JPH0310256A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関するものであり、特にプリ
ンタ、複写機等に有効に用いることができ、半導体レー
ザ光及ＬＥＤに対して高感度を示す電子写真感光体に関
するものである。

〔従来技術〕

電子写真感光体としては、古くからセレン、酸化亜鉛、
硫化カドミウム等の無機光導電物質を主成分とする感光
層を設けた無機感光体か広く使用されてきたが、このよ
うな無機感光体は例えば、セレンは熱や指紋の汚れ等に
よって結晶化するために特性が劣化しやすく、硫化カド
ミウムは耐湿性、耐久性に劣り、酸化亜鉛も又耐久性に
劣る等の問題があって、近年は種々の利点を有する有機
光導電性物質が広く電子写真感光体に用いられるように
なってきた。なかでもフタロシアニン化合物は光電変換
の量子効率か高く、又近赤外線領域まで高い分光感度を
示すため、特に半導体レーザ光源に適応する電子写真感
光体用として注目されてきた。

そのような目的に対して、銅フタロシアニン、無金属フ
タロシアニン、クロルインジウムフタロシアニン、クロ
ルガリウムフタロシアニンなとを用いた電子写真感光体
が報告されているが、近年特にチタニルフタロシアニン
が注目されるようになり、例えば特開昭６１−２３９２
４８号、同６２−６７０９４３号、同６２−２７２２７
２号、同６３−１１６１５８号のようにチタニルフタロ
シアニンを用いた電子写真感光体か多く技術開示されて
いる。

一般に、フタロシアニン化合物は、フタロジニトリルや
１．３〜ジイミノイソインドリンなとと金属化合物を反
応させて製造されるが、電子写真感光体用のチタニルフ
タロンアニンの製造においては、反応性の点で専ら四塩
化チタンか原料として用いられてきた。例えは、チタニ
ルフタロシアニンに構造の類似したバナジル７タロシア
ニンの’ｌｌ１ｌ　造においては塩化バナジルや、バナ
ジルアセチルアセト不イトなどが原料として使用可能で
あるが、チタニルフタロシアニンの製造においてはチタ
ニルアセチルアセ１〜不イトを原料として用いると収率
が著しく低下し、純度もまた低下する。このため、電子
写真感光体用のチタニルフタロシアニンの製造法として
は、上述の特開昭６１−２３９２４８号、同６２６７０
９４３号、同６２−２７２２７２号、同６３−１１６１
５８号の他にも、特開昭６１−１７１７７１号、同６１
−１０９０５６号、同５９１６６９５９号、同６２−２
５６８６８号、同６２−２５６８６６号、同６２２５６
８６７号、同６３−８０２６３号、同６２−２８６０５
９号、同６３３６６号、同６３−３７１６３号、同６２
−１３４６５１号に開示されているかこれらの全ての場
合において四塩化チタンを用いた方法がとられている。

〔発明か解決しよとする問題点〕

前記のようなチタン塩化物を原料に用いた場合１ には、フタロシアニン核の塩素反応が伴われる。

その上従来の製造法においては１８０°Ｃ以上の高温度
条件を必要とするために塩素化の副反応を促進する原因
ともなっている。このため従来のチタニルフタロシアニ
ンには、かなりの量の塩素化チタニル７０シアニンの含
有は避けられず、又−旦混入した塩素化チタニルフタロ
シアニンは無置換のチタニルフタロシアニンと物理的、
化学的な特性が類似しているため、再結晶や昇華精製に
よってさえ殆ど除去不能であり、従来、電子写真感光体
に用いられていたチタニルフタロシアニンは塩素化合物
を含んだものであった。例えば上述の公開公報に開示さ
れたチタニルフタロシアニンの製造例における塩素含有
量の実測値を挙げると表１の（注）Ｍ”＝６１０は一塩
素化チタニルフタロシアニンに対応スる。

このように従来のチタニルフタロシアニンにおいては３
．４ｗｔ％程度の塩素の含有は避けられないものてあっ
た。塩素原子としてのＱ、４ｗｔ％という値は、塩素化
チタニルフタロンアニン濃度に換算すると７．０ｗｔ％
（６，６モル％）の含有量に相当するものであり、不純
物濃度としては非常に高い値である。

方、フタロンアニン化合物の電子写真特性は、その結晶
状態によって著しく異なり、チタニルフタロシアニンに
おいても特定の結晶型を有するときに優れた特性が得ら
れることが知られている。

このうよに構造敏感な性質を持つ電子写真特性において
、不純物の存在は構造的な欠陥部位を導入することにな
り、特定の結晶型の持つ優れた電子写真特性を損わせる
原因となるものである。

そのような点に関して、我々は高純度のチタニルフタロ
シアニンを得るべく鋭意検討を行った結果、塩素化反応
を伴わない製造法を適用することに成功し、そうして得
られた塩素含有量の少ないチタニルフタロンアニンを特
定の結晶構造にすることによって、優れた電子写真感光
体を作成することができたものである。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、高感度にしてかつ残留電位が小さく、
電位特性が安定している優れた電子写真感光体を提供す
ることにある。

本発明の他の目的は、特に電位保持能に優れ、帯電電位
の安定した電子写真感光体を提供することにある。

〔発明の構成及び作用効果〕

本発明の上記の目的は、Ｃｕ　−Ｋα線に対するＸ線回
折スペクトルがブラッグ角２θの６．５゜±７．５にピ
ークを示すアモルファス状の結晶状態であって、かつ塩
素の含有量か０．２ｗｔ％以下、好ましくは０．１ｗｔ
％以下のチタニルフタロンアニンを感光層中に含有させ
ることによって達成することができる。

Ｘ線回折スペクトルは次の条件で測定され、前記ピーク
とは、ノイズと明瞭に異なった鋭角の突出部のことであ
る。

Ｘ線管球　　　　　Ｃｕ 電　　圧　　　　　　　　　　４（１０ＫＶ電　　流　
　　　　　　　　１００　　　　　　　　　　　　ｍＡ
８ スタート角度　　　６．Ｏｄｅｇ。

ストップ角度　　　３５．Ｏｄｅｇ。

ステップ角度　　　　０．０２　　　　　６ｅｇ。

測定時間　　　　　０．５０　　　　　　ｓｅｃ。

塩素含有量は通常の元素分析測定によっても決定される
が、三菱化成社製塩素・硫黄分析装置ｒＴＳＸ−１０Ｊ
を用いた元素分析によって決定することもできる。

本発明において最も望ましい塩素含有量としては、これ
らの測定方法において、検出限界以下となるものである
。

本発明のチタニルフタロシアニンは下記−形式〔Ｉ〕で
表されるチタン化合物を用いることによって、塩素化を
伴わすに、高純度で製造することが形式〔Ｉ〕 １ Ｘｘ　　Ｔｉ　　Ｘｚ・（Ｙ）＋１ ３ 式中、ｘｌ、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は−ＯＲ，、−３Ｒ２、
−０ＳＯＪｉ１ 肘ＯＲ，を表ず。

Ｒ５ ここで、ＲＩ−Ｒ５は水素原子、アルキル基、アルケニ
ル基、アリール基、アラルキル基、アリール基、アリロ
イル基、複素環基を表し、これらの基は任意の置換基を
有してもよい。又Ｘ１〜Ｘ４は任意の組合せによって結
合し、環を形成してもよい。

Ｙは、配位子を表し、ｎは０、■、２を表す。なかでも
特にＸ１〜ｘ４か−ＯＲ，であるものは、反応性や、取
扱い易さ、価格なとの点で、望ましいものとして挙げる
こと゛ができる。

製造方法としては種々の反応形式が可能であるが、代表
的な方法として、次の反応式で表される方法が用いられ
る。

式中Ｒ１〜Ｒ１６は、水素原子もしくは置換基を表す。

本発明におけるこのような製造方法においては活性な塩
素の攻撃を受けることがないので、フタロシアニン核の
塩素化を完全に回避することができる。又従来の四塩化
チタンを用いる方法に比べて反応性が高く、より穏やか
な環境下で反応を進行させることがでるため製造条件に
とって有利であるばかりでなく、副反応を防止し不純物
を最小に抑えることができるもである。

本反応において有用なチタン化合物の具体例を次に示す
。

（１）　　　（Ｃ４ｔ（ｓｏ）ａＴ＋ （２）　　　（ｉ−Ｃ３ｔ（ｔｏ）ｔＴｉ（３）（Ｃ２
Ｈ５ｏ）４Ｔ１ （４）　　　（＋　　Ｃ＋ｔ（ｔｏ）ｔＴ＋（５）　　
　（Ｃ＋８Ｈ３ｙＯ）４Ｔｉ（６）　　　（Ｃ３Ｈ７０
）ＩＴＩ （７）　　　（ｉ−ＣＪ７０）２Ｔｉ（ＣＨ３ＣＯＣＨ
ＣＯＣＨ３）２（８：）　（ＨＯＣＯＣＨＯ）２Ｔｉ（
ＯＨ）２ＯＨ３ （１０）　（Ｃａｌｌ＋ｒの、Ｔｉ　［Ｐ（ＯＣ３Ｈ７
）ｚｌ　ｔＯＨ ６口う Ｉ １ （１２）　　１−Ｃ３Ｈ，ＯＴｉ　［０−Ｐ−０１ Ｐ（ＯＣ８Ｈ，□）２１３ Ｏｆ（ ２ （１３）　　１−Ｃ３Ｈ，０Ｔｉ（ＯＣ２Ｈ４ＮＨＣ２
Ｈ，ＮＨ□）３（１４）　　（Ｃ，Ｈ１□Ｏ）Ｊ＋［Ｐ
（ＯＣ＋３１ｂｙ）２１ａ■ ＯＨ （１５）　　［（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２０ＣＨ２）、ＣＣ
Ｈ２０Ｅ１Ｔｒ　［Ｐ（ＯＣ，Ｈｚｙ）ｚ］ｚ２Ｈ５０
Ｈ １ （１９）　　＋　　ＣＪ７０Ｔｉ（ＯＣＣ＋　７Ｈ３５
）３反応の溶媒としては種々のものを用いることが可能
である。例えばジオキサン、シクロヘキサン、スルホラ
ン、ジメチルスルホキシド、ジメチルボルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、メチルペンタノン等の脂肪族溶媒
、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン、ブロムベンゼン
、ニトロベンゼン、クロルナフタレン、テトラリン、ピ
リジン、キノリン等の芳香族溶媒などが代表的なものと
して挙げられるが、高純度の生成物を得るためには、チ
タニルフタロシアニンに対しである程度の溶解性を持つ
ものか望ましい。

反応温度は、チタンカップリング剤の種類によって異な
るが、だいたい１００〜１８０　’Ｏで行うことができ
る。この点でも従来の反応が１８０〜２４０°Ｃという
３− 高温を必要としていたのに対して、副反応防止という観
点から有利である。

こうして得られた高純度のチタニルフタロシアニンは適
当な溶媒で処理することによって、目的の結晶型を得る
ことかできが、処理に用いられる装置としては一般的な
撹拌装置の他に、ホモミキザー、ディスバイザ、アジタ
ー、或いはボールミル、サンドミル、アトライタ等を用
いることができる。

本発明の電子写真感光体において、上記のチタニル７タ
ロシアニンはキャリア発生物質として用いられるが、そ
の他に、他のキャリア発生物質を併用してもよい。その
ようなキャリア発生物質としては本発明とは結晶型にお
いて異なるチタニルフタロシアニンをはじめ、他のフタ
ロシアニン顔料、アゾ顔料、アントラキノン顔料、ペリ
レン顔料、多環キノン顔料、スクェアリウム顔料等が挙
げられる。

本発明の感光体におけるキャリア輸送物質としては、種
々のものが使用できるが、代表的なものとしては例えば
、オキサゾール、オキザジアゾル、チタノール、チアジ
アゾール、イミダゾール等に代表される含窒素複素環核
及びその縮合環核を有する化合物、ポリアリールアルカ
ン系の化合物、ピラソリン系化合物、ヒドラゾン系化合
物、トリアリールアミン系化合物、スチリル系化合物、
スチリルトリフェニルアミン系化合物、β−フェニルス
チリルトリフェニルアミン系化合物、ブタジェン系化合
物、ヘキサトリエン系化合物、カルバゾール系化合物、
縮合多環系化合物等が挙げられる。これらのキャリア輸
送物質の具体例としては、例えば特開昭６１−１０７３
５６号に記載のキャリア輸送物質を挙げることができる
が、特に代表的なものの構造を次に示す。

−１ ５ ６− −６− −７− −８ −５ −９ Ｔ−１０ Ｔ−１４ −１１ −１５ −１２ −１６ −１３ Ｔ　−１，７ ２Ｈ６ ９ ０ Ｔ〜１８ −１９ 感光体の構成は種々の形態が知られている。本発明の感
光体はそれらのいずれの形態をもとりうるが、積層型も
しくは分散型の機能分離型感光体とするのか望ましい。

この場合、通常は第１図から第６図のような構成となる
。第１図に示す層構成は、導電性支持体１上にキャリア
発生層２を形成し、これにキャリア輸送層３を積層して
感光層４を形成したものであり、第２図はこれらのキャ
リア発生層２とギヤリア輸送層３を逆にした感光層４′
を形成したものである。第３図は第１図の層構成の感光
層４と導電性支持体１の間に中間層５を設け、第４図は
第２図の層構成の感光層４′と導電性支持体１との間に
中間層５を設けたものである。第５図の層構成はキャリ
ア発生物質６とキャリア輸送物質７を含有する感光層４
″を形成したものであり、第６図はこのような感光層４
″と導電性支持体ｌとの間に中間層５を設けたものであ
る。

第１図〜第６図の構成において、最表層には、更に、保
護層を設ける′ことができる。

感光層の形成においては、キャリア発生物質或はキャリ
ア輸送物質を単独で、もしくはバインダや添加剤ととも
に溶解させた溶液を塗布する方法か有効である。しかし
又、一般にキャリア発生物質の溶解度は低いため、その
ような場合キャリア発生物質を超音波分散機、ボールミ
ル、サンドミル、ホモミキザー等の分散装置を用いて適
当な分散媒中に微粒子分散させた液を塗布する方法が有
効となる。この場合、バインダや添加剤は分散液中に添
加して用いられるのか通常である。

感光層の形成に使用される溶剤或は分散媒としては広く
任意のものを用いることかできる。例えば、ブチルアミ
ン、エチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキザノン、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、エチレン
グリコールジメチルエーテル、トルエン、キシレン、ア
セトフェノン、クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロ
ルエタン、１ヘリクロルエタン、メタノール、エタノー
ル、７０パノール、ブタノール等カ挙けられる。

キャリア発生層もしくはギヤリア輸送層の形成にバイン
ダを用いる場合に、バインダとして任意のものを選ぶこ
とができるが、特に疎水性でかつフィルム形成能を有す
る高分子重合体が望ましい。

このような重合体としては例えば次のものを挙けること
ができるが、これらに限定されるものではない。

ポリカーボ不−１・　　ポリカーボネートＺ樹脂アクリ
ル樹脂　　　　メタクリル樹脂 ポリ塩化上ニル　　　ポリ塩化ビニリデンポリスチレン
　スチレン−ブタジェン共重合体ポリ酢酸ビニル　　　
ポリビニルホルマールポリビニルブチラール　ポリビニ
ルアセタールポリビニルカルバゾール　スチレン−アル
キッド樹脂 シリコーン樹脂　シリコーン−アルキッド樹脂ポリエス
テル　　　　フェノール樹脂 ポリウレタン　　　エポキシ樹脂 塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体 塩化ビニル−酢酸ヒニルー無水マレイン酸共重合体バイ
ンダに対するキャリア発生物質の割合は１０〜６００ｗ
ｔ％が望ましく、更には５０〜４００ｙｔ％が好ましい
。バインダに対するキャリア輸送物質の割合は１０〜５
００ｗｔ％とするのが望ましい。キャリア発生層の厚さ
は、０．０１〜２０μｍとされるが、更には３ ４ ０．０５〜５μｍが好ましい。キャリア輸送層の厚みは
１〜１００μｍであるが、更には５〜３０μｍが好まし
い。

上記感光層には感度の向上や残留電位の減少、或いは反
復使用時の疲労の低減を目的として、電子受容性物質を
含有させることができる。このような電子受容性物質と
しては例えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム
無水琥珀酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸
、テトラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸
、４−二１・ロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無
水メリット酸、テトラシアノエチレン、テ１〜ラシアノ
キノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベ
ンゼン、１，３．５−１−ジニトロベンゼン、ｐ−ニト
ロベンゾニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロル
イミド、クロラニル、クロラニル、ジクロルジシアノ−
ｐ−ベンゾキノン、アントラキノン、ジニトロアントラ
キノン、９−フルオレニリデンマロノジ二トリル、ポリ
ニトロ−９−フルオレニリデンマロノジニトリル、ピク
リン酸、０−ニトロ安息香酸、ｐ−二１・口安息香酸、
３，５−ジニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、
５−ニトロサリチル酸、３，５ジニトロサリチル酸、フ
タル酸、メリット酸、その他の電子親和力の大きい化合
物を挙げることができる。電子受容性物質の添加割合は
キャリア発生物質の重量１００に対して０．０１−２０
０ｗｔ／ｗｔが望ましく、更には０．１〜１００ｗｔ／
ｗｔが好ましい。

又、上記感光層中には保存性、耐久性、耐環境依存性を
向上させる目的で酸化防止剤や光安定剤等の劣化防止剤
を含有させることかできる。そのような目的に用いられ
る化合物としては例えば、トコロフエロール等のクロマ
ノール誘４体及びそのエーテル化化合物もしくはエステ
ル化化合物、ボリアリールアルカン化合物、ハイドロキ
ノン誘導体及びそのモノ及びジエーテル化化合物、ベン
ツフェノン誘導体、ベンゾトリアソール誘導体、チオエ
ーテル化合物、ポスホン酸エステル、亜燐酸エステル、
フェニレンジアミン誘導体、フエノル化合物、ヒンダー
ドフェノール化合物、直鎖アミン化合物、環状アミン化
合物、ヒンダードアミン化合物、なとが有効である。特
に有効な化合物の具体例としては、ｒｌ［ＧＡＮＯＸ　
ｌ０ＩＯＪ、ｒ［ＧＡＮＯＸ５６５Ｊ　（チパ・ガイギ
ー社製）、［スミライザーＢ　ＨＴ　Ｊ「スミライザー
ＭＤＰＪ　（細大化学工業社製）等のヒンダードフェノ
ール化合物、［サノールＬＳ−２６２６Ｊ　、　ｒザノ
ールＬＳ−６２２ＬＤＪ　（三共社製）等のヒンダード
アミン化合物が挙げられる。

中間層、保護層等に用いられるバインダとしては、上記
のキャリア発生層及びキャリア輸送層用に挙げたものを
用いることができるが、その他にポリアミド樹脂、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル−無
水マレイン酸共重合体、エチレン−酢酸ヒニルーメタク
リル酸共重合体等のエチレン系樹脂、ボリヒニルアルコ
ール、セルロス誘導体等か有効である。又、メラミン、
ユボキシ、イソシアネート等の熱硬化或いは化学的硬化
を利用した硬化壓のバインダを用いることかできる。

導電性支持体としては、金属板、金属ドラムが用いられ
る他、導電性ポリマーや酸化インジウム等の導電性化合
物、もしくはアルミニウム、パラジウム等の金属の薄層
を塗布、蒸着、ラミネート等の手段により紙やプラスチ
ックフィルムなどの基体の上に設けたものを用いること
ができる。

本発明の感光体は以上のような構成であって、以下の実
施例からも明らかなように、帯電特性、感度特性、繰返
し特性に優れたものである。

〔実施例〕

次に本発明における具体的な実施例を示す。

合成例１ １．３−ジイミノイソインドリン；２９．２ｇとスルホ
ラン；２００ｍ＋２を混合し、チタニウムトライソプロ
ポキシド；１７．０ｇを加え、窒素雰囲気下に１４０°
Ｃで２時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し、ク
ロロホルムで洗浄、２％−塩酸水溶液で洗浄、水洗、メ
タノール洗浄して、乾燥の後２５．５ｇ（８８，８％）
のチタニル７タロシアニンを得た。元素分析法において
塩素は検出限界以下であった。

生成物は２０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の水に
あけて析出させて、濾取した後に乾燥して、７ ８ 第７図に示すＸ線回折スペクトルをもつ結晶型とし　／
こ　。

合成例２ １．３−ジイミノイソインドリン；２９．２ｇとα−ク
ロルナフタレン；２００ｍｆｆを混合し、チタニウムテ
トラブトキシド；２０．４ｇを加えて窒素雰囲気下に１
４０〜１５０°Ｃで２時間加熱し、続いて１８０°Ｃで
３時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し、スルホ
ランで洗浄、次いでクロロホルムで洗浄し、更に２％−
塩酸水溶液で洗浄、水洗、最後にメタノール洗浄して、
乾燥の後２６．２ｇ（９１，０％）のチタニルフタロシ
アニンを得た。元素分析における塩素含有量の値は０．
０８ｗｔ％であった。

生成物は２０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の水に
あけて析出させて、濾取した後に乾燥して、第８図に示
すＸ線回折スペクトルをもつ結晶型としｌこ。

合成例３ 合成例１で得たチタニルフタロシアニン；１．２ｇと後
述の比較合成例１で得たチタニルフタロシアニン；０．
８ｇを４０ｇの濃硫酸に溶かし、４００ｇの水にあ１、
けて析出させて濾取し、乾燥して、塩素含有量０．１９
ｗｔ％の本発明のチタニルフタロシアニンを得た。

比較合成例（１） フタロジニトリル；２５．６ｇとα−クロルナフタレン
。

１５０ｍｆｆの混合物中に窒素気流下で６．５ｍ１２の
四塩化チタンを滴下し、２００〜２つ０°Ｃの温度で５
時間反応させた。析出物を濾取し、ａ−クロルナフタレ
ンで洗浄した後、クロロホルムで洗浄し、続いてメタノ
ールで洗浄した。次いでアンモニア水中で還流して加水
分解を完結させた後、水洗、メタノール洗浄し乾燥の後
、チタニル７タロシアニン；２１．８ｇ（７５，６％）
を得た。元素分析による塩素の含有量は０．４６ｗｔ％
であった。

生成物はｌｆｌ量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の水に
あけて析出させて、濾取した後に乾燥して、第９図に示
すＸ線回折スペクトルをもつ結晶型とし　ｊこ　。

比較合成例（２） 合成例１で得たチタニルフタロシアニン；０．６ｇと比
較合成例（１）で得たチタニルフタロンアニン；１．４
ｇを４０ｇの濃硫酸に溶かし、４００ｇの水にあけて析
出させて濾取し、乾燥して、第１０図に示すＸ線回折ス
ペクトルをもつ結晶型とした。この場合の元素分析によ
る塩素含有量は０．３１ｗｔ％であった。

比較合成例（３） フタロジニトリル；２５．６ｇに代えて、フタロジニト
リルｉ２４．７ｇと４−クロルフタロジニトリル；１．
Ｏｇの混合物を用いた他は比較合成例１と同様にして、
塩素含有量１．１４ｗｔ％の比較用のチタニル７タロシ
アニンを得た。

実施例Ｉ 合成例１において得られた第７図のＸ線回折パター’ｙ
　ヲ有するチタニルフタロシアニン：１部、バインダ樹
脂としてシリコーン変性樹脂、ｒＫＲ−５２４０Ｊ（信
越化学社製）；０．５部、分散媒としてインプロパツー
ル；１００部をサンドミルを用いて分散し、これをアル
ミニウムを蒸着したポリエステルベース上にワイヤバー
を用いて塗布して、膜厚０．４μｍのキャリア発生層を
形成した、次いで、キャリア輸送物質Ｔ−３，１部とボ
リノノーボ不−１・樹脂「ニーピロンＺ２００ｊ　（三
菱瓦斯化学社製）；１．３部、及び添加剤として、「サ
ノールＬＳ−２６２６Ｊ（三共社製）０．０３部、微量
のシリコーンオイルｒＫＦ−５４Ｊ（信越化学社製）を
、１．２−ジクロルエタン；１０部に溶解した液をブレ
ード塗布機を用いて塗布し乾燥した後、膜厚１８μｍの
キャリア輸送層を形成した。このようにして得られた感
光体をサンプル１とする。

実施例２ 合成例２で得た第８図のチタニル７タロシアニン；１部
、分散媒としてクロロホルム；１００部を超音波分散装
置を用いて分散した。一方、アルミニウムを蒸着したポ
リエステルベース上にポリアミド樹脂ｒｃＭ８０００」
（東し社製）からなる厚さ０．２μｍの中間層を設け、
その上に、先に得られた分散液を浸漬塗布法によって塗
布して、膜厚０．３μｍのキャリア発生層を形成した。

次いでキャリア輸送物質Ｔ−２；１部とポリカーボネー
ト樹脂［パンライト　Ｋ１３００Ｊ（音大化成社製）；
１．３部及び微量のシリコーンオイルｒＫＦ−５４）（
信越化学社製）を１．２−ジクロエｊ ２ タン：１０部に溶解した液を浸漬塗布法によって塗布し
て、乾燥の後、膜厚２３μｍのキャリア輸送層を形成し
た。

このようにして得られた感光体をサンプル２とする。

実施例３ 実施例２における、第７図のチタニルフタロ／アニンを
合成例３で得たチタニルフタロシアニンに代えた他は実
施例２と同、様にして感光体を作成した。これをサンプ
ル３とする。

比較例（１） 実施例２における、第７図のチタニル７タロンアニンを
比較合成例（１）で得た、第９図のＸ線回折パターンを
持つ比較のチタニルフタロシアニンに代えた他は実施例
１と同様にして比較用の感光体を得た。これを比較サン
プル（１）とする。

比較例（２） 実施例２における、第７図のチタニルフタロシアニンを
比較合成例（２）で得た、第１０図のＸ線回に代えた他
は実施例２と同様にして比較用の感光体を得た。これを
比較サンプル（２）とする。

比較例（３） 実施例２における、第７図のチタニルフタロシアニンを
比較合成例（３）で得た、比較用のチタニルフタロシア
ニンに代えた他は実施例２と同様にして比較用の感光体
を得た。これを比較サンプル（３）とする。

（評価１） 以上のようにして得られたサンプルは、ペーパアナライ
ザＥＰＡ−８１００（川口電気社製）を用いて、以下の
ような評価を行った。まず、−８０μへの条件で５秒間
のコロナ帯電を行い、帯電直後の表面電位Ｖａ及び５秒
間放置後の表面電位Ｖｉを求め、続いて表面照度が２（
ｌｕｘ）となるような露光を行い、表面電位を１／２Ｖ
ｉとするのに必要な露光量Ｅ１７２を求めた。又Ｄ−１
００（Ｖａ−Ｖｉ）／　Ｖａ（％）の式より暗減衰率り
を求めた。結果は表１に示した。塩素含有量の低下によ
り、特に電位保持能に優れた特性か折ハターンを持つ比
較のチタニルフタロシアニン得られる。

表１

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は本発明の感光体の層構成の具体例を示
した各断面である。 第７図及び第８図は本発明に係るチタニルフタロシアニ
ンのＸ線回折図、第９図及び第１Ｏ図比較合成例におい
て得られるチタニルフタロシアニンのＸ線回折図である
。 ■・・・導電性支持体　　２・・・キャリア発生層３・
・キャリア輸送層　４．４’４″・・感光層５・・・中
間層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｃｕ−Ｋα線に対するＸ線回折スペクトルが、ブ
   ラッグ角２θの６．５゜±７．５゜の領域にブロードな
   ピークを示すアモルファス状の結晶状態において、塩素
   含有量が０．２重量％以下のチタニルフタロシアニンを
   含有してなる電子写真感光体。
2. （２）前記チタニルフタロシアニンが、下記一般式〔
   I 〕で表されるチタン化合物を用いる方法によって製造
   された請求項１に記載の電子写真感光体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘ＿１、Ｘ＿２、Ｘ＿３、Ｘ＿４は−ＯＲ＿１
   、−ＳＲ＿２、−ＯＳＯ＿２Ｒ＿３▲数式、化学式、表
   等があります▼を表す。 ここでＲ＿１〜Ｒ＿５は、水素原子、アルキル基、アル
   ケニル基、アリール基、アラキル基、アシール基、アリ
   ロイル基、複素環基を表し、これらの基は任意の置換基
   を有していてもよい。又、Ｘ＿１〜Ｘ＿４は任意の組合
   わせによって結合し、環を結成してもよい。Ｙは配位子
   を表し、ｎは０、１、２を表す。〕
3. （３）前記チタニルフタロシアニンがキャリア発生物質
   として用いられる請求項１又は２のいづれかに記載の電
   子写真感光体。