JPH02111839A - 優れたメッキ性を有するディスク用アルミニウム合金板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） 本発明は優れたメッキ性を有するディスク用アルミニウ
ム合金板に係り、更に詳しくは、コンピュータの記録媒
体として使用される磁気ディスク等のディスク用のアル
ミニウム合金基盤表面にメッキ層を形成する工程に供さ
れる場合に、優れた下地処理性、メッキ性を有し、更に
ノジュール。 マイクロピットが少なく優れた研磨後表面精度を有する
ディスク用アルミニウム合金板とその製造方法に関する
ものである。 （従来の技術） 一般に、コンピュータの記録媒体として使用される磁気
ディスク等のディスク用基盤としては、軽量、非磁性で
あり、且つ高速回転に耐える剛性を有すること、また、
精密切削或いは研磨により良好な表面精度が得られるこ
と、更には成る程度の耐食性を有すること等の点から、
アルミニウム合金が用いられている。 従来１例えば磁気ディスク用基盤を例に説明すると、こ
のような磁気ディスク用アルミニウム合金基盤上に磁性
膜を形成する方法としては塗布法が主体であったが、近
年１ｍ気ディスクの高密度化のためにメッキ法やスパッ
タ法が開発され、適用が進められている。これらメッキ
法やスパッタ法による磁気ディスク用基盤の場合には、
Ｎ１−Ｐ等のメッキが下地処理として施されている。 このような下地メッキ処理を施す磁気ディスク用アルミ
ニウム合金としては、従来、ＡＡ５０８６合金（Ａｌ−
Ｍｇ系）が最も多く使用されており、また一部ではＪＩ
Ｓ、７０７５合金（Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系）も使用されて
いる。 （発明が解決しようとする課題） しかし乍ら、これら従来のアルミニウム合金を基盤材料
として使用した場合には、アルミニウム合金素材中に１
０μｍを超えるＡ　Ｑ　−Ｆｅを主成分とする晶出物（
Ａｌ−Ｆｅ、Ａｆｆ−Ｆｅ−５ｉ、Ａｌ−Ｆｅ−Ｍｎ等
）や、Ｍｇ−８Ｌを主成分とする晶出物等の金属間化合
物が多数存在するため、切削や研磨時或いは下地メッキ
の前処理時にこれらの粗大な金属間化合物がアルミニウ
ム合金基盤から脱落して穴となるため、下地メッキ後の
表面が粗くなり易いという欠点があった。 特に、ＪＩＳ７０７５合金（Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系）を基
盤材料として使用した場合には、このアルミニウム合金
はＣｕ、Ｚｎを過剰に含有するものであるため、それら
の粗大金属間化合物もメッキ後の表面が粗面化する原因
となるだけでなく、熱処耶系合金であることから、圧延
板から打抜き或いは機械加工により作製したディスクの
歪み除去の焼鈍において、冷却速度を適切に調整しない
場合には内部応力が発生するという欠点もあった。 上記に説明したように、ディスク表面の粗さが大きくな
り易く、或いはそれに起因してピット（小さな穴）等の
メッキ欠陥が発生し易いという欠点があるため、従来の
ディスク用アルミニウム合金においては、このような欠
点を解消するためにメッキ皮膜を、例えば、３０〜５０
μｍ前後と比較的厚く形成し、次いで研磨して仕上げる
という方法が採用されていた。しかし、メッキ皮膜を厚
くすることはメッキや研磨に多大の費用を要するという
問題があった。 したがって、コストの低減及び生産性の向上のため、メ
ッキ皮膜厚を薄くすることが重要な課題となっている。 更に、メッキ皮膜厚さとは別に、ピットを低減すること
、及びメッキ前処理における粗さを低減してメッキ処理
の効率を向上させることも重要な課題となっている。そ
のため、例えば、純度が９９．９％或いは９９．９９％
のＡβ地金を使用して金属間化合物を微細化することに
よる改善も試みられたが、唯単に使用Ａｆｌ地金の純度
を上げただけでは、却ってメッキ面の粗さが増大するの
みならず、メッキ層の付着性も低下するという問題が発
生する。 本発明者は、これらの原因が、一般にアルミニウム合金
のメッキ前処理法として用いられる亜鉛置換時において
、高純度Ａｌ地金を使用することによりアルミ素材中の
Ｆｅ含有量が減少したために亜鉛の析出が粗雑で不均一
となることに起因するためであることを見い出した。そ
こで、本発明者は、上記に説明したような従来のアルミ
ニウム材料における種々の問題点を検討し及び磁気ディ
スクに対する多くの要求を満たすべく鋭意研究を重ねた
結果、合金元素としてＣｕ、Ｚｎを添加することによっ
てメッキ性を向上させることができるることを見い出し
、先にディスク用アルミニウム合金を提案した（特公昭
６２−２０１８号）。 この提案に係るディスク用アルミニウム合金は既に実用
化さ力、ており、高い評価を受けている。 しかし乍ら、磁気ディスクには益々コス１−ダウンが要
求されており、そのため更に下地メッキの厚さを薄くす
ることやポリッシュ時の研磨式を小さくすることが重要
な課題となっている。したがって、下地メッキ後のディ
スク表面に生じる半球状の突起（所謂、ノジュール）の
発生を抑制して如何に平滑なメッキ面を得るか、また、
従来は問題とならなかった極表面層の小さなピット（所
謂。 マイクロピット）を如何に低減するかが大きな開発課題
となっている。 本発明の目的は、上記の如く磁気ディスク、光ディスク
等々のディスク並びにディスク用アルミニウム材料に対
して求められている種々の要請を満足し、優れた下地処
理性、メッキ付着性を有すると共に、マイクロピットや
ノジュール等のメッキ欠陥が少なく平滑なメッキ面が得
られるディスク用アルミニウム合金板を提供することに
ある。 また、本発明の他の目的は、かぎるディスク用アルミニ
ウム合金板を安価に製造する方法を提供することにある
。 （課題を解決するための手段） 本発明者らは、このような実情を鑑みて、種々研究を重
ねた結果、メッキ面でのノジュールとマイクロピットの
発生はメッキの前処理後の基盤面の凹凸と強い相関関係
があること、そのためには、メッキ曲処理後の基盤面の
凹凸の原因となる金属間化合物（所謂、晶出物や粗大な
化合物）を低減する必要があるが、従来は単に種々の金
属間化合物を一括して検討対象として考えられていたの
とは異なり、特にＡ犯−Ｆｅを主成分とする金属間化合
物とＭｇ−Ｓｉを主成分とする金属間化合物とを区別し
てそれぞれ異なるサイズ、量を規定すること、同時に組
成の調整等によりメッキ性を付与することにより、可能
であることを見い出し、ここに本発明をなしたものであ
る。 すなわち、本発明は、必須元素として３％〈Ｍｇ５６％
、０．０３％≦Ｃｕ＜０．３％及び０．０３％≦Ｚｎ≦
０．４％を含有し、不純物のうちのＦｅ、Ｓｉを半連続
鋳造の場合はＦｅ５０．０７％、Ｓｉ≦０．０６％、薄
板連鋳の場合はＦｅ５０．１％、Ｓｉ≦０．１％に規制
した組成を有すると共に。 Ａ　Ｑ　−Ｆｅを主成分とする金属間化合物の大きさの
最大値が１０μｍ以下であって、なお且つ５μｍ以上の
該金属間化合物の数が５個１０．２ｍｍ”以下であり、
更に、Ｍｇ−Ｓｉを主成分とする金属間化合物の大きさ
の最大値が８μｍ以下であって、なお且つ５μｍ以上の
該金属間化合物の数が５個１０．２ｍｍ２以下であるこ
とを特徴とする優れた下地処理性、メッキ付着性を有し
、ノジュール、マイクロピットが少ない優れた表面精度
を有するディスク用アルミニウム合金板、を要旨とする
ものである。 また、その製造方法は、必須元素として３％くＭｇ５６
％、０．０３％≦Ｃｕ＜０．３％及び０．０３％≦Ｚｎ
≦０．４％を含有し、不純物のうちのＦｅ、ＳｉをＦｅ
５０．０７％、Ｓｉ≦０．０６％に規制した組成を有す
るアルミニウム合金を７１０℃以上で鋳込み、得られた
鋳塊に４５０℃以上の均熱処理を施した後、熱間圧延開
始温度５００″Ｃ以上の熱間圧延及び冷間圧延を行うこ
とを特徴とするものである。 更に、他の製造方法は、必須元素として３％くＭｇ５６
％、０．０３％≦Ｃｕ＜０．３％及び０．０３％≦Ｚｎ
≦０．４％を含有し、不純物のうちのＦｅ、ＳｉをＦｅ
５０，１％、Ｓｉ≦０．１％に規制した組成を有するア
ルミニウム合金を６９０℃以上で鋳込み、３ｍｍ厚以上
の薄板連鋳コイルを得て。 これを冷間圧延することを特徴とするものである。 以下に本発明を更に詳細に説明する。 （作用） まず、本発明における化学成分の限定理由について説明
する。 Ｍヱ： Ｍｇはディスク基盤として必要な機械的強度を付与する
のに必要な元素である。しかし、含有量が３％以下では
この効果が不十分であり、また６％を超えると圧延時に
耳割れが生じ易くなり、生産性が低下すると共に、溶解
、鋳造時の高温酸化によってＭｇＯ等の非金属介在物が
生成し易くなり、好ましくない。よって１Ｍ代量は３％
＜　Ｍ　ｇ≦６％の範囲とする。 Ｃｕ、　　Ｚｎ： Ｃｕ、Ｚｎはメッキ前処理時の均一エツチング性を付与
すると共に、亜鉛置換処理時の亜鉛の基盤表面への析出
を均一微細にする効果を有するものである。これによっ
て下地メッキ皮膜面の粗さを小さくすると共に皮膜の付
着性の向上に寄与する。 しかし、Ｃｕ、Ｚｎがそれぞれ０．０３％未満では上記
のような効果が得られず、またＣｕが０．３％以上であ
ったり、Ｚｎが０．４％を超える場合には、ノジュール
の発生が多大となったり、結晶粒界のエツチング性が過
剰となってメッキ面の平滑性を損ねるので好ましくない
。したがって、Ｃｕ　ｍは０．０３％≦ＣＩ＜０．３％
の範囲とし、より好ましくはＣｕ：０．０５−０．２％
であり、ＺｒＪｌは０゜０３≦Ｚｎ＜０．４％の範囲と
し、より好ましくはＺｎ：Ｏ，’０６−０．３％である
。なお、Ｃｕ、Ｚｎが上記範囲にある場合でも、それぞ
れ単独添加では結晶粒間での化学的反応性の差が顕著と
なり、粒）？Ｊｌで段差を生じることから好ましくない
ため、ＣｕとＺｎは同時に添加する。 Ａｌ−Ｆｅ、ＡＭ−Ｆｅ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｆｅ−Ｍｎ系等
のＡ　Ｑ　−Ｆｅを主成分とする金属間化合物及びＭｇ
−Ｓｉを主成分とする金属間化合物は、地金不純物とし
て混入するＦｅ、ＳＬに起因するものであるが、これら
のディスク用基盤としての加工、所Ｊ１ツサブス１ヘレ
ート加工時の切削や研磨・研削等の加工工程において突
起や脱落による窪みとなったり、メッキ前処理工程にお
いて脱落又は溶解してメッキ面のマイクロピッ１−の原
因となるため、いずれも好ましくない。 特に、メッキ前処理工程において、１０μｍを超えるＡ
ｌ−Ｆｅを主成分とする金属間化合物や８μｍを超える
Ｍｇ−５ｉを主成分とする金属間化合物が存在する場合
には、メッキ前処理工程中のエツチング量がｌ　Ｏｍｇ
　／　ｄｍ２以下のマイルドなエツチング条件下であっ
ても、メッキ皮膜表面のマイクロビット、の原因となる
ので好ましくない。 更に、Ａ　Ｑ　−Ｆｅを主成分とする金属間化合物の最
大値が１０μｍ以下であり、Ｍｇ−５ｉを主成分とする
金属間化合物の最大値が８μｍ以下であったとしても、
５μｍ以上のＡｌ−Ｆｅを主成分とする金属間化合物が
５個７０．２ｍｍ２を超えて存在したり、５μｍ以上の
Ｍｇ−Ｓｉを主成分とする金属間化合物が５個１０．２
ｍｍ”を超えて存在すると、実質的に粗大な金属間化合
物１個と同様の悪影響を与えることがあり、好ましくな
い。したがって、Ａｌ−Ｆｅを主成分とする金属間化合
物の大きさの最大値が１０μｍ以下であって、なお且つ
５μｍ以上の該金属間化合物が５個１０．２ｍｍ２以下
であり、更に、Ｍｇ−Ｓｉを主成分とする金属間化合物
の大きさの最大値が８μｍ以下であって、なお且つ５μ
ｍ以上の該金属間化合物が５個７０．２ｍｍ２以下とす
る。 しかし、メッキ前処理工程中のエツチング量が１１〜２
０ｍｇ／ｄｍ”以上の強エツチング条件下では、６μｍ
を超えるＡ　Ｑ　−Ｆｅを主成分とする金属間化合物や
５μｍを超えるＭｇ−Ｓｉを主成分とする金属間化合物
が存在する場合には、メッキ皮膜表面のマイクロピット
の原因となるので好ましくない。更に、Ａｌ−Ｆｅを主
成分とする金属間化合物の大きさの最大値が６μｍ以下
であり１Ｍｇ−５ｉを主成分とする金属間化合物の最大
値が５μｍ以下であったとしても、５μｍ以上のＡｌ−
Ｆｅを主成分とする金属間化合物が５個１０．２ｍｍ”
を超えて存在したり、４μｍ以上のＭｇ−８Ｌを主成分
とする金属間化合物が５個１０，２ｍｍ”を超えて存在
すると、実質的に粗大な化合物１個と同様の悪影響を与
えることがあり、好ましくない。したがって、より好ま
しくは、Ａｌ−Ｆｅを主成分とする金属間化合物の大き
さの最大値が６μｍ以下であって。 なお且つ５μｍ以上の該金属間化合物が５個１０．２ｍ
ｍ２以下であり、更に、Ｍｇ−８Ｌを主成分とする金属
間化合物の最大値が５μｍ以下であって、なお且つ４μ
ｍ以上の該金属間化合物が５個１０．２ｍｍ２以下とす
る。 なお、これらの金属間化合物（Ａｌ−Ｆｅを主成分とす
るもの、Ｍｇ−Ｓｉを主成分とするもの）の大きさと量
は、素材中のＦｅ、Ｓｉの含有量に大きく影響されるも
のであるが、その鋳造条件や均熱処理（ソーキング）条
件等の影響も大きい。 例えば、鋳造条件に関しては、Ｕ造時の鋳込み温度を高
くしたり、所謂薄板連鋳のように鋳造板厚を薄くしたり
して、凝固時の冷却速度を速くすることによっても低減
される。したがって、本発明におけるアルミニウム合金
の不純物Ｆｅ、Ｓｉの含有量は、一義的に決定されるも
のではないが、半連続鋳造法の場合にはＦｅ５０．０７
％、Ｓｉ≦０．０６％が望ましい。より好ましくは、Ｆ
ｅ≦０．０４％、ＳｉＳ２，０４％である。また、薄板
連鋳法の場合には、Ｆｅ５０．１％、Ｓｉ≦０．１％、
より好ましくは、Ｆｅ５０．０７％、Ｓｉ≦０．０６％
である。Ｆｅ、Ｓｉの含有量の下限値は特に定めるもの
ではないが、２μｍ以下の金属間化合物の場合は、メッ
キの膜厚が極端に薄く（例えば３μｍ以下）ない限りメ
ッキ欠陥とはなり難いこと、更にＳｉの場合は、後述の
均熱処理条件等によっても低減できること等から、経済
的な面からＦｅ＞０゜００３％、Ｓｉ＞０．００５％が
望ましい。 また、本発明に係るディスク用アルミニウム合金におい
ては、これらの不純物以外のＭｎ、Ｃｒ、Ｔｉ等につい
ては、再結晶粒の微細化や高温熱処理時のグレングロス
の防止或いはＵ造組織の微細化等の効果を有するため、
ＪＩ３５０８６合金に許容されている範囲において含ま
れてもよいが、上記の金属間化合物の粗大化を惹き起こ
したり。 インクルージヨンの原因となる場合もあるので、Ｍｎ≦
０．４％、Ｃｒ≦０．１％、Ｔｉ≦０．１％が望ましい
。また、ＢやＢｅ等の元素は溶解、鋳造時に添加される
ことも多いが、１何れもｌｏｏｐｐｍ以下が望ましい。 次に１本発明に係るディスク用アルミニウム合金板の製
造法について説明する。 まず、鋳造方法としては、上記成分組成のアルミニウム
合金につき、鋳塊厚を３００〜６００ｍｍとする通常の
半連続鋳造法でも、或いは鋳塊厚を３０ｍｍ以下とする
薄板連鋳法のいずれの方法でもよいが、より低純度のＡ
ｌ地金を用いても上記の金属間化合物の低減と微細化が
可能な薄板連鋳法の方が望ましい。なお、薄板連鋳法の
場合、Ｕ造時のコイル板厚は、ディスク基盤としての打
抜き加工や切削、研磨加工等の精度上から５０％以上の
冷間圧延を施すことが望ましいことから、３ｍｎ＋以上
とするべきである。 いずれの鋳造方法の場合にも、鋳込み温度を高くして金
属間化合物を低減し易くするのがよく、特に通常の半連
続鋳造法の場合には７１０°Ｃ以上が望ましい。 次に、上記のアルミニウム合金鋳塊（或いは薄板連鋳コ
イル）を常法により均熱処理及び圧延を行う。但し、半
連続鋳造法の場合は、均熱処理は４５０°Ｃ以上とし、
Ｍｇ−８Ｌを主成分とする金属間化合物の低減のために
は、より好ましくは５００℃以上の温度に１時間以上保
持する条件で行う。 圧延については、大型鋳塊は生産性の点から熱間圧延及
び冷間圧延を行うが、Ｍｇ、−Ｓｉを主成分とする金属
間化合物の低減のためには、熱間圧延開始温度を５００
　’Ｃ以上にすることが好ましい。 もっとも、薄板連鋳コイルの場合には、熱間圧延を省略
し冷間圧延のみでもよいが、コイル板厚が比較的厚い場
合には上記条件の熱間圧延を鋳造に引き続いて行っても
よい。いずれの場合でも、冷間圧延工程においては、必
要に応じて焼鈍（３００〜ｂ 薄板連鋳コイルの場合には、圧延の前、途中において焼
鈍を行うことにより、偏析の除去や圧延性の向上等の効
果がある。 この圧延板は、打抜きや切削等によりディスクの形状と
した後、必要に応じて歪み除去のために焼鈍を行う。こ
の熱処理の際、ディスク面に荷重をかけると歪み矯正効
果が大きいので望ましい。 次に、通常の圧延板は粗度が、例えば、Ｒａ＝０．１〜
０．５μｍとディスク基盤としては大きく、また、歪も
更に低下させる必要があるので、切削或いは研磨により
ディスク表面を削除する。この場合、１０μｍ未満の表
面削除では歪除去が十分ではなく、また５００μｍを超
える表面削除ではディスクの性能は満足するけれども、
生産性、コスト等の経済的な点から無駄であるので、ア
ルミニウム合金板のディスク基盤としては、表面を削除
する厚さは１０〜５００μｍとするのがよい。 そして、この加工工程において、必要により歪を除去す
るために焼鈍を行う。 次いで、脱脂、酸洗、Ｚｎ置換等の前処理を行い、その
上に、例えばＮ１−Ｐ等の非磁性のメッキ皮Ｉ漠を形成
する。 前処理におけるエツチングはマイルドエツチング（エツ
チング量３〜１０ｍｇ／ｄｍ２）でも強エツチング（エ
ツチング量１１ｏＩｇ／ｄ１１２以上）でもよい。 本発明によれば、強エツチングも可能であり、しかも仕
上研磨代を少なくしてもピットが少なく優れた研磨後表
面精度が得られる。エツチングは酸洗が好ましい。この
点、従来のディスク用アルミニウム合金板の場合は弱い
エツチングしか適用できなかったのに比べて、優れてい
る。 メッキ皮膜厚さは、３μｍ未満では前処理の影響でディ
スク表面の粗さが大きく、マイクロピットも残存し易い
。更に、仕上研磨代も必然的に少ないことになり、粗さ
の小さい均一なメッキ皮膜が得られ難いので、メッキ皮
膜形成厚さは３μｉｎ以上とするのがよく、またディス
ク基盤の表面強度の点からは５μｍ以上とするのが好ま
しい。また、メッキ皮１漠の厚さは厚くなっても特に性
能が低下することはないけれども、あまり厚くするのも
経済的にみて不利であるので、３０μｍ以上とするのは
好ましくない。 このようにして製造されたメッキ後のディスクは、仕上
研磨した後、更にメッキ或いはスパッタ処理により磁性
体皮膜を形成して磁気ディスクとして使用するのである
。仕上研磨代は少なくすることができ、０．２〜２μｍ
が望ましい。この場合でも研磨後マイクロピットが少な
く優れた表面精度を有し、平滑な表面が得られる。

【以下余白】

次に本発明の実施例を示す。 （実施例） 第１表に示す化学成分を有する合金Ｎα１〜Ｎα７（本
発明例）及びＮα８〜Ｎａ　１３　（比較例）をそれぞ
れ第１表に示す鋳造法により溶解し、フィルター処理後
、半連続鋳造材の場合は造塊、開削後、４００ｍｍ厚ｘ
ｌｏｏｏｍｍ幅Ｘ３５００ｍｍ長さのスラブとし、第１
表の条件で均熱処理を施した後、熱間圧延、冷間圧延を
行って板厚を２ｍｍとした。薄板連鋳材の場合は６ｍｍ
厚Ｘ８００ｍｍ幅（×長さ）のコイル状に鋳造し、４０
０°Ｃの温度で５時間の焼鈍を施した後、冷間圧延を行
って板厚を２ｍｍとした。 次いで、これらの板材を打抜いた後、歪み取り焼鈍を施
し、外径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍの中空円円盤を得た
。 更に円盤の表面を切削加工（表面削除６０μｍ）してＲ
ｍａｘｏ　、　１　μｍ、板厚１．８８ｍｍの磁気ディ
スク用アルミニウム合金基盤を製造した後、該基盤を以
下の条件にて処理し、下地処理性、メッキの付着性、メ
ッキ後の表面ノジュールの発生状況を調査し、またメッ
キ面を研磨してマイクロピッ１−発生状況を調査した。 その結果を第１表〜第３表に示す。 （処理条件） 脱脂（上材工業製Ｕ−クリーナーＵＡ−６８，５％、５
０’Ｃ１５分、浸漬）→酸洗（上材工業製ＡＤ−１０１
，１０％）→亜鉛置換（上材工業ＷＡＤ−３０１、Ｒ，
Ｔ、、１分、浸漬）→硝酸剥離（５０％硝酸、Ｒ，Ｔ、
、３０秒、浸漬）→亜鉛置換（上材工業製ＡＤ−３０１
、室温、３０秒、浸漬）→Ｎ１−Ｐメッキ（上材工業製
二ムデンＨＤＸ、９０℃、浸漬、メッキ厚１０μｌ１１
）。なお、酸洗は、マイルドエツチングの場合は６５℃
×３分の浸漬（エツチング量８ｍｇ　／　ｄｍ”　）と
し、強エツチングの場合は７５°ＣＸ５分の浸漬（エツ
チング量２３　ｍＨ／　ｄｍ２）とした。 金属間化合物の大きさ及び量については、該磁気ディス
ク用アルミニウム合金基盤の評論について走査型電子顕
微鏡にて１０００倍の倍率で開鎖１、Ｑｍｍ”を測定し
て評価した。 また、下地処理性については、２回目の亜鉛置換後の表
面を観察し、析出物が均一でムラのないものをＯ１析出
が粗雑で粒が粗くムラの多いものを×、それらの中間の
ものや粒界が著しいエツチングを受けているものを△と
した。 メッキの付着性については、９０’曲げによりメッキの
剥離が生じないものを０、一部でも剥離するものは×と
した。 ノジュールの評価については、粗度計によりメッキ面を
ランダムに２０箇所、計８０ｍｍ測定し、０．２μｍ以
上の突起が０〜２個のものを０，３〜１０個のものをΔ
、１１個のものを×とした。 仕上研磨後の表面精度については、メッキ面をアルミナ
粉を用いて鏡面研磨した後、６４０倍の倍率で１００箇
所観察し、最大径２μｍ以上のピッ１−のないものをＯ
とし、１〜４個のピットがあるものを△、５個以上又は
８μｍ以上のピットが１個でもあるものを×とした。な
お、研磨式は０゜５μｍと１．５μｍとした。 第１表より、本発明例は、Ａ　Ｑ　−Ｆｅ系晶出物の大
きさが１０μｍ以下で、５μｍ以上の該晶出物か５個１
０．２ｍｍ２以下であり、またＭｇ−５ｉ系品出物の大
きさが８μｍ以下で、５μｍ以上の該晶出物か５個７０
．２ｍｍ２以下である。 もっとも、アルミニウム合金組成が本発明範囲外である
比較例のうちでも、本発明例と同様の品出物量、大きさ
のものがあるが、第２表、第３表から明らかなように、
これらの比較例では、下地処理性やメッキ性付着に劣り
、或いは下地処理［生やメッキ付着性が良好であっても
ノジュール、マイクロピットが多い。 一方、本発明例は下地処理性やメッキ付着性に優れ、更
にノジュール、マイクロピットが極めて少なく、比較例
に比べて格段に偏れていることがわかる。特に強エツチ
ングでも、ノジュールが極めて少なく、加えて、仕上研
磨式が少ない＜０．５μｍ研磨）場合でもマイクロピッ
トの発生が極めて少なく優れた表面精度を有している。 ［以下余白］ （発明の効果） 以上詳述したように、本発明によれば、適量のＭｇを含
有するディスク用アルミニウム合金においてＣｕ、Ｚｎ
の２種を必須元素として含有させると共に不純物のうち
のＦｅ、Ｓｉを規制し、更に金属間化合物のうちＡ　ｆ
ｌ　−Ｆｅ系金属間化合物とＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物
の大きさと量を規制したので、下地処理性、メッキ付着
性に優れると共にマイクロピットやノジュール等のメッ
キ欠陥が少なく平滑なメッキ面が得られるディスク用ア
ルミニウム合金を得ることができる。更には、強エツチ
ングの下地処理ができ、メッキ厚さを薄くできると共に
メッキ面の研磨式を少なくできるので、安価に磁気ディ
スク等の製品を提供できる。特に磁気ディスクや光ディ
スク等の素材として最適である。 特許出願人　　　株式会社神戸製鋼所 代理人弁理士　　中　　村　　　尚

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）重量％で（以下、同じ）、必須元素として３％＜
   Ｍｇ≦６％、０．０３％≦Ｃｕ＜０．３％及び０．０３
   ％≦Ｚｎ≦０．４％を含有し、不純物のうちのＦｅ、Ｓ
   ｉを半連続鋳造の場合はＦｅ≦０．０７％、Ｓｉ≦０．
   ０６％、薄板連鋳の場合はＦｅ≦０．１％、Ｓｉ≦０．
   １％に規制した組成を有すると共に、Ａｌ−Ｆｅを主成
   分とする金属間化合物の大きさの最大値が１０μｍ以下
   であって、なお且つ５μｍ以上の該金属間化合物の数が
   ５個／０．２ｍｍ＾２以下であり、更に、Ｍｇ−Ｓｉを
   主成分とする金属間化合物の大きさの最大値が８μｍ以
   下であって、なお且つ５μｍ以上の該金属間化合物の数
   が５個／０．２ｍｍ＾２以下であることを特徴とする優
   れた下地処理性、メッキ付着性を有し、ノジュール、マ
   イクロピットが少ない優れた研磨後表面精度を有するデ
   ィスク用アルミニウム合金板。
2. （２）アルミニウム合金が前記組成を有すると共に、Ａ
   ｌ−Ｆｅを主成分とする金属間化合物の大きさの最大値
   が６μｍ以下であって、なお且つ５μｍ以上の該金属間
   化合物の数が５個／０．２ｍｍ＾２以下であり、更に、
   Ｍｇ−Ｓｉを主成分とする金属間化合物の大きさの最大
   値が５μｍ以下であって、なお且つ４μｍ以上の金属間
   化合物の数が５個／０．２ｍｍ＾２以下である請求項１
   に記載のディスク用アルミニウム合金板。
3. （３）前記ディスク用アルミニウム合金板はメッキ前処
   理工程中のエッチング量が３〜１０ｍｇ／ｄｍ＾２のマ
   イルドエッチングに供されるものである請求項１又は２
   に記載のディスク用アルミニウム合金板。
4. （４）前記ディスク用アルミニウム合金板はメッキ前処
   理工程中のエッチング量が１１ｍｇ／ｄｍ＾２以上の強
   エッチングに供されるものである請求項２に記載のディ
   スク用アルミニウム合金板。
5. （５）必須元素として３％＜Ｍｇ≦６％、０．０３％≦
   Ｃｕ＜０．３％及び０．０３％≦Ｚｎ≦０．４％を含有
   し、不純物のうちのＦｅ、ＳｉをＦｅ≦０．０７％、Ｓ
   ｉ≦０．０６％に規制した組成を有するアルミニウム合
   金を７１０℃以上で鋳込み、得られた鋳塊に４５０℃以
   上の均熱処理を施した後、熱間圧延開始温度５００℃以
   上の熱間圧延及び冷間圧延を行うことを特徴とする優れ
   た下地処理性、メッキ付着性を有し、ノジュール、マイ
   クロピットが少ない優れた研磨後表面精度を有するディ
   スク用アルミニウム合金板の製造方法。
6. （６）前記均熱処理を５００℃以上で１時間以上保持す
   る条件で行う請求項５に記載の方法。
7. （７）必須元素として３％＜Ｍｇ≦６％、０．０３％≦
   Ｃｕ＜０．３％及び０．０３％≦Ｚｎ≦０．４％を含有
   し、不純物のうちのＦｅ、ＳｉをＦｅ≦０．１％、Ｓｉ
   ≦０．１％に規制した組成を有するアルミニウム合金を
   ６９０℃以上で鋳込み、３ｍｍ厚以上の薄板連鋳コイル
   を得て、これを冷間圧延することを特徴とする優れた下
   地処理性、メッキ付着性を有し、ノジュール、マイクロ
   ピットが少ない優れた研磨後表面精度を有するディスク
   用アルミニウム合金板の製造方法。