JPH0260137A - 半導体素子の実装用基板 - Google Patents
半導体素子の実装用基板Info
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- JPH0260137A JPH0260137A JP21043288A JP21043288A JPH0260137A JP H0260137 A JPH0260137 A JP H0260137A JP 21043288 A JP21043288 A JP 21043288A JP 21043288 A JP21043288 A JP 21043288A JP H0260137 A JPH0260137 A JP H0260137A
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- Japan
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- copper foil
- insulating layer
- semiconductor element
- mounting
- resin film
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体素子実装用基板に関するものであり、と
（に、接着剤を不要とする構造の半導体素子実装用基板
に好適な銅箔およびそれを使用した半導体素子の実装用
基板に関する。
（に、接着剤を不要とする構造の半導体素子実装用基板
に好適な銅箔およびそれを使用した半導体素子の実装用
基板に関する。
近年、半導体素子を基板に実装する技術の進歩は急激で
ある。特にテープ自動配線接続（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ 、以下ＴＡＢと略称する）は
集積回路を形成された半導体素子（以下ＩＣチップと略
称する）を半導体素子実装用の回路基板にワイヤボンデ
ィングなしで、接続する技術であり、５００〜６００個
と云う多数の外部接続配線数を有するＩＣチップの配線
接続を一度に可能にするため、高密度の実装技術が必要
とされている現在、研究開発が活発に進められている。
ある。特にテープ自動配線接続（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ 、以下ＴＡＢと略称する）は
集積回路を形成された半導体素子（以下ＩＣチップと略
称する）を半導体素子実装用の回路基板にワイヤボンデ
ィングなしで、接続する技術であり、５００〜６００個
と云う多数の外部接続配線数を有するＩＣチップの配線
接続を一度に可能にするため、高密度の実装技術が必要
とされている現在、研究開発が活発に進められている。
ＴＡＢに用いる基板の方式には二層構造と二層構造があ
るが、いずれの構造においても第４図ａ（二層構造）お
よび第４図ｂ（二層構造）に示されるように、ＩＣチッ
プが実装される位置において樹脂フィルム３は穴あけ加
工を施さねばならない、これは、耐熱性の樹脂フィルム
といえども、ＩＣチップ実装時の温度に耐えることが困
難であるからである。
るが、いずれの構造においても第４図ａ（二層構造）お
よび第４図ｂ（二層構造）に示されるように、ＩＣチッ
プが実装される位置において樹脂フィルム３は穴あけ加
工を施さねばならない、これは、耐熱性の樹脂フィルム
といえども、ＩＣチップ実装時の温度に耐えることが困
難であるからである。
しかして、穴あけ加工は、二層構造と三層構造において
、それぞれ異なる方式で行われている。
、それぞれ異なる方式で行われている。
二層構造のＴＡＢにおいては、樹脂フィルムはエツチン
グ加工により穴あけ加工が行われている。
グ加工により穴あけ加工が行われている。
しかしながら、耐熱性の樹脂フィルムの場合、このエツ
チングは困難である。−船釣にＴＡＢに利用される耐熱
性の樹脂フィルムは耐薬品性にもすぐれているからであ
る。これに対して、三層構造のＴＡＢにおいては、あら
かじめ型抜きやパンチング等により穴あけ加工を行うこ
とができるので、従来技術においては、もっばら、この
三層構造のＴＡＢが半導体の実装用に用いられてきた。
チングは困難である。−船釣にＴＡＢに利用される耐熱
性の樹脂フィルムは耐薬品性にもすぐれているからであ
る。これに対して、三層構造のＴＡＢにおいては、あら
かじめ型抜きやパンチング等により穴あけ加工を行うこ
とができるので、従来技術においては、もっばら、この
三層構造のＴＡＢが半導体の実装用に用いられてきた。
しかしながら、この三層構造のＴＡＢは、−船釣に銅箔
と耐熱性の樹脂フィルムを接着剤で貼り合わせたもので
あり、耐熱性の低い接着剤を用いているために、ＴＡＢ
としての耐熱性は樹脂フィルムの耐熱性よりも低下する
という大きい問題点を有している。このために、接着剤
を不要にする構造のＴＡＢによる実装技術の開発が望ま
れており、従来は、接着剤が不要である二層構造におい
て、耐熱性の樹脂フィルムのエンチング技術が盛んに検
討されてきた。
と耐熱性の樹脂フィルムを接着剤で貼り合わせたもので
あり、耐熱性の低い接着剤を用いているために、ＴＡＢ
としての耐熱性は樹脂フィルムの耐熱性よりも低下する
という大きい問題点を有している。このために、接着剤
を不要にする構造のＴＡＢによる実装技術の開発が望ま
れており、従来は、接着剤が不要である二層構造におい
て、耐熱性の樹脂フィルムのエンチング技術が盛んに検
討されてきた。
本発明者等は、エツチング技術そのものを不要にする技
術を開発すべく、ＴＡＢの実装工程を鋭意検討した結果
、ＩＣチップの実装において、必要とされる熱負荷に耐
えるには、５００ ’Ｃにおいて、約１秒の耐熱性を有
すれば、実質的に充分であり、該耐熱性は特定の絶縁層
を形成することにより与えられることを見出した０本発
明はかかる知見に基づきなされるに到ったものである。
術を開発すべく、ＴＡＢの実装工程を鋭意検討した結果
、ＩＣチップの実装において、必要とされる熱負荷に耐
えるには、５００ ’Ｃにおいて、約１秒の耐熱性を有
すれば、実質的に充分であり、該耐熱性は特定の絶縁層
を形成することにより与えられることを見出した０本発
明はかかる知見に基づきなされるに到ったものである。
すなわち、本発明は、
銅箔上に、無機物質からなる絶縁層を形成したことを特
徴とする半導体素子の実装用基板に好適な銅箔、であり
、また、 銅箔上に、無機物質からなる絶縁層を形成し、さらに咳
ｖＡ縁層の上に樹脂フィルム層を形成してなることを特
徴とする半導体素子の実装用基板、である。
徴とする半導体素子の実装用基板に好適な銅箔、であり
、また、 銅箔上に、無機物質からなる絶縁層を形成し、さらに咳
ｖＡ縁層の上に樹脂フィルム層を形成してなることを特
徴とする半導体素子の実装用基板、である。
本発明は、第１図に例示したように、銅箔１上に、無機
物質からなる絶縁層２を形成したことを特徴とする半導
体素子の実装用基板に好適な銅箔、であり、また、第２
図Ｃに示したように、銅箔１上に、無機物質からなる絶
縁Ｎ２を形成し、さらに該絶縁層の上に樹脂フィルム層
３を形成してなる半導体素子の実装用基板、である。
物質からなる絶縁層２を形成したことを特徴とする半導
体素子の実装用基板に好適な銅箔、であり、また、第２
図Ｃに示したように、銅箔１上に、無機物質からなる絶
縁Ｎ２を形成し、さらに該絶縁層の上に樹脂フィルム層
３を形成してなる半導体素子の実装用基板、である。
本発明の無機物質からなる絶縁層の形成に用いることの
できる材料は酸化物、窒化物、炭化物等であり、具体的
には、酸化珪素、酸化アルミ、酸化チタン、酸化タンタ
ル、窒化珪素、窒化アルミ、炭化珪素等の電気絶縁性の
材料を有効に用いることができる。絶縁層を銅箔上に形
成するには、物理的な手法、化学的な手法のいずれでも
よい。
できる材料は酸化物、窒化物、炭化物等であり、具体的
には、酸化珪素、酸化アルミ、酸化チタン、酸化タンタ
ル、窒化珪素、窒化アルミ、炭化珪素等の電気絶縁性の
材料を有効に用いることができる。絶縁層を銅箔上に形
成するには、物理的な手法、化学的な手法のいずれでも
よい。
しかして、物理的な手法としては、スパッタリングや薄
着があり、化学的な手法としては、化学気相堆積法（Ｃ
ＶＤ法）、プラズマ化学気相堆積法（ＰＣＶＤ法）のよ
うな気相成長、ゾルゲル法、浸漬法のように液状の材料
からの薄膜形成等の手法を有効に用いることができる。
着があり、化学的な手法としては、化学気相堆積法（Ｃ
ＶＤ法）、プラズマ化学気相堆積法（ＰＣＶＤ法）のよ
うな気相成長、ゾルゲル法、浸漬法のように液状の材料
からの薄膜形成等の手法を有効に用いることができる。
該絶縁層はＴＡＢプロセスにおける熱負荷に耐える性質
、好ましくは上記したごとり５００℃において１秒間の
耐熱性を付与するものであり、この為に、絶縁層の厚み
としては、０．０１〜２０ｕｓ 、好ましくは、０．１
〜１５μｍ程度である０本発明は、一つには、以上説明
したように、銅箔１の上に、無機物質からなる絶縁層２
を形成した半導体素子の実装用基板に好適な銅箔である
。
、好ましくは上記したごとり５００℃において１秒間の
耐熱性を付与するものであり、この為に、絶縁層の厚み
としては、０．０１〜２０ｕｓ 、好ましくは、０．１
〜１５μｍ程度である０本発明は、一つには、以上説明
したように、銅箔１の上に、無機物質からなる絶縁層２
を形成した半導体素子の実装用基板に好適な銅箔である
。
以下、本発明の好ましい実施の態様を第２図において説
明する。第２図ａにおいて、銅箔１上に０．１〜１５μ
−程度の膜厚に、無機物質からなる絶縁層２を形成する
。これが本発明の一つたる半導体素子の実装用基板に好
適な銅箔であるが、さらに、該絶縁層上に、第２図すに
示すように、樹脂フィルムのワニスや樹脂フィルムの前
駆体等３゜を塗布厚み、１０〜２００μｍ、好ましくは
１５〜１５０μｍ、特に好ましくは、２０〜１００μｍ
程度の厚みに塗布形成する。該樹脂フィルムのワニスや
樹脂フィルムの前駆体等を常法に従い硬化処理し、第２
図Ｃに示したような樹脂フィルム３を該絶縁層上に形成
する。これは、本発明の他の一つたる半導体素子の実装
用基板である。なお、絶縁層は必ずしも銅箔上に一面に
設ける必要はなく、第３図に示したように、場合によっ
ては、ＩＣチップが実装される位置に対応する部分だけ
に設けてもよい。
明する。第２図ａにおいて、銅箔１上に０．１〜１５μ
−程度の膜厚に、無機物質からなる絶縁層２を形成する
。これが本発明の一つたる半導体素子の実装用基板に好
適な銅箔であるが、さらに、該絶縁層上に、第２図すに
示すように、樹脂フィルムのワニスや樹脂フィルムの前
駆体等３゜を塗布厚み、１０〜２００μｍ、好ましくは
１５〜１５０μｍ、特に好ましくは、２０〜１００μｍ
程度の厚みに塗布形成する。該樹脂フィルムのワニスや
樹脂フィルムの前駆体等を常法に従い硬化処理し、第２
図Ｃに示したような樹脂フィルム３を該絶縁層上に形成
する。これは、本発明の他の一つたる半導体素子の実装
用基板である。なお、絶縁層は必ずしも銅箔上に一面に
設ける必要はなく、第３図に示したように、場合によっ
ては、ＩＣチップが実装される位置に対応する部分だけ
に設けてもよい。
第２図ｄは本発明の半導体素子の実装用基板から、ＩＣ
チップを実装できるように銅箔１の不必要な部分を常法
により除去したところの断面図であり、本発明の接着剤
を不要にする構造のＴＡＢの断面構造を表している。第
２図ｅは最終的に、ＩＣチップ４を実装した時の断面図
であり、本発明の適用例を示しているのである。なお、
第１図ならびに第２図において、縦、横のサイズは任意
に選択されており、とくに断面図においては、説明を容
易にするために、材料の厚みを拡大強調していることに
注意されたい。
チップを実装できるように銅箔１の不必要な部分を常法
により除去したところの断面図であり、本発明の接着剤
を不要にする構造のＴＡＢの断面構造を表している。第
２図ｅは最終的に、ＩＣチップ４を実装した時の断面図
であり、本発明の適用例を示しているのである。なお、
第１図ならびに第２図において、縦、横のサイズは任意
に選択されており、とくに断面図においては、説明を容
易にするために、材料の厚みを拡大強調していることに
注意されたい。
本発明は、その趣旨において、銅箔ならびに好ましくは
耐熱性の樹脂フィルムについては特に、限定されるもの
ではない、従来技術において、利用されている材料であ
れば、如何なるものをも有効に用いることができる。た
とえば、銅箔においては、圧延ｗ４箔、電解ｉＶ３等を
有効に用いることができる。また、好ましくは耐熱性の
樹脂フィルムとしてはポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリパラバン酸、ポリヒダントイン、ポリベンゾイミダ
ゾール等の樹脂フィルムのワニスや樹脂フィルムの前駆
体等を有効に利用できる。
耐熱性の樹脂フィルムについては特に、限定されるもの
ではない、従来技術において、利用されている材料であ
れば、如何なるものをも有効に用いることができる。た
とえば、銅箔においては、圧延ｗ４箔、電解ｉＶ３等を
有効に用いることができる。また、好ましくは耐熱性の
樹脂フィルムとしてはポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリパラバン酸、ポリヒダントイン、ポリベンゾイミダ
ゾール等の樹脂フィルムのワニスや樹脂フィルムの前駆
体等を有効に利用できる。
以下、実施例により、本発明の実施の態様をさらに詳細
に説明する。
に説明する。
（実施例１〕
３５μｍの圧延銅箔の上に、絶縁層として酸化珪素をス
パッタリングにより膜厚０．２μｍ形成し、第１図に示
したような半導体素子の実装用基板に好適な銅箔を得た
。この炭化珪素層の上から、ポリイミドの前駆体である
ポリアミド酸ワニスを１００μｍの塗布厚みに塗布した
のち、イミド化により硬化させ、耐熱性のポリイミドフ
ィルムを形成し第２図Ｃに示したような半導体素子の実
装用基板を得た。ついで、ｆＩＮを塩化第二鉄溶液を用
いてエツチング除去して、回路を形成した。
パッタリングにより膜厚０．２μｍ形成し、第１図に示
したような半導体素子の実装用基板に好適な銅箔を得た
。この炭化珪素層の上から、ポリイミドの前駆体である
ポリアミド酸ワニスを１００μｍの塗布厚みに塗布した
のち、イミド化により硬化させ、耐熱性のポリイミドフ
ィルムを形成し第２図Ｃに示したような半導体素子の実
装用基板を得た。ついで、ｆＩＮを塩化第二鉄溶液を用
いてエツチング除去して、回路を形成した。
該回路にＩＣチップを実装する代わりに、５００℃に加
熱した銅の棒を１秒間接触させて、耐熱性をテストした
。テスト後、耐熱性フィルムには外観ならびに電気的な
性質の劣化は全く観察されなかった。すなわち、本発明
の半導体素子の実装用基板はＩＣチップの実装に充分耐
える耐熱性を有していることが確認された。
熱した銅の棒を１秒間接触させて、耐熱性をテストした
。テスト後、耐熱性フィルムには外観ならびに電気的な
性質の劣化は全く観察されなかった。すなわち、本発明
の半導体素子の実装用基板はＩＣチップの実装に充分耐
える耐熱性を有していることが確認された。
〔実施例２〕
テトラエトキシシラン溶液を３５μｍの電解銅箔上に塗
布し、溶媒除去後、加熱焼成して酸化珪素とするゾルゲ
ル法により膜厚１０ｐｍの酸化珪素薄膜を絶縁層として
形成し半導体素子の実装用基板に好適な銅箔を得た。該
薄膜上にポリイミドのクロルフェノール溶液を７５μｍ
の塗布厚みに塗布したのち、溶媒を加熱除去して、耐熱
性のポリイミドフィルムを形成し半導体素子の実装用基
板を得た。ついで、銅箔をエツチング除去して、回路を
形成した。実施例！と同じ耐熱性のテストを実施し、同
様の結果を得たことにより、ゾルゲル法で形成される酸
化珪素も本発明において、有効であった。
布し、溶媒除去後、加熱焼成して酸化珪素とするゾルゲ
ル法により膜厚１０ｐｍの酸化珪素薄膜を絶縁層として
形成し半導体素子の実装用基板に好適な銅箔を得た。該
薄膜上にポリイミドのクロルフェノール溶液を７５μｍ
の塗布厚みに塗布したのち、溶媒を加熱除去して、耐熱
性のポリイミドフィルムを形成し半導体素子の実装用基
板を得た。ついで、銅箔をエツチング除去して、回路を
形成した。実施例！と同じ耐熱性のテストを実施し、同
様の結果を得たことにより、ゾルゲル法で形成される酸
化珪素も本発明において、有効であった。
以上の実施例から明らかなように、本発明は接着剤を不
要にする構造の基板を提供するもので、従来のＴＡＢ技
術において、困難であった耐熱性の樹脂フィルムのエツ
チングを不要とするものであるから、今後のＴＡＢ技術
を大幅に進展させ、高密度実装技術にきわめて、貢献す
るものであり、その産業上の利用可能性は極めて大きい
と言わざるを得ないのである。
要にする構造の基板を提供するもので、従来のＴＡＢ技
術において、困難であった耐熱性の樹脂フィルムのエツ
チングを不要とするものであるから、今後のＴＡＢ技術
を大幅に進展させ、高密度実装技術にきわめて、貢献す
るものであり、その産業上の利用可能性は極めて大きい
と言わざるを得ないのである。
第１図は本発明の実施の態様の一例を示す断面図である
。第２図ａ〜第２図ｅは本発明をＴＡＢに使用するとき
の実施の態様の一例を示す断面図である。第３図は本発
明の別の実施の態様を示すものであって断面構造を模式
的に表した断面図であり、第４図ａおよび第４図すは従
来技術による例を示す断面図である０図中、１−・−・
−・−・−胴箔、２・−・・−・・−・・・・無機物質
の絶縁層、３−−−−−−−−−・−耐熱性の樹脂フィ
ルム、３゛ 樹脂フィルムのワニスや樹脂フィルム
の前駆体等、４−・−・・−・・−ＩＣチップ、５−・
・−・−・・・−接着剤、を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図
。第２図ａ〜第２図ｅは本発明をＴＡＢに使用するとき
の実施の態様の一例を示す断面図である。第３図は本発
明の別の実施の態様を示すものであって断面構造を模式
的に表した断面図であり、第４図ａおよび第４図すは従
来技術による例を示す断面図である０図中、１−・−・
−・−・−胴箔、２・−・・−・・−・・・・無機物質
の絶縁層、３−−−−−−−−−・−耐熱性の樹脂フィ
ルム、３゛ 樹脂フィルムのワニスや樹脂フィルム
の前駆体等、４−・−・・−・・−ＩＣチップ、５−・
・−・−・・・−接着剤、を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）銅箔上に、無機物質からなる絶縁層を形成したこ
とを特徴とする半導体素子の実装用基板に好適な銅箔。 - （２）銅箔上に、無機物質からなる絶縁層を形成し、さ
らに該絶縁層の上に樹脂フィルム層を形成してなること
を特徴とする半導体素子の実装用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21043288A JPH0260137A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 半導体素子の実装用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21043288A JPH0260137A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 半導体素子の実装用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260137A true JPH0260137A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16589224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21043288A Pending JPH0260137A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 半導体素子の実装用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0260137A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0260138A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子の実装用の基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848954A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | テ−プキヤリア型ｉｃ用基板 |
| JPH01133729A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-25 | Nitto Denko Corp | 導電性積層フイルム |
| JPH0260138A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子の実装用の基板 |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP21043288A patent/JPH0260137A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848954A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | テ−プキヤリア型ｉｃ用基板 |
| JPH01133729A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-25 | Nitto Denko Corp | 導電性積層フイルム |
| JPH0260138A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子の実装用の基板 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0260138A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子の実装用の基板 |
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