JPH03105807A - 酸化物超伝導体と酸化物磁性体の積層薄膜 - Google Patents
酸化物超伝導体と酸化物磁性体の積層薄膜Info
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- JPH03105807A JPH03105807A JP1242070A JP24207089A JPH03105807A JP H03105807 A JPH03105807 A JP H03105807A JP 1242070 A JP1242070 A JP 1242070A JP 24207089 A JP24207089 A JP 24207089A JP H03105807 A JPH03105807 A JP H03105807A
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- laminated thin
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸化物超伝導材料、及び、その応用に関する
． 〔従来の技術〕 銅を含む酸化物超伝導体は臨界温度Ｔｃが従来の金属系
の超伝導体にくらべてはるかに高く、液体窒素を冷媒と
して用いることができるという利点をもつが、臨界電流
密度Ｊｃが低いという欠点がある。一方、この銅を含む
酸化物超伝導体の超伝導状態は反強磁性絶縁体に正孔を
ドープすることにより出現しており、超伝導メカニズム
においてもスピン間の磁気的な相互作用が重要な働きを
担っていると考えられている。このことから、銅を含む
酸化物超伝導体のＴｃを，さらに、高めるための、ある
いは．Ｊｃを改善するための方法として酸化物超伝導体
と磁性体の近接的な相互作用を利用することは有力であ
ると考えられる。特に、薄膜に酸化物超伝導体と磁性体
を積層することはこの相互作用を利用する上で有力な方
法であると考えられる。
． 〔従来の技術〕 銅を含む酸化物超伝導体は臨界温度Ｔｃが従来の金属系
の超伝導体にくらべてはるかに高く、液体窒素を冷媒と
して用いることができるという利点をもつが、臨界電流
密度Ｊｃが低いという欠点がある。一方、この銅を含む
酸化物超伝導体の超伝導状態は反強磁性絶縁体に正孔を
ドープすることにより出現しており、超伝導メカニズム
においてもスピン間の磁気的な相互作用が重要な働きを
担っていると考えられている。このことから、銅を含む
酸化物超伝導体のＴｃを，さらに、高めるための、ある
いは．Ｊｃを改善するための方法として酸化物超伝導体
と磁性体の近接的な相互作用を利用することは有力であ
ると考えられる。特に、薄膜に酸化物超伝導体と磁性体
を積層することはこの相互作用を利用する上で有力な方
法であると考えられる。
しかし、酸化物超伝導体薄膜を形成するには、成膜時の
支持体（基板）の温度を６００℃以上にするか，或膜後
に８００℃以上で熱処理をする必要があるため、積層膜
を形成する際に金属，合金の磁性体を用いると酸化物超
伝導体との界面で拡散，反応してしまい，異相の形成、
酸化物超伝導体，及び、磁性体の組成ずれ、界面の急峻
性の喪失といった問題を生じる． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、上記の問題点を解決するためのものであり，
前記の酸化物超伝導体と磁性体の積層薄膜において、磁
性体として金属，合金ではなく、酸化物磁性体を用いる
ことを特徴とする。磁性体として酸化物を用いることに
より、酸化物超伝導体薄膜を形成する際の高温プロセス
においても、界面での拡散，反応を抑えることができ、
急峻な界面を形成することができる。また，酸化物磁性
体は酸化物超伝導体と類似の結晶構造をもつものが多い
ので、適宜な結晶構造，及び、格子定数をもつ酸化物磁
性体を選ぶことにより，界面での結晶構造的欠陥の少な
い積層薄膜を形成することができる。
支持体（基板）の温度を６００℃以上にするか，或膜後
に８００℃以上で熱処理をする必要があるため、積層膜
を形成する際に金属，合金の磁性体を用いると酸化物超
伝導体との界面で拡散，反応してしまい，異相の形成、
酸化物超伝導体，及び、磁性体の組成ずれ、界面の急峻
性の喪失といった問題を生じる． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、上記の問題点を解決するためのものであり，
前記の酸化物超伝導体と磁性体の積層薄膜において、磁
性体として金属，合金ではなく、酸化物磁性体を用いる
ことを特徴とする。磁性体として酸化物を用いることに
より、酸化物超伝導体薄膜を形成する際の高温プロセス
においても、界面での拡散，反応を抑えることができ、
急峻な界面を形成することができる。また，酸化物磁性
体は酸化物超伝導体と類似の結晶構造をもつものが多い
ので、適宜な結晶構造，及び、格子定数をもつ酸化物磁
性体を選ぶことにより，界面での結晶構造的欠陥の少な
い積層薄膜を形成することができる。
この積層構造は、第１図，及び、第２図で示すように，
酸化物磁性体層が酸化物超伝導体層の上であっても下で
あってもかまわない．あるいは、第３図で示すように，
酸化物磁性体層と酸化物超伝導体層を，順次、交互に積
層することによって多層膜を形成することもできる。ま
た、第４図で示すように，酸化物磁性体層を二枚の酸化
物超伝導体層ではさんだ三層構造を形成することにより
、「トンネル現象の物理と応用」 （培風館， １９８
７ｐ．１７７〜ｐ．１８６）で詳述しているような磁性
バリア・トンネル接合素子を構成することができる．こ
の場合，磁性体層として酸化物磁性体を用いることによ
り、酸化物超伝導体層との界面での反応の少ない良好な
素子構造をつくることができる。
酸化物磁性体層が酸化物超伝導体層の上であっても下で
あってもかまわない．あるいは、第３図で示すように，
酸化物磁性体層と酸化物超伝導体層を，順次、交互に積
層することによって多層膜を形成することもできる。ま
た、第４図で示すように，酸化物磁性体層を二枚の酸化
物超伝導体層ではさんだ三層構造を形成することにより
、「トンネル現象の物理と応用」 （培風館， １９８
７ｐ．１７７〜ｐ．１８６）で詳述しているような磁性
バリア・トンネル接合素子を構成することができる．こ
の場合，磁性体層として酸化物磁性体を用いることによ
り、酸化物超伝導体層との界面での反応の少ない良好な
素子構造をつくることができる。
本発明による積層薄膜を形成する際に，酸化物超伝導体
層としては既知のすべての銅を含む酸化物超伝導体を用
いることができるし、あるいは，Ｔｃは低いが、Ｂ ａ
− Ｐ ｂ − Ｂ ｉ一〇系、Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−０
系の酸化物超伝導体を用いることもできる．また、酸化
物磁性体層は，特に、Ｌａ−Ｃａ−Ｍｎ−０系は酸化物
超伝導体層との界面反応が少なく有力である。
層としては既知のすべての銅を含む酸化物超伝導体を用
いることができるし、あるいは，Ｔｃは低いが、Ｂ ａ
− Ｐ ｂ − Ｂ ｉ一〇系、Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−０
系の酸化物超伝導体を用いることもできる．また、酸化
物磁性体層は，特に、Ｌａ−Ｃａ−Ｍｎ−０系は酸化物
超伝導体層との界面反応が少なく有力である。
本発明による酸化物磁性体と酸化物超伝導体の積層薄膜
は，界面での相互の原子の拡散による反応が少ないため
、異相を生じない急峻な界面を形成することができる。
は，界面での相互の原子の拡散による反応が少ないため
、異相を生じない急峻な界面を形成することができる。
また、酸化物磁性体として酸化物超伝導体と格子定数の
整合性のよいものを選ぶことによって、界面の結晶構造
的欠陥の少ない積Ｎ薄嘆を形成することができる。この
ような良好な界面をもつ積層薄膜によって、例えば、磁
性バリア・トンネル接合素子の特性を向上させることが
できる。
整合性のよいものを選ぶことによって、界面の結晶構造
的欠陥の少ない積Ｎ薄嘆を形成することができる。この
ような良好な界面をもつ積層薄膜によって、例えば、磁
性バリア・トンネル接合素子の特性を向上させることが
できる。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。酸化物超伝導
体層、及び、酸化物磁性体層の形成方法は、このほかに
、イオンビームスパッタリング法，電子ビーム蒸着法等
があり，また，これらの方法を組合せて用いてもよい。
体層、及び、酸化物磁性体層の形成方法は、このほかに
、イオンビームスパッタリング法，電子ビーム蒸着法等
があり，また，これらの方法を組合せて用いてもよい。
（１）高周波スパッタリング装置にランタン，カルシウ
ム，マンガン，酸素からなる焼結体ターゲットを装着す
る。この焼結体ターゲットの組成は、Ｌａ ：Ｃａ ：
Ｍｎ＝０．３ ： ０．７ ： １となるようにする
。ターゲットの対向位置に５順×２ ０ ｍ Ｘ ０
． ５ ｍの大きさの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単結
晶を支持体（基板）として固定する。２×１０″″’Ｔ
ｏｒｒ程度にまで排気した後，支持体の表面温度を６０
０℃に保ちつつ、アルゴンを１×１０″″’Ｔｏｒｒの
圧力まで導入する。
ム，マンガン，酸素からなる焼結体ターゲットを装着す
る。この焼結体ターゲットの組成は、Ｌａ ：Ｃａ ：
Ｍｎ＝０．３ ： ０．７ ： １となるようにする
。ターゲットの対向位置に５順×２ ０ ｍ Ｘ ０
． ５ ｍの大きさの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単結
晶を支持体（基板）として固定する。２×１０″″’Ｔ
ｏｒｒ程度にまで排気した後，支持体の表面温度を６０
０℃に保ちつつ、アルゴンを１×１０″″’Ｔｏｒｒの
圧力まで導入する。
１３．５６ＭＨｚ ，出力２００Ｗの高周波グロー放
電により．Ｌａ−Ｃａ−Ｍｎ一〇薄膜を１μｍの厚みま
で堆積する。この膜を空気中９２０℃で１時間熱処理す
ることにより、ＭｇＯ基板上にＬ ａ ｏ．ｓＣ ａ
０．７Ｍ ｎ Ｏ ｓ膜を形成することができる。
電により．Ｌａ−Ｃａ−Ｍｎ一〇薄膜を１μｍの厚みま
で堆積する。この膜を空気中９２０℃で１時間熱処理す
ることにより、ＭｇＯ基板上にＬ ａ ｏ．ｓＣ ａ
０．７Ｍ ｎ Ｏ ｓ膜を形成することができる。
（２）このスパッタリング装置にイットリウム，ノくリ
ウム，銅９酸素からなる焼結体ターゲットを装着する．
この焼結体ターゲットの組或は、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：
２：４．５ となるようにする。ターゲットの対向位
置に、（１）で作製したＬ ａ ｏ．ａｃ ａ ０．７
Ｍ ｎ Ｏ ａ膜を堆積したＭｇＯ単結晶基板を固定す
る。２ Ｘ １ ０””Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後
、支持体の表面温度を６００℃に保ちつつ、アルゴンを
１×１０−４ＴＯｒｒの圧力まで導入する。１３．５６
ＭＨｚ．出力２００Ｗの高周波グロー放電により、ＹＢ
ａ−Ｃｕ−Ｏ薄膜を１μｍの厚みまで堆積する。この膜
を空気中８５０℃で一時間熱処理することにより、Ｌａ
ｏ．ａＣａｏ．７ＭｎＯａ膜上にＹＢａｚｃｕａｏｙを
形成することができる。（１）及び（２）の手順で作製
したＹ Ｂａ２ＣｕａＯｙ／ Ｌａｏ．ａＣａｏ．７Ｍ
ｎ０３積層膜を試料Ａとする。
ウム，銅９酸素からなる焼結体ターゲットを装着する．
この焼結体ターゲットの組或は、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：
２：４．５ となるようにする。ターゲットの対向位
置に、（１）で作製したＬ ａ ｏ．ａｃ ａ ０．７
Ｍ ｎ Ｏ ａ膜を堆積したＭｇＯ単結晶基板を固定す
る。２ Ｘ １ ０””Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後
、支持体の表面温度を６００℃に保ちつつ、アルゴンを
１×１０−４ＴＯｒｒの圧力まで導入する。１３．５６
ＭＨｚ．出力２００Ｗの高周波グロー放電により、ＹＢ
ａ−Ｃｕ−Ｏ薄膜を１μｍの厚みまで堆積する。この膜
を空気中８５０℃で一時間熱処理することにより、Ｌａ
ｏ．ａＣａｏ．７ＭｎＯａ膜上にＹＢａｚｃｕａｏｙを
形成することができる。（１）及び（２）の手順で作製
したＹ Ｂａ２ＣｕａＯｙ／ Ｌａｏ．ａＣａｏ．７Ｍ
ｎ０３積層膜を試料Ａとする。
（３）スパッタリング装置にイットリウム，バリウム，
銅，酸素からなる焼結体ターゲットを装着する。この焼
結体ターゲットの組成は、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：２：４
．５ となるようにする。
銅，酸素からなる焼結体ターゲットを装着する。この焼
結体ターゲットの組成は、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：２：４
．５ となるようにする。
夕一ゲットの対向位置にＭｇＯ単結晶基板を固定する。
２×１０″″’Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後，基板の
表面温度を６００℃に保ちつつ、アルゴンをＩ Ｘ １
０”−’Ｔｏｒｒの圧力まで導入する。
表面温度を６００℃に保ちつつ、アルゴンをＩ Ｘ １
０”−’Ｔｏｒｒの圧力まで導入する。
１３．５６ＭＨｚ ，出力２００Ｗの高周波グロー放
電により． Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０＠膜を１μｍの厚みま
で堆積する。この膜を空気中９００℃で一時間熱処理す
ることにより、Ｍ ｇ’ ０基板上にＹＢａｚＣｕａ○
ｙを形成することができる。
電により． Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０＠膜を１μｍの厚みま
で堆積する。この膜を空気中９００℃で一時間熱処理す
ることにより、Ｍ ｇ’ ０基板上にＹＢａｚＣｕａ○
ｙを形成することができる。
この手順で作製したＹ Ｂ ａ ２Ｃ ｕ ａｏｙ単層
膜を試料Ｂとする． （４）電子ビーム蒸着装置を用いてＭｇ○単結晶基板上
に１μｍの厚さのＭｎ薄膜を堆積する。次に，この膜を
（３）で用いたスパッタリング装置に取り付ける。２
Ｘ １ ０”Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後、基板の表
面温度を６００℃に保ちつつ、アルゴンをＩ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒの圧力まで導入する。
膜を試料Ｂとする． （４）電子ビーム蒸着装置を用いてＭｇ○単結晶基板上
に１μｍの厚さのＭｎ薄膜を堆積する。次に，この膜を
（３）で用いたスパッタリング装置に取り付ける。２
Ｘ １ ０”Ｔｏｒｒ程度にまで排気した後、基板の表
面温度を６００℃に保ちつつ、アルゴンをＩ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒの圧力まで導入する。
１３．５６ＭＨｚ ．出力２ｏｏＷの高周波グロー放
電により、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１μｍの厚みまで
堆積する。この膜を空気中８５０℃で一時間熱処理する
ことにより、ＹＢａｚＣｕ３０ｙ／ Ｍ． ｎ積層膜を
形成することができる６これを試料Ｃとする． （５）試料Ａ，Ｂ，Ｃについて四端子法により比抵抗の
温度特性（ρ−Ｔ特性）を測定する。その結果を第５図
に示す．これによると、試料Ａは試料Ｂに比べＴｃがわ
ずかに高くなっていることがわかる。一方、試料Ｃでは
試料Ｂに比べＴｃは低下し、遷移幅も大きくなっている
ことがわかる。
電により、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄膜を１μｍの厚みまで
堆積する。この膜を空気中８５０℃で一時間熱処理する
ことにより、ＹＢａｚＣｕ３０ｙ／ Ｍ． ｎ積層膜を
形成することができる６これを試料Ｃとする． （５）試料Ａ，Ｂ，Ｃについて四端子法により比抵抗の
温度特性（ρ−Ｔ特性）を測定する。その結果を第５図
に示す．これによると、試料Ａは試料Ｂに比べＴｃがわ
ずかに高くなっていることがわかる。一方、試料Ｃでは
試料Ｂに比べＴｃは低下し、遷移幅も大きくなっている
ことがわかる。
（６）試料Ａ及びＣについて、酸化物超伝導体と磁性体
の界面の急峻性を調べるために、シムス（ＳＩＭＳ）に
よる界面付近の組成分析を行なった．その結果を第６図
に示す．試料Ａでは界面付近での各元素の拡散は比較的
小さいが、試料Ｃでは著しく大きくなっていることがわ
かる．第５図において、試料Ｃのρ一Ｔ特性が著しく劣
っていたのはこのためではないかと考えられる。
の界面の急峻性を調べるために、シムス（ＳＩＭＳ）に
よる界面付近の組成分析を行なった．その結果を第６図
に示す．試料Ａでは界面付近での各元素の拡散は比較的
小さいが、試料Ｃでは著しく大きくなっていることがわ
かる．第５図において、試料Ｃのρ一Ｔ特性が著しく劣
っていたのはこのためではないかと考えられる。
本発明によれば，酸化物超伝導体と酸化物磁性体との積
層により、反応の小さい急峻な界面を形成することがで
きる．
層により、反応の小さい急峻な界面を形成することがで
きる．
第１図は本発明の一実施例の説明図、第２図は本発明の
第二の実施例の説明図、第３図は本発明の第三の実施例
の説明図，第４図は本発明の第四の実施例の説明図、第
５図は本発明の第五の実施例の説明図、第６図は第六の
実施例の説明図である． １・・・酸化物磁性体、 ２・・・酸化物超伝導体、 ３・・・支 第 １ 図 第５図 第 ２ 図 膜釆面かうのｉ末さ（仕怠≠ｆ立２
第二の実施例の説明図、第３図は本発明の第三の実施例
の説明図，第４図は本発明の第四の実施例の説明図、第
５図は本発明の第五の実施例の説明図、第６図は第六の
実施例の説明図である． １・・・酸化物磁性体、 ２・・・酸化物超伝導体、 ３・・・支 第 １ 図 第５図 第 ２ 図 膜釆面かうのｉ末さ（仕怠≠ｆ立２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸化物超伝導体と酸化物磁性体とを積層することを
特徴とする積層薄膜。 ２、支持体上に形成した酸化物超伝導体薄膜上に酸化物
磁性体薄膜を形成することを特徴とする積層薄膜。 ３、支持体上に形成した酸化物磁性体薄膜上に酸化物超
伝導体薄膜を形成することを特徴とする積層薄膜。 ４、支持体上に形成した酸化物超伝導体薄膜上に酸化物
磁性体薄膜を形成し、さらに、その上に酸化物超伝導体
薄膜を形成した三層構造を有することを特徴とする積層
薄膜。 ５、酸化物超伝導体と酸化物磁性体を交互に積層するこ
とにより形成された多層構造を有することを特徴とする
積層薄膜。 ６、前記酸化物磁性体が強磁性を示すことを特徴とする
請求項１、２、３、４または５に記載の積層薄膜。 ７、前記酸化物磁性体が反強磁性を示すことを特徴とす
る請求項１、２、３、４および５に記載の積層薄膜。 ８、前記酸化物磁性体がランタン、カルシウム、マンガ
ン、酸素により構成されることを特徴とする請求項１、
２、３、４または５に記載の積層薄膜。 ９、前記酸化物磁性体がＬａ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘＭｎ
Ｏ＿３（ｘ＝０．０５〜０．９５）であることを特徴と
する請求項１、２、３、４または５に記載の積層薄膜。 １０、前記酸化物磁性体の結晶構造がペロブスカイト構
造であることを特徴とする請求項１ないし９に記載の積
層薄膜。 １１、前記酸化物超伝導体が銅を含むことを特徴とする
請求項１ないし１０に記載の積層薄膜。 １２、前記酸化物超伝導体がイットリウムあるいは希土
類元素、バリウム、銅、酸素により構成されることを特
徴とする請求項１ないし１１に記載の積層薄膜。 １３、前記酸化物超伝導体がビスマス、鉛、ストロンチ
ウム、カルシウム、銅、酸素により構成されることを特
徴とする請求項１ないし１１に記載の積層薄膜。 １４、請求項１ないし１３に記載の積層薄膜をもちいて
形成されることを特徴とする磁性バリア・トンネル接合
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1242070A JP2714176B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 酸化物超伝導体と酸化物磁性体の積層薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1242070A JP2714176B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 酸化物超伝導体と酸化物磁性体の積層薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105807A true JPH03105807A (ja) | 1991-05-02 |
| JP2714176B2 JP2714176B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=17083837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1242070A Expired - Lifetime JP2714176B2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | 酸化物超伝導体と酸化物磁性体の積層薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2714176B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03228803A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-09 | Sumitomo Cement Co Ltd | 酸化物超伝導複合体 |
| JPH042182A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超電導体およびその製造方法 |
| JPH0563249A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Hitachi Ltd | スピン相互作用素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63318014A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-26 | Hitachi Ltd | 金属酸化物超電導薄膜 |
| JPS6452312A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Superconductor |
| JPS6472416A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Super-structure superconductive material |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP1242070A patent/JP2714176B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63318014A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-26 | Hitachi Ltd | 金属酸化物超電導薄膜 |
| JPS6452312A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Superconductor |
| JPS6472416A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Super-structure superconductive material |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH042182A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超電導体およびその製造方法 |
| JPH0563249A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Hitachi Ltd | スピン相互作用素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2714176B2 (ja) | 1998-02-16 |
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