JPH03105486A - プログラマブル入出力回路を内蔵したロジックlsi - Google Patents

プログラマブル入出力回路を内蔵したロジックlsi

Info

Publication number
JPH03105486A
JPH03105486A JP1241952A JP24195289A JPH03105486A JP H03105486 A JPH03105486 A JP H03105486A JP 1241952 A JP1241952 A JP 1241952A JP 24195289 A JP24195289 A JP 24195289A JP H03105486 A JPH03105486 A JP H03105486A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
output circuit
output
eeprom
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1241952A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruo Kojima
治雄 小嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1241952A priority Critical patent/JPH03105486A/ja
Publication of JPH03105486A publication Critical patent/JPH03105486A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Microcomputers (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は,回路形式をユーザが自由に切替え可能なプロ
グラマブル入出力回路を内蔵したロジックLSIに関す
る. 〔従来の技術〕 従来の装置は,特開昭61−134997号公報に記載
のように電気的にプログラム可能な記憶素子を具備する
チップイネーブル端子制御回路のみのものであり、デー
タ等の入出力制御回路についても電気的にプログラム可
能となっているものでない.また,文献rマイクロコン
ピュータの事典」 (朝倉書店出版)に記載のように、
PLA等は、ANDアレイとORアレイから成るプログ
ラマブル交点アレイに電気的にプログラム可能な記憶素
子を組み入れたものであり、本発明でみられる,入力回
路部、出力回路部、プルアップ抵抗部の各論理ブロック
とLSIの外部インタフェース用端子の接続に、AND
アレイとORアレイから成るプログラマブル交点アレイ
を使用していない.〔発明が解決しようとする課題〕 従来のマイクロコンピュータ等のロジックLSIにおい
ては、アルミマスタスライス方式を用いて.LSIを製
造する段階で,ハードウェアの変更により入出力回路形
式を、ユーザの要求に合せて、入力専用、入出力兼用、
出力専用端子の3種の形式に切替えて製造していた.従
って、ユーザ側が一度入出力回路形式を決めた後,入出
力回路形式を変更する為には、再びLSIを製造し直さ
なければならず,多額の費用や時間を要する問題があっ
た. 本発明の目的は、EPROMやEEPROMをロジック
LSIの入出力回路に具備し、入出力回路形式をプログ
ラマブルに選択し,ユーザ側で自由に容易に変更出来る
ようにすることにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は,マイクロコンピュータ等のロジックLSI
を製造する段階で、アルミマスタスライスを適用する部
分をEPROMやEEPROM等の書きかえ可能型読み
出し専用メモリに置き換えることにより達成される.又
.EEFROMのデータ書込み回路において高圧デコー
ダに制御用レジスタを設けることにより、容易に且つ高
速にEEPROMにデーダを書き込むことが出来る.〔
作 用〕 E E P ROMは、ゲート電極を正の高圧にすると
データが消去され、常にON状態となる.ゲート電極を
GNDにすると、データが書き込まれ、常にOFF状態
になる様に動作する.EEPROMのゲート電極は、高
圧デコーダにより、正の高圧を印加するか又は、GND
にするが,プログラマプルな高圧デコーダ制御レジスタ
が,高圧デコ−ダをコントロールして、EEPROMの
メモリトランジスタを選択して,正の高圧を印加させた
り、GNDにさせたりする.このことによって,E E
 P ROMを具備した入出力回路は入力専用のもの、
入出力兼用のもの、出力専用のものの3種に,プルアッ
プ抵抗の有無を合せて計6種の回路をプログラマブルに
選択でき,ユーザ側で自由に容易に変更出来る様になる
〔実施例〕
以下,本発明の一実施例を図面を用いて詳細に説明する
. 第1図は,マイクロコンピュータ等のロジックLSIに
内蔵する.EEPROMを具備した入出力回路図である
。4はLSIの入出力端子、5,6,7はEEPROM
のメモリトランジスタ,1はプルアップ抵抗である.2
はマイクロコンピュータ等のロジックLSI内部の外部
への出力回路、3はマイクロコンピュータ等のロジック
LSI内部への入力回路である.EEPROMのメモリ
トランジスタ5のソース側はプルアップ抵抗1と接続し
、ドレイン側はLSIの人出力端子4と接続する.EE
PROMのメモリトランジスタ6のソース側は出力回路
2と接続し、ドレイン側はLSIの入出力端子4と接続
する。EEPROMのメモリトランジスタ7のソース側
はLSIの入出力端子4と接続し,ドレイン側は入力回
路3と接続する.EEPROMのメモリトランジスタ5
,6,7のゲートは,第4図に示されるように高圧デコ
ーダ10に接続する.EEPROMのメモリトランジス
タ5のみがONの時.LSIの入出力端子4はプルアッ
プ抵抗1付きの端子となる.EEPROMのメモリトラ
ンジスタ6のみがONの時、LSIの入出力端子4は出
力端子としての機能を有する.EEPROMのメモリト
ランジスタ7のみがONの時、LSIの入出力端子4は
入力端子としての機能を有する.このようにE E P
 ROMのメモリトランジスタ5,6.7のON状態、
OFF状態の組み合せにより,LSIの入出力端子4の
もつ機能は、プルアップ抵抗1と出力回路2と入力回路
3の組み合せとなる.EEPROMのメモリトランジス
タ5,6.7をプログラマブルに,常にON状態、もし
くはOFF状態にすることが出来ることを、以下説明す
る。
第2図はEEFROMのメモリトランジスタ56,7τ
常にON状態、もしくはOFF状態になる原理を示す.
第2図において8は,EEPROMのメモリトランジス
タを示し、ゲート電圧■。
を与えると,ソース・ドレイン間の電流は矢印方向に流
れることを示している.第3図においてIDで示される
縦軸はEEPROMのメモリトランジスタ8のソース・
ドレイン間電流を示し、vGで示される横軸はEEPR
OMのメモリトランジスタ8のゲート電圧を示す.(a
)は、EEPROMのメモリトランジスタ8のデータ消
去後の特性EEPROMのメモリトランジスタ8のデー
タ消去後の特性(α)において、しきい値電圧を十分小
さく設定すれば,常にON状態に出来,EEPROMの
メモリトランジスタ8のデータ書込み後の特性(b)に
おいて、しきい値電圧を十分大きく設定すれば,常にO
FF状態に出来る.即ちデータの消去後と書込み後では
,しきい値電圧が大きく異なり、ゲート電圧vaを、デ
ータ消去後の特性(a)とデータ書込み後の特性(b)
におけるしきい値電圧の同に設定することによりデータ
消去後は、常にON状態に,データ書込み後は、常にO
FF状態にすることが出来る。
第4図は、EEPROMのメモリトランジスタのデータ
書込み回路を示す.9はEEPROMのメモリトランジ
スタ、10は高圧デコーダ、11のゲートと接続されて
おり,各E E P ROMのメモリトランジスタ9を
データ書込み状態及びデータ消去状態にする機能を有す
る。高圧デコーダ制御レジスタ11は各高圧デコーダ1
0 (EEPROMのメモリトランジスタ9の数だけ存
在する。)に、各高圧デコーダ10に接続するEEPR
OMのメモリトランジスタ9をデータ書込み状態にする
か又はデータ消去状態にするかを制御する機能を有し,
プログラマプルなレジスタである.高圧デコーダ制御レ
ジスタ11を設けることにより,EEPROMのメモリ
トランジスタ9をプログラマブルに゜常にON状態、O
FF状態にすることが出来、又,一度に全てのEEPR
OMのメモリトランジスタ9を制御出来る. 本発明によれば、EEPROMのメモリトランジスタを
具備する入出力回路部はプログラマブルに,入力専用、
入出力兼用、出力専用のもの3種に、プルアップ抵抗の
有無を合せて計6種の回路を選択出来る効果がある. 〔発明の効果〕 本発明によれば,マイクロコンピュータ等のロジックL
SIの入出力回路を、入力専用回路,入出力兼用回路、
出力専用回路の3種にゾルアップ抵抗の有無を合せた計
6種に、プログラマブルに選択できるので,ユーザ側で
自由に容易に,ユーザ側のアプリケーションに合せて、
マイクロコンピュータ等のロジックLSIの入出力回路
形式を選択出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第l図は,本発明の一実施例のマイクロコンピュータ等
のロジックLSIに内蔵するEEPROMを具備した入
出力回路図、第2図はEEPROMのメモリトランジス
タにおけるゲート電圧V。 とソース・ドレイン間の電流IDの関係を説明するため
の図,第3図は、EEPROMのメモリトランジスタに
ついて、データ書込み後及びデータ消去後の電気的特性
を示した図,第4図は、EEPROMのメモリトランジ
スタのデータ書込み回路を示す図である。 1・・・プルアップ抵抗、2・・・出力回路、3・・・
入力回路,4・・一LSIの入出力端子,5,6,7,
8,9・・・EEPROMメモリトランジスタ、1o・
・・高圧デコーダ、11・・・高圧デコーダ制御レジス
タ。 第 2岡 箭 1 口 第3昆 第 4口

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、マイクロコンピュータ等のロジックLSIの入出力
    回路において、前記入出力回路は、入力回路と、出力回
    路と、書きかえ可能型読み出し専用メモリより成り、前
    記入力回路と前記出力回路の切替えを前記書きかえ可能
    型読み出し専用メモリを用いて可能にし、前記マイクロ
    コンピュータ等のロジックLSIの端子の仕様を、プロ
    グラマブルに、入力専用端子、出力専用端子、入出力兼
    用端子の3種にプルアップ抵抗の有無を合せた計6種に
    選択可能にしたことを特徴とするプログラマブル入出力
    回路を内蔵したロジックLSI。 2、前記書きかえ可能型読み出し専用メモリはEEPR
    OMあるいはEPROMであることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載のプログラマブル入出力回路を内蔵
    したロジックLSI。 3、前記EEPROMのデータ書込み回路において、高
    圧デコーダ制御レジスタを設け、一度に高圧デコーダ制
    御レジスタのビットの数だけ、EEPROMメモリセル
    にデータを書けることを特徴とした特許請求の範囲第2
    項記載のプログラマブル入出力回路を内蔵したロジック
    LSI。
JP1241952A 1989-09-20 1989-09-20 プログラマブル入出力回路を内蔵したロジックlsi Pending JPH03105486A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1241952A JPH03105486A (ja) 1989-09-20 1989-09-20 プログラマブル入出力回路を内蔵したロジックlsi

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1241952A JPH03105486A (ja) 1989-09-20 1989-09-20 プログラマブル入出力回路を内蔵したロジックlsi

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03105486A true JPH03105486A (ja) 1991-05-02

Family

ID=17082014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1241952A Pending JPH03105486A (ja) 1989-09-20 1989-09-20 プログラマブル入出力回路を内蔵したロジックlsi

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03105486A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637643A (ja) * 1992-07-16 1994-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Adm方式信号処理装置
US5375740A (en) * 1991-04-26 1994-12-27 Toppan Printing Co., Ltd. Manual dispenser for dispensing predetermined amounts of viscous material through actuation of a trigger

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5375740A (en) * 1991-04-26 1994-12-27 Toppan Printing Co., Ltd. Manual dispenser for dispensing predetermined amounts of viscous material through actuation of a trigger
JPH0637643A (ja) * 1992-07-16 1994-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Adm方式信号処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0287337A2 (en) Programming circuit for programmable logic array I/O cell
JPS5847793B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH0197016A (ja) 半導体集積回路装置
US5452229A (en) Programmable integrated-circuit switch
KR100223623B1 (ko) 비휘발성 기억셀용 테스트 회로
JPH06500195A (ja) 特にicカード用の集積回路メモリのプログラミング方法
JPH03105486A (ja) プログラマブル入出力回路を内蔵したロジックlsi
JPH0917964A (ja) 半導体装置
JPH0221015B2 (ja)
EP0265554A1 (en) Electrically erasable fused programmable logic array
JPS63245016A (ja) プログラマブル・ロジツク・デバイス
JP3888571B2 (ja) モード切替回路
JP3036962B2 (ja) 集積回路のテスト回路
KR0127326B1 (ko) 이피롬 내장형 반도체 집적회로
JPS61255600A (ja) メモリ回路
JPH05291405A (ja) プログラマブル入出力ポートを有する半導体装置
KR920009605B1 (ko) 극성 프로그램어블 회로
JPH0676085A (ja) 配線切替え回路を有する半導体装置
JP2786028B2 (ja) 誤書き込み防止回路
KR900010783A (ko) 반도체 집적회로
JP3270068B2 (ja) 半導体装置
JPH02250427A (ja) プログラム可能なスイッチマトリクス
JPH06302698A (ja) 半導体集積回路装置
KR100186321B1 (ko) 메모리 제어 모듈
JPH0653810A (ja) 半導体集積回路