JPH0299963U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0299963U JPH0299963U JP710389U JP710389U JPH0299963U JP H0299963 U JPH0299963 U JP H0299963U JP 710389 U JP710389 U JP 710389U JP 710389 U JP710389 U JP 710389U JP H0299963 U JPH0299963 U JP H0299963U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- excitation light
- thin film
- silicon thin
- chamber
- Prior art date
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- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案の装置の一実施例を示した図で
あり、第２図は従来の装置を示す。 １…反応室、２…基板、３…排気、４…励起光
、５…基板加熱用ヒータ、６…ガス導入口、７…
コリメータ、８…加熱フイラメント、９…イオン
化室。
あり、第２図は従来の装置を示す。 １…反応室、２…基板、３…排気、４…励起光
、５…基板加熱用ヒータ、６…ガス導入口、７…
コリメータ、８…加熱フイラメント、９…イオン
化室。
Claims (1)
- 導入されるシランガスをイオン化するイオン化
室と、同イオン化室とノズルを介して連通された
光励起反応室と、同反応室に励起光を照射する励
起光源とを有し、光励起反応室内に配置された基
板上にシリコン薄膜を形成することを特徴とする
シリコン薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP710389U JPH0299963U (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP710389U JPH0299963U (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0299963U true JPH0299963U (ja) | 1990-08-09 |
Family
ID=31211838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP710389U Pending JPH0299963U (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0299963U (ja) |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP710389U patent/JPH0299963U/ja active Pending