JPH03100523A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法Info
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- JPH03100523A JPH03100523A JP1238083A JP23808389A JPH03100523A JP H03100523 A JPH03100523 A JP H03100523A JP 1238083 A JP1238083 A JP 1238083A JP 23808389 A JP23808389 A JP 23808389A JP H03100523 A JPH03100523 A JP H03100523A
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- nonlinear resistance
- ito
- forming
- resistance film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表示装置、光シヤツター、プロジェクタ−表
示装置などの電気光学装置の製造方法に関する。
示装置などの電気光学装置の製造方法に関する。
本発明は、非線形抵抗素子を液晶と直列に形成したアク
ティブマトリックス電気光学装置の製造方法に関し、特
に非線形抵抗素子の製造方法において、透明電極ＩＴＯ
を形成しパターニング後に薄い絶縁膜を形成し、次に非
線形抵抗膜、電極を成形パターニングして、非線形抵抗
素子を形成した。
ティブマトリックス電気光学装置の製造方法に関し、特
に非線形抵抗素子の製造方法において、透明電極ＩＴＯ
を形成しパターニング後に薄い絶縁膜を形成し、次に非
線形抵抗膜、電極を成形パターニングして、非線形抵抗
素子を形成した。
第２図は従来公知の非線形抵抗膜を用いた電気光学装置
の縦断面図である。非化学的量論比をもつシリコン窒化
膜（ＳｉＮｘ）を非線形抵抗膜として用いた非線形抵抗
素子部における非線形抵抗素子は、下側基板ｌＯ上にＩ
ＴＯ膜１３を形成パターニングし、次に非線形抵抗膜で
あるシリコン窒化膜１４をプラズマＣＶＤ装置などによ
り約１０００人の膜厚で成膜し、次に金属電極１５をス
パッタなどによって成膜し、次に所望の形状に金属ｉ！
ｉ１５、シリコン窒化膜１４をパターニングするもので
ある。
の縦断面図である。非化学的量論比をもつシリコン窒化
膜（ＳｉＮｘ）を非線形抵抗膜として用いた非線形抵抗
素子部における非線形抵抗素子は、下側基板ｌＯ上にＩ
ＴＯ膜１３を形成パターニングし、次に非線形抵抗膜で
あるシリコン窒化膜１４をプラズマＣＶＤ装置などによ
り約１０００人の膜厚で成膜し、次に金属電極１５をス
パッタなどによって成膜し、次に所望の形状に金属ｉ！
ｉ１５、シリコン窒化膜１４をパターニングするもので
ある。
この種の電気光学装置の製造方法において、パターニン
グしたＩＴＯ（Ｉｎ、Ｓｎ酸化物）膜上に、たとえばシ
ランガス（ＳｉＨ４）などを使ったプラズマＣＶＤ法に
よって非線形抵抗膜ＳｉＮｘを形成する。このとき、＋
Ｔｏ！ＩＩの酸化インジウムや酸化スズと、プラズマＣ
ＶＤ膜形成時の水素ガスとの間で反応がおこり、１７０
表面上にＳｉＮｘ膜異常成長が発生し、Ｓ ｉＮｘ表面
が数１００Å以上の凹凸の粗れた状態となる。ＩＴＯ＼
ＳｉＮｘ＼金属からなる３層構造である非線形素子にお
いて、ＳｉＮｘ表面が凹凸状になると、電界に対してＢ
ｒｅａｋ Ｄｏｗｎが発生し、画素欠陥となった。
グしたＩＴＯ（Ｉｎ、Ｓｎ酸化物）膜上に、たとえばシ
ランガス（ＳｉＨ４）などを使ったプラズマＣＶＤ法に
よって非線形抵抗膜ＳｉＮｘを形成する。このとき、＋
Ｔｏ！ＩＩの酸化インジウムや酸化スズと、プラズマＣ
ＶＤ膜形成時の水素ガスとの間で反応がおこり、１７０
表面上にＳｉＮｘ膜異常成長が発生し、Ｓ ｉＮｘ表面
が数１００Å以上の凹凸の粗れた状態となる。ＩＴＯ＼
ＳｉＮｘ＼金属からなる３層構造である非線形素子にお
いて、ＳｉＮｘ表面が凹凸状になると、電界に対してＢ
ｒｅａｋ Ｄｏｗｎが発生し、画素欠陥となった。
またＳｉＮｘ膜中にインジウムやスズの不純物が拡散し
やすくなり、非線形抵抗素子の経時変化が起こる不具合
が発生した。
やすくなり、非線形抵抗素子の経時変化が起こる不具合
が発生した。
ｃｉｉａを解決するための手段〕
本発明は上記の問題を解決するために、パターニングし
たＩＴＯ電極上に薄い絶縁膜を形成しＩＴＯ膜と、非線
形抵抗膜形成時の水素との反応をなくした。
たＩＴＯ電極上に薄い絶縁膜を形成しＩＴＯ膜と、非線
形抵抗膜形成時の水素との反応をなくした。
この結果、ＩＴＯ膜と非線形抵抗膜形成時の水素ガスと
の反応がおさえられた結果、１７０表面での非線形抵抗
膜の異常生長がなくなり、ＢｒｅａｋＤｏｗｎ電圧が高
くなりそのため、欠陥発生率が少なく、さらに、非線形
抵抗膜中への不純物の混入がおさえられ、高い信転性を
もつ電気光学装置を得〔実施例〕 第１図は本発明による電気光学装置の製造方法の一実施
例であり、非線形抵抗素子の断面図を工程順に示す。第
１図ｆａ＋は、透明基板１にｉ３明電極ＩＴＯ膜２を形
成した基板断面図、ＩＴＯ膜はスパッタ蒸着法、エレク
トロンビーム（Ｅ、Ｂ、蒸着法）蒸着法、ＣＶＤ法など
により、膜厚約２００人〜１０００人形成する。第１図
（ｂ）は前記ＩＴＯをフォトリソグラフィ法によってパ
ターニングし、島状画素電極３を形成した図である。
の反応がおさえられた結果、１７０表面での非線形抵抗
膜の異常生長がなくなり、ＢｒｅａｋＤｏｗｎ電圧が高
くなりそのため、欠陥発生率が少なく、さらに、非線形
抵抗膜中への不純物の混入がおさえられ、高い信転性を
もつ電気光学装置を得〔実施例〕 第１図は本発明による電気光学装置の製造方法の一実施
例であり、非線形抵抗素子の断面図を工程順に示す。第
１図ｆａ＋は、透明基板１にｉ３明電極ＩＴＯ膜２を形
成した基板断面図、ＩＴＯ膜はスパッタ蒸着法、エレク
トロンビーム（Ｅ、Ｂ、蒸着法）蒸着法、ＣＶＤ法など
により、膜厚約２００人〜１０００人形成する。第１図
（ｂ）は前記ＩＴＯをフォトリソグラフィ法によってパ
ターニングし、島状画素電極３を形成した図である。
次に前記基板上に薄い絶縁ｔｌＱ４を形成する（第２図
（ｃｌ参照）、絶縁膜４はＳ ｉ ｚＮ ３． Ｓ ｉ
Ｏｘ、 Ａβｇｏｓ、 Ｃｒ ｚｏｘ、 ＷＯｓ、 Ｚ
ｒ Ｏｘ、 Ｔ ｉ Ｏｘ、 ＹｚＯｓ。
（ｃｌ参照）、絶縁膜４はＳ ｉ ｚＮ ３． Ｓ ｉ
Ｏｘ、 Ａβｇｏｓ、 Ｃｒ ｚｏｘ、 ＷＯｓ、 Ｚ
ｒ Ｏｘ、 Ｔ ｉ Ｏｘ、 ＹｚＯｓ。
Ｔ ａ 、０．などの金属や半導体酸化物、あるいは窒
化物が使用できる。絶縁膜４はスパッタ蒸着法。
化物が使用できる。絶縁膜４はスパッタ蒸着法。
Ｅ、Ｂ、蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法。
金属や半導体をあらかじめ形成し、次に熱酸化あるいは
熱窒化法、陽極酸化法などによって作成することができ
る。プラズマＣＶＤ法で成膜する場合は、プラズマ中の
水素濃度が低下した条件で作成すれば良い。非線形抵抗
膜が機能する電界強度は通常０．５ＭＶ／ｃ＋ａ〜１．
５ＭＶ／ｃｍ程度である。絶縁膜４の膜厚は、前記通常
動作電界強度内で、非線形抵抗特性に影響を及ぼさない
程度に抵抗値を下げる必要性から、２００Å以下でトン
ネル電流が流れる程度に薄膜化する０例えば５ｉＯｚの
場合は、膜厚１００Å以下、５ｉｓＮ４の場合は２００
Å以下とする。第１図＋ｄｌは、前記絶縁膜４上に、非
線形抵抗膜５、導電膜６を連続形成する。非線形抵抗層
５は、ブラズ？ＣＶＤ法によるＳｉＮｘ、５ｉＯＸ、５
ｉＣｘなどを約１０００人形成する。また、非線形抵抗
膜はスパッタ法や、ＣＶＤ法あるいは陽極酸化法や熱酸
化、熱窒化法によって形成することもできる。Ｒ電層６
はスパック法などによって、Ａｊ！、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｕ
、ＮｉＣｒ、ＩＴＯ，ＷＭｏなどを使用することができ
る。第１図（ｅｌは、フォトリソグラフィ法によって、
厚電層、非線形抵抗層を選択エッチを行い、非線形抵抗
素子（■Ｔｏ／絶縁膜／非締形抵抗膜／Ｒ電層）が形成
された状態を示す縦断面図である。以後の工程は、通常
の液晶セル組立工程とほぼ同じであり、説明は省略する
。
熱窒化法、陽極酸化法などによって作成することができ
る。プラズマＣＶＤ法で成膜する場合は、プラズマ中の
水素濃度が低下した条件で作成すれば良い。非線形抵抗
膜が機能する電界強度は通常０．５ＭＶ／ｃ＋ａ〜１．
５ＭＶ／ｃｍ程度である。絶縁膜４の膜厚は、前記通常
動作電界強度内で、非線形抵抗特性に影響を及ぼさない
程度に抵抗値を下げる必要性から、２００Å以下でトン
ネル電流が流れる程度に薄膜化する０例えば５ｉＯｚの
場合は、膜厚１００Å以下、５ｉｓＮ４の場合は２００
Å以下とする。第１図＋ｄｌは、前記絶縁膜４上に、非
線形抵抗膜５、導電膜６を連続形成する。非線形抵抗層
５は、ブラズ？ＣＶＤ法によるＳｉＮｘ、５ｉＯＸ、５
ｉＣｘなどを約１０００人形成する。また、非線形抵抗
膜はスパッタ法や、ＣＶＤ法あるいは陽極酸化法や熱酸
化、熱窒化法によって形成することもできる。Ｒ電層６
はスパック法などによって、Ａｊ！、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｕ
、ＮｉＣｒ、ＩＴＯ，ＷＭｏなどを使用することができ
る。第１図（ｅｌは、フォトリソグラフィ法によって、
厚電層、非線形抵抗層を選択エッチを行い、非線形抵抗
素子（■Ｔｏ／絶縁膜／非締形抵抗膜／Ｒ電層）が形成
された状態を示す縦断面図である。以後の工程は、通常
の液晶セル組立工程とほぼ同じであり、説明は省略する
。
第３図は本発明による電気光学装置の製造方法の別の実
施例であり、非線形抵抗素子の断面図を工程順に示す、
第３図１ａｌ、 （ｂｌは、透明電極ｒＴ。
施例であり、非線形抵抗素子の断面図を工程順に示す、
第３図１ａｌ、 （ｂｌは、透明電極ｒＴ。
２、絶縁膜４を連続的に形成し、次に第３図１ａｌに示
すごとく、フォトリソグラフィ法により、パターニング
を行う、以後の工程は、第１図実施例で説明した製造方
法と同じである。
すごとく、フォトリソグラフィ法により、パターニング
を行う、以後の工程は、第１図実施例で説明した製造方
法と同じである。
以上述べてきたように、本発明による電気光学装置の製
造方法によれば、透明導電膜ＩＴＯと、非線形抵抗膜形
成工程の間に、薄い絶縁膜を形成する工程を導入するこ
とにより、非線形抵抗膜の成膜中に発生する水素プラズ
マとＩＴＯとの反応による非線形抵抗膜の異常成長によ
る点欠陥をなくし、さらに、非線形抵抗膜中へのインジ
ウムやスズの混入を防止することができ、その結果、非
線形抵抗素子の電気特性を安定化させることができると
いう優れた効果を有する。
造方法によれば、透明導電膜ＩＴＯと、非線形抵抗膜形
成工程の間に、薄い絶縁膜を形成する工程を導入するこ
とにより、非線形抵抗膜の成膜中に発生する水素プラズ
マとＩＴＯとの反応による非線形抵抗膜の異常成長によ
る点欠陥をなくし、さらに、非線形抵抗膜中へのインジ
ウムやスズの混入を防止することができ、その結果、非
線形抵抗素子の電気特性を安定化させることができると
いう優れた効果を有する。
第３図１ａｌ〜（ｆ）は本発明による電気光学装置の製
造方法を示す工程フロー図、第２図は従来公知である電
気光学装置の縦断面図、第３図＋８）〜ｉｆ）は本発明
による製造方法の別の実施例である工程フロー図を示す
。 １・・・基板 ２・・・透明電極 ３・・・画素電極 ４・・・薄い絶縁膜 ５．１４・・・非線形抵抗膜 ６．１５・・・導電膜 １０、１）・・・基板 １２・・・・・液晶 １６・・・・・透明電極 以上
造方法を示す工程フロー図、第２図は従来公知である電
気光学装置の縦断面図、第３図＋８）〜ｉｆ）は本発明
による製造方法の別の実施例である工程フロー図を示す
。 １・・・基板 ２・・・透明電極 ３・・・画素電極 ４・・・薄い絶縁膜 ５．１４・・・非線形抵抗膜 ６．１５・・・導電膜 １０、１）・・・基板 １２・・・・・液晶 １６・・・・・透明電極 以上
Claims (2)
- （１）液晶と非線形抵抗素子を直列に接続したドットマ
トリクス電気光学装置の製造方法において、前記非線形
抵抗素子は、少なくとも、 透明基板上にＩＴＯ膜を形成する工程 絶縁膜を形成する工程 非線形抵抗膜を形成する工程 電極を形成する工程 電極をパターニングする工程 非線形抵抗膜をパターニングする工程 からなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の電気光学装置の製造
方法において、少なくとも、 透明基板上にＩＴＯを形成する工程 絶縁膜を形成する工程 絶縁膜とＩＴＯ膜をパターニングする工程 非線形抵抗膜を形成する工程 電極を形成する工程 電極をパターニングする工程 非線形抵抗膜をパターニングする工程 からなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1238083A JPH03100523A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1238083A JPH03100523A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100523A true JPH03100523A (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=17024909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1238083A Pending JPH03100523A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03100523A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62253191A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | 松下電器産業株式会社 | マトリクス型表示装置 |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP1238083A patent/JPH03100523A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62253191A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | 松下電器産業株式会社 | マトリクス型表示装置 |
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