50μmの厚みで被覆された三層
構造であることを特徴とするテープキヤリア型
IC用基板。 ２ 三層の中間層であるセラミツクがBN、
Al2O3、SiC、Si3N4、Y2O3の１種以上の酸化物
薄層であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のテープキヤリア型IC用基板。 ３ 三層の中間層であるセラミツク薄層がPVD
法又はCVD法によつて被覆されたものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のテー
プキヤリア型IC基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148334A JPS5848954A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | テ−プキヤリア型ｉｃ用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148334A JPS5848954A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | テ−プキヤリア型ｉｃ用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848954A JPS5848954A (ja) | 1983-03-23 |
| JPH029457B2 true JPH029457B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=15450442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56148334A Granted JPS5848954A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | テ−プキヤリア型ｉｃ用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848954A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0260138A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子の実装用の基板 |
| JPH0260137A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子の実装用基板 |
| JP2007092985A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-04-12 | Nissan Motor Co Ltd | ピストンリング構造体 |
| JP2008306102A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリア及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP56148334A patent/JPS5848954A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5848954A (ja) | 1983-03-23 |
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