JPH03100902A - 情報記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば、光磁気メモリ装置など、各種情報記
録再生装置に関し、より詳しくは情報記録再生装置にお
ける再生回路に関するものである。

〔従来の技術〕

従来の情報記録再生装置について、ここでは光磁気メモ
リ装置を例に挙げて説明する。

光磁気メモリ装置の一例として光磁気ディスクメモリ装
置をとりあげ、光磁気ディスクに対する情報の記録、記
録された情報の再生、およびその消去の各動作について
第２８図ないし第３８図に基づいて説明すると以下のと
おりである。

まず光磁気ディスクへの情報の記録、および光磁気ディ
スクに記録された情報の消去の各動作について第２８図
に基づいて説明する。

情報の記録・消去が可能な光磁気記録媒体としての光磁
気ディスクは、同図（ａ）に示すように、ディスク基板
２８０４上に、成膜された記録磁性膜２８０５が形成さ
れている。記録磁性膜２８０５は、磁化容易軸がその膜
面に垂直な方向になるように成膜されており、予め同一
の向き（例えば、同図中の磁化の向きＡ）にイニシャラ
イズされている。さて、半導体レーザ２８０１から出射
されたレーザビーム２８０３は対物レンズ２８０２で１
μｍ程度の径に集光され、記録磁性膜２８０５に照射さ
れる。記録すべき情報に対応する記緑信号２８０７　（
同図（ｂ）に示す）に基づいてレーザビーム２８０３の
光強度の強弱が制御される。光強度の強いレーザビーム
２８０３が照射された部分の温度は局所的に上昇してキ
ュリー温度を越えると、その部分の保磁力が著しく低下
する。そして、その部分の磁化の向きは、予め印加され
ていた外部印加磁場２８０６と同一の向き（同図中の磁
化の向きＢ）に反転す゛る。このようにして、記録信号
２８０７と同一の情報が記録磁性膜２８０５に記録され
ることになる。以下、上記のようにして記録された記録
部分をマーク２８０９、そうでない部分を非マーク２８
１０と称する。

即ち、例えばマーク２Ｂ’０９が２値信号の符号（１）
に対応するようにし、非マーク２８１０が２値信号の符
号（０）に対応するようにして、マーク２８０９および
非マーク２８１０により記録情報が構成される。また、
この方法で記録することを光磁気記録と称する。記録磁
性膜２８０５に記録された情報の消去は、外部印加磁場
２８０６の向きを逆にして記録時と同様の方法でおこな
い、磁化の向きを元のイニシャライズ時の向き（即ち、
同図中の磁化の向きＡ）に戻すことによりおこなわれる
。この結果、消去された部分は非マーク２８１０となる
。

なお、本例ではレーザビーム２８０３を記録信号２８０
７に応じて変調し、一定の強さの外部印加磁場２８０６
を印加して記録する光変調方式を示したが、その他にこ
れとは逆に、レーザビーム２８０３の強さを一定にし、
外部印加磁場２８０６の向きを記録信号２８０７に応じ
て変調して記録する磁界変調方式で記録してもよい。

また、本例のディスク基板２８０４にはガラス、または
プラスチック等のディスク板が用いられており、第２８
図（ａ）に示すように、トラックやセクタの番地を示す
アドレス情報が、予め物理的な凹凸２８０８の形状で刻
み込まれて形成されている。この凹凸２８０８もマーク
、および非マークである。アドレス情報は予め一定のフ
ォーマットで刻み込まれているので、それ以後は記録・
消去の各動作はできないようになっている。予め物理的
な凹凸２８０８の形状で刻み込まれた部分を以後プリフ
ォーマット部と称する。これに対して情報の記録・消去
の各動作はプリフォーマット部以外の部分でおこなわれ
、この部分をＭＯ（データ）部と称する。通常、このプ
リフォーマット部３００３、およびＭＯ（データ）部３
００２は、第３０図に示すように、渦巻状または同心円
状のトラック３００５上に交互に配置されている。

プリフォーマット部３００３とＭＯ部３０ｏ２とが一対
でひとつのセクタ３００４を構成している、光磁気ディ
スク３００１はトラック３００５上に、それぞれアドレ
ス（番地）情報を含んだ多数のセクタを含む構成となっ
ている。情報の記録・再生・消去の各動作は、セクタ単
位ごとにおこなわれる。また、第３１図に示すように、
上記トラック３００５上のプリフォーマット部３００３
にマーク２８０８が予め刻み込まれているとともに、Ｍ
Ｏ（データ）部３００２に光磁気記録によるマーク２８
０９が記録されることになる。

光磁気ディスクの再生動作を第２９図に基づいて以下に
説明する。

同図（ａ）に示すように、半導体レーザ２８０１から出
射され、対物レンズ２８０２で１μｍ程度の径に集光さ
れたレーザビーム２８０３は、記録磁性膜２８０５に照
射される。ただし、レーザビーム２８０３は直線偏光さ
れており、レーザビーム２８０３の光強度は記録・消去
の各動作時よりも弱くしである。直線偏光されたレーザ
ビーム２８０３の光磁気ディスク３００１からの反射光
は、記録磁性膜２８０５を通過、および反射する際にフ
ァラデー効果、およびカー効果によってその偏光面が回
転する。この回転方向は、マーク２８０９と非マーク２
８１０とでは、互いに偏光面の回転角分だけ逆方向に回
転する。この偏光方・向の違いを検出することにより再
生をおこない、同図（ｂ）（ｃ）に示すような再生信号
Ｓ１、Ｓ２が生成される。

第３２図は再生光学系の構成の要部を示すものであり、
同図に基づいて上記再生信号３１，３２の分離を以下に
説明する。

反射光３２０１はＰＢＳ　（検光子）３２０２に入射さ
れ、２つの検波光３２１０．３２１１がそれぞれの偏光
方向ごとに光検出器３２０３．３２０４に導かれる。そ
して、光検出器３２０３．３２０４においてそれぞれ光
強度に応じて変化する電気信号に変換され、再生信号Ｓ
１、Ｓ２として出力される。従って、再生信号Ｓ１、Ｓ
２からマーク２８０９と非マーク２８１０とが分離して
読み出せるので、記録磁性膜２８０５に記録された情報
の再生をおこなうことができる。

第３３図に基づいて光磁気記録されたＭＯ（データ）部
３００２を再生した時に分離される再生信号Ｓ１、Ｓ２
の極性について以下に説明する。

光磁気記録による非マーク２８１０　（磁化の向きＡ）
からの反射光ベクトルをα、マーク２８０９（磁化の向
きＢ）からの反射光ベクトルをβとすると、αとβとは
互いに偏光面の回転角分だけ逆方向に回転した反射光ベ
クトルである。反射光ベクトルα、βは、検光子（ＰＢ
Ｓ）３２０２におけるふたつの偏光方向Ｘ、Ｙへそれぞ
れ検波される。このふたつの偏光方向Ｘ、Ｙは互いに直
角な関係にある。反射光ベクトルα、βを偏光方向Ｘ、
Ｙにそれぞれ投影した検波光ベクトルα×、βＹの大き
さが再生信号Ｓ１および再生信号Ｓ２に対応している。

さらに検波光ベクトルα８、βＶは、第３２図の検波光
３２１０．３２１１にそれぞれ対応している。第３３図
に示すように、再生信号Ｓｌは非マーク２８１０に対し
てハイレベル、マーク２８０９に対してはローレベルが
対応している。また、再生信号Ｓ２は非マーク２８１０
に対してローレベル、マーク２８０９に対してはハイレ
ベルが対応しており、再生信号Ｓ１とは逆極性となって
いる。そして、再生信号Ｓ１、Ｓ２は、ＳＺＮ比を向上
させるために差動増幅器に入力され、差動増幅されて情
報の再生がおこなわれるようになっている。

次に、第３４図に基づいて物理的な凹凸２８０８で刻み
込まれたプリフォーマット部３００３を再生したときの
再生信号Ｓｌ、３２の極性について以下に説明する。

プリフォーマット部３００３は記録・消去の各動作がお
こなわれないので、磁化の向きはへのみである。この部
分では、凹凸２８０８の形状によりレーザビームの回折
が生じる。従って、同図に示すように、反射光ベクトル
は凹凸２８０８に応じてそれぞれ長い反射光ベクトルα
（凹凸の非マークの再生に対応する）、および短い反射
光ベクトルＴ（凹凸のマークの再生に対応する）となる
。これを検光子（ＰＢＳ）３２０２の偏光方向Ｘ、Ｙに
投影すると検波光ベクトルαｘ、７ｖがそれぞれ得られ
る。検波光ベクトルαｘ、７ｖの大きさが再生信号Ｓ１
、Ｓ２に対応している。再生信号Ｓ１および再生信号Ｓ
２はともに、凹凸２８０８の非マークに対してハイレベ
ル、マークに対してローレベルに対応している。従って
、この再生信号Ｓ１、Ｓ２は第３３図に示した光磁気記
録のマーク２８０９、非マーク２８１０のものとは異な
り、極性が同じものとなる。即ち、第２９図に示すよう
に、再生信号Ｓ１、Ｓ２はプリフォーマット部３００３
において極性が同じであり、Ｍｏ（データ）部３００２
においては互いに極性が反転した信号になる。

第３５図、および第３６図に基づいて光磁気ディスクメ
モリ装置における再生回路について以下に説明する。

第３５図において再生信号Ｓ１、Ｓ２は再生回路３５０
１に入力され、２値化された出力信号３５１０がアドレ
ス発生回路３５０２、およびタイミング発生回路３５０
３に入力される。アドレス発生回路３５０２において第
３０図に示したセクタ単位のプリフォーマット部３００
３に含まれるアドレス（番地）情報が出力信号３５１０
から読み出され、アドレス信号３５１１が出力される。

また、タイミング発生回路３５０３においては同じくプ
リフォーマット部に含まれるセクタ同期用のセクタマー
クが検出され、記録・再生・消去基準タイミング信号３
５１２が出力される。光磁気ディスクメモリ装置におい
てこのアドレス信号３５１１と記録・再生・消去基準タ
イミング信号３５１２とに基づいて、所望のアドレスの
セクタに情報の記録・再生・消去をおこなうようになっ
ている。

第３６図に基づいて、第３５図における従来の再生回路
３５０１の入力段に配置されているバッファアンプ３６
０１について以下に説明する。

再生信号Ｓｔは、バッファアンプ３６０１内のコンデン
サ３６０２と抵抗３６０３で構成されたバイパスフィル
ターに入力される。同図に示すように、抵抗３６０３の
一方は電圧ｖ０に固定されている。このバイパスフィル
ターにより再生信号Ｓｌ中のＤＣ成分が除去され、容易
にＡＣ成分に含まれる情報信号だけを再生できるように
なっている。バイパスフィルターの出力信号３６１０は
アンプ３６０４に入力され、その出力信号３６１２が後
段の再生回路３５０１に伝送される。再生信号Ｓ２も同
様にバッファアンプ３６０１内のコンデンサ３６０５と
抵抗３６０６とで構成されたバイパスフィルターに入力
され、再生信号Ｓ２中のＤＣ成分が除去され、容易にＡ
Ｃ成分に含まれる情報信号だけを再生できるようになっ
ている。

バイパスフィルターの出力信号はアンプ３６０７を介し
て、出力信号３６１３として後段の再生回路３５０１に
伝送される。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、第３６図のバッファアンプ３６０１を用いた
上記従来の装置では、情報の記録・消去の各動作直後の
プリフォーマット部の情報が読み出せない場合がある。

これは情報の高速転送、および高密度記録をおこなう際
に特に問題となる。

このことについて第３７図および第３８図に基づいて以
下に説明する。

第３７図および第３８図は、バッファアンプ３６０１の
各部の波形例を示したものである。第３７図（ａ）に示
すように、プリフォーマット部３７０１とＭＯ（データ
）部３７０２とで構成されたセクタでは情報の記録がお
こなわれ、プリフォーマット部３７０３とＭＯ（データ
）部３７０４で構成されたセクタでは情報の再生がおこ
なわれ、プリフォーマット部３７０５とＭＯ（データ）
部３７０６で構成されたセクタでは情報の消去がおこな
われるものとする。これら情報の記録・再生・消去の各
動作は、プリフォーマット部３７０１．３７０３．３７
０５の同期タイミング情報、およびアドレス情報を読み
出し、所定の同期タイミングが検出され、しかも所定の
アドレスであることを逐次確認しながらおこなわれなけ
ればならない。

さて、再生信号３１，３２は、第３７図（ｂ）に示すよ
うに、記録・消去の各動作時にその振幅が過大な信号に
なる。これは、記録・消去の各動作時において光強度の
大きい反射光が光検出器３２０３．３２０４に入射する
ためである。これに伴って、同図（Ｃ）に示すように、
バッファアンプ３６０１の出力信号３６１２．３６１３
は、バイパスフィルターの過渡応答が反映された波形に
なっている。つまり記録、および消去の各動作直後の信
号レベルが上下に振られる。記録、および消去の各動作
直後にはプリフォーマット部３７０３．３７０７を再生
しなければならない。一方、バッファアンプ３６０１を
含めた再生回路３５０１には、同図（Ｃ）に示すように
、再生限界レベル範囲があり、この範囲を越えると再生
信号Ｓ１、Ｓ２から情報を読み出すことは不可能となる
。なお、上記の再生レベル限界範囲は、回路が電気的に
正常動作可能な範囲であり、例えば信号レベルが飽和す
る限界である。また、後段にＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉ
ｃ　　Ｇａ１ｎ　　Ｃｏｎｔｒｏｌ）アンプが存在する
場合は、その応答時間を含めた再生可能な範囲である。

この場合、同図（Ｃ）に示すように、記録・消去の各動
作直後のプリフォーマット部３７０３．３７０７におけ
るバッファアンプ３６０１の出力信号３６１０．３６１
１は上記範囲を遥かに越えている。特に、消去時の再生
信号Ｓ１、Ｓ２のＤＣ成分は記録時に比べて大きいため
、消去直後は上記範囲をさらに大きく越えてい池。従っ
て、記録、および消去直後のプリフォーマット部３７０
３、およびプリフォーマット部３７０７を再生して得ら
れる同期タイミング情報、およびアドレス情報は読みだ
し困難になり、所定の同期タイミングが検出されず、し
かも所定のアドレスであることが確認できないという問
題点を有している。つまり、情報の記録・再生・消去の
各動作をおこなうことが不可能になり、このことは特に
消去直後に顕著である。なお、バイパスフィルターの過
渡応答時間を考慮して、その過渡応答時間より充分に長
い時間間隔に相当する間隔でプリフォーマット部３７０
３．３７０７を配置すれば、上記問題点は解決する。し
かし、このようにするとプリフォーマット部間の間隔が
大きくなるので、情報の転送速度の低下を招来し、情報
記録の高密度化に支障を来すことになり、本質的な解決
策とはならない。また、バイパスフィルターの時定数を
小さくすると、過渡応答時間が短くなるので上記の問題
は解決する。しかし、このようにすると、再生信号中の
データに位相のずれが生じるようになり、再生エラーの
原因となる。従って、バイパスフィルターの時定数には
下限があり、これよりも小さくすることは困難である。

第３８図に基づいて情報の記録・消去の各動作直後のプ
リフォーマット部の情報が読み出せない場合に、上記Ａ
ＧＣアンプの出力信号３８０１に与える影響について以
下に説明する。

再生信号Ｓ１、Ｓ２に対して、ＡＧＣアンプは自動的に
増幅度調整をおこない、記録、および消去レベルに基づ
いて応答するようになっている。

従って、同図（ｂ）で示すような信号がＡＧＣアンプに
入力されると、その増幅度は、しだいに本来の再生時の
増幅度と比較して遥かに低下したものになる。これに伴
って、同図（Ｃ）に示すように、ＡＧＣアンプの出力信
号のレベルも著しく低下する。このようにＡＧＣアンプ
の増幅度は瞬時に元に戻ることができないため、ＡＧＣ
アンプの出力信号３８０１が定常状態に達した直後は、
同図（ａ）で示すプリフォーマット部３７０３．３７０
７を再生した時の再生信号の振幅が非常に小さいものと
なり、情報が読み取れなくなる。従って、第３７図に基
づいて説明した場合と同様に、この場合も記録、および
消去の各動作直後にプリフォーマット部３７０３．３７
０７を再生して得られる同期タイミング情報、およびア
ドレス情報は読み出し困難になり、所定の同期タイミン
グが検出されず、しかも所定のアドレスであることが確
認できないという問題点を有している。つまり、以降の
情報の記録・再生・消去の各動作をおこなうことが不可
能になる。なお、ＡＧＣアンプの応答時間を考慮して、
充分に長い時間間隔に相当する間隔でプリフォーマット
部３７０３．３７０７を配置すれば、上記問題点は解決
する。しかし、このようにするとプリフォーマット部間
の間隔が大きくなるので、情報の転送速度の低下を招来
し、情報記録の高密度化に支障を来すことになり、本質
的な解決策とはならない。

以上第３７図、および第３８図に基づいて説明したよう
に、従来の装置では所望のセクタへの確実な情報の記録
・再生・消去の各動作が不可能になり、また、光磁気メ
モリ装置における情報の高速転送、および高密度化に支
障を来すという問題点を有している。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る情報記録再生装置は、上記の課題を解決す
るために、情報の記録、再生、または消去をおこなう情
報記録再生装置において、情報の記録・消去の各動作時
における再生信号中に含まれる過大振幅を所定のレベル
に制限する信号レベル制限手段を情報の再生をおこなう
再生回路の前段に設けたことを特徴としている。

〔作　用〕

上記の構成により、情報の再生をおこなう再生回路の前
段に信号レベル制御手段を設け、情報の記録・消去の各
動作時に再生信号中に含まれる過大振幅を所定のレベル
に制限したので、記録・消去の各動作直後のプリフォー
マット部における再生信号が受けるＡＣ結合の過渡応答
の影響を低く抑えることができる。つまり、常に再生信
号を再生限界レベル範囲内に抑えることができるので、
記録・消去の各動作直後のプリフォーマット部の同期タ
イミング情報、およびアドレス情報を正確に読み出すこ
とができ、所定の同期タイミングを検出し、しかも所定
のアドレスであることを逐次確認しながら、情報の記録
・再生・消去の各動作をおこなうことができる。

従って、ＡＣ結合の過渡応答やＡＧＣ回路の応答に影響
されずに、プリフォーマット部の配置を決めることがで
き、光磁気ディスクメモリ装置における情報の高速転送
、および高密度化が可能となる。

〔実施例１〕 本発明の第１の実施例を第１図ないし第２３図に基づい
て説明すれば、以下のとおりである。

まず本発明に係る情報記録再生装置として光磁気メモリ
装置について第８図ないし第１６図に基づいて以下に説
明する。第８図は光磁気メモリ装置の構成を示すブロッ
ク図である。光磁気ディスク１２０１はスピンドルモー
タ１２０２によって回転され、光ヘッド１２０３から出
射されたレーザビーム１２０４によって情報の記録・再
生・消去がおこなわれる。この時、外部印加磁石１２０
５をモータ等で回転させて磁場の向きを反転させること
よって記録・消去のための外部印加磁場を得る。また、
電磁石により記録・消去のための外部印加磁場を得ても
よい。光ヘツド１２０３内の半導体レーザ（同図中には
図示しない）へは、記録回路１２０６から半導体レーザ
駆動電流１２１・０が入力される。同駆動電流１２１０
によって半導体レーザの光強度が適切に制御されるとと
もに、記録情報が光磁気ディスク１２０１に記録される
。光ヘッド１２０３からは再生回路１２０７へ再生信号
１２１１　（再生信号Ｓｌ、Ｓ２）が出力される。再生
回路１２０７において再生された再生データ１２１２は
コントローラ１２０８へ送られる。コントローラ１２０
８では、再生データ１２１２に基づいて各種の制御信号
のタイミングをとるとともに、入力される信号の状態に
基づく制御信号を出力するようになっている。即ち、コ
ントローラ１２０８からは各種制御信号１２１３が記録
回路１２０６、および再生回路１２０７へ送られる。ま
た、コントローラ１２０８から磁場制御信号１２１４が
外部印加磁石１２０５へ伝送され、外部印加磁場の向き
が制御される。

第９図に基づいて上記記録回路１２０６について以下に
説明する。コントローラ１２０８　（同図中には図示し
ない）から送られた記録データ１３１１は記録回路１２
０６内の変調回路１３０２に入力される。変調回路１３
０２では、記録データ１３１１が、制御信号１２１３に
よって記録フォーマットに応じた変調データ１３１ｏに
変換される。この変調は、例えば第１２図に示すような
変調方式（後述する）に従っておこなわれる。変調デー
タ１３１０は、半導体レーザ駆動回路１３０１へ出力さ
れる。半導体レーザ駆動回路１３ｏ１からは半導体レー
ザ駆動電流１２１ｏが出力され、光ヘツド１２０３内の
半導体レーザ２８ｏ１へ伝送される。同時に、半導体レ
ーザ駆動回路１３０１へはコントローラ１２０８からの
制御信号１２１３が入力され、半導体レーザ２８０１の
光強度が記録、再生、および消去の各動作に応じて適切
に制御される。

第１０図に基づいて上記再生回路１２ｏ７について以下
に説明する。光ヘッド１２０３　（同図中には図示しな
い）からの再生信号１２１１　（再生信号Ｓ１、Ｓ２）
は、再生回路１２０７内の信号処理回路１４０１に入力
される。信号処理回路１４０１からは、同期データ１４
１０が復調回路Ｉ４０２へ送られ、同時にセクタマーク
信号１４１１がコントローラ１２０８へ伝送される。同
期データ１４１０の復調は、第１２図に示すような方式
（後述する）に従っておこなわれる。つまり、第９図に
示す変調回路１３０２とは逆の変換をおこなうことによ
って復調される。信号処理回路１４０１１復調回路１４
０２へはコントローラ１２０８から各種制御信号１２１
３が伝送される。復調回路１４０２からは再生データ１
２１２がコントローラ１２０８へ出力される。

第１１図に基づいて上記コントローラ１２０８について
以下に説明する。上述の信号処理回路１４０１からのセ
クタマーク信号１４１１は、コントローラ１２０８内の
タイミング発生回路１５０１に人力され、セクタ単位の
タイミングで基準タイミング信号１５１０がコントロー
ル回路１５０２へ伝送される。また、上述の復調回路１
４０２からの再生データ１２１２がコントロール回路１
５０２に入力される。コントロール回路１５０２では、
上記２つの入力信号から各種制御信号１２１３が生成さ
れるとともに、外部装置との情報の入出力がおこなわれ
るようになっている。

次に、第１２図ないし第１６図に基づいて、第９図に示
した記録回路１２０６の動作を以下に説明する。

第９図における変調回路１３０２では、例えば第１２図
に示す変調方式に基づいて変調がおこなわれる。これは
、所謂、２，７変調力式と呼ばれるものである。第１２
図に示すように、入力データ（記録情報）は所定の変調
データのパターンに変換される。さらに、第１３図に示
すフォーマットに従って適切なタイミングで、変調デー
タ１３１Ｏを第９図に示した半導体レーザ駆動回路１３
０１へ出力する。第１３図は、第３０図に示したセクタ
３００４のフォーマットを示すもので以後セクタフォー
マットと称する。第１３図においてプリフォーマット部
３００３は、セクタ単位の同期タイミングを得るための
セクタマーク部１７０１と、セクタのアドレス（番地）
情報を含んだ１０部１７０２とから構成される。これら
は第３０図に示したように、記録・消去できないマーク
、および非マークに対応する物理的な凹凸が光磁気ディ
スク１２０１に刻み込まれている。ＭＯ（データ）部３
００２は、情報データを記録・再生・消去するためのデ
ータ部１７０３と、ふたつのギャップ部１７０４．１７
０５とから構成されている。データ部１７０３に上記変
調データ１３１０が記録される。この時の記録は、第２
８図または第２９図に示したように、光磁気記録による
マーク、および非マークでおこなわれる。なお、プリフ
ォーマット部３００３とＭＯ（データ）部３００２との
間に配置されたギャップ部１７０４．１７０５は、デー
タ部１７０３に情報を記録する際の余裕領域である。つ
まり、これらのギャップ部１７０４．１７０５は、スピ
ンドルモータ１２０２の回転と上記セクタ単位の同期タ
イミングとの間に発生する位相誤差によって、記録開始
位置、および記録終了位置が前後にずれるため、これを
見込んだ領域である。

第１４図に基づいて上記半導体レーザ駆動回路１３０１
について以下に説明する。半導体レーザ駆動回路１３０
１とコントローラ１２０８との間では４つの各種制御信
号１８１０．１８１１１８１２、および１８１３が入出
力される。また、変調回路１３０２　（同図中には図示
しない）からは変調データ１３１０が半導体レーザ駆動
回路１３０１に入力される。上記の再生光量制御信号１
８１０は、再生光量制御回路１８０１に入力され、再生
時に光ヘツド１２０３内の半導体レーザ２８０１の再生
光量が適切に制御されるようになっている。記録・消去
光量制御信号１８１１は、記録・消去光量制御回路１８
０３に入力され、記録時・消去時に対応する半導体レー
ザ２８０１の光量が制御されるようになっている。高周
波重畳スイッチ信号１８１２は、高周波重畳回路１８０
２に入力され、半導体レーザ２８０１の戻り光によるノ
イズが低減される。再生光量制御回路１８０１、記録・
消去光量側御回路１８０３、高周波重畳回路１８０２の
各出力信号１８１４．１８１５、および１８１６は、加
算回路１８０５で加算され、２Ｉ′導体レーザ駆動電流
１２１０が半導体レーザ２８０１に入力される。半導体
レーザ２８０１の光量（光強度）は、光ヘツド１２０３
内の光検出器１８０６によってその光強度に応じて変化
する電気信号に変換され、光量モニター回路１８０４を
介して光量モニター信号１８１３がコントローラ１２０
Ｂ　（同図中には図示しない）へ伝送されるようになっ
ている。コントローラ１２０８では、光量モニター信号
１８１３に基づいて、上記３つの制御信号１８１０．１
８１１、および１８１２が出力される。つまり、半導体
レーザ２８０１の光強度（光量）が再生時と、記録・消
去時とで適切な強度になるように制御される。なお、高
周波重畳回路１８０２の出力信号１８１６は再生時にの
み加算回路１８０５へ出力されるようになっている。

第１５図、および第１６図に基づいて、第１４図におけ
る情報の記録・消去の各動作、および再生動作を以下に
説明する。

第１５図（ｂ）に示すように、高周波重畳スイッチ信号
１８１２は、データ部１７０３　（同図（ａ）参照）に
おいてローレベル（０）になり、それ以外ではハイレベ
ル（１）になる。即ち、ＭＯ（データ）部３００２内の
データ部１７０３において高周波重畳をオフし、データ
部１７０３以外ではオンするようになっている。これに
伴って、同図（Ｃ）に示すように、変調データ１３１０
はデータ部１７０３において光磁気記録される。この時
、同図（ｄ）に示すように、半導体レーザ２８０１の光
量レベル（光強度）１９１０はデータ部１７０３で高レ
ベルになり、それ以外では低レベルになる。つまり、プ
リフォーマット部３００３内のセクタマーク部１７０１
からセクタ同期タイミングを検出し、ＩＤ部部子７０２
らアドレス（番地）情報等を読み出して、所定のアドレ
ス（番地）を確認しながら、ＭＯ（データ）部３００２
において情報が記録・消去される。

一方、情報再生時には、第１６図（ｂ）に示すように、
プリフォーマット部３００３、およびＭＯ（データ）部
３００２のいすわの部分でも高周波重畳スイッチ信号１
８１２はハイレベル（１）である。また、同図（Ｃ）に
示すように、変調データ１３１０はローレベル（０）で
ある。さらに、同図（ｄ）に示すように、光量レベル１
９１Ｏは低レベルである。つまり、プリフォーマット部
３００３　（同図（ａ）を参照）内のセクタマーク部１
７０１からセクタ同期タイミングを検出し、ＩＤ部部子
７０２らアドレス（番地）情報等を読み出して、所定の
アドレス（番地）を逐次確認しながら、今度はＭＯ（デ
ータ）部３００２から記録された情報が再生される。

次に、第１７図ないし第２０図に基づいて第１１図に示
したタイミング発生回路１５０１、およびコントロール
回路１５０２の動作について以下に説明する。

第１７図はタイミング発生回路１５０１の構成を示すブ
ロック図であり、信号処理回路１４０１（同図中に図示
しない）から出力されたセクタマーク信号１４１１はタ
イミング発生回路１５０１内のセクタマーク検出回路２
１０１に入力される。同回路２１０１は、セクタマーク
検出信号２１１０を出力する。セクタマーク検出回路２
１０１では、セクタマークの有無が検出される。セクタ
マーク検出信号２１１０は、カウンタ２１０２、タイマ
ー回路２１０４、判定回路２１０６へそれぞれ伝送され
る。カウンタ２１０２、およびタイマー回路２１０４の
出力信号２１１１、および２１１２は、それぞれスイッ
チ回路２１０３に入力され、同回路２１０３でどちらか
一方が選択された後に基準タイミング信％　１５１０と
して出力される。また、同信号１５１０は、データ部発
生回路２１０７にも人力され、これに基づいてデータ部
発生信号２１１６が出力される。タイマー回路２１０４
からは、別の出力信号２１１３がウィンドウ発生回路２
１０５へ伝送される。同回路２１０５の出力信号である
ウィンドウ信号２１１４は、判定回路２１０６へ入力さ
れる。判定回路２１０６では、ウィンドウ信号２１１４
とセクタマーク検出信号２１１０とから、タイミング判
定信号２１１５が出力される。同判定信号２１１５によ
り、スイッチ回路２１０３では、カウンタ２１０２の出
力信号２１１１とタイマー回路２１０４の出力信号２１
１２のどちらか一方が選択される。基準タイミング信号
１５１０、データ部発生信号２１１６、およびタイミン
グ判定信号２１１５は、それぞれコントロール回路１５
０２　（第１１図参照）へ伝送される。コントロール回
路１５０２は、これらのタイミング発生回路１５０１か
ら出力される各種信号と、再生データ１２１２とに基づ
いて、前述した各種制御信号１２１３を記録回路１２０
６、および再生回路１２０７　（第８図参照）へ伝送し
、情報の記録・再生・消去の各制御をおこなうようにな
っている。

第１８図に基づいて第１７図に示したセクタマーク検出
回路２１０１について以下に説明する。

信号処理回路１４０１（同図中には図示しない）から出
力されたセクタマーク信号１４１１は、カウンタ回路２
２０１を構成するカウンタ１〜９の各入力へ伝送される
。カウンタ１〜９の各出力信号２２１１〜２２１９は、
判定回路２２０２へそれぞれ伝送され、この結果に基づ
いてセクタマーク検出信号２１１０が出力される。換言
すれば、セクタマーク検出回路２１０１は、セクタマー
ク部１７０１　（第１３図参照）を検出し、セクタ単位
の記録・再生・消去の各動作をおこなうのに必要な同期
タイミングを得る回路である。

第１９図に基づいて上記のカウンタｌ〜９の動作を以下
に説明する。

セクタマーク部１７０１のパターンの一例として、同図
（ｂ）に示すようなマーク、および非マークから構成さ
れるものを示す。このセクタマーク部１７０１のパター
ンには、第１２図に示したデータの変調方式とは全く異
なるものが用いられる。従って、情報データとは分離し
て検出できるようになっている。ここに例示するものは
同図（ａ）に示すようなものであり、マーク長、および
非マーク長の比が５：３：３：１：３：３：３：３：５
の順序になるようにマークが刻み込まれている。このマ
ーク、および非マークのパターンを再生して得られるセ
クタマーク信号１４１１は、同図（Ｃ）に示すように、
マークの部分でローレベル（０）、非マークの部分でハ
イレベル（１）となる２値信号に変換される。このセク
タマーク信号１４１１が上記カウンタｌ〜９にそれぞれ
入力されると、ますカウンタｌは、マーク長５の長さに
対応するカウンタクロック２３１０のクロック数をカウ
ントする。カウンタクロック２３１０は、同図（ｄ）で
示すように、セクタマーク信号１４１１よりも高い周波
数を有している。そして、このカウント数が所定範囲内
であれば最初のマーク（マーク長５）が正確に検出され
たことになる。続いて、カウンタ２において同様に非マ
ーク長３の長さの非マークが検出される。このように順
次セクタマーク部１７０１のマーク、および非マークが
検出され、最後にマーク長５の長さをカウンタ９が検出
する。このようにして得られた９個の、マークまたは非
マークの検出信号２２１１〜２２１９が判定回路２２０
２へ伝送される。そして、この９個の検出結果のうち、
全て、またはその一部がセクタマーク部１７０１のパタ
ーンと一致しているか否かが判定されるとともに、マー
ク・非マークの順序が判定される。この結果、セクタマ
ーク部であると判定された場合のみ、セクタマーク検出
信号２１１０がローレベル（０）になる。従って、この
信号２１１０はセクタ単位の同期タイミングとして使用
することができる。

第２０図に基づいてタイミング発生回路１５０１の各部
の波形を以下に説明する。

同図（ｂ）に示すように、セクタマーク検出信号２１１
０はプリフォーマット部３００３内のセクタマーク部１
７０１　（同図中（ａ）に示す）を検出するとローレベ
ルになる。同検出信号２１１０の立ち下がりエツジがセ
クタの同期タイミングになる。同図（Ｃ）に示すように
、カウンタ２１０２は、同検出信号２１１０の立ち下が
りエツジから所定カウント後にカウンタ出力信号２１１
１をローレベルにする。一方、タイマー回路２１０４の
カウント数は、上記カウンタ２１０２のカウント数を加
えて１つのセクタ製分だけカウント数が大きい。従って
、同図（ｄ）に示すように、タイマー回路２１０４の出
力であるタイマー回路出力信号２１１２の立ち下がりエ
ツジは、次のセクタの信号２１１１の立ち下がりエツジ
とタイミングがほぼ一致する。また、同図（ｅ）に示す
ように、ウィンドウ発生回路２１０５の出力信号２１１
４は、セクタマーク検出信号２１１０の立ち下がりエツ
ジを基準に、次のセクタにおけるセクタマーク検出信号
２１１Ｏの立ち下がりエツジ付近で所定のウィンドウ幅
をもってローレベルになるようになっている。判定回路
２１０６の出力信号であるタイミング判定信号２１１５
は、ウィンドウ発生回路２１０５の出力信号２１１４が
ローレベルの時に、セクタマーク検出信号２１１ｏの立
ち下がりエツジが存在すれば、同図（ｆ）中の実線で示
すように、ハイレベルになるようになっている。一方、
セクタマーク検出信号２１１０の立ち下がりエツジが存
在しなければローレベルになるようになっている（同図
（ｆ）中の破線で示す）。従って、タイミング判定信号
２１１５は、セクタマークの検出が所定゛の範囲で検出
できたが、あるいは検出ミスであったかを判定する信号
になる、スイッチ回路２１０３においては、セクタマー
クの検出ができた場合には信号２１１１が選択され、そ
うでなく検出ミスである場合には信号２１１２が選択さ
れるようになっている。この結果、同図（ｇ）に示すよ
うに、基準タイミング信号１５１０はセクタマークの検
出ミスが発生してもそのタイミング信号を確実に出力で
きる。即ち、上記に示したようにひとつ前のセクタのタ
イミングに基づいて補正をおこなうことができる。この
ようにして得られた基準タイミング信号１５１ｏは、デ
ータ部発生回路２１０７へ伝送される。同回路２１０７
はカウンタの一種であり、その出力であるデータ部発生
信号２１１６はデータ部１７０３でローレベルになる。

（同図（ｈ）を参照）つまり、データ部発生信号２１１
６は、プリフォーマット部３００３とＭＯ（データ）部
３００２とを判別する信号として利用できる。このよう
にして得られた基準タイミング信号１５１０、タイミン
グ判定信号２１１５、およびデータ部発生信号２１１６
は、第１１図に示したコントロール回路１５０２へ伝送
される。同回路１５０２では、これらの信号に基づいて
前述の各種制御信号１２１３が生成される。

次に、第２１図ないし第２３図に基づいて、第１０図に
示した信号処理回路１４０１の動作について以下に説明
する。

光磁気ディスク１２０１から再生された再生信号１２１
１　（再生信号Ｓ１、Ｓ２）は、信号処理回路１４０１
内のバッファアンプ２５０１に入力される。その出力信
号２５１０は、ＭＯ波形処理部２５０２とプリフォーマ
ット波形処理部２５０３とへ伝送される。これらの回路
からは、ＭＯ（データ）部３００２とプリフォーマット
部３００３とのマーク、および非マークに対応した２値
化信号２５１１．２５１２がそれぞれ出力される。

これらの２値化信号はデータ同期部２５０４に入力され
、データ同期部２５０４内のＰＬＬ　（Ｐｈａｓｅ　　
ＬｏＣｋｅ、ｄ　　Ｌｏｏｐ）において、クロックと同
期した同期データ２５１３が出力され、復調回路１４０
２　（同図中には図示しない）へ伝送される。また、プ
リフォーマット波形処理部２５０３ではセクタマーク信
号１４１１が生成され、タイミング発生回路１５０１へ
伝送される。

信号処理コントロール部２５０５では、信号処理回路１
４０１内の各部間の各種制御信号２５１４〜２５１７が
入出力される。また、第１１図に示したコントローラ１
２０８との間で各種制御信号１２１３が入出力される。

第２２図および第２３図は、信号処理回路１４０１の各
部の波形を示を図である。第２２図（ｂ）、および同図
（Ｃ）に示すように、再生信号Ｓ１、Ｓ２はＭＯ波形処
理部２５０２において差動されてＭＯ（データ）部３０
０２　（同図（ａ）を参照）の情報のみが分離され、さ
らに２値化され、ＭＯ２値化信号２５１１が生成される
（同図（ｄ）を参照）。また、再生信号Ｓ１、Ｓ２はプ
リフォーマット波形処理部２５０３において加算されて
プリフォーマット部３００３の情報のみが分離され、さ
らに２値化されて、ＩＤ２値化信号２５１２とセクタマ
ーク信号１４１１が得られる（同図（ｅ）、および同図
（ｇ）を参照）。再生信号Ｓ１、Ｓ２の差動および加算
によってＭＯ（データ）部３００２とプリフォーマット
部３００３が分離できる理由は、第２９図に示したよう
に、再生信号Ｓ１、Ｓ２の極性がＭＯ（データ）部３０
０２では逆であり、プリフォーマット部３００３におい
ては同じだからである。ＭＯ２値化信号２５１１とＩＤ
２値化信号２５１２とは、同図（ｆ）に示すように、そ
れぞれデータ同期部２５０４においてクロックと同期し
た同期データ２５１３に変換される。なお、ＭＯ２値化
信号２５１１からは情報データが再生され、ＩＤ２値化
信号２５１２からはアドレス情報が再生される。

第２３図は、第２２図の波形を詳細に説明する図である
。変調データ１３１０　（第２３図（ａ）を参照）に基
づいて記録されたマーク、および非マークはレーザスポ
ット２７０１の照射によって再生される（同図（ｂ）を
参照）。同図（Ｃ）に示すように、再生信号Ｓ１、Ｓ２
はマークの中心でピークになる信号である。ＭＯ２値化
信号２５１１またはＩＤ２値化信号２５１２は、このピ
ーク位置を検出した信号であり、その立ち上がりエツジ
がピーク位置と一致している（同図（ｄ）を参照）。デ
ータ同期部２５０４内のＰＬＬにおいて、ＭＯ２値化信
号２５１１またはＩＤ２値化信号２５１２から同期クロ
ックを生成し、このクロックと同期させて同期データ２
５１３を得ている。同図（ｅ）に示すように、同期デー
タ２５１３は変調データ１３１０を忠実に再生したデー
タとなる。

次に、本実施例における信号処理回路１４０１内のバッ
ファアンプ２５０１について第１図ないし第７図に基づ
いて以下に説明する。

第１図において再生信号Ｓ１は、バッファアンプ２５０
１内のリミッタ−１０１（信号レベル制限手段）に入力
される。このリミッタ−１０１では、再生信号Ｓ１に含
まれる過大振幅が所定のレベルに制限される。リミッタ
−出力信号１１１はコンデンサ１０２、および抵抗１０
３を含む構成から成るバイパスフィルターに入力される
。なお、抵抗１０３の一方はコンデンサ１０２に接続さ
れ、他方は電圧■。に接続されている。バイパスフィル
ターは、再生信号Ｓｌ中のＤＣ成分を除去し、ＡＣ成分
に含まれる情報信号だけの再生を容易にしている。また
、バイパスフィルターの時定数は、再生信号中のデータ
に位相のずれが生じて再生エラーにならない程度に、で
きるだけ小さく設定する。つまり、過渡応答時間ができ
るだけ短くなるようにバイパスフィルターの時定数を設
定する。そして、バイパスフィルターの出力信号１１２
はアンプ１０４に伝送され、その出力信号１１５が後段
の再生回路（図示しない）に伝送される。同様に、再生
信号Ｓ２はリミッタ−１０５においてその過大振幅が所
定のレベルに制限された後、コンデンサ１０６、および
抵抗１０７を含む構成から成るバイパスフィルターへ伝
送されて、再生信号Ｓ２中のＤＣ成分が除去され、ＡＣ
成分に含まれる情報信号だけが容易に再生される。バイ
パスフィルターの出力信号１１４はアンプ１０８を介し
て出力信号１１６として後段の再生回路（図示しない）
へ伝送される。

第２図は、第１図におけるリミッタ−１０１，１０５の
第１の実施例を示している。再生信号Ｓ１はリミッタ−
１０１内の抵抗２０１，２０２．２０４、ＰＮＰトラン
ジスタ２０３を含む構成から成るエミッタフォロワに入
力される。エミッタフォロワの出力信号１１１は、ダイ
オード２０５とコンデンサ１０２とに入力される。コン
デンサ１０２と抵抗１０３で構成されたバイパスフィル
ターの出力信号１１２は次段バッファアンプ１０４（同
図中には図示しない）へ伝送される。一方ダイオード２
０５は抵抗２０６を介してオープンコレクタ２１３と抵
抗２１２へ伝送される。抵抗２１２は電源Ｖｃｃでプル
アップされている。なお、オープンコレクタ２１３は、
例えばテキサスインスツルメンツ社製の７４０６を使用
すればよい。さて、リミッタ−タイミング信号２５０が
ハイレベル（１）になると、オープンコレクタ２１３の
出力はローレベルになり、抵抗２０６、ダイオード２０
５を介してリミッタ−出力信号１１１のレベルが制限電
圧ＶＬに制限される。なぜなら、エミッタフォロワを構
成するＰＮＰ　）ランジスタ２０３のベース電圧が制限
電圧ｖＬを越えるとＰＮＰ　）ランジスタ２０３がオフ
状態になり、電源Ｖｃｃが抵抗２０４・２０６、および
ダイオード２０５で決まる電圧に分圧され、この分圧さ
れた電圧、即ち制限電圧ＶＬが同エミッタ電圧となるた
めである。一方、ベース電圧が制限電圧ｖＬ以下では、
ＰＮＰ　）ランジスタ２０３がオン状態になるので、再
生信号Ｓ１がほぼそのまま同トランジスタ２０３のエミ
ッタ電圧となり、その振幅が制限されずにそのままリミ
ッタ−出力信号１１１となる。再生信号Ｓ２についても
同様に、エミッタフォロワを構成するＰＮＰ　）ランジ
スタ２゜９のベース電圧が制限電圧ｖＬを越えるとＰＮ
Ｐトランジスタ２０９がオフ状態になり、電源Ｖｃｃが
抵抗２１０・２０６、およびダイオード２１１で決まる
電圧に分圧され、この分圧された電圧、即ち制限電圧■
、が同エミッタ電圧となる。一方、ベース電圧が制限電
圧ｖＬ以下では、ＰＮＰ　ｌ−ランジスタ２０９がオン
状態になり、再生信号Ｓ２が制限されずにそのままリミ
ッタ−出力信号１１３となる。なお、上記の構成では再
生信号Ｓ１、Ｓ２をリミッタ−タイミング信号２５０で
同時に制限することが可能であり、リミッタ−タイミン
グ信号２５０がハイレベル（１）の時は再生信号Ｓ１、
Ｓ２のレベルが制限され、ローレベル（Ｏ）の時は制限
されない。

第３図に基づいて、第１図におけるバイパスフィルター
とアンプとを兼ね備えたブロック１０９の一実施例につ
いて以下に説明する。

リミッタ−出力信号１１１は、主としてコンデンサ３０
１、抵抗３０２．３０３．３０５．３０６．３０Ｂ、Ｎ
ＰＮ）ランジスタ３０４．３０９、可変抵抗３０７で構
成されたバイパスフィルター、・およびアンプ機能を兼
ね備えた回路に入力される。この出力信号１１５の増幅
度は可変抵抗３０７によって調整可能なようになってい
る。リミッタ−出力信号１１３も同様な構成を有するバ
イパスフィルター、およびアンプ機能を兼ね備えた回路
に入力され、回路の出力信号１１６の増幅度は固定で調
整できないようになっている。なお、上記では出力信号
１１６の増幅度が固定の場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく、出力信号１１５のようにそ
の増幅度が可変できるようになっているものでもよい。

これらバッファアンプ１１０の出力信号１１５．１１６
は次段の差動増幅器、加算増幅器（いずれも同図中には
図示しない）へ伝送される。

第４図に基づいて、第２１図に示したＭＯ波形処理部２
５０２、およびプリフォーマット波形処理部２５０３の
要部について以下に説明する。

バッファアンプ１１０の出力信号１１５．１１６はＭＯ
波形処理部２５０２、およびプリフォーマット波形処理
部２５０３内の差動増幅器４０１、加算増幅器４０３に
それぞれ入力される。差動増幅器４０１において再生信
号Ｓ１、Ｓ２の差動増幅をおこなうことにより、Ｓ／Ｎ
比を向上させると同時に、ＭＯ（データ）部３００２の
情報だけを抽出することができる。なお、差動をおこな
う際の差動比率は、例えば第３図における可変抵抗３０
７によって適切な差動比率に調整される。

差動増幅器４０１の出力信号４１０はＡＧＣアンプ４０
２に入力され、適切な信号レベルに制御される。ＡＧＣ
アンプ４０２の出力信号４１１は次段の２値化回路（同
図中には図示しない）に入力され、ＭＯ（データ）部３
００２の情報が２値化されて読み取られる。また、加算
増幅器４０３において再生信号Ｓｌ、Ｓ２を加算するこ
とにより、プリフォーマット部３００２の情報だけを抽
出することができる。この出力信号４１２はＡＧＣアン
プ４０４に入力され、適切な信号レベルに制御される。

この出力信号４１３は次段の２値化回路（同図中には図
示しない）に入力され、プリフォーマット部３００３の
情報が２値化されて読み取られる。

第５図は、第２図に示したリミッタ−回路の各部の波形
を示している。第５図においてプリフォーマット部３７
０１とＭＯ（データ）部３７０２とで構成されたセクタ
（第５図（ａ）を参照）では情報の記録がおこなわれ、
プリフォーマット部３７０３、およびＭＯ（データ）部
３７０４で構成されたセクタでは情報の再生がおこなわ
れ、プリフォーマット部３７０５とＭＯ（データ）部３
７０６とで構成されたセクタでは情報の消去がおこなわ
れるものとする。これら情報の記録・再生・消去の各動
作は、プリフォーマット部３７０１．３７０３．３７０
５の同期タイミング情報、およびアドレス情報を読み出
し、所定の同期タイミングが検出され、しかも所定のア
ドレスであることを逐次確認しながらおこなわれる。さ
て、再生信号Ｓ１、Ｓ２は記録・消去の各動作時にその
振幅が過大な信号になる（同図（ｂ）を参照）。これは
、記録・消去の各動作時には、上記セクタからの光強度
の大きい反射光が光検出器３２０３．３２０４に入射す
るためである。この時、リミッター出力信号１１１．１
１３は、上述したようにリミッタ−１０１，１０５によ
って制限電圧■。

のレベルに制限される。リミッタ−出力信号が制限され
る区間はリミッタ−タイミング信号２５０によって制御
される（同図（ｅ）を参照）。即ち、ＭＯ（データ）部
３７０２における記録区間、およびＭＯ（データ）部３
７０６における消去区間においてそのレベルが制限され
る（同図（Ｃ）を参照）。バッファアンプ出力信号１１
５．１１６の記録・消去の各動作直後の波形は、バイパ
スフィルターの過渡応答による影響が殆どなくなる（同
図（ｄ）を参照）。従って、再生限界レベル範囲を越え
ることがないため、記録・消去の各動作直後にプリフォ
ーマット部３７０３．３７０７の同期タイミング情報、
およびアドレス情報を読み出すことができ、所定の同期
タイミングが検出され、かつ所定のアドレスであること
を逐次確認しながら記録・再生・消去の各動作をおこな
うことができる。この結果、光磁気ディスク装置におけ
る情報の高速転送、および光密度化が可能となる。

なお、上記リミッタ−タイミング信号２５０は記録・消
去の各区間、つまり半導体レーザ２８０１の光強度が再
生時のものでない区間にハイレベル（１）であればよい
。例えば、第１４図、および第１５図に示した高周波重
畳スイッチ信号１８１２をリミッタ−タイミング信号と
してそのまま使用してもよい。この時、第１４図におけ
る高周波重畳回路１８０２の動作が高周波重畳スイッチ
信号１８１２に対して遅れを伴う場合がある。この場合
には、上記動作の遅れ分を見込んでリミッタ−タイミン
グ信号２５０による制限区間を多少広げてもよい。また
、第９図における変調回路１３０２におけるデータ変調
タイミング等、上記と同様な区間を有する信号を用いて
もよい。

また、リミッタ−１０１，１０５における振幅の制限レ
ベル■、に関しては、記録・消去時のレベル制限後のＭ
Ｏ（データ）部の信号の平均値レベルが、プリフォーマ
ット信号のレベル付近にあるように設定すると効果が大
きい。つまり、プリフォーマット部の信号の上縁レベル
をＶｇ、記録時のＭＯ（データ）部の信号の下縁レベル
をｖ４とすると、 ■ａ≦■、≦■。＋　（Ｖｕ　　　Ｖａ　）である。そ
の理由のひとつは、過渡応答の影響を最小限に抑えるこ
とができることである。他の理由は、同じ種類の複数の
光磁気ディスク間、および同一の光磁気ディスク内にお
ける再生信号Ｓ１、Ｓ２のレベル誤差がほぼ上記範囲内
に存在するためである。再生信号Ｓｌ、Ｓ２のレベル誤
差は、例えば同じ種類の複数の光磁気ディスク間、およ
び同一の光磁気ディスク内における反射率変化等によっ
て生じる。また、上記制限レベル■、をプリフォーマッ
ト部の信号の上縁レベルｖｕよりも若干高くしておき、
リミッタ−タイミング信号２５０を常にハイレベル（１
）にしておいても同様の効果が得られる。

さて、光磁気ディスク１２０１は第７図に示すように、
情報の記録・再生・消去をおこなうデータ領域７０２以
外に、内周側の複数のトラックで構成されたコントロー
ルトラック７０１と呼ばれるもう一つの領域を備えてい
るものがある。これは、特性およびフォーマットの異な
る一光磁気ディスクに、誤って記録・再生・消去をおこ
なわないためのものである。このことについて以下に詳
細に説明する。

光磁気ディスク１２０１は、記録磁性膜の特性、および
フォーマット等の違いにより多種多様な種類がある。従
って、１台の光磁気ディスク装置において、これら全て
の種類の光磁気ディスクに対して記録・再生・消去の各
動作をおこなうことは困難である。つまり、光磁気ディ
スクの特性、およびフォーマットに対応した光磁気ディ
スク装置においてのみ情報の記録・再生・消去の各動作
をおこなう必要がある。例えば、特性およびフォーマッ
トの異なる２種類の光磁気ディスクをＡ、Ｂとし、これ
に対応した光磁気ディスク装置をそれぞれＤａ、Ｄｂと
すると、光磁気ディスクＡを光磁気ディスク装置Ｄａに
おいて情報を記録・再生・消去することはできるが、光
磁気ディスク装置Ｄｂにおいて情報を記録・再生・消去
することはできない。また、光磁気ディスクＢを光磁気
ディスク装置Ｄｂにおいて情報を記録・再生・消去する
ことはできるが、光磁気ディスク装置Ｄａにおいて情報
を記録・再生・消去することはできない。この場合、例
えば以下のような問題が発生することもある。光磁気デ
ィスクＡを誤って光磁気ディスク装置Ｄｂにおいて情報
を記録、再生、または消去してしまう場合もある。この
場合、光磁気ディスクＡ内の情報が破壊されたり、信顧
性を失ったり、ひいては光磁気ディスクＡそのものが破
壊される危険性もある。

このような問題点を解決するために、例えば以下に示す
対策が提案されている。光磁気ディスクＡ内にその特性
、およびフォーマットの情報を予め物理的な凹凸の形状
のマーク、および非マークで刻み込んでおき、このプリ
フォーマット情報だけは光磁気ディスク装置Ｄｂを含め
たあらゆる他の光磁気ディスク装置においても再生で、
きるようにしておくのである。こうすれば、記録、再生
、または消去をおこなう前に光磁気ディスクＡの特性、
およびフォーマットの違いが検知でき、それ以後の記録
・再生・消去の各動作を停止させることができる。この
プリフォーマット情報を刻み込んでおく領域が上記コン
トロールトラック７０１である。この領域では、情報の
記録・消去はおこなわれない。コントロールトラック７
０１のプリフォーマット情報は、たとえ光磁気ディスク
の特性（例えば反射率など）が異なる場合でも、あらゆ
る光磁気ディスク装置間で読み出せるようにフォーマッ
トだけは統一されている。

第６図に基づいて、上記コントロールトラック７０１の
特性、およびフォーマット情報の再生についで以下に説
明する。

同図（ａ）に示すように、コントロールトラック７０１
は、第７図に示したデータ領域７０２とは異なり、予め
物理的な凹凸の形状のマーク、および非マークで光磁気
ディスク１２０１の特性、およびフォーマットが刻み込
まれている（プリフォーマット）。第５図に示した各波
形は、例えば光磁気ディスクＡを光磁気ディスク装置Ｄ
ａにおいて、記録・再生・消去する場合のものであり、
第６図の各波形は、例えば光磁気ディスクＢを光磁気デ
ィスク装置Ｄａにおいて、コントロールトラック内の特
性、およびフォーマット情報を再生する場合のものであ
る。さらに、第６図の各波形は、光磁気ディスクＢの反
射率が光磁気ディスクΔよりも大きい例であり、第６図
における再生信号Ｓ１、Ｓ２のレベル（同図（ｂ）を参
照）は、第５図に示したものよりは高くなっている。こ
のコントロールトラック７０１を再生する時は、リミッ
タ−タイミング信号２５０をローレベル（０）にしてお
く（同図（ｅ）を参照）。この時、リミッタ−１０１，
１０５は信号の振幅のレベル制限をおこなわないため、
リミッタ−出力信号１１１１１３（同図（ｃ）を参照）
のＡＣ成分はそのままバッファアンプ出力信号１１５．
１１６として出力される（同図（ｄ）を参照）、バッフ
ァアンプ出力信号１１５．１１６は、第４図におけるＡ
ＧＣアンプ４０２．４０４において適切な信号レベルに
制御され、光磁気ディスクＢの特性、およびフォーマッ
トが読み取られる。つまり、光磁気ディスクＢの特性、
およびフォーマットが検知できるため、誤って記録・再
生・消去の各動作がおこなわれることを回避できる。さ
らに、この結果を外部機器に知らせたり、または表示手
段等によって特性、およびフォーマットの異なる光磁気
ディスクであることを知らせることもできる。

このように、第２図に示したリミッタ−回路１０１．１
０５を備えることにより、記録・消去の各動作直後にプ
リフォーマット部３７０３．３７０７の同期タイミング
情報、およびアドレス情報を読み出すことができ、所定
の同期タイミングが検出され、しかも所定のアドレスで
あることを逐次確認しながら、情報の記録・再生・消去
の各動作をおこなうことができる。即ち、バイパスフィ
ルターの過渡応答、およびＡＧＣアンプの応答に影響さ
れることなく、光磁気ディスク装置における情報の高速
転送、および高密度化が可能になる。さらに、特性、お
よびフォーマットの異なる光磁気ディスクに対して、誤
って情報の記録・再生・消去の各動作をおこなうことが
回避でき、情報が破壊されて信頼性を失ったり、光磁気
ディスクそのものが破壊されるという危険性も事前に回
避できる。

〔実施例２〕 第２４図ないし第２７図に基づいて本発明に係る情報記
録再生装置の第２の実施例を説明すると以下のとおりで
ある。なお、実施例１で使用した部材と同一の機能を有
する部材については同一の符号を付し、便宜上、その説
明を省略する。

第２４図は、本発明に係る情報記録再生装置のリミッタ
−の他の例を示ｑている。再生信号Ｓ１は、主としてリ
ミッタ−１０１内の抵抗８０１．８０２．８０４、ＰＮ
Ｐ　）ランジスタ８０３で構成されたエミッタフォロワ
に入力される。エミッタフォロワの出力信号１１１はト
ランジスタ８０５のエミッターとコンデンサ１０２に伝
送される。コンデンサ１０２、および抵抗１０３を含む
構成から成るバイパスフィルターの出力信号１１２は、
次段バッファアンプ１０４（同図中には図示しない）へ
伝送される。一方トランジスタ８０５のベースは抵抗８
０６を介して電圧■１に接続されている。リミッタ−出
力信号ｌｉｔの振幅はＰＮＰＩ−ランジスタ８０５のエ
ミッター電圧にレベル制限される。なぜなら、この制限
電圧を■１とすると、 ■ＬζＶｌ　　＋ＶＢ！ （ｖ！ｌＥ：トランジスタ８０５１７）ヘ−スーエミッ
ター間電圧） となり、再生信号Ｓ１のレベルが大きくなってＰＮＰ）
ランジスタ８０３のベース電圧がエミッター電圧を越え
るとＰＮＰ　）ランジスタ８０３がオフ状態になる。こ
の時、ＰＮＰ　）ランジスタ８０５がオン状態になる。

これに伴って、リミッタ−出力信号１１１のレベルは、
はぼ（Ｖｌ　＋ＶＩＩＥ）のレベルになる。即ち、制限
電圧■１をほぼ（Ｖ＋＋Ｖｍｔ）のレベルになるように
設定しておけば、再生信号５１０レベルは制限電圧ｖＬ
より太き（なることはない。一方、再生信号Ｓ１のレベ
ルが小さくなってＰＮＰ　Ｉ−ランジスタ８０３のベー
ス電圧がエミッター電圧、即ち、上記制限電圧ｖＬより
も小さいと、ＰＮＰ　ｌ−ランジスタ８０３がオン状態
となる。この時、ＰＮＰ　）ランジスタ８０５がオフ状
態になり、再生信号Ｓ１はそのままリミッタ−出力信号
１１１としてバイパスフィルタを介して次段バッファア
ンプへ出力される。

再生信号Ｓ２についても同様に、制限電圧ｖＬがほぼ（
Ｖｌ　＋ＶＩＥ）のレベルになるように設定しておけば
、再生信号Ｓ２のレベルが制限電圧ｖＬより小さい場合
にはそのままリミッタ−出力信号１１３としてバイパス
フィルタを介して次段バッファアンプへ出力され、再生
信号Ｓ２のレベルが制限電圧Ｖｔより大きい場合でも、
制限電圧■。

より大きくなることはない。なお、回路動作の詳細につ
いては、上記再生信号Ｓ１の場合と同様な動作になるの
で、便宜上、その説明を省略する。

また、この例では回路の簡略化のため制限電圧Ｖ。

を再生信号Ｓ１、再生信号Ｓ２に対して同じレベルに設
定しであるが、これに限定されるものでは・な（、個々
に制限レベルを設定してもよい。

第２５図に基づいて、第２４図に示したリミッタ−回路
の各部の動作波形を以下に説明する。

第２５図に示すように、プリフォーマット部３７０１と
ＭＯ（データ）部３７０２で構成されたセクタでは情報
の記録がおこなわれ、プリフォーマット部３７０３とＭ
Ｏ（データ）部３７０４で構成されたセクタでは情報の
再生がおこなわれ、プリフォーマット部３７０５とＭＯ
（データ）部３７０６で構成されたセクタでは情報の消
去がおこなわれるものとする（同図（ａ）を参照）。こ
の記録・再生・消去の各動作は、プリフォーマット部３
７０１．３７０３．３７０５の同期タイミング情報、お
よびアドレス情報を再生して読み出し、所定の同期タイ
ミングが検出され、しかも所定のアドレスであることを
逐次確認しながらおこなわれる。さて、同図（ｂ）に示
すように、再生信号Ｓ１、Ｓ２は記録・消去の各動作時
にその振幅が過大な信号になる。これは、記録・消去時
における光磁気ディスク１２０１からの光強度の大きい
反射光が光検出器３２０３．３２０４に入射するためで
ある。この時、リミッタ−出力信号１１１．１１３に含
まれる過大な振幅は、前述のリミッタ−１０１，１０５
によって制水電圧ｖＬに制限される（同図（Ｃ）を参照
）。なお、この第２の実施例においては第１の実施例と
異なり、記録・消去の各動作時に躍らず、再生動作時に
もレベルが制限される。これに伴って、バッファアンプ
出力信号１１５．１１６の記録・消去の各動作直後の波
形はバイパスフィルターの過渡応答による影響が殆どな
くなる（同図（ｄ）を参照）。従って、再生限界レベル
を越えることがないため、記録・消去の各動作直後にプ
リフォーマット部３７０３．３７０７の同期タイミング
情報、およびアドレス情報を正確に読み出すことができ
、所定の同期タイミングが検出され、しかも所定のアド
レスであることを逐次確認しながら記録・再生・消去を
おこなうことが可能となるので、光磁気ディスク装置に
おける情報の高速転送、および光密度化が可能になる。

なお、この第２の実施例では特性、およびフォーマット
が異なる光磁気ディスクにおけるコントロールトラック
７０１内の特性、およびフォーマット情報の再生ができ
ない場合がある。第２６図に基づいて以下にこのことを
詳細に説明する。

第２６図は、上記コントロールトラック７０１内の特性
、およびフォーマット情報の再生につぃζその時の各部
の波形を示す図である。同図（ａ）に示すようにコント
ロールトラック７０１は、第７図に示したデータ領域と
は異なり、予め物理的な凹凸の形状を有するマーク、お
よび非マークで光磁気ディスク１２０１の特性、および
フォーマットが刻み込まれている（プリフォーマット）
。

第２５図に示した波形は、例えば前述した光磁気ディス
クＡを光磁気ディスク装置Ｄａにおいて、情報の記録・
再生・消去の各動作をおこなう場合に相当するものであ
り、一方、第２６図中の波形は、例えば前述の光磁気デ
ィスクＢを光磁気ディスク装置Ｄａにおいて、コントロ
ールトラック内の特性、およびフォーマット情報を再生
する場合に相当するものである。即ち、第２６図の波形
例は光磁気ディスクＢの反射率が光磁気ディスクＡより
も高い例であり、同図（ｂ）中における再生信号Ｓ１、
Ｓ２のレベルは第５図に示したものよりは高くなってい
る。従って、信号レベルが図に示す制限レベル■、を越
えることがある。つまり、同図（ｃ）に示すように、リ
ミッタ−出力信号１１１．１１３は制限レベル■、で飽
和してしまい（同図（Ｃ）中の破線部分は再生信号Ｓｌ
、Ｓ２の振幅が制限される前の振幅を示す）、同図（ｄ
）に示すように、バッファアンプ出力信号１１５．１１
６中には再生信号が現れない場合がある（これは制限レ
ベルｖＬの設定値によって異なる）。結局、光磁気ディ
スクＢの特性、およびフォーマットが検知できないため
に、誤って情報の記録・再生・消去をおこなう場合があ
る。従って、ここに示した第２の実施例は、光磁気ディ
スク装置における情報の高速転送、および高密度化にお
いては効果があるが、特性、およびフォーマットが異な
る光磁気ディスクにおける情報の記録・再生・消去は、
事実上、困難である。このような問題点を解決するには
、第２４図に示したＰＮＰ　ｌ−ランジスタ８０５．８
１１のベースに印加される電圧■１をリミッタ−タイミ
ング信号２５０で切り換えれてやればよい。

また、リミッタ−回路１０１．１０５は第２４図に示し
たような回路に限定されることはなく、例えば第２７図
に示すような回路を用いても同じ効果が得られる。その
回路動作について以下に説明する。

ここに例示する回路は、演算増幅器を用いたリミッタ−
回路である。再生信号Ｓ１は、抵抗１１０１を介して演
算増幅器１１０５の反転入力に伝送される。この時、再
生信号Ｓ１の振幅が基準電圧ｖ２を越えると、同増幅器
１１０５の出力が正符号から負符号の出力電圧に変化す
るが、定電圧ダイオード１１０４の定格出力電圧値に制
限される。また、再生信号Ｓ１のレベルが基準電圧■２
以下の場合には、同増幅器１１０５の出力が負符号から
正符号の出力電圧に変化するが、定電圧ダイオード１１
０３の定格出力電圧値よりも大きくなることはない。以
上のように、再生信号Ｓ１の振幅は、定電圧ダイオード
１１０３・１１０４の定格出力電圧値（正・負ふたつの
制限レベル）に制限されてリミッタ−出力信号１１１と
して後続のバイパスフィルタ伝送される。同様に、再生
信号Ｓ２も、その振幅が基準電圧ｖ２を越えると定電圧
ダイオード１１０９の定格出力電圧値に制限され、再往
信号Ｓ２の振幅が基準電圧ｖ２以下の場合には定電圧ダ
イオード１１０８の定格出力電圧値よりも大きくなるこ
とはない。以上のように、ここで例示したリミッタ−回
路は、定電圧ダイオードの定格出力電圧値が制限電圧値
になり、前述した第２４図の場合とは異なり、再生信号
Ｓ１、Ｓ２の正・負両方のレベル制限をおこなうことが
できる。

なお、上述のリミッタ−回路においては、リミッタ−制
限電圧は再生信号３１，３２と同じレベルに設定するこ
とによって、回路構成の簡素化を実現している。しかし
、光磁気ディスク装置の中には、再生信号Ｓ１のレベル
と３２のレベルが異なる場合もある。例えば、再生光学
系の特性による誤差、再生光学系内における再生信号Ｓ
１、Ｓ２の再生方式の違い等がその原因として挙げられ
る。このような場合は、上記の場合とは異なり、再生信
号Ｓ１、Ｓ２に対して異なるリミッタ−制限電圧を設定
すれば、上記と同様な効果が得られる。

また、特に光磁気ディスクメモリ装置を含めた光メモリ
装置においては、第５図、または第２５図に示したよう
に、再生信号Ｓ１、Ｓ２中のＤＣ成分の変動が激しく、
例えば記録・消去の各動作時のレベルが図中で高レベル
の方だけに極端に偏る傾向がある。従って、本発明では
、第２図、および第２４図に示したように、信号レベル
中の高レベルだけレベル制限をおこなうリミッタ−を用
い、回路構成の簡素化をおこなうことを可能にしている
。しかし、信号レベルが低い方向にも偏るようであれば
、上記に示した回路に限らず、例えば第２７図に示した
ように、低レベルのレベル制限をおこなうリミッタ−回
路を用いてもよい。

また、光磁気ディスクメモリ装置においては、−ｉに、
上記２つの実施例に示したように、再生信号がふたつ（
Ｓｌ、Ｓ２）あるため、これに対応してリミッタ−回路
もふたつ（１０１，１０５）備えている。しかし、例え
ば追記型の光メモリ装置等のように再生信号がひとつの
ものもあり、この場合はリミッタ−回路はひとつでよい
。

また、第２図、第３図、および第２４図においては、Ｐ
ＮＰ　）ランジスタ２０３．２０９を用いたが、これに
限定されず、ＮＰＮ　）ランジスタから成る構成にして
もよい。さらに、リミッタ−１０１，１０５の代わりに
サンプルホールド回路を使用して、記録・消去の各区間
において再生信号Ｓｌ、３２をホールドし、再生区間に
おいてサンプルしても前述と同様の効果が得られる。し
かし、サンプルホールド回路は、一般に回路が複雑で高
価であり、しかも周波数特性がよくないため再生信号の
品質が低下しやすく、情報の高速転送、および高密度化
に支障を来す。また、リミッタ−１０１，１０５０代わ
りにアナログスイッチを用いて、記録・消去時に再生信
号を一定電圧に固定しても上記と同様な効果が得られる
。しかし、この場合、アナログスイッチの切り換え時に
発生゛ノーるスイッチングパルスが再生信号よりも太き
（なるこが多く、このスイッチングパルスが再生動作に
悪影響を及ぼす原因となる（例えばＡＧＣやＰＬＬ等に
悪影響を及ぼす）。一方、第２図に示すように本発明に
よれば簡弔でしかも安価な回路で上記の効果を得ること
ができる。

なお、本発明では、光磁気ディスクメモリ装置を例に挙
げて説明したが、これ″に限定されず、光磁気カードメ
モリ装置等の他の光磁気メモリ装置、追記型光メモリ装
置等の他の光メモリ装置、さらには情報の記録・再生・
消去をおこなう磁気ディスク装置等の他の情報記録再生
装置においても適用可能である。

〔発明の効果〕

本発明に係る情報記録再生装置は、以上のように、情報
の記録、再生、または消去をおこなう情報記録再住装置
において、情報の記録・消去の各動作時における再生信
号中に含まれる過大振幅を所定のレベルに制限する信号
レベル制限手段を情報の再生をおこなう再生回路の前段
に設けた構成である。これにより、記録・消去の各動作
直後のプリフォーマット部における再生信号が受けるＡ
Ｃ結合の過渡応答の影響を低（抑えることができ、常に
再往信号が再生限界レベル範囲内に抑えることができる
。従って、記録・消去の各動作直後のプリフォーマット
部の同期タイミング情報、およびアドレス↑ｎ報を正確
に読み出すことができ、所定の同期タイミングを検出し
、しかも所定のアドレスであることを逐次確認しながら
、情報の記録消去をおこなうことができる。即ち、ＡＣ
結合の過渡応答やＡＧＣ回路の応答に影響されずに、プ
リフォーマット部の配置を決めることができ、光磁気デ
ィスクメモリ装置における情報の高速転送、および高密
度化が可能となる。また、特性、およびフォーマットの
異なる光磁気ディスクに対して、誤って情報の記録・再
生・消去をおこなうことを回避でき、情報が破壊され信
顧性を失ったり、光磁気ディスクそのものが破壊される
という危険性を事前に回避するこができる等の効果を併
せて奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第７図は、本発明の一実施例を示すもので
ある。 第１図は、バッファアンプの構成を示すプロ、ツク図で
ある。 第２図は、本発明に係る情報記録再生装置のリミッタ−
回路の回路構成を示す図である。 第３図は、リミッタ−回路の出力信号に対して増幅度が
可変できる回路構成を示す図である。 第４図は、ＭＯ波形処理部、およびプリフォーマット波
形処理部のそれぞれの回路構成を示すブロック図である
。 第５図は、第２図に示したリミッタ−回路の各部の波形
を示す図である。 第６図は、コントロールトラックの特性、およびフォー
マット情報の再生についての説明図である。 第７図は、コントロールトラックを備えた光磁気ディス
クを示す平面図である。 第８図ないし第２３図は、本発明に係る光磁気メモリ装
置の構成を説明するためのものである。 第８図は、光磁気メモリ装置の構成を示すブロック図で
ある。 第９図は、記録回路の構成を示すブロック図である。 第１０図は、再生回路の構成を示すブロック図である。 第１１図は、コントローラの構成を示すブロック図であ
る。 第１２図は、記録情報の変調方式の一例として、２．７
変調方式を説明した図である。 第１３図は、セクタのフォーマットを示す図である。 第１４図は、半導体レーザ駆動回路の構成を示す図であ
る。 第１５図、および第１６図は、第１４図における情報の
記録・消去の各動作、および再生動作時の半導体レーザ
駆動回路の各部の波形を示す図である。 第１７図は、タイミング発生回路の構成を示すブロック
図である。 第１８図は、セクタマーク検出回路の構成を示すブロッ
ク図である。 第１９図は、第１８図を構成するカウンタの動作を模式
的に説明した図である。 第２０図は、タイミング発生回路の各部の波形を示す図
である。 第２１図は、信号処理回路の構成を示すブロック図であ
る。 第２２図は、信号処理回路の各部の波形を示す図である
。 第２３図は、第２２図をさらに詳しく説明した図で、Ｍ
Ｏ（データ）部およびプリフォーマット部のマークから
２値化データの生成過程を説明する図である。 第２４図ないし第２７図は本発明の他の実施例を示すも
のである。 第２４図は、本発明に係る情報記録再生装置のリミッタ
−の他の例を示す図である。 第２５図は、第２４図に示したリミッタ−回路の各部の
動作波形を示す図である。 第２６図は、特性、およびフォーマットが異なる光磁気
ディスクにおいてコントロールトラック内の特性、およ
びフォーマット情報の再生ができない場合のバッファア
ンプの各部の波形を示す図である。 第２７図は、リミッタ−の変形例を示す図である。 第２８図ないし第３８図は従来例を示す図である。 第２８図は、光磁気ディスクへの情報の記録、および光
磁気ディスクに記録された情報の消去の各動作を説明す
る図である。 第２９図は、光磁気ディスクの再生動作を示す図である
。 第３０図、および第３１図は、光磁気ディスク上におけ
るプリフォーマット部とＭＯ（データ）部との関係を示
す図である。 第３２図は、再生時の光学系の要部の構成を示すブロッ
ク図である。 第３３図および第３４図は、ＭＯ（データ）部、および
プリフォーマット部における再生信号Ｓ１、Ｓ２のそれ
ぞれの極性についての説明図である。 第３５図は、再生回路と、アドレス発生回路およびタイ
ミング発生回路との関係を示す図である。 第３６図は、バッファアンプの構成を示すブロック図で
ある。 第３７図は、第３６図に示したバッファアンプの入力段
であるＡＣ結合部に過大振幅が入力された時のバッファ
アンプの出力信号に与える影舌を示す図である。 第３８図は、第３６図に示したバッファアンプの入力段
であるＡＣ結合部に過大振幅が入力された時のＡＧＣア
ンプの出力信月に与える形容を示す図である。 １０１．１０５はリミッタ−（信号レベル制限手段）、
４０２・４０４はＡＧＣアンプ、１２０１は光磁気ディ
スク、１２０３は光へ・ンド、１２０６は記録回路、１
２０７は再生回路、１２０８はコントローラである。 第３図 Ｌ　　　　＋＋　　　　　　　Ｊ 第２７図 ゝ１０１．１０５ 第３０　ｍ ３００１ 第３１ 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、情報の記録、再生、または消去をおこなう情報記録
   再生装置において、情報の記録・消去の各動作時におけ
   る再生信号中に含まれる過大振幅を所定のレベルに制限
   する信号レベル制限手段を情報の再生をおこなう再生回
   路の前段に設けたことを特徴とする情報記録再生装置。