JPH03102738A - ガス放電表示装置の製造方法 - Google Patents
ガス放電表示装置の製造方法Info
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- JPH03102738A JPH03102738A JP23930689A JP23930689A JPH03102738A JP H03102738 A JPH03102738 A JP H03102738A JP 23930689 A JP23930689 A JP 23930689A JP 23930689 A JP23930689 A JP 23930689A JP H03102738 A JPH03102738 A JP H03102738A
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- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 39
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガス放電表示装置の!!l!遣方法に関し、
詳細には、電極の水銀付着の均一化を図るものである。
詳細には、電極の水銀付着の均一化を図るものである。
第2図はガス放電表示装置の内部構造を示す斜視図であ
る. 同図に示されるように、ガス放電表示装置においては、
ベースガラスl上に複数のカソード電極2が備えられ、
その上にカソード電極2に直交ずる方向に延びる複数の
隔壁3が備えられている。
る. 同図に示されるように、ガス放電表示装置においては、
ベースガラスl上に複数のカソード電極2が備えられ、
その上にカソード電極2に直交ずる方向に延びる複数の
隔壁3が備えられている。
一方、ウィンドウガラス4上にはカソード電極2に直交
ずる方向に延びる複数の透1jJJ電極4が備えれれて
いる.そして、ベースガラスlとウインドウガラス5と
は重ね合わせされ周囲をシールガラス6でシールされて
、両ガラス5,6間に放電室7を形成している.そして
、この放電室7には表示用の希ガスが封入される。尚、
2aはカソード電極2に接続される外部電極である. 第3図は上記ガス放電表示装置の従来の!I!l!造工
程の一部を示すフローチャートである.同図に示される
ように、従来は、ベースガラスとウィンドウガラスとが
シールガラスによりシールされ、放電室に希ガスを含む
表示用ガスと水銀が封入され(ステップ11)、アノー
ド電極とカソード電極の間に電圧が印加され、カソード
電極の表面の汚れを取り除く一次エージング工程がなさ
れる(ステップ12〉.次に、加熱処理により水銀を均
一に拡散させカソード電極表面に水銀粒子を均一に付着
させ(ステップ13)、その後、放電状態を安定化させ
るための二次エージングエ程がなされる〈ステップ14
〉. 〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、上記一次エージング工程は電極表面にイオン
粒子を衝突させることにより電極表面の汚れを除去する
働きを持ち、その後の水銀粒子の付着はカソード電極表
面におけるスパッタを防止する働きを持つ。
ずる方向に延びる複数の透1jJJ電極4が備えれれて
いる.そして、ベースガラスlとウインドウガラス5と
は重ね合わせされ周囲をシールガラス6でシールされて
、両ガラス5,6間に放電室7を形成している.そして
、この放電室7には表示用の希ガスが封入される。尚、
2aはカソード電極2に接続される外部電極である. 第3図は上記ガス放電表示装置の従来の!I!l!造工
程の一部を示すフローチャートである.同図に示される
ように、従来は、ベースガラスとウィンドウガラスとが
シールガラスによりシールされ、放電室に希ガスを含む
表示用ガスと水銀が封入され(ステップ11)、アノー
ド電極とカソード電極の間に電圧が印加され、カソード
電極の表面の汚れを取り除く一次エージング工程がなさ
れる(ステップ12〉.次に、加熱処理により水銀を均
一に拡散させカソード電極表面に水銀粒子を均一に付着
させ(ステップ13)、その後、放電状態を安定化させ
るための二次エージングエ程がなされる〈ステップ14
〉. 〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、上記一次エージング工程は電極表面にイオン
粒子を衝突させることにより電極表面の汚れを除去する
働きを持ち、その後の水銀粒子の付着はカソード電極表
面におけるスパッタを防止する働きを持つ。
しかしながら、上記した従来の方法によると、封入され
るガスの種類や圧力によっては、一次エージング工程に
おける電極表面の汚れの除去が不充分な場合があり、水
銀をカソードN’fhの表面に均一に付着させることが
できないことがあった.この場合には、カソード電極に
おけるスパッタの発生を防止できず、製品寿命が短くな
るという問題があった. そこで、本発明は上記したような従来技術の課題を解決
するためになされたものであり、その目的とするところ
は、製品寿命を長くできるガス放電表示装置の製造方法
を提供することにある。
るガスの種類や圧力によっては、一次エージング工程に
おける電極表面の汚れの除去が不充分な場合があり、水
銀をカソードN’fhの表面に均一に付着させることが
できないことがあった.この場合には、カソード電極に
おけるスパッタの発生を防止できず、製品寿命が短くな
るという問題があった. そこで、本発明は上記したような従来技術の課題を解決
するためになされたものであり、その目的とするところ
は、製品寿命を長くできるガス放電表示装置の製造方法
を提供することにある。
本発明に係るガス放電表示装置のtM造方法は、アノー
ド電極を備えた基板とカソード電極を備えた基板との間
に形成され、その中で上記アノード電極と上記カソード
電極とを対向配置させる放電室内に希ガスを含むエージ
ング用のガスを封入し、上記アノード電極と上記カソー
ド電極間に所定の電圧を印加することにより予備エージ
ングを施す工程と、上記放電室に封入されたエージング
用のガスを箱ガスを含む表示用のガスと水銀に置換する
工程と、上記表示用のガス内にある上記アノード電極と
上記カソード電極間に所定の電圧を印加することにより
エージングを施す工程と、加熱することに上り上記水銀
を拡敗させて上記カソード電極の表向に水銀粒子を付着
させる工程とを有することを特徴としている。
ド電極を備えた基板とカソード電極を備えた基板との間
に形成され、その中で上記アノード電極と上記カソード
電極とを対向配置させる放電室内に希ガスを含むエージ
ング用のガスを封入し、上記アノード電極と上記カソー
ド電極間に所定の電圧を印加することにより予備エージ
ングを施す工程と、上記放電室に封入されたエージング
用のガスを箱ガスを含む表示用のガスと水銀に置換する
工程と、上記表示用のガス内にある上記アノード電極と
上記カソード電極間に所定の電圧を印加することにより
エージングを施す工程と、加熱することに上り上記水銀
を拡敗させて上記カソード電極の表向に水銀粒子を付着
させる工程とを有することを特徴としている。
本発明においては、放電室内にエージング用のガスを封
入して予備エージングを施した後に、エージング用のガ
スを表示用のガスと置換するので、エージング用のガス
として汚れ除去効果の高いもの《例えば、質量数の大き
な希ガスを含むガス〉を選択できる.このためカソード
電極表面の汚れを少なくでき、汚れにより水銀が付着で
きない部分が少なくなるので、カソード電極表面に水銀
粒子を均一にイ一I着できる。
入して予備エージングを施した後に、エージング用のガ
スを表示用のガスと置換するので、エージング用のガス
として汚れ除去効果の高いもの《例えば、質量数の大き
な希ガスを含むガス〉を選択できる.このためカソード
電極表面の汚れを少なくでき、汚れにより水銀が付着で
きない部分が少なくなるので、カソード電極表面に水銀
粒子を均一にイ一I着できる。
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する.
第1図は本発明に係るガス放電表示装置の製造方法の一
実施例を示すフローチャートである。尚、本実施例の製
造方法が適用されるガス放電表示装置の梢造は第2図の
ものと同一であるので、以下の説明においては第1図と
共に第2図をも参照する。
実施例を示すフローチャートである。尚、本実施例の製
造方法が適用されるガス放電表示装置の梢造は第2図の
ものと同一であるので、以下の説明においては第1図と
共に第2図をも参照する。
本実施例の製造方法においては、先ず、複数本のカソー
ド電極2と複数本の隔壁3とを備えたベースガラス1と
、複数本のアノード電極5を備えたウインドウガラス4
とを用意し、カソード電極2とアノード電極5とが対向
ずるようにベースガラス1とウィンドウガラス4とを重
ね合わせる.次に、重ね合わされたベースガラス1とウ
インドウガラス4の周囲をシールガラス6でシールして
、ベースガラス1とウィンドウガラス4との間に放電室
7を形成し、この放電室7内にエージング用のガス(N
e,Ar,Kr等のaガスをベースとしたガス)を封入
する(ステップ1).但し、この段階ではシールガラス
6によるシールを完全に施すのではなく、ガス封入用の
排気管《図示せず)の一部を残しておき、後に封入ガス
の置換を可能にしておく. 次に、アノード電極5とカソード電極2間に所定の電圧
を印加して放電させる予備エージングを行う《ステップ
2》.これは、この工程によりカソード電[!2表面に
イオンが衝突して、カソード電極2表面に付着している
汚れを取り除くことが可能だからである. 次に、排気管を用いて、エージング用ガスと予備エージ
ング時に発生した不純物ガスを加熱脱気し、表示用のガ
ス(He,Ne等の希ガスをベースガスとしたガス〉と
水銀を放電室7に封入し、排気管を除去する《ステップ
3). 次に、アノード電極5とカソード電極2間に所定の電圧
を印加して放電さぜる一次エージングを行う(ステップ
4). 次に、加熱処理により放電室7内で水銀を均一に拡散さ
せカソード電極2表面に水銀粒子を均一に付着させる(
ステップ5)。
ド電極2と複数本の隔壁3とを備えたベースガラス1と
、複数本のアノード電極5を備えたウインドウガラス4
とを用意し、カソード電極2とアノード電極5とが対向
ずるようにベースガラス1とウィンドウガラス4とを重
ね合わせる.次に、重ね合わされたベースガラス1とウ
インドウガラス4の周囲をシールガラス6でシールして
、ベースガラス1とウィンドウガラス4との間に放電室
7を形成し、この放電室7内にエージング用のガス(N
e,Ar,Kr等のaガスをベースとしたガス)を封入
する(ステップ1).但し、この段階ではシールガラス
6によるシールを完全に施すのではなく、ガス封入用の
排気管《図示せず)の一部を残しておき、後に封入ガス
の置換を可能にしておく. 次に、アノード電極5とカソード電極2間に所定の電圧
を印加して放電させる予備エージングを行う《ステップ
2》.これは、この工程によりカソード電[!2表面に
イオンが衝突して、カソード電極2表面に付着している
汚れを取り除くことが可能だからである. 次に、排気管を用いて、エージング用ガスと予備エージ
ング時に発生した不純物ガスを加熱脱気し、表示用のガ
ス(He,Ne等の希ガスをベースガスとしたガス〉と
水銀を放電室7に封入し、排気管を除去する《ステップ
3). 次に、アノード電極5とカソード電極2間に所定の電圧
を印加して放電さぜる一次エージングを行う(ステップ
4). 次に、加熱処理により放電室7内で水銀を均一に拡散さ
せカソード電極2表面に水銀粒子を均一に付着させる(
ステップ5)。
fif&に、放電状態を安定化させるための二次エージ
ング工程を行う(ステップ6)。
ング工程を行う(ステップ6)。
以上説明したように、本実施例においては、放電室7内
にエージング用のガスを封入して予備二一ジングを施し
た後に、エージング用のガスを表示用のガスと置換する
ので、エージング用のガスとして汚れ除去効果の高いも
のを選択できる.このためカソード電極2表面の汚れを
ほとんどなくすることができ、汚れにより水銀が付着で
きない部分がほとんどなくなるので、カソード電極2表
面に水銀粒子を均一に付着させることができる.この結
果、カソードZ4f!2におけるスパッタの発生が少な
くなり、製品寿命が向上する.また、製品寿命の向上は
試験によっても確認されている.試験によると、初めか
らHeをベースガスとする表示用ガスを封入した従来の
場合には表示不艮が短時間で発生したが、Neをベース
ガスとしたエージング用ガスを使用し250V程度で予
備エージングを施した場合には表示不良が生じず製品寿
命が長いことが確認された。
にエージング用のガスを封入して予備二一ジングを施し
た後に、エージング用のガスを表示用のガスと置換する
ので、エージング用のガスとして汚れ除去効果の高いも
のを選択できる.このためカソード電極2表面の汚れを
ほとんどなくすることができ、汚れにより水銀が付着で
きない部分がほとんどなくなるので、カソード電極2表
面に水銀粒子を均一に付着させることができる.この結
果、カソードZ4f!2におけるスパッタの発生が少な
くなり、製品寿命が向上する.また、製品寿命の向上は
試験によっても確認されている.試験によると、初めか
らHeをベースガスとする表示用ガスを封入した従来の
場合には表示不艮が短時間で発生したが、Neをベース
ガスとしたエージング用ガスを使用し250V程度で予
備エージングを施した場合には表示不良が生じず製品寿
命が長いことが確認された。
Heをベースガスとしたエージング用ガスを使用し放電
電圧260V程度で予備エージングを施した場合にも同
様に製品寿命の向上が確認された.さらに、Arをベー
スガスとしたエージング用ガスとした場合.及びKrを
ベースガスとしたエージング用ガスとした場合にも同様
な予備エージングの効果が確認された。ここで、予備エ
ージングの効果(冫りれの除去効率)は希ガスの質量が
大きい方が大きい. 尚、上記実施例においては予備エージング後に一次エー
ジンダ、水銀拡散、二次エージングの順に処理を施した
場合について説明したが、本発明はこれには限定されず
、予備エージング後に水銀拡散工程を行なう限り同様な
効果が得られる.〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、汚れ除去効果の
高いエージング用ガスで予備エージングを施すのでカソ
ード電極表面の汚れをほとんどなくずることができる、
カソード電極表面に水銀粒子をカーに付着させることが
できる.よって、カソード電極におけるスパッタの発生
が少なくなり、製品寿命を向上させることができるとい
う効果がある。
電圧260V程度で予備エージングを施した場合にも同
様に製品寿命の向上が確認された.さらに、Arをベー
スガスとしたエージング用ガスとした場合.及びKrを
ベースガスとしたエージング用ガスとした場合にも同様
な予備エージングの効果が確認された。ここで、予備エ
ージングの効果(冫りれの除去効率)は希ガスの質量が
大きい方が大きい. 尚、上記実施例においては予備エージング後に一次エー
ジンダ、水銀拡散、二次エージングの順に処理を施した
場合について説明したが、本発明はこれには限定されず
、予備エージング後に水銀拡散工程を行なう限り同様な
効果が得られる.〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、汚れ除去効果の
高いエージング用ガスで予備エージングを施すのでカソ
ード電極表面の汚れをほとんどなくずることができる、
カソード電極表面に水銀粒子をカーに付着させることが
できる.よって、カソード電極におけるスパッタの発生
が少なくなり、製品寿命を向上させることができるとい
う効果がある。
第1図は本発明に係るガス放電表示装置の製造方法の一
実施例を示すフローチャート、第2図はガス放電表示装
置の内部構造を示す斜視図、 第3図は従来のガス放電表示装置の’l!遣方法の一部
を示すフローチャートである.
実施例を示すフローチャート、第2図はガス放電表示装
置の内部構造を示す斜視図、 第3図は従来のガス放電表示装置の’l!遣方法の一部
を示すフローチャートである.
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アノード電極を備えた基板とカソード電極を備えた基板
との間に形成され、その中で上記アノード電極と上記カ
ソード電極とを対向配置させる放電室内に希ガスを含む
エージング用のガスを封入し、上記アノード電極と上記
カソード電極間に所定の電圧を印加することにより予備
エージングを施す工程と、 上記放電室に封入されたエージング用のガスを希ガスを
含む表示用のガスと水銀に置換する工程と、 上記表示用のガス内にある上記アノード電極と上記カソ
ード電極間に所定の電圧を印加することによりエージン
グを施す工程と、 加熱することにより上記水銀を拡散させて上記カソード
電極の表面に水銀粒子を付着させる工程とを有すること
を特徴とするガス放電表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23930689A JPH03102738A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | ガス放電表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23930689A JPH03102738A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | ガス放電表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102738A true JPH03102738A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17042757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23930689A Pending JPH03102738A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | ガス放電表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03102738A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864570B2 (en) | 1993-12-17 | 2005-03-08 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| US7510082B2 (en) | 2004-05-19 | 2009-03-31 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Wafer storage container |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP23930689A patent/JPH03102738A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864570B2 (en) | 1993-12-17 | 2005-03-08 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| US7510082B2 (en) | 2004-05-19 | 2009-03-31 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Wafer storage container |
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