JPH0299926A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPH0299926A JPH0299926A JP63253390A JP25339088A JPH0299926A JP H0299926 A JPH0299926 A JP H0299926A JP 63253390 A JP63253390 A JP 63253390A JP 25339088 A JP25339088 A JP 25339088A JP H0299926 A JPH0299926 A JP H0299926A
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- JP
- Japan
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- film
- liquid crystal
- water surface
- monomolecular
- substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮】−Ｌ０利」じ辷１
本発明は液晶素子に関するものである。
従来■及街
液晶素子は、初期の頃の腕時計用のデイスプレィのよう
に、小さい面積に単純な数字を表示していたのに比較し
て今日では、パソコン用のデイスプレィのように大面積
の用途に用いられるようになってきた。また、画質を改
善するため、画素数も非席に多くなってきている。しか
しながら、液晶を配向させる方法は従来から行われてい
るラビング法が主流である。
に、小さい面積に単純な数字を表示していたのに比較し
て今日では、パソコン用のデイスプレィのように大面積
の用途に用いられるようになってきた。また、画質を改
善するため、画素数も非席に多くなってきている。しか
しながら、液晶を配向させる方法は従来から行われてい
るラビング法が主流である。
占
ラビング法は電極上に塗布された配向膜（通常はポリイ
ミド膜を用いる）を織布等で一定方向に擦るという単純
な方法であるため、低コストではあるが、大面積化と画
素数の増大が望まれるようになると表示の均一性が不十
分であったり、ラビング時の発塵による欠陥などが重大
な問題となってきた。一方、ラビングを行なわずに液晶
を配向させる方法としては斜方蒸着法がある。この方法
によれば良好な表示性能の液晶素子が製造できるが、蒸
着工程が重荷となり、大面積と低コスト化の面で問題を
残している。このため、ラビングせずに良好な初期配向
が能率良く得られる方法が求められていた。
ミド膜を用いる）を織布等で一定方向に擦るという単純
な方法であるため、低コストではあるが、大面積化と画
素数の増大が望まれるようになると表示の均一性が不十
分であったり、ラビング時の発塵による欠陥などが重大
な問題となってきた。一方、ラビングを行なわずに液晶
を配向させる方法としては斜方蒸着法がある。この方法
によれば良好な表示性能の液晶素子が製造できるが、蒸
着工程が重荷となり、大面積と低コスト化の面で問題を
残している。このため、ラビングせずに良好な初期配向
が能率良く得られる方法が求められていた。
占 ° るための
上記問題点を解決するために本発明の液晶素子は、第１
図に示すように少なくとも電極層を形成した基板上に、
水面上に展開して単分子膜を形成する性質を有する化合
物と分子の中央に剛直性をもつコアを有し、しかも水面
上に展開して単分子膜を形成する性質を有する化合物と
を含む混合物からなる単分子層を１層以上積層してなる
配向制御膜を備えたものである。
図に示すように少なくとも電極層を形成した基板上に、
水面上に展開して単分子膜を形成する性質を有する化合
物と分子の中央に剛直性をもつコアを有し、しかも水面
上に展開して単分子膜を形成する性質を有する化合物と
を含む混合物からなる単分子層を１層以上積層してなる
配向制御膜を備えたものである。
作朋
本発明は上記した構成によってラビングなどの後処理を
施さずに、ムラの無い均一に配向された高品位な液晶素
子を容易に低コストで得ることができる。
施さずに、ムラの無い均一に配向された高品位な液晶素
子を容易に低コストで得ることができる。
夫隻桝
以下本発明の一実施例の液晶素子について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
基板上に単分子膜を移し取る方法として従来よりラング
ミュア・プロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇ
ｅｔｔ ）法が一般的に用いられており、この方法によ
り得られた膜をＬＢ膜と呼んでいる。まず、単分子膜形
成能のある化合物と分子の中央に剛直性をもつコアを有
し単分子膜形成能のある化合物との混合物を有機溶剤中
に熔解し、これを水面上に滴下して前記混合物を水面上
に展開させる。次いで、展開している膜を一定表面圧に
達するまで圧縮して行き、いわゆる固体膜状態とする。
ミュア・プロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇ
ｅｔｔ ）法が一般的に用いられており、この方法によ
り得られた膜をＬＢ膜と呼んでいる。まず、単分子膜形
成能のある化合物と分子の中央に剛直性をもつコアを有
し単分子膜形成能のある化合物との混合物を有機溶剤中
に熔解し、これを水面上に滴下して前記混合物を水面上
に展開させる。次いで、展開している膜を一定表面圧に
達するまで圧縮して行き、いわゆる固体膜状態とする。
さらに第２図に示すように固体膜の表面圧を一定に保ち
つつ、該固体膜を横切って、あらかじめ一定のパターン
のインジウム・錫酸化物よりなる透明電極（ＩＴＯ電極
）を形成したガラス基板を上下させ、基板」二に固体膜
を移し取った。水面を横切る回数を変えることにより、
所望の層数を累積した。面この時、第３図に示すように
透明電極の一端は導電性を確保するためＬＢ膜を累積し
なかった。また、ＩＴＯ電極上にあらかじめシリコン酸
化物などの絶縁性薄膜を形成しておき、この上がらＬＢ
膜を累積しても良い。こうして作製したＬＢ膜（以下混
合ＬＢ膜と称する）を形成した２枚のガラス基板をＬＢ
成膜面うしを対向させた状態に保持して、これを接着し
た。すなわち、第４図に示すようにガラス基板の一部を
除く四辺に、一定直径のガラス繊維を分散した酸無水物
硬化型エポキシ樹脂組成物を印刷し、加圧状態のまま１
５０℃で１時間加熱して硬化し、２枚のガラス基板を接
着した。
つつ、該固体膜を横切って、あらかじめ一定のパターン
のインジウム・錫酸化物よりなる透明電極（ＩＴＯ電極
）を形成したガラス基板を上下させ、基板」二に固体膜
を移し取った。水面を横切る回数を変えることにより、
所望の層数を累積した。面この時、第３図に示すように
透明電極の一端は導電性を確保するためＬＢ膜を累積し
なかった。また、ＩＴＯ電極上にあらかじめシリコン酸
化物などの絶縁性薄膜を形成しておき、この上がらＬＢ
膜を累積しても良い。こうして作製したＬＢ膜（以下混
合ＬＢ膜と称する）を形成した２枚のガラス基板をＬＢ
成膜面うしを対向させた状態に保持して、これを接着し
た。すなわち、第４図に示すようにガラス基板の一部を
除く四辺に、一定直径のガラス繊維を分散した酸無水物
硬化型エポキシ樹脂組成物を印刷し、加圧状態のまま１
５０℃で１時間加熱して硬化し、２枚のガラス基板を接
着した。
こうして接着された２枚のガラス扱をセルと称するが、
この開口部から減圧下で液晶を注入した。
この開口部から減圧下で液晶を注入した。
注入後、開口部を酸無水物硬化型エポキシ樹脂で封止し
、第１図に示すような液晶セルを完成した。
、第１図に示すような液晶セルを完成した。
ここでいう単分子膜形成能を持った化合物としては分子
中に疎水基と親水基とを兼備したいわゆる両親媒性物質
で、具体的には、通常ＬＢ膜作製に利用されるステアリ
ン＃Ｉ（金属塩）等の炭素数が１６〜２２の長鎖アルキ
ル基を有するアルコール、カルボン酸、金属塩およびこ
れらの誘導体、あるいは公開特許公報昭６２−６１６７
３、公開特許公報昭６２−１２９３１７に示されるよう
な長鎖アルキル置換基を有するポリアミド等を単独もし
くは混合して用いることができる。なお、耐熱性、膜の
安定性等の観点から高分子系の化合物を主成分とする方
が好ましい。
中に疎水基と親水基とを兼備したいわゆる両親媒性物質
で、具体的には、通常ＬＢ膜作製に利用されるステアリ
ン＃Ｉ（金属塩）等の炭素数が１６〜２２の長鎖アルキ
ル基を有するアルコール、カルボン酸、金属塩およびこ
れらの誘導体、あるいは公開特許公報昭６２−６１６７
３、公開特許公報昭６２−１２９３１７に示されるよう
な長鎖アルキル置換基を有するポリアミド等を単独もし
くは混合して用いることができる。なお、耐熱性、膜の
安定性等の観点から高分子系の化合物を主成分とする方
が好ましい。
また、ここでいう分子の中央に剛直性をもつコアを有し
、しかも水面上に展開して単分子膜を形成する性質を有
する化合物とは、下式のように分子の中央にベンゼン環
、ヘテロ六員環、シクロヘキサン環など公知の液晶化合
物にみられる剛直性をもつコアを有し、 Ｘ−（コア）−ｙ 炭素数が５以上２２好ましくは１０〜１６のアルキル基
（不斉炭素を含んでもよい）をＸ中に含み、分子中、望
ましくはＹ中、さらに望ましくはＹ中の分子末端にＬＢ
膜材料で通常使われる親水性基（−Ｃｏｏｌ、 −ＣＯ
ＯＣ１＋３ 、−０１ｌ 、 −０ＣＩＩｓ 、 −Ｃ
Ｎ、 −ＣＯＮＨ２。
、しかも水面上に展開して単分子膜を形成する性質を有
する化合物とは、下式のように分子の中央にベンゼン環
、ヘテロ六員環、シクロヘキサン環など公知の液晶化合
物にみられる剛直性をもつコアを有し、 Ｘ−（コア）−ｙ 炭素数が５以上２２好ましくは１０〜１６のアルキル基
（不斉炭素を含んでもよい）をＸ中に含み、分子中、望
ましくはＹ中、さらに望ましくはＹ中の分子末端にＬＢ
膜材料で通常使われる親水性基（−Ｃｏｏｌ、 −ＣＯ
ＯＣ１＋３ 、−０１ｌ 、 −０ＣＩＩｓ 、 −Ｃ
Ｎ、 −ＣＯＮＨ２。
Ｎ１１ＣＯＣＨ３，−Ｎ１１２、−ＮＭｅ２等）を含ん
でいる化合物である。
でいる化合物である。
例えば、具体的には、
等を挙げることができる。
本発明の単分子膜形成能のある化合物と分子の中央に剛
直性をもつコアを有し、しかも水面上に展開して中分子
膜を形成する化合物の混合ＬＢ膜を配向膜として用いた
液晶表示素子は、ラビング処理を施さなくても液晶が配
向するという性質を示しており、しかも、従来のＬＢ膜
の場合と比較すると配向性が大幅に改善され、配向ムラ
が著しく減少した良好な表示品位を示すことが出来る。
直性をもつコアを有し、しかも水面上に展開して中分子
膜を形成する化合物の混合ＬＢ膜を配向膜として用いた
液晶表示素子は、ラビング処理を施さなくても液晶が配
向するという性質を示しており、しかも、従来のＬＢ膜
の場合と比較すると配向性が大幅に改善され、配向ムラ
が著しく減少した良好な表示品位を示すことが出来る。
以下、具体例を用いて本発明をより詳細に説明する。
実施例１
６０ｍｍＸ５０＋ｎのガラス板の片側にパターンを形成
したマスクを用いてＴＴＯを２００ｎｍの厚さに、真空
蒸着した。次いで、ＩＴＯ電極上に絶縁層として、シリ
コン酸化物の膜を真空蒸着法を用いて１１００ｎの厚さ
に形成した。一方、ピロメリット酸ジステアリルエステ
ルの酸クロライ１′と４，４′ −ジアミノジフェニル
エーテルを反応させて得られる下式のポリイミド前駆体
（以下Ｉ）ＩＰとする） と、ピラジン環を含み、しかも水面−Ｊ−に展開して単
分子膜を形成する化合物（以下ＡＬＣ−１とする） の混合物をジメチルアセトアミ）−、クロロボルムの混
合溶媒に溶解し、これを用いて前記のＩＴＯを茎着した
ガラス板上に混合ＬＢ膜を前記した方法により、５層累
積した。同一処理のガラス基板を２枚用意し、第４図に
示すようにＬＢ膜形成時の引き上げ方向が直角になるよ
うにセルを構成し、１枚のガラス板上に直径７μｍのガ
ラス繊維を分散した酸無水物硬化型エポキシ樹脂を１辺
のみ辺の中央部に５１幅を残して他の全周に１１曹幅で
印刷した一トで、第１図に示すように電極面を対向させ
た状態で加圧し、１５０℃で１時間加熱して硬化接着し
た。接着後、減圧下で前記開口部から液晶（メルク社製
商品名ＺＬＩ３２２５）を注入した。注入後、開１］
部を市販の酸無水物硬化型エポキシ樹脂で固着し、液晶
を封止していわゆるツィスティッドネマチック（ＴＮ）
型液晶セルを完成した。完成したＴＮ型液晶セルは配向
ムラの無い良好な配向状態を示した。
したマスクを用いてＴＴＯを２００ｎｍの厚さに、真空
蒸着した。次いで、ＩＴＯ電極上に絶縁層として、シリ
コン酸化物の膜を真空蒸着法を用いて１１００ｎの厚さ
に形成した。一方、ピロメリット酸ジステアリルエステ
ルの酸クロライ１′と４，４′ −ジアミノジフェニル
エーテルを反応させて得られる下式のポリイミド前駆体
（以下Ｉ）ＩＰとする） と、ピラジン環を含み、しかも水面−Ｊ−に展開して単
分子膜を形成する化合物（以下ＡＬＣ−１とする） の混合物をジメチルアセトアミ）−、クロロボルムの混
合溶媒に溶解し、これを用いて前記のＩＴＯを茎着した
ガラス板上に混合ＬＢ膜を前記した方法により、５層累
積した。同一処理のガラス基板を２枚用意し、第４図に
示すようにＬＢ膜形成時の引き上げ方向が直角になるよ
うにセルを構成し、１枚のガラス板上に直径７μｍのガ
ラス繊維を分散した酸無水物硬化型エポキシ樹脂を１辺
のみ辺の中央部に５１幅を残して他の全周に１１曹幅で
印刷した一トで、第１図に示すように電極面を対向させ
た状態で加圧し、１５０℃で１時間加熱して硬化接着し
た。接着後、減圧下で前記開口部から液晶（メルク社製
商品名ＺＬＩ３２２５）を注入した。注入後、開１］
部を市販の酸無水物硬化型エポキシ樹脂で固着し、液晶
を封止していわゆるツィスティッドネマチック（ＴＮ）
型液晶セルを完成した。完成したＴＮ型液晶セルは配向
ムラの無い良好な配向状態を示した。
実施例２
混合Ｌ Ｂ膜の成分をピロメリノ１〜酸システアリルエ
ステルの酸クロライドと２，５−ジアミノヘンズアミド
を反応させて得られる下式のポリイミドイソインドロキ
ナゾリンジオン前駆体く以下Ｐ１１ＱＰとする） ＴＮ型液晶セルは配向ムラの無い良好な配向状態を示し
た。
ステルの酸クロライドと２，５−ジアミノヘンズアミド
を反応させて得られる下式のポリイミドイソインドロキ
ナゾリンジオン前駆体く以下Ｐ１１ＱＰとする） ＴＮ型液晶セルは配向ムラの無い良好な配向状態を示し
た。
実施例４
混合ＬＢ膜の成分をＰＩＩＱＰとステアリルアルコール
とＡＬＣ−１との混合物にし、実施例１と同様の方法で
ＴＮ型液晶セルを作製した。完成したＴＮ型液晶セルは
配向ムラの無い良好な配向状態を示した。
とＡＬＣ−１との混合物にし、実施例１と同様の方法で
ＴＮ型液晶セルを作製した。完成したＴＮ型液晶セルは
配向ムラの無い良好な配向状態を示した。
実施例５
混合ＬＢ膜の成分をＰＩＦと
とＡＬＣ−１との混合物にし、実施例１と同様の方法で
ＴＮ型液晶セルを作製した。完成したＴＮ型液晶セルは
配向ムラの無い良好な配向状態を示した。
ＴＮ型液晶セルを作製した。完成したＴＮ型液晶セルは
配向ムラの無い良好な配向状態を示した。
実施例３
混合ＬＢ膜の成分をＰＩＰとステアリルアルコールとＡ
ＬＣ−１との混合物にし、実施例１と同様の方法でＴＮ
型液晶セルを作製した。完成した（以下ＡＬＣ−２とす
る）との混合物にし、実施例１と同様の方法でＴＮ型液
晶セルを作製した。
ＬＣ−１との混合物にし、実施例１と同様の方法でＴＮ
型液晶セルを作製した。完成した（以下ＡＬＣ−２とす
る）との混合物にし、実施例１と同様の方法でＴＮ型液
晶セルを作製した。
完成したＴＮ型液晶セルは配向ムラの無い良好な配向状
態を示した。
態を示した。
実施例６
混合ＬＢ膜の成分をＰＩＩＱＰとＡＬＣ−２との混合物
にし、実施例１と同様の方法でＴＮ型液晶セルを作製し
た。完成したＴＮ型液晶セルは配向ムラの無い良好な配
向状態を示した。
にし、実施例１と同様の方法でＴＮ型液晶セルを作製し
た。完成したＴＮ型液晶セルは配向ムラの無い良好な配
向状態を示した。
実施例７
混合ＬＢ膜の成分をＰＩＦとステアリルアルコールとＡ
Ｌ（、−２との混合物にし、実施例１と同様の方法でＴ
Ｎ型液晶セルを作製した。完成したＴＮ型液晶セルは配
向ムラの無い良好な配向状態を示した。
Ｌ（、−２との混合物にし、実施例１と同様の方法でＴ
Ｎ型液晶セルを作製した。完成したＴＮ型液晶セルは配
向ムラの無い良好な配向状態を示した。
実施例８
混合ＬＢ膜の成分をＰＩＩＱＰとステアリルアルコール
とＡＬＣ−２との混合物にし、実施例１と同様の方法で
ＴＮ型液晶セルを作製した。完成したＴＮ型液晶セルは
配向ムラの無い良好な配向状態を示した。
とＡＬＣ−２との混合物にし、実施例１と同様の方法で
ＴＮ型液晶セルを作製した。完成したＴＮ型液晶セルは
配向ムラの無い良好な配向状態を示した。
なお、本実施例において、ＬＢ膜の形成方法として垂直
浸漬法を用いたが、−船釣に知られている回転円筒法や
水平付着法を用いても良い。
浸漬法を用いたが、−船釣に知られている回転円筒法や
水平付着法を用いても良い。
注入に用いた液晶（メルク社製 商品名ＺＬＩ３２２５
）はこれに限定されるものではない。さらに、表示方式
はＴＮ方式についてのみ記述したが、これ以外の表示方
式においても配向制御を必要とする表示方式については
本発明は有効である。
）はこれに限定されるものではない。さらに、表示方式
はＴＮ方式についてのみ記述したが、これ以外の表示方
式においても配向制御を必要とする表示方式については
本発明は有効である。
光肌夏班来
以上のように本発明は電極層を形成した基板上に、水面
上に展開して単分子膜を形成する性質を有する化合物と
分子の中央に剛直性をもつコアを有し、しかも水面上に
展開して単分子膜を形成する性質を有する化合物とを含
む混合物からなる単分子層を１層以上積層してなる配向
制御膜を設けることにより、ラビングなどの後処理を施
さずに、配向ムラが無く、均一な配向が得られた高品位
な表示を容易に低コストで得ることができる。
上に展開して単分子膜を形成する性質を有する化合物と
分子の中央に剛直性をもつコアを有し、しかも水面上に
展開して単分子膜を形成する性質を有する化合物とを含
む混合物からなる単分子層を１層以上積層してなる配向
制御膜を設けることにより、ラビングなどの後処理を施
さずに、配向ムラが無く、均一な配向が得られた高品位
な表示を容易に低コストで得ることができる。
第１図は本発明の液晶素子の概略を示す図、第２図はＬ
Ｂ法の概略を示す図、第３図はＬＢ法によって基板に累
積した膜を示す図、第４図は本発明によって得られたＴ
Ｎ型液晶セルを示す図である。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・透明電極層、
１３・・・・・・絶縁膜、１４・・・・・・配向制御膜
、１５・旧・・スペーサ、１６・・・・・・液晶層、２
１・・・・・・ガラス基板、２２・・・・・・移し取っ
た単分子膜、２３・・・・・・引き上げ方向、２４・・
・・・・水面上に展開した単分子膜、２５・・・・・・
水、３１・・・・・・未累積部、３２・・・・・・累積
部、３３・・・・・侶き上げ方向、４１・・・・・・」
一基板、４２・・・・・・下基板、４３・・・・・・」
一基板の引き上げ方向。 第２図 ２１・・・・力″２疋嬰訃ヅ ２２−・・ネジし耳又フだ一獣千Ｂ莫 ２３・・・・引ご上１γ゛力間 ２４・・・・７に面上１こ展開しｒ、３Ｊ＞−’ｐ８更
２５・・・・Ａ（ 第１図 １１・・・・屋渭炙 １２・・・・・流明Ｃ弱働 １３・・・・・紀題 １４・・・・・配向＃７１１仰股 １５・・・・−ｌへ０−ブー １６・・・・・液晶層 第３図 ３１・・・・・釆昇槓巻戸 ３２・・二栗填紛 ３３・・・・・引きＬ１ブ°力Ｊ司
Ｂ法の概略を示す図、第３図はＬＢ法によって基板に累
積した膜を示す図、第４図は本発明によって得られたＴ
Ｎ型液晶セルを示す図である。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・透明電極層、
１３・・・・・・絶縁膜、１４・・・・・・配向制御膜
、１５・旧・・スペーサ、１６・・・・・・液晶層、２
１・・・・・・ガラス基板、２２・・・・・・移し取っ
た単分子膜、２３・・・・・・引き上げ方向、２４・・
・・・・水面上に展開した単分子膜、２５・・・・・・
水、３１・・・・・・未累積部、３２・・・・・・累積
部、３３・・・・・侶き上げ方向、４１・・・・・・」
一基板、４２・・・・・・下基板、４３・・・・・・」
一基板の引き上げ方向。 第２図 ２１・・・・力″２疋嬰訃ヅ ２２−・・ネジし耳又フだ一獣千Ｂ莫 ２３・・・・引ご上１γ゛力間 ２４・・・・７に面上１こ展開しｒ、３Ｊ＞−’ｐ８更
２５・・・・Ａ（ 第１図 １１・・・・屋渭炙 １２・・・・・流明Ｃ弱働 １３・・・・・紀題 １４・・・・・配向＃７１１仰股 １５・・・・−ｌへ０−ブー １６・・・・・液晶層 第３図 ３１・・・・・釆昇槓巻戸 ３２・・二栗填紛 ３３・・・・・引きＬ１ブ°力Ｊ司
Claims (2)
- （１）少なくとも電極層を形成した基板上に、水面上に
展開して単分子膜を形成する性質を有する化合物と分子
の中央に剛直性をもつコアを有し、しかも水面上に展開
して単分子膜を形成する性質を有する化合物とを含む混
合物からなる単分子層を１層以上積層してなる配向制御
膜を有する液晶素子。 - （２）前記単分子膜を形成する性質を有する化合物の一
成分が長鎖アルキル置換基を有するポリアミドであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63253390A JPH0299926A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63253390A JPH0299926A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0299926A true JPH0299926A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17250705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63253390A Pending JPH0299926A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0299926A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323131A (ja) * | 1986-03-10 | 1988-01-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 液晶配向用ポリイミド薄膜 |
| JPH0216528A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-19 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子 |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP63253390A patent/JPH0299926A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323131A (ja) * | 1986-03-10 | 1988-01-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 液晶配向用ポリイミド薄膜 |
| JPH0216528A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-19 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子 |
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