JPH03101101A - 薄膜抵抗体形成用材料 - Google Patents
薄膜抵抗体形成用材料Info
- Publication number
- JPH03101101A JPH03101101A JP1238094A JP23809489A JPH03101101A JP H03101101 A JPH03101101 A JP H03101101A JP 1238094 A JP1238094 A JP 1238094A JP 23809489 A JP23809489 A JP 23809489A JP H03101101 A JPH03101101 A JP H03101101A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resinate
- thin film
- film resistor
- component
- forming
- Prior art date
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子工業用に使用されるセラミックスやガラ
ス等の基材上に形成される薄膜抵抗体の形成用材料に関
するものである。
ス等の基材上に形成される薄膜抵抗体の形成用材料に関
するものである。
（従来技術とその問題点）
近年、電子工業用としてセラミックスやガラス等の基板
上の微細な電気回路を形成しセンサ、電気抵抗回路等の
利用が盛んに開発されている。
上の微細な電気回路を形成しセンサ、電気抵抗回路等の
利用が盛んに開発されている。
その微細な電気回路、を形成するための材料として、酸
化ルテニウム粉末を主成分とする抵抗ペーストが用いら
れてきたが、」１記回路の微細化に伴いその改良として
ルテニウムやイリジウム等の抵抗体金属成分とボロン、
ケイ素、鉛、ビスマス等のガラス形成成分を樹脂酸塩と
し、樹脂バインダと有機溶剤から成る均一な溶液状の材
料が開発され、微細な回路形成を可能とし、抵抗値の均
一性も高まり、しかも抵抗値を形成した薄膜の組成によ
り調節できるという効果もあり利用されてきている。
化ルテニウム粉末を主成分とする抵抗ペーストが用いら
れてきたが、」１記回路の微細化に伴いその改良として
ルテニウムやイリジウム等の抵抗体金属成分とボロン、
ケイ素、鉛、ビスマス等のガラス形成成分を樹脂酸塩と
し、樹脂バインダと有機溶剤から成る均一な溶液状の材
料が開発され、微細な回路形成を可能とし、抵抗値の均
一性も高まり、しかも抵抗値を形成した薄膜の組成によ
り調節できるという効果もあり利用されてきている。
しかしながら、例えば、金の薄膜により１００μｍ程度
の幅の回路を形成したのち、抵抗体の形成をするため上
記の樹脂酸塩を主成分とし樹脂バインダ、有機溶剤から
成る均一な溶液状の材料を用いて塗布、乾燥、焼成して
抵抗体とした際、金の回路が変形したり、断線したりす
ることが生じ製品としての安定性に欠けていた。
の幅の回路を形成したのち、抵抗体の形成をするため上
記の樹脂酸塩を主成分とし樹脂バインダ、有機溶剤から
成る均一な溶液状の材料を用いて塗布、乾燥、焼成して
抵抗体とした際、金の回路が変形したり、断線したりす
ることが生じ製品としての安定性に欠けていた。
特に、サーマルプリンタヘッド用に使用されるものは高
性能化に伴い微細な回路で高密度なものが要求されてお
り回路全体が再現性よく、安定したものでなければなら
ず製造に於ける経済性に欠ける点があった。
性能化に伴い微細な回路で高密度なものが要求されてお
り回路全体が再現性よく、安定したものでなければなら
ず製造に於ける経済性に欠ける点があった。
本発明者は従来の欠点を究明し、その原因として従来の
抵抗体用の材料に於いてはガラス成分として鉛、ビスマ
スを含有させ密着性を高め、抵抗値を所望の値に調節す
ることがされていたが、該鉛とビスマスが高温で焼成す
ると基板のセラミックスまたはガラスと反応して基板の
材質を軟化させたりして微細な回路を変形したり、断線
に至らすことを発見した。
抵抗体用の材料に於いてはガラス成分として鉛、ビスマ
スを含有させ密着性を高め、抵抗値を所望の値に調節す
ることがされていたが、該鉛とビスマスが高温で焼成す
ると基板のセラミックスまたはガラスと反応して基板の
材質を軟化させたりして微細な回路を変形したり、断線
に至らすことを発見した。
（発明の目的）
本発明は、上記従来の欠点を解決するために成されたも
ので、セラミックスやガラスの基板上にルテニウムやイ
リジウム等の抵抗体を薄膜として形成した際、鉛やビス
マスが含有したものと同等以上の密着性があり、抵抗値
の調節も可能で、しかも微細な回路を変形したり断線さ
せることのない信頼性の高い薄膜抵抗体用の材料を提供
することを目的とするものである。
ので、セラミックスやガラスの基板上にルテニウムやイ
リジウム等の抵抗体を薄膜として形成した際、鉛やビス
マスが含有したものと同等以上の密着性があり、抵抗値
の調節も可能で、しかも微細な回路を変形したり断線さ
せることのない信頼性の高い薄膜抵抗体用の材料を提供
することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、セラミックスまたはガラス暴利上に塗布、乾
燥、焼成して薄膜抵抗体を形成する材料において、薄膜
抵抗体形成用材料の構成成分として主金属成分樹脂酸塩
と副金属成分樹脂酸塩にガラス成分としてホウ素および
ケイ素のそれぞれの樹脂酸塩を含有し鉛およびビスマス
を含まず、有機バインダとして熱硬化性樹脂を含み、有
機溶剤で均一な溶液状として成る薄膜抵抗体形成用材料
であり、前記主金属成分樹脂酸塩がルテニウム、イリジ
ウム、およびロジウムより選ばれた一種以上からなる樹
脂酸塩で、前記副金属成分樹脂酸塩が亜鉛、ジルコニウ
ム、マグネシウム、ランタン、アルミニウム、バリウム
、カルシウム、ストロンチウム、マンガン、およびカリ
ウムより選ばれた一種以上からなる樹脂酸塩である。
燥、焼成して薄膜抵抗体を形成する材料において、薄膜
抵抗体形成用材料の構成成分として主金属成分樹脂酸塩
と副金属成分樹脂酸塩にガラス成分としてホウ素および
ケイ素のそれぞれの樹脂酸塩を含有し鉛およびビスマス
を含まず、有機バインダとして熱硬化性樹脂を含み、有
機溶剤で均一な溶液状として成る薄膜抵抗体形成用材料
であり、前記主金属成分樹脂酸塩がルテニウム、イリジ
ウム、およびロジウムより選ばれた一種以上からなる樹
脂酸塩で、前記副金属成分樹脂酸塩が亜鉛、ジルコニウ
ム、マグネシウム、ランタン、アルミニウム、バリウム
、カルシウム、ストロンチウム、マンガン、およびカリ
ウムより選ばれた一種以上からなる樹脂酸塩である。
前記熱硬化性樹脂はアルキッド樹脂、尿素樹脂、メラミ
ン樹脂、ロジン誘導体樹脂、アスファルト、およびテル
ペン樹脂より選ばれた一種以上を加え、前記有機溶剤は
メンタノール、テルピネオール、ブチルカルピトール、
ブチルカルピトールアセテート、メチルエチルケトン、
プロピレングリコール、エヂレングリコール、シクロヘ
キサノン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢
酸ベンジル、アミルアセテート、セルソルブ、セルソル
ブアセテート、ブヂルセルソルブ、ブチルセルソルブア
セテート、ブタノール、ニトロベンゼン、トルエン、キ
シレン、石油エーテル、クロロホルム、四塩化炭素、ピ
ネン、ジペンテン、ジペンテンオキサイド、および精油
より選ばれた一種以上を加え均一な溶液状とした薄膜抵
抗体形成用材料である。
ン樹脂、ロジン誘導体樹脂、アスファルト、およびテル
ペン樹脂より選ばれた一種以上を加え、前記有機溶剤は
メンタノール、テルピネオール、ブチルカルピトール、
ブチルカルピトールアセテート、メチルエチルケトン、
プロピレングリコール、エヂレングリコール、シクロヘ
キサノン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢
酸ベンジル、アミルアセテート、セルソルブ、セルソル
ブアセテート、ブヂルセルソルブ、ブチルセルソルブア
セテート、ブタノール、ニトロベンゼン、トルエン、キ
シレン、石油エーテル、クロロホルム、四塩化炭素、ピ
ネン、ジペンテン、ジペンテンオキサイド、および精油
より選ばれた一種以上を加え均一な溶液状とした薄膜抵
抗体形成用材料である。
また、前記薄膜抵抗体形成用材料の構成成分において、
ホウ素およびケイ素の樹脂酸塩の含有率に対し熱硬化性
樹脂の含有率が同じか、もしくはそれ以上含む薄膜抵抗
体形成用材料である。
ホウ素およびケイ素の樹脂酸塩の含有率に対し熱硬化性
樹脂の含有率が同じか、もしくはそれ以上含む薄膜抵抗
体形成用材料である。
以下、本発明の詳細について説明する。
抵抗体の主金属成分としては耐蝕性もあり、高温に於い
て安定した抵抗を示す、ルテニウム、イリジウムおよび
ロジウムより選択した１種もしくは２種以上の金属ハロ
ゲン化物または酢酸塩と脂肪族あるいは芳香族カルボン
酸またはアビエチン酸の多核脂肪酸やアビエチン酸を主
成分とするガムロジンを反応させて合成した樹脂酸塩と
し、薄膜の安定性や抵抗値の調整のために副金属成分と
して亜鉛、ジルコニウム、マグネシウム、ランタン、ア
ルミニウム、バリウム、カルシウム、マンガン、ストロ
ンチウム、およびカリウムより選択した１種もしくは２
種以上の金属ハロゲン化物または酢酸塩と脂肪族あるい
は芳香族カルボン酸またはアビエチン酸の多核脂肪酸や
アビエチン酸を主成分とするガムロジンを反応させて合
成した樹脂酸塩とし、ガラス成分としてホウ素、および
ケイ素の樹脂酸塩を含み微細な電極回路を変形または断
線の原因となる鉛およびビスマスを含めず、樹脂バイン
ダとしては熱硬化性樹脂を加え上記のホウ素およびケイ
素が揮発しにくいようにし、適度の粘度として塗布し、
乾燥し、焼成して均一な薄膜を得るために上記の樹脂酸
塩と樹脂バインダを均一な溶液状に溶解できる有機溶剤
から成る薄膜抵抗体形成用材料である。
て安定した抵抗を示す、ルテニウム、イリジウムおよび
ロジウムより選択した１種もしくは２種以上の金属ハロ
ゲン化物または酢酸塩と脂肪族あるいは芳香族カルボン
酸またはアビエチン酸の多核脂肪酸やアビエチン酸を主
成分とするガムロジンを反応させて合成した樹脂酸塩と
し、薄膜の安定性や抵抗値の調整のために副金属成分と
して亜鉛、ジルコニウム、マグネシウム、ランタン、ア
ルミニウム、バリウム、カルシウム、マンガン、ストロ
ンチウム、およびカリウムより選択した１種もしくは２
種以上の金属ハロゲン化物または酢酸塩と脂肪族あるい
は芳香族カルボン酸またはアビエチン酸の多核脂肪酸や
アビエチン酸を主成分とするガムロジンを反応させて合
成した樹脂酸塩とし、ガラス成分としてホウ素、および
ケイ素の樹脂酸塩を含み微細な電極回路を変形または断
線の原因となる鉛およびビスマスを含めず、樹脂バイン
ダとしては熱硬化性樹脂を加え上記のホウ素およびケイ
素が揮発しにくいようにし、適度の粘度として塗布し、
乾燥し、焼成して均一な薄膜を得るために上記の樹脂酸
塩と樹脂バインダを均一な溶液状に溶解できる有機溶剤
から成る薄膜抵抗体形成用材料である。
前記主金属成分の樹脂酸塩の薄膜抵抗体形成用材料中の
それぞれが占める割合は抵抗値、耐蝕性、密着性、基板
の種類等により調節するが、おおむね主金属成分の樹脂
酸塩は１〜２０ｗｔ％、副金属成分の樹脂酸塩は１〜１
０ｗｔ％、ガラス成分としてのホウ素、およびケイ素の
樹脂酸塩は１０〜４０ｗｔ％、樹脂バインダとしては１
０〜５０ｗｔ％、残部が有機溶剤である。
それぞれが占める割合は抵抗値、耐蝕性、密着性、基板
の種類等により調節するが、おおむね主金属成分の樹脂
酸塩は１〜２０ｗｔ％、副金属成分の樹脂酸塩は１〜１
０ｗｔ％、ガラス成分としてのホウ素、およびケイ素の
樹脂酸塩は１０〜４０ｗｔ％、樹脂バインダとしては１
０〜５０ｗｔ％、残部が有機溶剤である。
ガラス成分としてのホウ素、およびケイ素の樹脂酸塩は
揮発性が少なく高融点の化合物がよく、ホウ素メントー
ルエステル、ホウ素シクロヘキサノールエステル、トリ
フェニルシラノール、ジフェニルシラノール等である。
揮発性が少なく高融点の化合物がよく、ホウ素メントー
ルエステル、ホウ素シクロヘキサノールエステル、トリ
フェニルシラノール、ジフェニルシラノール等である。
樹脂バインダとして熱硬化性樹脂の割合を多くしている
のは焼成時にガラス成分としてのホウ素、およびケイ素
の樹脂酸塩が揮発するのを防止して薄膜抵抗体の密着性
と該簿膜の表面の安定性を高めることができるからであ
る。
のは焼成時にガラス成分としてのホウ素、およびケイ素
の樹脂酸塩が揮発するのを防止して薄膜抵抗体の密着性
と該簿膜の表面の安定性を高めることができるからであ
る。
抵抗値の調節は副金属成分の種類と含有率を調節するこ
とで可能である。
とで可能である。
以下、本発明に係わる実施例を記載するが、該実施例は
本発明を限定するものではない。
本発明を限定するものではない。
（実施例１）
薄膜抵抗体形成用材料として、樹脂酸ルテニウム〔化学
式Ｒｕ （Ｃｓ Ｈ＋ｓＯｔ ）ｓ ）５ｗｔ％、樹脂
酸ケイ素〔化学式Ｓｉ （Ｃ，Ｈ５） 、０Ｈ）１５
ｗｔ％、樹脂酸ホウ素〔化学式Ｂ （Ｃ，Ｈ，１０）、
〕２２０ｗｔ％樹脂バインダとしてアルキッド樹脂３５
ｗｔ％、有機溶剤としてターピネオール２５ｗｔ％で調
整したものを、ガラスグレーズドアルミナ基板上に線幅
５０μｍ１膜厚０．８μｍの金のくし型電極回路（本数
２５６本）上にスクリーン印刷により塗布し、１２５℃
で１０分間乾燥後、８００℃で１０分間焼成して薄膜抵
抗体を得た。
式Ｒｕ （Ｃｓ Ｈ＋ｓＯｔ ）ｓ ）５ｗｔ％、樹脂
酸ケイ素〔化学式Ｓｉ （Ｃ，Ｈ５） 、０Ｈ）１５
ｗｔ％、樹脂酸ホウ素〔化学式Ｂ （Ｃ，Ｈ，１０）、
〕２２０ｗｔ％樹脂バインダとしてアルキッド樹脂３５
ｗｔ％、有機溶剤としてターピネオール２５ｗｔ％で調
整したものを、ガラスグレーズドアルミナ基板上に線幅
５０μｍ１膜厚０．８μｍの金のくし型電極回路（本数
２５６本）上にスクリーン印刷により塗布し、１２５℃
で１０分間乾燥後、８００℃で１０分間焼成して薄膜抵
抗体を得た。
各電極間の抵抗値のバラツキは１％以内であり、該薄膜
抵抗値はシート抵抗９５０オーム／口であった。
抵抗値はシート抵抗９５０オーム／口であった。
また、ビールテストによるハガレがなく密着強度もあり
、金のくし型電極回路部分を拡大して観察したが変化な
く、さらに、加熱冷却の繰り返しテストとして３００°
ＣＩＯ分間加熱後、室温まで放冷する操作を２０回した
のちに再びビールテストをしたがハガレは生じなかった
。
、金のくし型電極回路部分を拡大して観察したが変化な
く、さらに、加熱冷却の繰り返しテストとして３００°
ＣＩＯ分間加熱後、室温まで放冷する操作を２０回した
のちに再びビールテストをしたがハガレは生じなかった
。
（従来例）
従来の薄膜抵抗体形成用材料として、樹脂酸ルテニウム
〔化学式Ｒｕ （Ｃｓ Ｈ＋ｓＯｔ ）３ ）３ｗｔ％
、樹脂酸ロジウム〔化学式Ｒｈ （Ｃ，Ｈ，，０、）、
］２２ｗｔ％樹脂酸鉛〔化学式Ｐｂ （Ｃ。
〔化学式Ｒｕ （Ｃｓ Ｈ＋ｓＯｔ ）３ ）３ｗｔ％
、樹脂酸ロジウム〔化学式Ｒｈ （Ｃ，Ｈ，，０、）、
］２２ｗｔ％樹脂酸鉛〔化学式Ｐｂ （Ｃ。
ＨＩＳＯ！ ）！ ）３０ｗｔ％、樹脂酸ケイ素〔化学
式Ｓ ｉ （Ｃｍ Ｈｓ ） ！ （ＯＨ） ｔ ）
１５ｗｔ％、樹脂酸ホウ素〔化学式Ｂ （Ｃ，、Ｈ，
，０） ３）３２ｗｔ％、樹脂バインダとしてアルキッ
ド樹脂１０ｗｔ％、有機溶剤としてターピネオールＳｗ
ｔ％で調整したものを、ガラスグレーズドアルミナ基板
」ユに線幅５０μｍ、膜厚０．８Ｉｔｍの金のくし型電
極回路（本数２５６本）」二にスクリーン印刷により塗
布し、以下実施例１と同様に乾燥、焼成して薄膜抵抗体
を得た。
式Ｓ ｉ （Ｃｍ Ｈｓ ） ！ （ＯＨ） ｔ ）
１５ｗｔ％、樹脂酸ホウ素〔化学式Ｂ （Ｃ，、Ｈ，
，０） ３）３２ｗｔ％、樹脂バインダとしてアルキッ
ド樹脂１０ｗｔ％、有機溶剤としてターピネオールＳｗ
ｔ％で調整したものを、ガラスグレーズドアルミナ基板
」ユに線幅５０μｍ、膜厚０．８Ｉｔｍの金のくし型電
極回路（本数２５６本）」二にスクリーン印刷により塗
布し、以下実施例１と同様に乾燥、焼成して薄膜抵抗体
を得た。
各電極間のうち５８本が断線し残りの抵抗値のバラツキ
は１０％と大きく、該薄膜抵抗値はシート抵抗１０２０
オーム／口であった。
は１０％と大きく、該薄膜抵抗値はシート抵抗１０２０
オーム／口であった。
また、金のくし型電極回路部分を拡大して観察０
したところ抵抗体形成部分との境目に金の電極回路のホ
ソリ、断線、浸食が部分的に生じていた。
ソリ、断線、浸食が部分的に生じていた。
（実施例２）
薄膜抵抗体形成用材料として、樹脂酸ルテニウム３ｗｔ
％、樹脂酸ロジウム４ｗｔ％、樹脂酸ジルコニウム〔化
学式Ｚ ｒ （Ｃｍ Ｈ＋ｓＯ＊ ） ｔ ） １ｗ
ｔ％、樹脂酸ケイ素〔化学式５ｉ（Ｃ＝Ｈ６）ｓ ０Ｈ
）ｌ ５ｗｔ％、樹脂酸ホウ素［化学式Ｂ（０６ＨｚＯ
）ｓ ）２０ｗｔ％、樹脂バインダとしてアルキッド樹
脂３ ｓｗｔ％、有機溶剤としてターピネオール２２ｗ
ｔ％で調整したものを用いた以外は実施例１と同様に操
作して薄膜抵抗体を得た。
％、樹脂酸ロジウム４ｗｔ％、樹脂酸ジルコニウム〔化
学式Ｚ ｒ （Ｃｍ Ｈ＋ｓＯ＊ ） ｔ ） １ｗ
ｔ％、樹脂酸ケイ素〔化学式５ｉ（Ｃ＝Ｈ６）ｓ ０Ｈ
）ｌ ５ｗｔ％、樹脂酸ホウ素［化学式Ｂ（０６ＨｚＯ
）ｓ ）２０ｗｔ％、樹脂バインダとしてアルキッド樹
脂３ ｓｗｔ％、有機溶剤としてターピネオール２２ｗ
ｔ％で調整したものを用いた以外は実施例１と同様に操
作して薄膜抵抗体を得た。
各電極間の抵抗値のバラツキは１％以内であり、該薄膜
抵抗値はシート抵抗１４８０オーム／■であった。
抵抗値はシート抵抗１４８０オーム／■であった。
（実施例３〜９）
表−１による薄膜抵抗体形成材料に調整したものを用い
て表に示す乾燥温度と時間、焼成温度と時間でグレーズ
ドアルミナ基板上に形成した金からなる電極回路に薄膜
抵抗体を形成した結果、シート抵抗値、密着強度は同じ
く表−１に示した結果であった。
て表に示す乾燥温度と時間、焼成温度と時間でグレーズ
ドアルミナ基板上に形成した金からなる電極回路に薄膜
抵抗体を形成した結果、シート抵抗値、密着強度は同じ
く表−１に示した結果であった。
また、電極回路部分を拡大して観察したところ異常は見
られなかった。
られなかった。
（以下余白）
１
２
（発明の効果）
以上説明したように、本発明による薄膜抵抗体形成用材
料は従来の欠点であった微細な電極回路に対して変形や
断線等の原因となっていたガラス成分のうちの鉛とビス
マスを除いた成分で、しかも従来の密着強度を得ること
ができるように、該薄膜抵抗体形成用材料の塗布、乾燥
、焼成工程に於ける各成分の特性を見出して、ガラス成
分のホウ素とケイ素の加える量に対し、熱硬化性樹脂を
ほぼ同じ割合か、またはそれ以上加えることで該ホウ素
とケイ素の揮発量を抑制して解決することができ、また
、抵抗値の調整と薄膜の安定性を従来鉛により行われて
いたのを亜鉛、ジルコニウム、マグネシウム等の金属成
分を加えて調節することが可能としてこれも解決し、サ
ーマルプリンタヘッド等の製造に於いてさらに技術の発
展に寄与するもの大と言える。
料は従来の欠点であった微細な電極回路に対して変形や
断線等の原因となっていたガラス成分のうちの鉛とビス
マスを除いた成分で、しかも従来の密着強度を得ること
ができるように、該薄膜抵抗体形成用材料の塗布、乾燥
、焼成工程に於ける各成分の特性を見出して、ガラス成
分のホウ素とケイ素の加える量に対し、熱硬化性樹脂を
ほぼ同じ割合か、またはそれ以上加えることで該ホウ素
とケイ素の揮発量を抑制して解決することができ、また
、抵抗値の調整と薄膜の安定性を従来鉛により行われて
いたのを亜鉛、ジルコニウム、マグネシウム等の金属成
分を加えて調節することが可能としてこれも解決し、サ
ーマルプリンタヘッド等の製造に於いてさらに技術の発
展に寄与するもの大と言える。
Claims (4)
- （１）セラミックスまたはガラス基材上に塗布、乾燥、
焼成して薄膜抵抗体を形成する材料において、薄膜抵抗
体形成用材料の構成成分として主金属成分樹脂酸塩と副
金属成分樹脂酸塩にガラス成分としてホウ素およびケイ
素のそれぞれの樹脂酸塩を含有し鉛およびビスマスを含
まず、有機バインダとして熱硬化性樹脂を含み、有機溶
剤で均一な溶液状として成る薄膜抵抗体形成用材料。 - （２）前記主金属成分樹脂酸塩がルテニウム、イリジウ
ム、およびロジウムより選ばれた一種以上からなる樹脂
酸塩である請求項１に記載の薄膜抵抗体形成用材料。 - （３）前記副金属成分樹脂酸塩が亜鉛、ジルコニウム、
マグネシウム、ランタン、アルミニウム、バリウム、カ
ルシウム、ストロンチウム、マンガン、およびカリウム
より選ばれた一種以上からなる樹脂酸塩である請求項１
に記載の薄膜抵抗体形成用材料。 - （４）前記薄膜抵抗体形成用材料の構成成分において、
ホウ素およびケイ素の樹脂酸塩の含有率に対し熱硬化性
樹脂の含有率が同じか、もしくはそれ以上含むものであ
る請求項１に記載の薄膜抵抗体形成用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1238094A JPH03101101A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 薄膜抵抗体形成用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1238094A JPH03101101A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 薄膜抵抗体形成用材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101101A true JPH03101101A (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=17025077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1238094A Pending JPH03101101A (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 薄膜抵抗体形成用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03101101A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1770721A3 (en) * | 2005-10-03 | 2007-10-03 | Shoei Chemical Inc. | Resistor composition and thick film resistor |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP1238094A patent/JPH03101101A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1770721A3 (en) * | 2005-10-03 | 2007-10-03 | Shoei Chemical Inc. | Resistor composition and thick film resistor |
| US7476342B2 (en) | 2005-10-03 | 2009-01-13 | Shoei Chemical Inc. | Resistor composition and thick film resistor |
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