JPH03100146A - 高容量アルミニウムデイスク基板の製造方法 - Google Patents
高容量アルミニウムデイスク基板の製造方法Info
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- JPH03100146A JPH03100146A JP1237487A JP23748789A JPH03100146A JP H03100146 A JPH03100146 A JP H03100146A JP 1237487 A JP1237487 A JP 1237487A JP 23748789 A JP23748789 A JP 23748789A JP H03100146 A JPH03100146 A JP H03100146A
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Landscapes
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（産業上の利用分野）
本発明はコンピューター用磁気記録媒体として高記憶容
量に用いられるアルミニウムディスク基盤の製造方法に
関するものである。 （従来の技術） コンピューター用磁気記録媒体として用いられているア
ルミニウム磁気ディスク基盤の製造方法は、記憶媒体の
種類により、大別して２種類に分けられる。１つは、鏡
面仕上げしたアルミニウム基盤上に磁性膜を塗布するも
の（塗布型メディア）であり、他は、アルミニウム基盤
上にＮ１−Ｐメツキ等の下地処理を施し、その上に磁性
膜をメツキやスパッターにより付するもの（薄膜型メデ
ィア）である。 従来は塗布型メディアが主流であり、そのディスク基盤
にはＡｌ−Ｍｇ系合金（例えば、５０８６）が使われて
きている。 一方、高記憶容量化するためには、磁性膜を極力薄くす
ることが必要であり、そのために近年。 薄膜型メディアが主流になりつつある。 薄膜型メディア用のアルミニウム基盤用材料としては、
Ａｌ−Ｍｇ合金にＣｕ、Ｚｎ等を添加した合金が開発さ
れて実用化されている。 （発明が解決しようとする課題） ところで、薄膜型メディアの製法は大別して以下の３種
類に分けられる。 ■メツキーメツキ型：メッキ（Ｎｉ−Ｐ）→ポリッシュ
→メツキ（Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ） ■メツキースパッター型：メッキ（Ｎｉ−Ｐ）→ポリッ
シュ−スパッター（γ−Ｆａ、Ｏ，、Ｃ。 −Ｎｉ） ■アルマイトースパッター型：アルマイト→ポリッシュ
→スパッター（γ−Ｆｅ、Ｏ，、Ｇｏ−Ｎｉ） これらのうち、メツキ−メツキ型、メツキ−スパッター
型の場合には、メツキに先立って脱脂、ジンケート処理
（アルミニウムの表面に亜鉛置換皮膜層を均一に形成さ
せる処理）等のエツチングが施されるが、その後のメツ
キ工程においては、ジンケート処理性がよく、メツキの
付着性及び平滑性が優れることが要求される。併わせで
前処理工程においてピット等の不均一部を形成しないこ
とが必要とされる。 しかしながら、従来のＡ Ｑ −Ｍｇ −Ｃｕ −Ｚｎ
系合金を薄膜型メディア用に、更に詳しくはＮ１−Ｐメ
ツキ等の下地処理を施して使用する場合、本処理の前に
施される化学処理時において微小なピット（穴）が形成
され、メツキ後も修復されずに残り、メディア製品とな
ってもピットが残るため、磁気特性、エラー発生等の障
害を引き起こすという問題があった。 本発明は、かＮる従来技術の欠点を解消し、薄膜型メデ
ィア用としての高容量アルミニウムディスク基盤の下地
処理性、特にジンケート処理性を向上し、ピット等のメ
ツキ後の欠陥をなくすことができる方法を提供すること
を目的とするものである。 （課題を解決するための手段） 前記目的を達成するため１本発明者は、ジンケート処理
性の劣化、ピット欠陥の発生の原因を究明すると共にそ
の対策について鋭意研究を重ねた。 その結果、（１）ジンケート処理の均一性はアルミニウ
ム合金中の析出物、特にＺｎ、Ｃｕを均一に分散させる
ことにより得られること、（２）アルミニウム合金中に
はへΩ−Ｆｅ系及びＭｇ−８Ｌ系の金属間化合物が無数
存在しており、エツチング工程でのピット形成の核とな
るが、これを防止するために、Ｆｅ、Ｓｉ等の不純物元
素を規制すると共に鋳塊に対する熱処理条件を制御する
ことにより、ピットの元となる金属間化合物の形成を制
御できることが判明し、ここに本発明をなしたものであ
る。 すなわち、本発明に係る高容量アルミニウムディスク基
盤の製造方法は、Ｓｉ≦０．０５％、Ｆｅ５０．０５％
、Ｃｕ：０．０５〜０．４％、Ｍｇ：３．５〜４．５％
及びＺｎ：０．０５〜０．４％を含有し、残部が実質的
にＡｌよりなるアルミニウム合金の半連続鋳塊を５００
〜５３０℃の温度で２時間以上加熱した後、冷却せずに
引続き５３０〜５６０℃の温度で４時間以上保持し、然
る後、圧延により所定の板厚にすることを特徴とするも
のである。 以下に本発明を更に詳細に説明する。 （作用） まず、本発明における化学成分の限定理由について説明
する。 Ｓｉ： Ｓｉはアルミ地金及び溶解炉耐火物等から不可避的に混
入するものであり、本合金の主成分であるＭｇと結び付
いてＭｇ−８ｉ系の金属間化合物（主にＭｇ、Ｓｉ）を
形成するので、これを防ぐために、Ｓｉ量は０．０５％
以下に規制する。 Ｆｅ： ＦｅもＳｉと同様、アルミ地金及び溶解炉本体、治具等
から不可避的に混入するものであり、Ａｌと結び付いて
Ａ Ｑ −Ｆｅ系の金属間化合物（主にＦｅＡｆｌｓ）
を形成するので、これを防ぐために、Ｆｅ量は０．０５
％以下に規制する。 Ｃｕ： ＣｕはＡｌ中に均一に固溶すると共に途中の熱処理によ
り均一に析出し、ジンケート処理を均一化する効果があ
る。しかし、０．０５％未満ではその効果がなく、また
０、４％を超えると結晶粒界に集中し、ジンケート処理
の際の粒界エツチングが強くなり、表面粗さを阻害する
ので、Ｃｕ量は０．０５〜０．４％の範囲とする。 ｚｎ： ＺｎもＣｕと同様、Ａｌ中に均一に固溶すると共に途中
の熱処理により均一に析出し、ジンケート処理を均一化
する効果がある。しかし、０．０５％未満ではその効果
がなく、また０、４％を超えると結晶粒界に集中析出し
、ジンケート処理の際の粒界エツチングが強くなるので
、Ｚｎ量は０．０５〜０．４％の範囲とする。 Ｍｇ： Ｍｇは固溶強化により本合金の強度を確保する元素であ
る。しかし、３．５％未満では所望の強度が得られず、
また４、５％を超えると圧延加工時の加工性を阻害する
と共に、不純物のＳｉと結び付いてＭｇ−８ｉ系金属間
化合物を形成するので好ましくない。したがって、Ｍｇ
量は３．５〜４゜５％の範囲とする。 次に本発明の製造プロセス及び条件について説明する。 上記化学成分を有するアルミニウム合金は、常法により
溶解し、半連続鋳造により鋳塊とする。 得られた鋳塊は内部組織が不均一であり、不純物及び合
金元素が偏析している。したがって、まず。 これを均一に分散させるための熱処理が必要である。そ
の場合、加熱温度が５００℃未満ではその効果は少なく
、また５３０℃を超えると共晶融解を起こし、バーニン
グ等の欠陥を引き起こすので好ましくないので、加熱温
度は５００〜５３０”Ｃの範囲とする。また、加熱時間
については、２時間未満ではその効果が得られないので
、前記温度範囲で２時間以上加熱する必要がある。 前記熱処理後、冷却することなく引き続き、５３０〜５
６０℃に保持する熱処理を施す必要がある。これは、鋳
塊中に析出してくるＭｇ、ＳＬを再固溶させるための熱
処理である。しかし、５３０℃未満の温度では、再固溶
を起こさず、更に成長し、また５６０”Ｃを超えると、
鋳塊は局部的に再溶解（バーニング）を起こすので好ま
しくない。また、保持時間は、４時間未満ではその効果
が得られないので、４時間以上とする。 かＮる熱処理を施した鋳塊は、熱間圧延及び／又は冷間
圧延を施され、所定の板厚にする。当然ながら、熱間圧
延のみで所定の板厚まで減厚することも可能である。 なお、圧延後は、従来と同様にしてアルミニウム基盤に
することは云うまでもない。例えば、打抜き後、鏡面仕
上げされ、下地処理（メツキ）、ポリッシュ、本処理（
メツキ又はスパッター）に供される。 次に本発明の実施例を示す。 （実施例） 第１表に示す化学成分を有するアルミニウム合金の半連
続鋳塊について、第２表に示す条件で、熱処理及び圧延
を施した。 得られた圧延板を１３０Ｑｌｌｌφに打ち抜いた後。 ３５０℃で２時間焼鈍を施し、以下の各種試験に供した
。それらの結果を第３表に示す。 （１）金属間化合物分布 ダイヤモンドバイトにより鏡面切削した後、走査型電子
顕微鏡ｉ察によってＡ Ｑ −Ｆｅ系、Ｍｇ−８ｉ系金
属間化合物の分布状況（サイズと個数）を調べた。 （２）メツキ性 鏡面切削した後、脱脂→アルカリエツチング（５％Ｎａ
ＯＨ１３０秒）→酸洗（ＨＮＯ，：ＨＦ：Ｈ。 ０＝３：１：２）→ジンケート処理（ＮａＯＨ，ＺｎＯ
、ＦｅＣＱ３・６Ｈ１Ｏ，ＫＮａＣ４Ｈ，０，４Ｈ２０
他）→酸洗（ＨＮＯ，）→Ｎ１−Ｐメツキ→研磨を施し
。 研磨時のピット及び面の荒れ具合について調査した。 第３表より明らかなように、本発明例Ｎα３〜Ｎｌ１４
、Ｎａ ９はいずれも、金属間化合物が少なく、しかも
メツキビットも少なく、メツキ面荒れが認められない。 一方、比較例Ｎｃｉｌ〜Ｎｎ２は金属間化合物が多く、
メツキビットも無数認められる。 比較例魔５は金属間化合物は少なく、メツキビットも少
ないものの、メツキ面荒れが生じている。 比較例Ｎｌ１６は金属間化合物のうちＭｇ−８ｉ系が多
く、メツキビットも多い。 比較例Ｎ１１７〜Ｎα８は圧延中に微小割れが発生し。 メツキビットが増加し、メツキ面荒れを来たしている。 比較例ＮＱ１０は、１回目の熱処理後冷却し、第２回目
の熱処理温度まで再加熱した例であるが、Ｍｇ−５ｉ系
金属間化合物が多く、メツキビット数も多い。 なお、第１図は以上の結果をグラフに示したものであり
、本発明例はすべての面で優れた性能を有することが一
目瞭然である。
量に用いられるアルミニウムディスク基盤の製造方法に
関するものである。 （従来の技術） コンピューター用磁気記録媒体として用いられているア
ルミニウム磁気ディスク基盤の製造方法は、記憶媒体の
種類により、大別して２種類に分けられる。１つは、鏡
面仕上げしたアルミニウム基盤上に磁性膜を塗布するも
の（塗布型メディア）であり、他は、アルミニウム基盤
上にＮ１−Ｐメツキ等の下地処理を施し、その上に磁性
膜をメツキやスパッターにより付するもの（薄膜型メデ
ィア）である。 従来は塗布型メディアが主流であり、そのディスク基盤
にはＡｌ−Ｍｇ系合金（例えば、５０８６）が使われて
きている。 一方、高記憶容量化するためには、磁性膜を極力薄くす
ることが必要であり、そのために近年。 薄膜型メディアが主流になりつつある。 薄膜型メディア用のアルミニウム基盤用材料としては、
Ａｌ−Ｍｇ合金にＣｕ、Ｚｎ等を添加した合金が開発さ
れて実用化されている。 （発明が解決しようとする課題） ところで、薄膜型メディアの製法は大別して以下の３種
類に分けられる。 ■メツキーメツキ型：メッキ（Ｎｉ−Ｐ）→ポリッシュ
→メツキ（Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ） ■メツキースパッター型：メッキ（Ｎｉ−Ｐ）→ポリッ
シュ−スパッター（γ−Ｆａ、Ｏ，、Ｃ。 −Ｎｉ） ■アルマイトースパッター型：アルマイト→ポリッシュ
→スパッター（γ−Ｆｅ、Ｏ，、Ｇｏ−Ｎｉ） これらのうち、メツキ−メツキ型、メツキ−スパッター
型の場合には、メツキに先立って脱脂、ジンケート処理
（アルミニウムの表面に亜鉛置換皮膜層を均一に形成さ
せる処理）等のエツチングが施されるが、その後のメツ
キ工程においては、ジンケート処理性がよく、メツキの
付着性及び平滑性が優れることが要求される。併わせで
前処理工程においてピット等の不均一部を形成しないこ
とが必要とされる。 しかしながら、従来のＡ Ｑ −Ｍｇ −Ｃｕ −Ｚｎ
系合金を薄膜型メディア用に、更に詳しくはＮ１−Ｐメ
ツキ等の下地処理を施して使用する場合、本処理の前に
施される化学処理時において微小なピット（穴）が形成
され、メツキ後も修復されずに残り、メディア製品とな
ってもピットが残るため、磁気特性、エラー発生等の障
害を引き起こすという問題があった。 本発明は、かＮる従来技術の欠点を解消し、薄膜型メデ
ィア用としての高容量アルミニウムディスク基盤の下地
処理性、特にジンケート処理性を向上し、ピット等のメ
ツキ後の欠陥をなくすことができる方法を提供すること
を目的とするものである。 （課題を解決するための手段） 前記目的を達成するため１本発明者は、ジンケート処理
性の劣化、ピット欠陥の発生の原因を究明すると共にそ
の対策について鋭意研究を重ねた。 その結果、（１）ジンケート処理の均一性はアルミニウ
ム合金中の析出物、特にＺｎ、Ｃｕを均一に分散させる
ことにより得られること、（２）アルミニウム合金中に
はへΩ−Ｆｅ系及びＭｇ−８Ｌ系の金属間化合物が無数
存在しており、エツチング工程でのピット形成の核とな
るが、これを防止するために、Ｆｅ、Ｓｉ等の不純物元
素を規制すると共に鋳塊に対する熱処理条件を制御する
ことにより、ピットの元となる金属間化合物の形成を制
御できることが判明し、ここに本発明をなしたものであ
る。 すなわち、本発明に係る高容量アルミニウムディスク基
盤の製造方法は、Ｓｉ≦０．０５％、Ｆｅ５０．０５％
、Ｃｕ：０．０５〜０．４％、Ｍｇ：３．５〜４．５％
及びＺｎ：０．０５〜０．４％を含有し、残部が実質的
にＡｌよりなるアルミニウム合金の半連続鋳塊を５００
〜５３０℃の温度で２時間以上加熱した後、冷却せずに
引続き５３０〜５６０℃の温度で４時間以上保持し、然
る後、圧延により所定の板厚にすることを特徴とするも
のである。 以下に本発明を更に詳細に説明する。 （作用） まず、本発明における化学成分の限定理由について説明
する。 Ｓｉ： Ｓｉはアルミ地金及び溶解炉耐火物等から不可避的に混
入するものであり、本合金の主成分であるＭｇと結び付
いてＭｇ−８ｉ系の金属間化合物（主にＭｇ、Ｓｉ）を
形成するので、これを防ぐために、Ｓｉ量は０．０５％
以下に規制する。 Ｆｅ： ＦｅもＳｉと同様、アルミ地金及び溶解炉本体、治具等
から不可避的に混入するものであり、Ａｌと結び付いて
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を形成するので、これを防ぐために、Ｆｅ量は０．０５
％以下に規制する。 Ｃｕ： ＣｕはＡｌ中に均一に固溶すると共に途中の熱処理によ
り均一に析出し、ジンケート処理を均一化する効果があ
る。しかし、０．０５％未満ではその効果がなく、また
０、４％を超えると結晶粒界に集中し、ジンケート処理
の際の粒界エツチングが強くなり、表面粗さを阻害する
ので、Ｃｕ量は０．０５〜０．４％の範囲とする。 ｚｎ： ＺｎもＣｕと同様、Ａｌ中に均一に固溶すると共に途中
の熱処理により均一に析出し、ジンケート処理を均一化
する効果がある。しかし、０．０５％未満ではその効果
がなく、また０、４％を超えると結晶粒界に集中析出し
、ジンケート処理の際の粒界エツチングが強くなるので
、Ｚｎ量は０．０５〜０．４％の範囲とする。 Ｍｇ： Ｍｇは固溶強化により本合金の強度を確保する元素であ
る。しかし、３．５％未満では所望の強度が得られず、
また４、５％を超えると圧延加工時の加工性を阻害する
と共に、不純物のＳｉと結び付いてＭｇ−８ｉ系金属間
化合物を形成するので好ましくない。したがって、Ｍｇ
量は３．５〜４゜５％の範囲とする。 次に本発明の製造プロセス及び条件について説明する。 上記化学成分を有するアルミニウム合金は、常法により
溶解し、半連続鋳造により鋳塊とする。 得られた鋳塊は内部組織が不均一であり、不純物及び合
金元素が偏析している。したがって、まず。 これを均一に分散させるための熱処理が必要である。そ
の場合、加熱温度が５００℃未満ではその効果は少なく
、また５３０℃を超えると共晶融解を起こし、バーニン
グ等の欠陥を引き起こすので好ましくないので、加熱温
度は５００〜５３０”Ｃの範囲とする。また、加熱時間
については、２時間未満ではその効果が得られないので
、前記温度範囲で２時間以上加熱する必要がある。 前記熱処理後、冷却することなく引き続き、５３０〜５
６０℃に保持する熱処理を施す必要がある。これは、鋳
塊中に析出してくるＭｇ、ＳＬを再固溶させるための熱
処理である。しかし、５３０℃未満の温度では、再固溶
を起こさず、更に成長し、また５６０”Ｃを超えると、
鋳塊は局部的に再溶解（バーニング）を起こすので好ま
しくない。また、保持時間は、４時間未満ではその効果
が得られないので、４時間以上とする。 かＮる熱処理を施した鋳塊は、熱間圧延及び／又は冷間
圧延を施され、所定の板厚にする。当然ながら、熱間圧
延のみで所定の板厚まで減厚することも可能である。 なお、圧延後は、従来と同様にしてアルミニウム基盤に
することは云うまでもない。例えば、打抜き後、鏡面仕
上げされ、下地処理（メツキ）、ポリッシュ、本処理（
メツキ又はスパッター）に供される。 次に本発明の実施例を示す。 （実施例） 第１表に示す化学成分を有するアルミニウム合金の半連
続鋳塊について、第２表に示す条件で、熱処理及び圧延
を施した。 得られた圧延板を１３０Ｑｌｌｌφに打ち抜いた後。 ３５０℃で２時間焼鈍を施し、以下の各種試験に供した
。それらの結果を第３表に示す。 （１）金属間化合物分布 ダイヤモンドバイトにより鏡面切削した後、走査型電子
顕微鏡ｉ察によってＡ Ｑ −Ｆｅ系、Ｍｇ−８ｉ系金
属間化合物の分布状況（サイズと個数）を調べた。 （２）メツキ性 鏡面切削した後、脱脂→アルカリエツチング（５％Ｎａ
ＯＨ１３０秒）→酸洗（ＨＮＯ，：ＨＦ：Ｈ。 ０＝３：１：２）→ジンケート処理（ＮａＯＨ，ＺｎＯ
、ＦｅＣＱ３・６Ｈ１Ｏ，ＫＮａＣ４Ｈ，０，４Ｈ２０
他）→酸洗（ＨＮＯ，）→Ｎ１−Ｐメツキ→研磨を施し
。 研磨時のピット及び面の荒れ具合について調査した。 第３表より明らかなように、本発明例Ｎα３〜Ｎｌ１４
、Ｎａ ９はいずれも、金属間化合物が少なく、しかも
メツキビットも少なく、メツキ面荒れが認められない。 一方、比較例Ｎｃｉｌ〜Ｎｎ２は金属間化合物が多く、
メツキビットも無数認められる。 比較例魔５は金属間化合物は少なく、メツキビットも少
ないものの、メツキ面荒れが生じている。 比較例Ｎｌ１６は金属間化合物のうちＭｇ−８ｉ系が多
く、メツキビットも多い。 比較例Ｎ１１７〜Ｎα８は圧延中に微小割れが発生し。 メツキビットが増加し、メツキ面荒れを来たしている。 比較例ＮＱ１０は、１回目の熱処理後冷却し、第２回目
の熱処理温度まで再加熱した例であるが、Ｍｇ−５ｉ系
金属間化合物が多く、メツキビット数も多い。 なお、第１図は以上の結果をグラフに示したものであり
、本発明例はすべての面で優れた性能を有することが一
目瞭然である。
（発明の効果）
以上詳述したように、本発明によれば、メツキ後の欠陥
を減少できるので、ディスク基盤の高容量化が図れるよ
うになる。またメツキ後の研磨代を少なくすることがで
きるので、コストダウンも図ることができる。
を減少できるので、ディスク基盤の高容量化が図れるよ
うになる。またメツキ後の研磨代を少なくすることがで
きるので、コストダウンも図ることができる。
第１図は各種合金及び製法と、金属間化合物分布、メツ
キピット及びメツキ面荒れとの関係を示す図である。
キピット及びメツキ面荒れとの関係を示す図である。
Claims (1)
- 重量％で（以下、同じ）、Ｓｉ≦０．０５％、Ｆｅ≦０
．０５％、Ｃｕ：０．０５〜０．４％、Ｍｇ：３．５〜
４．５％及びＺｎ：０．０５〜０．４％を含有し、残部
が実質的にＡｌよりなるアルミニウム合金の半連続鋳塊
を５００〜５３０℃の温度で２時間以上加熱した後、冷
却せずに引続き５３０〜５６０℃の温度で４時間以上保
持し、然る後、圧延により所定の板厚にすることを特徴
とする高容量アルミニウムディスク基盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1237487A JPH03100146A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 高容量アルミニウムデイスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1237487A JPH03100146A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 高容量アルミニウムデイスク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100146A true JPH03100146A (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=17016053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1237487A Pending JPH03100146A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 高容量アルミニウムデイスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03100146A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5495912A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Aluminum substrate for magnetic disc and manufacture thereof |
| JPS6254053A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | メツキ性とメツキ層の密着性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 |
| JPS6396254A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | コ−テイング型磁気デイスク用ａ１合金基板の製造法 |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP1237487A patent/JPH03100146A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5495912A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Aluminum substrate for magnetic disc and manufacture thereof |
| JPS6254053A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | メツキ性とメツキ層の密着性にすぐれメツキ欠陥の少ない磁気デイスク用アルミニウム合金 |
| JPS6396254A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | コ−テイング型磁気デイスク用ａ１合金基板の製造法 |
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