JPH03103385A - セラミックスのメタライズ方法、ならびにセラミックスと金属の接合方法 - Google Patents
セラミックスのメタライズ方法、ならびにセラミックスと金属の接合方法Info
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- JPH03103385A JPH03103385A JP24026389A JP24026389A JPH03103385A JP H03103385 A JPH03103385 A JP H03103385A JP 24026389 A JP24026389 A JP 24026389A JP 24026389 A JP24026389 A JP 24026389A JP H03103385 A JPH03103385 A JP H03103385A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はセラミックスのメタライズ方法に関し、特に活
性金属を利用する前記メタライズ方法の改良に関する。
性金属を利用する前記メタライズ方法の改良に関する。
(従来の技術)
セラミックス材料の耐摩耗性、耐熱性等に優れた特性を
積極的に利用する試みが活発に行われるようになってき
た。しかしながらセラミックスは前記優れた特性を持つ
反面、靭性に乏しいという欠点を有している他、高価で
あるため前記セラミックスを構造材として使用する場合
、高い靭性を持つ金属材料と複合化させ、セラミックス
の特性を要求される部分のみにセラミックスを使用する
ことが多く行われている。
積極的に利用する試みが活発に行われるようになってき
た。しかしながらセラミックスは前記優れた特性を持つ
反面、靭性に乏しいという欠点を有している他、高価で
あるため前記セラミックスを構造材として使用する場合
、高い靭性を持つ金属材料と複合化させ、セラミックス
の特性を要求される部分のみにセラミックスを使用する
ことが多く行われている。
前記複合化の方法としては、セラミックスを金属材料に
接合して行うことが一般的であり、従来より種々の技術
が開発されている。たとえば、特開昭60 − 188
185号公報や、特開昭82 − 217533号公報
には、活性金属を含むAg−Cuろう材をセラミックス
と金属の間に介在させ直接加熱してセラミックスと金属
を接合し、接合体とする方法が開示されている。
接合して行うことが一般的であり、従来より種々の技術
が開発されている。たとえば、特開昭60 − 188
185号公報や、特開昭82 − 217533号公報
には、活性金属を含むAg−Cuろう材をセラミックス
と金属の間に介在させ直接加熱してセラミックスと金属
を接合し、接合体とする方法が開示されている。
また、セラミックスは金属と濡れ難い性質を有するため
、セラミックスと金属を接合するにあたり、メタライズ
とろう付けを同時に行うと接合界面に気泡状の非接合部
を形成したり、セラミックスのメタライズ反応が十分行
われていない部分を内包した状態がしばしば発生し、セ
ラミックスと金属接合体の接合強度が大きくばらつき、
接合体の信頼性の向上を阻害する要因になっていた。
、セラミックスと金属を接合するにあたり、メタライズ
とろう付けを同時に行うと接合界面に気泡状の非接合部
を形成したり、セラミックスのメタライズ反応が十分行
われていない部分を内包した状態がしばしば発生し、セ
ラミックスと金属接合体の接合強度が大きくばらつき、
接合体の信頼性の向上を阻害する要因になっていた。
こうした問題を解決する手段として予めセラミックスの
表面にTi, Zrの金属粉末あるいはその混合粉末
を塗布しその上に板ろう材を載置して真空中で加熱して
セラミックスの表面にメタライズ処理層を形或させ、メ
タライズが完全に施されていることを確認した後ろう付
けする方法が、例えば特開昭83 − 139088号
公報に開示されている。
表面にTi, Zrの金属粉末あるいはその混合粉末
を塗布しその上に板ろう材を載置して真空中で加熱して
セラミックスの表面にメタライズ処理層を形或させ、メ
タライズが完全に施されていることを確認した後ろう付
けする方法が、例えば特開昭83 − 139088号
公報に開示されている。
これら方法の他、予めT1等の活性金属を含むAg−
Cu系金属粉末を使用してメタライズする方法等も多く
提案されている。これらの従来方法でメタライズされた
セラミックスの、金属とのろう付け接合体は通常の常温
状態での使用には支障のない接合強度にまで達しつつあ
る。
Cu系金属粉末を使用してメタライズする方法等も多く
提案されている。これらの従来方法でメタライズされた
セラミックスの、金属とのろう付け接合体は通常の常温
状態での使用には支障のない接合強度にまで達しつつあ
る。
しかしながら近年、セラミックスと金属の接合体を設計
する上で、より高い接合強度が要求される場合が多くな
ってきており、加えて、前記接合体を高温下で使用する
ケース、高温の使用状態と室温との間の熱サイクルを受
ける環境下で使用されるケースが多くなっており、前述
した従来方法でメタライズした接合体ではこうした過酷
な要求を十分満足させることができなかった。而して前
述した従来のセラミックスのメタライズ方法より更に熱
間接合強度や耐熱サイクル性に優れたメタライズ方法の
開発が望まれていた。
する上で、より高い接合強度が要求される場合が多くな
ってきており、加えて、前記接合体を高温下で使用する
ケース、高温の使用状態と室温との間の熱サイクルを受
ける環境下で使用されるケースが多くなっており、前述
した従来方法でメタライズした接合体ではこうした過酷
な要求を十分満足させることができなかった。而して前
述した従来のセラミックスのメタライズ方法より更に熱
間接合強度や耐熱サイクル性に優れたメタライズ方法の
開発が望まれていた。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、活性金属、特にTiを含むAg −Cu系金
属粉、或いはその合金粉末でセラミックスをメタライズ
する方法において、前述した従来のメタライズ方法の問
題点の抜本的な解決を図り、常温接合強度だけでなく熱
間強度特性にも優れたセラミックスのメタライズ方法、
並びにこのようにメタライズされたセラミックスと金属
との接合方法を提供することをその課題とするものであ
る。
属粉、或いはその合金粉末でセラミックスをメタライズ
する方法において、前述した従来のメタライズ方法の問
題点の抜本的な解決を図り、常温接合強度だけでなく熱
間強度特性にも優れたセラミックスのメタライズ方法、
並びにこのようにメタライズされたセラミックスと金属
との接合方法を提供することをその課題とするものであ
る。
(課題を解決するための手段)
前記課題を解決する本発明は、
セラミックス表面にAg− Cu− Ti系金属による
メタライズ処理を施し、メタライズ層を形成した後、前
記メタライズ層にNi金属を接触せしめ、真空、或いは
不活性ガス雰囲気中、650〜900℃の温度で加熱処
理し、前記メタライズ層内にNiを拡散させることを特
徴とするものである。
メタライズ処理を施し、メタライズ層を形成した後、前
記メタライズ層にNi金属を接触せしめ、真空、或いは
不活性ガス雰囲気中、650〜900℃の温度で加熱処
理し、前記メタライズ層内にNiを拡散させることを特
徴とするものである。
また、前記Ni金属がメタライズ層表面に施されたNi
メッキであることを他の特徴とするものである。
メッキであることを他の特徴とするものである。
さらにまた、セラミックス表面にAg− Cu−Ti系
金属によるメタライズ処理を施しメタライズ層を形或し
た後、該セラミックスを金属に接合するにあたり、前記
メタライズ層と金属間に、上下にろう材が貼着され、さ
らに前記メタライズ層と接する表面にNiメッキ層を有
する熱応力緩衝材を介在せしめ、しかる後真空、或いは
不活性ガス雰囲気中、650〜900℃の温度で、IO
分以上加熱することにより前記セラミックスと金属とを
接合することを他の特徴とするものである。
金属によるメタライズ処理を施しメタライズ層を形或し
た後、該セラミックスを金属に接合するにあたり、前記
メタライズ層と金属間に、上下にろう材が貼着され、さ
らに前記メタライズ層と接する表面にNiメッキ層を有
する熱応力緩衝材を介在せしめ、しかる後真空、或いは
不活性ガス雰囲気中、650〜900℃の温度で、IO
分以上加熱することにより前記セラミックスと金属とを
接合することを他の特徴とするものである。
以下、本発明の具体的な構成を詳細に説明する。
第1図は、本発明の基本構成を示す断面構造図である。
図において1はセラミックスであり、2は前記セラミッ
クス1の表面に形或されたメタライズ層、3はNi金属
である。
クス1の表面に形或されたメタライズ層、3はNi金属
である。
本発明においては、まずセラミックス1の表面に、Ag
− Cu−Ti系金属、例えばAg71%、Cu27%
、Ti 2%の配合組成の合金粉末を塗布し、850℃
の真空中で30分間、加熱処理するなどしてメタライズ
処理を施し、メタライズ層2を形成する。このメタライ
ズ処理は活性金属メタライズ法として従来より知られて
いる方法であり、AI2 03,Zr02などの酸化物
系セラミックス、st3N4,AjlN,BN等の窒化
物系セラミックス、SiC等の炭化物系セラミックス等
に適用できる。
− Cu−Ti系金属、例えばAg71%、Cu27%
、Ti 2%の配合組成の合金粉末を塗布し、850℃
の真空中で30分間、加熱処理するなどしてメタライズ
処理を施し、メタライズ層2を形成する。このメタライ
ズ処理は活性金属メタライズ法として従来より知られて
いる方法であり、AI2 03,Zr02などの酸化物
系セラミックス、st3N4,AjlN,BN等の窒化
物系セラミックス、SiC等の炭化物系セラミックス等
に適用できる。
前記メタライズ層2が形成されたら、そのメタライズ層
2にNI金属3を接触せしめ、真空、或いは不活性ガス
雰囲気中で、しかも650〜900℃の温度範囲で、加
熱処理する。この加熱処理によって前記Ni金属3は、
前記メタライズ層2内に拡散・浸透する。この結果メタ
ライズ層2は接合強度や熱サイクル性等の熱間強度特性
に優れたものとなる。
2にNI金属3を接触せしめ、真空、或いは不活性ガス
雰囲気中で、しかも650〜900℃の温度範囲で、加
熱処理する。この加熱処理によって前記Ni金属3は、
前記メタライズ層2内に拡散・浸透する。この結果メタ
ライズ層2は接合強度や熱サイクル性等の熱間強度特性
に優れたものとなる。
本発明におけるNi金属3は、後述する熱応力緩衝材と
して機能するのではなく、前述したメタライズ層2と接
して加熱処理され、メタライズ層2自体の接合強度を高
くし、しかも熱間特性に優れたメタライズ層組織に改質
することを目的とするものである。そのため熱応力緩衝
材のような厚い板である必要はなく、数坤の厚みでかつ
メタライズ層2の全面を必ずしも被覆する必要がない。
して機能するのではなく、前述したメタライズ層2と接
して加熱処理され、メタライズ層2自体の接合強度を高
くし、しかも熱間特性に優れたメタライズ層組織に改質
することを目的とするものである。そのため熱応力緩衝
材のような厚い板である必要はなく、数坤の厚みでかつ
メタライズ層2の全面を必ずしも被覆する必要がない。
従って、本発明ではメタライズ層2に接触させるNi金
属は種々の形状のもの、例えば、箔状、板状或いは粉末
状のNi金属が使用でき、加熱処理方法に最も適した形
状のものを選択してメタライズ層2に接触させて加熱処
理すればよい。しかし、熱処理後のメタライズ層2に接
触させたNi金属3が完全に密着していないと以後のろ
う付け工程で完全なろう付けが不可能となるので、メタ
ライズ層表面に、数一程度の厚みのNiメッキを施し、
しかる後、加熱処理する方法がメタライズの作業性やメ
タライズ層の改質反応の面から効果的である。
属は種々の形状のもの、例えば、箔状、板状或いは粉末
状のNi金属が使用でき、加熱処理方法に最も適した形
状のものを選択してメタライズ層2に接触させて加熱処
理すればよい。しかし、熱処理後のメタライズ層2に接
触させたNi金属3が完全に密着していないと以後のろ
う付け工程で完全なろう付けが不可能となるので、メタ
ライズ層表面に、数一程度の厚みのNiメッキを施し、
しかる後、加熱処理する方法がメタライズの作業性やメ
タライズ層の改質反応の面から効果的である。
また、加熱処理は、前述したように真空中あるいは不活
性ガス中で850℃以上900℃以下の温度範囲で行わ
れる。このように加熱処理条件に制約を設けている理由
は、真空あるいは不活性ガス雰囲気以外ではメタライズ
層2が酸化して以後のろう付け工程に支障をきたすため
であり、650℃以下の温度ではNi金属の拡散があま
り進行せずメタライズ層2の前述した改質が進まないた
めである。逆に上限の900℃を越えると予め施してあ
る活性金属によるメタライズ層2から金属成分が蒸発し
、メタライズ層2の組織が変化し、後工程での金属との
良好な接合体が得られなくなる。加熱処理時間は特に限
定するものではないが、あまり短いとNi金属3の拡散
が進行せず、メタライズ層2の改質が進まない。本発明
者らの経験では約lO分程度の処理時間があれば充分で
あった。
性ガス中で850℃以上900℃以下の温度範囲で行わ
れる。このように加熱処理条件に制約を設けている理由
は、真空あるいは不活性ガス雰囲気以外ではメタライズ
層2が酸化して以後のろう付け工程に支障をきたすため
であり、650℃以下の温度ではNi金属の拡散があま
り進行せずメタライズ層2の前述した改質が進まないた
めである。逆に上限の900℃を越えると予め施してあ
る活性金属によるメタライズ層2から金属成分が蒸発し
、メタライズ層2の組織が変化し、後工程での金属との
良好な接合体が得られなくなる。加熱処理時間は特に限
定するものではないが、あまり短いとNi金属3の拡散
が進行せず、メタライズ層2の改質が進まない。本発明
者らの経験では約lO分程度の処理時間があれば充分で
あった。
Ni金属を接触させての加熱処理は、前述したようにN
iをメタライズ層2内に拡散させ、メタライズ層組織の
改質を図ることを目的とするものであり、この目的は金
属とのろう付けと並行して実施することでも違戊するこ
とが可能である。
iをメタライズ層2内に拡散させ、メタライズ層組織の
改質を図ることを目的とするものであり、この目的は金
属とのろう付けと並行して実施することでも違戊するこ
とが可能である。
即ち、メタライズ層を形威したセラミックスと金属を接
合するにあたり、例えば周知の炉中ろう付け時に、前記
金属とセラミックスのメタライズ面の間にNi板、また
はNI箔あるいはNi粉末等のNf金属を配してろう付
けを行うことにより、メタライズ層内にNiを拡散・浸
透させつつろう付け接合を同時に実施することが可能で
ある。
合するにあたり、例えば周知の炉中ろう付け時に、前記
金属とセラミックスのメタライズ面の間にNi板、また
はNI箔あるいはNi粉末等のNf金属を配してろう付
けを行うことにより、メタライズ層内にNiを拡散・浸
透させつつろう付け接合を同時に実施することが可能で
ある。
第2図は、本発明に基づいて製造されたセラミックスと
金属との接合体の一例を示す断面図である。
金属との接合体の一例を示す断面図である。
図において5が金属であり、この金属5とメタライズ層
2が形成されたセラミックス1との間には、例えば銀ろ
う等のろう材6 a.. 6 bにサンドイッチされた
熱応力緩衝材4が介在されている。
2が形成されたセラミックス1との間には、例えば銀ろ
う等のろう材6 a.. 6 bにサンドイッチされた
熱応力緩衝材4が介在されている。
この熱応力緩衝材4は、0.5〜1.0+am程度の厚
さの銅板等で構或されでおり、少なくとも前記メタライ
ズ層2に接する側の表面にNiメッキ層3aが形成され
ている。而して第2図に示されるように金属5上に、ろ
う材6b,Niメッキ層3aが形成された熱応力緩衝材
4、ろう材6a,およびメタライズ層2を有するセラミ
ックス1が順次積層し、次いでこの状態で、真空、或い
は不活性ガス雰囲気の炉中等で、650〜900℃の温
度で加熱することによってメタライズ層2内にNiを拡
散・浸透させつつろう付け接合を同時に実施することが
できる。
さの銅板等で構或されでおり、少なくとも前記メタライ
ズ層2に接する側の表面にNiメッキ層3aが形成され
ている。而して第2図に示されるように金属5上に、ろ
う材6b,Niメッキ層3aが形成された熱応力緩衝材
4、ろう材6a,およびメタライズ層2を有するセラミ
ックス1が順次積層し、次いでこの状態で、真空、或い
は不活性ガス雰囲気の炉中等で、650〜900℃の温
度で加熱することによってメタライズ層2内にNiを拡
散・浸透させつつろう付け接合を同時に実施することが
できる。
尚、前記第2図の例では、熱応力緩衝材4にNi金属を
メッキ層として介在させたが、ろう材6aにNiメッキ
層を形成すること、或いはメタライズ層2と熱応力緩衝
材4の間にNi金属箔や、Ni金属板等を介在させるこ
とでも同様な効果が得られる。
メッキ層として介在させたが、ろう材6aにNiメッキ
層を形成すること、或いはメタライズ層2と熱応力緩衝
材4の間にNi金属箔や、Ni金属板等を介在させるこ
とでも同様な効果が得られる。
本発明において活性金属によるメタライズ処理と、メタ
ライズ層表面にNi金属を接触させての加熱処理とを2
段階に分けて実施するのは、予めNi金属を活性金属を
含むAg−Cu系金属と一緒にメタライズ処理を行った
場合に生じる問題、つまりNiがTiと選択的に合金相
を形成してセラミックスと接合能を発揮するに必要なT
iを消費しその結果接合強度を低下させることを防止す
るためである。
ライズ層表面にNi金属を接触させての加熱処理とを2
段階に分けて実施するのは、予めNi金属を活性金属を
含むAg−Cu系金属と一緒にメタライズ処理を行った
場合に生じる問題、つまりNiがTiと選択的に合金相
を形成してセラミックスと接合能を発揮するに必要なT
iを消費しその結果接合強度を低下させることを防止す
るためである。
(作 用)
前述したような問題を有する活性金属によるメタライズ
方法において、本発明は、予めセラミックス表面に、A
g− Cu− Ti系金属によるメタライズ処理を施し
、メタライズ層を形威した後、このメタライズ層にNi
金属を接触させて加熱処理を行うだけの簡単な操作でメ
タライズ層中のTiの賦存状態を著しく変化させること
により常温接合強度だけでなく、熱間接合強度が高く、
耐熱サイクル性に優れたメタライズ層を形成させること
に成功したものである。
方法において、本発明は、予めセラミックス表面に、A
g− Cu− Ti系金属によるメタライズ処理を施し
、メタライズ層を形威した後、このメタライズ層にNi
金属を接触させて加熱処理を行うだけの簡単な操作でメ
タライズ層中のTiの賦存状態を著しく変化させること
により常温接合強度だけでなく、熱間接合強度が高く、
耐熱サイクル性に優れたメタライズ層を形成させること
に成功したものである。
(実 施 例)
実施例 1
純度92%のAjl’20iセラミックス(20X20
X4 *ta t )の表面に、Ti5vt%を含むB
Ag−8相当組成の混合金属粉末(− 325a+es
h)をスクリーンオイルで混練して調製したペーストを
100a+eshのスクリーンで、1[10mg印刷塗
布し、真空乾燥した後、10〜’Torr. 840℃
の真空炉中で30分間、加熱処理してメタライズ処理を
施した。このメタライズ層表面に、スクリーンオイルで
混練して調製したNi金属粉末ペースト25mgを、3
00seshのスクリーンで印刷、塗布し、真空乾燥さ
せた後、840℃のArガス雰囲気炉中で30分間加熱
処理を行った。
X4 *ta t )の表面に、Ti5vt%を含むB
Ag−8相当組成の混合金属粉末(− 325a+es
h)をスクリーンオイルで混練して調製したペーストを
100a+eshのスクリーンで、1[10mg印刷塗
布し、真空乾燥した後、10〜’Torr. 840℃
の真空炉中で30分間、加熱処理してメタライズ処理を
施した。このメタライズ層表面に、スクリーンオイルで
混練して調製したNi金属粉末ペースト25mgを、3
00seshのスクリーンで印刷、塗布し、真空乾燥さ
せた後、840℃のArガス雰囲気炉中で30分間加熱
処理を行った。
塗布したNi金属粉末がメタライズ層と一体化したこと
を確認した後、このセラミックスの前記メタライズ層と
SS41jM片の間に、銅熱応力緩衝材(20x 20
x O.5 t )の上下にBAg−8の板ろうを介し
て積層し850℃のArガス雰囲気炉中で、30分間、
加熱してろう付けした。このようにしてろう付けした接
合体と、前述したNi金属粉末ペーストの塗布、および
その後の工程を行わない従来の活性金属法でメタライズ
したセラミックスを同一条件でろう付けした比較接合体
との熱間特性を調査した。
を確認した後、このセラミックスの前記メタライズ層と
SS41jM片の間に、銅熱応力緩衝材(20x 20
x O.5 t )の上下にBAg−8の板ろうを介し
て積層し850℃のArガス雰囲気炉中で、30分間、
加熱してろう付けした。このようにしてろう付けした接
合体と、前述したNi金属粉末ペーストの塗布、および
その後の工程を行わない従来の活性金属法でメタライズ
したセラミックスを同一条件でろう付けした比較接合体
との熱間特性を調査した。
第3図は、その調査結果の一例であり、●が本発明によ
るセラミックスと金属との接合体の熱間接合強度を、O
が比較材の熱間接合強度を示すものである。この第3図
から明らかなように、本発明に基づく接合体の常温接合
強度は、比較材の常温接合強度98MPaよりも約1.
5倍高い148MPaの接合強度が得られ、熱間でも著
しく高い接合強度を示している。更に、この接合体を室
温と400℃の間で100回熱サイクルテストを行った
後、接合強度を比較したところ本発明の接合体には接合
強度の低下はほとんど観察されなかったが、比較材では
テスト前の強度の1/2に低下し、本発明が常温接合強
度のみならず熱間接合強度や耐熱サイクル特性に優れた
メタライズ方法であることが確認できた。
るセラミックスと金属との接合体の熱間接合強度を、O
が比較材の熱間接合強度を示すものである。この第3図
から明らかなように、本発明に基づく接合体の常温接合
強度は、比較材の常温接合強度98MPaよりも約1.
5倍高い148MPaの接合強度が得られ、熱間でも著
しく高い接合強度を示している。更に、この接合体を室
温と400℃の間で100回熱サイクルテストを行った
後、接合強度を比較したところ本発明の接合体には接合
強度の低下はほとんど観察されなかったが、比較材では
テスト前の強度の1/2に低下し、本発明が常温接合強
度のみならず熱間接合強度や耐熱サイクル特性に優れた
メタライズ方法であることが確認できた。
実施例 2
実施例1と同じ条件でメタライズ処理を施したセラミッ
クスを、前述した第2図に示すように予め3pの厚みの
Niメッキを施した銅熱応力緩衝材(20X20xO.
5t)の上下間にBAg−8の板ろうを介して、SS4
1鋼片に積層し840℃のA『ガス気流の炉中に挿入し
て30分間、加熱してろう付けした。並行して、同じ条
件で、Niメッキを施していないCu緩衝材を使用して
製作した接合体を比較材として熱間特性を比較した。得
られた接合体の強度特性は、前記実施例1で製造した本
発明に基づく接合体の特性と殆ど同じであった。
クスを、前述した第2図に示すように予め3pの厚みの
Niメッキを施した銅熱応力緩衝材(20X20xO.
5t)の上下間にBAg−8の板ろうを介して、SS4
1鋼片に積層し840℃のA『ガス気流の炉中に挿入し
て30分間、加熱してろう付けした。並行して、同じ条
件で、Niメッキを施していないCu緩衝材を使用して
製作した接合体を比較材として熱間特性を比較した。得
られた接合体の強度特性は、前記実施例1で製造した本
発明に基づく接合体の特性と殆ど同じであった。
実施例 3
St,N.セラミックス(20x20x4關t)の表面
に、実施例1の仕様と同じT15wt%を含むBAg−
8相当組戊の混合金属粉末ペーストをスクリーン印刷し
、真空乾燥した後、10””Torr,850℃の真空
炉中で30mIn加熱処理してメタライズ処理した。冷
却後、炉外に取り出したSi3N4セラミックスをNi
無電解メッキ液に投入して、メタライズ層表面に約3坤
厚みのNiメッキを施し、再度850℃の真空炉中で3
0min加熱処理した。
に、実施例1の仕様と同じT15wt%を含むBAg−
8相当組戊の混合金属粉末ペーストをスクリーン印刷し
、真空乾燥した後、10””Torr,850℃の真空
炉中で30mIn加熱処理してメタライズ処理した。冷
却後、炉外に取り出したSi3N4セラミックスをNi
無電解メッキ液に投入して、メタライズ層表面に約3坤
厚みのNiメッキを施し、再度850℃の真空炉中で3
0min加熱処理した。
こうしてメタライズしたセラミックスを銅熱応力緩衝材
(20X20X0.5t)の上下にBAg−1の板ろう
材を挿入しSS41鋼片上に積層させセラミックスの無
処理面より高周波加熱コイルを接近させ、大気中で約3
0秒加熱してろう付けを行った。
(20X20X0.5t)の上下にBAg−1の板ろう
材を挿入しSS41鋼片上に積層させセラミックスの無
処理面より高周波加熱コイルを接近させ、大気中で約3
0秒加熱してろう付けを行った。
並行して同じ条件で製作したNiメッキなしメタライズ
セラミックスの接合体の接合強度を比較した。本発明の
接合体の常温接合強度は125MPaであり、比較材の
接合強度は72MPaより著しく高かった。また、この
接合体を室温と450℃の間で50回熱サイクルテスト
を行った後、その接合強度を比較したところ本発明の接
合体の接合強度は75MPaまで低下したが、比較材で
はテスト中にほとんどの接合体が破壊し強度測定ができ
ず、本発明の有用性が確認された。
セラミックスの接合体の接合強度を比較した。本発明の
接合体の常温接合強度は125MPaであり、比較材の
接合強度は72MPaより著しく高かった。また、この
接合体を室温と450℃の間で50回熱サイクルテスト
を行った後、その接合強度を比較したところ本発明の接
合体の接合強度は75MPaまで低下したが、比較材で
はテスト中にほとんどの接合体が破壊し強度測定ができ
ず、本発明の有用性が確認された。
(発明の効果)
本発明によれば、T1等の活性金属を用いてセラミック
スをメタライズする方法において、活性金属メタライズ
層にNi金属を介在させて加熱処理するだけの簡単な工
程で常温接合強度や熱間強度が高く、かつ耐熱サイクル
性に優れたメタライズセラミックスならびにセラミック
ス金属接合体を得ることができ工業的に有用である。
スをメタライズする方法において、活性金属メタライズ
層にNi金属を介在させて加熱処理するだけの簡単な工
程で常温接合強度や熱間強度が高く、かつ耐熱サイクル
性に優れたメタライズセラミックスならびにセラミック
ス金属接合体を得ることができ工業的に有用である。
第1図は、本発明の基本構或を示す断面構造図、第2図
は、本発明に基づいて製造されたセラミックスと金属と
の接合体の一例を示す断面図である。 第3図は、本発明に基づく接合体と比較材の熱間強度の
調査結果の一例を示す図表である。 1:セラミックス 3:Ni金属 4:熱応力緩衝材 6a,6b:ろう材 2:メタライズ層 3a:Niメッキ層 5:金属
は、本発明に基づいて製造されたセラミックスと金属と
の接合体の一例を示す断面図である。 第3図は、本発明に基づく接合体と比較材の熱間強度の
調査結果の一例を示す図表である。 1:セラミックス 3:Ni金属 4:熱応力緩衝材 6a,6b:ろう材 2:メタライズ層 3a:Niメッキ層 5:金属
Claims (3)
- (1)セラミックス表面にAg−Cu−Ti系金属によ
るメタライズ処理を施し、メタライズ層を形成した後、
前記メタライズ層にNi金属を接触せしめ、真空、或い
は不活性ガス雰囲気中、650〜900℃の温度で加熱
処理し、前記メタライズ層内にNiを拡散させることを
特徴とするセラミックスのメタライズ方法。 - (2)Ni金属がメタライズ層表面に施されたNiメッ
キであることを特徴とする請求項第1項記載のメタライ
ズ方法。 - (3)セラミックス表面にAg−Cu−Ti系金属によ
るメタライズ処理を施しメタライズ層を形成した後、該
セラミックスを金属に接合するにあたり、前記メタライ
ズ層と金属間に、上下にろう材が貼着され、さらに前記
メタライズ層と接する表面にNiメッキ層を有する熱応
力緩衝材を介在せしめ、しかる後真空、或いは不活性ガ
ス雰囲気中、850〜900℃の温度で、10分以上加
熱し接合することを特徴とするセラミックスと金属の接
合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24026389A JPH03103385A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | セラミックスのメタライズ方法、ならびにセラミックスと金属の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24026389A JPH03103385A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | セラミックスのメタライズ方法、ならびにセラミックスと金属の接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03103385A true JPH03103385A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17056896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24026389A Pending JPH03103385A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | セラミックスのメタライズ方法、ならびにセラミックスと金属の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03103385A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04238875A (ja) * | 1990-04-12 | 1992-08-26 | E I Du Pont De Nemours & Co | メタライズされた構成要素をセラミツク基板にろう付けする方法 |
| WO2004092785A2 (en) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Litton Systems, Inc. | Bonding method for microchannel plates |
| US8994482B2 (en) | 2011-05-19 | 2015-03-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electromagnetic contactor |
| CN105057919A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-11-18 | 江苏科技大学 | 用于Si3N4陶瓷表面金属化的材料和制备方法及钎焊工艺 |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP24026389A patent/JPH03103385A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04238875A (ja) * | 1990-04-12 | 1992-08-26 | E I Du Pont De Nemours & Co | メタライズされた構成要素をセラミツク基板にろう付けする方法 |
| WO2004092785A2 (en) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Litton Systems, Inc. | Bonding method for microchannel plates |
| EP1613448A4 (en) * | 2003-03-31 | 2008-09-10 | Litton Systems Inc | CONNECTION METHOD FOR MICRO-CHANNEL PLATES |
| US8994482B2 (en) | 2011-05-19 | 2015-03-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electromagnetic contactor |
| CN105057919A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-11-18 | 江苏科技大学 | 用于Si3N4陶瓷表面金属化的材料和制备方法及钎焊工艺 |
| CN105057919B (zh) * | 2015-09-16 | 2017-04-05 | 江苏科技大学 | 用于Si3N4陶瓷表面金属化的材料和制备方法及钎焊工艺 |
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