JPH0310636B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0310636B2 JPH0310636B2 JP62153160A JP15316087A JPH0310636B2 JP H0310636 B2 JPH0310636 B2 JP H0310636B2 JP 62153160 A JP62153160 A JP 62153160A JP 15316087 A JP15316087 A JP 15316087A JP H0310636 B2 JPH0310636 B2 JP H0310636B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- products
- carbon tetrachloride
- compound
- tert
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 silicon hydride compound Chemical class 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 14
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- DCFKHNIGBAHNSS-UHFFFAOYSA-N chloro(triethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(CC)CC DCFKHNIGBAHNSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N triethylsilane Chemical compound CC[SiH](CC)CC AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- TWRVYXVQOJCHIF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-chloro-methylsilane Chemical compound C[SiH](Cl)C(C)(C)C TWRVYXVQOJCHIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CAJIIZKPZKCXOG-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-dichloro-methylsilane Chemical compound CC(C)(C)[Si](C)(Cl)Cl CAJIIZKPZKCXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BXAVKNRWVKUTLY-UHFFFAOYSA-N 4-sulfanylphenol Chemical compound OC1=CC=C(S)C=C1 BXAVKNRWVKUTLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWYZNESIGBQHJK-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C1=CC=CC=C1 KWYZNESIGBQHJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OIKHZBFJHONJJB-UHFFFAOYSA-N dimethyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si](C)C1=CC=CC=C1 OIKHZBFJHONJJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ILMRJRBKQSSXGY-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)C(C)(C)C ILMRJRBKQSSXGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BCNZYOJHNLTNEZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyldimethylsilyl chloride Chemical compound CC(C)(C)[Si](C)(C)Cl BCNZYOJHNLTNEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical compound C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- FLEZTVNVBFPJHL-UHFFFAOYSA-N dichloro(silyloxy)silane Chemical compound [SiH3]O[SiH](Cl)Cl FLEZTVNVBFPJHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、塩素化珪素化合物の製造方法に関す
る。 塩素化珪素化合物は、有機珪素化合物の製造あ
るいは有機珪素からなる基を含む化合物の製造に
活性の高い原料として広く用いられる。 〔従来の技術〕 塩素化珪素化合物の製造方法のひとつとして、
水素化珪素化合物に塩素ガスを反応させて塩素化
珪素化合物を得る方法が知られている。しかし、
水素化珪素化合物がＣ−Ｈ結合をもつ場合、その
Ｃ−Ｈ結合の塩素化が同時に起り、副生成物が生
成し、目的とする塩素化珪素化合物の収率が低下
するるという欠点があつた。また、副生成物は精
留によつても分離が難しく、高純度の製品が得ら
れないという欠点もあつた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、上記従来技術のもつている欠点を解
決せんとしてなされたものであり、Ｃ−Ｈ結合を
有するる塩素化珪素化合物を高収率かつ高純度に
製造する方法を提供するものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の方法は、Ｃ−Ｈ結合を有するる水素化
珪素化合物と塩素とを反応させることにより塩素
化珪素化合物を製造するに際して、有機硫黄化合
物の存在下で行なうことを特徴としている。 本発明で利用できる有機硫黄化合物としては
CS2、C2H5SH、C3H7SH、
る。 塩素化珪素化合物は、有機珪素化合物の製造あ
るいは有機珪素からなる基を含む化合物の製造に
活性の高い原料として広く用いられる。 〔従来の技術〕 塩素化珪素化合物の製造方法のひとつとして、
水素化珪素化合物に塩素ガスを反応させて塩素化
珪素化合物を得る方法が知られている。しかし、
水素化珪素化合物がＣ−Ｈ結合をもつ場合、その
Ｃ−Ｈ結合の塩素化が同時に起り、副生成物が生
成し、目的とする塩素化珪素化合物の収率が低下
するるという欠点があつた。また、副生成物は精
留によつても分離が難しく、高純度の製品が得ら
れないという欠点もあつた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、上記従来技術のもつている欠点を解
決せんとしてなされたものであり、Ｃ−Ｈ結合を
有するる塩素化珪素化合物を高収率かつ高純度に
製造する方法を提供するものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の方法は、Ｃ−Ｈ結合を有するる水素化
珪素化合物と塩素とを反応させることにより塩素
化珪素化合物を製造するに際して、有機硫黄化合
物の存在下で行なうことを特徴としている。 本発明で利用できる有機硫黄化合物としては
CS2、C2H5SH、C3H7SH、
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】C18H37SH、
【式】
【式】CH3−Ｓ−C2H5、
【式】C2H5−Ｓ−C2H5、
C4H9−Ｓ−C4H9、
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】CH3−Ｓ−
Ｓ−CH3、ｔ−Bu−Ｓ−Ｓ−ｔ−Bu、
【式】
【式】Ｓ
（CH2CH2OH）2、CH3SCN、C2H5SCN、C2H4
（SCN）2、
（SCN）2、
【式】
【式】CH2NCS、C2H5NCS、
【式】
本発明の方法によれば、有機硫黄化合物の共存
下でＣ−Ｈ結合を有する水素化珪素化合物に塩素
を反応させることにより、副生成物の生成もほと
んどなく、目的とする塩素化珪素化合物が収率よ
く合成できるが、反応機構的には、有機硫黄化合
物が硫黄原子上に塩素を拘束して反応に関与させ
るため、Ｃ−Ｈ基よりもSi−Ｈ基を優先的に攻撃
するものと考えられる。 以下、実施例により本発明を説明する。 実施例 １ tert−ブチルメチルクロロシラン137ｇ（1.00モ
ル）と四塩化炭素270ｇと
下でＣ−Ｈ結合を有する水素化珪素化合物に塩素
を反応させることにより、副生成物の生成もほと
んどなく、目的とする塩素化珪素化合物が収率よ
く合成できるが、反応機構的には、有機硫黄化合
物が硫黄原子上に塩素を拘束して反応に関与させ
るため、Ｃ−Ｈ基よりもSi−Ｈ基を優先的に攻撃
するものと考えられる。 以下、実施例により本発明を説明する。 実施例 １ tert−ブチルメチルクロロシラン137ｇ（1.00モ
ル）と四塩化炭素270ｇと
【式】0.69ｇを（tert−ブチ
ルメチルクロロシランの0.5wt％）の混合物の中
に塩素ガス71ｇ（1.00モル）を温度０℃にて２時
間かけて吹き込み反応させ、反応終了後四塩化炭
素を常圧に加熱し留去した後残留物を蒸留塔を用
いて精製し、沸点135〜136℃でtert−ブチルメチ
ルジクロロシラン170ｇを得た。このとき、 等の副生成物の発生はおこつていなかつた。 比較例 １ 実施例１に於いて
に塩素ガス71ｇ（1.00モル）を温度０℃にて２時
間かけて吹き込み反応させ、反応終了後四塩化炭
素を常圧に加熱し留去した後残留物を蒸留塔を用
いて精製し、沸点135〜136℃でtert−ブチルメチ
ルジクロロシラン170ｇを得た。このとき、 等の副生成物の発生はおこつていなかつた。 比較例 １ 実施例１に於いて
【式】を入
れずに同様の条件下で実験を行なつた処、tert−
ブチルメチルジクロロシランは得られたが次の副
生成物が次の割合で含まれていた。 〔Ａ〕 ………1.1％ 〔Ｂ〕 ………12.6％ 〔Ｃ〕 ………1.3％ 実施例 ２〜５ tert−ブチルメチルクロロシラン137ｇ（1.00モ
ル）と塩素ガスとを第１表に記載した条件で反応
させ、その後に溶媒の四塩化炭素を留去し、実施
例１と同様に沸点135〜136℃でtert−ブチルメチ
ルジクロロシランを第１表に示す収率で得た。 この実施例からも硫黄化合物を使用した場合副
生成物〔Ａ〕、〔Ｂ〕及び〔Ｃ〕が全く生成しない
ことが判る。
ブチルメチルジクロロシランは得られたが次の副
生成物が次の割合で含まれていた。 〔Ａ〕 ………1.1％ 〔Ｂ〕 ………12.6％ 〔Ｃ〕 ………1.3％ 実施例 ２〜５ tert−ブチルメチルクロロシラン137ｇ（1.00モ
ル）と塩素ガスとを第１表に記載した条件で反応
させ、その後に溶媒の四塩化炭素を留去し、実施
例１と同様に沸点135〜136℃でtert−ブチルメチ
ルジクロロシランを第１表に示す収率で得た。 この実施例からも硫黄化合物を使用した場合副
生成物〔Ａ〕、〔Ｂ〕及び〔Ｃ〕が全く生成しない
ことが判る。
【表】
【表】
実施例 ６
トリエチルシラン174ｇ（1.5モル）と四塩化炭
素260ｇと
素260ｇと
【式】を1.22ｇ（ト
リエチルシランの0.7wt％）の混合物の中に塩素
ガス106ｇ（1.5モル）を温度10℃にて２時間かけ
て吹き込み反応させ、反応終了後、四塩化炭素を
常圧にて加熱し留去した後、残留物を蒸留塔を用
いて精製し、沸点144〜145℃でトリエチルクロロ
シラン219ｇを得た。このとき、 等の副生成物の発生はなかつた。 比較例 ２ 実施例６に於て、硫化フエニルを入れずに、同
様の条件下で実験を行なつた処、トリエチルクロ
ロシランは得られたが、次の副生成物が次の割合
で含まれていた。 〔Ｄ〕 ………2.8％ 〔Ｅ〕 ………2.5％ 〔Ｆ〕 ………2.1％ 実施例 ７ tert−ブチルジメチルシラン267ｇ（2.3モル）
と四塩化炭素670ｇと４−メルカプトフエノール
ガス106ｇ（1.5モル）を温度10℃にて２時間かけ
て吹き込み反応させ、反応終了後、四塩化炭素を
常圧にて加熱し留去した後、残留物を蒸留塔を用
いて精製し、沸点144〜145℃でトリエチルクロロ
シラン219ｇを得た。このとき、 等の副生成物の発生はなかつた。 比較例 ２ 実施例６に於て、硫化フエニルを入れずに、同
様の条件下で実験を行なつた処、トリエチルクロ
ロシランは得られたが、次の副生成物が次の割合
で含まれていた。 〔Ｄ〕 ………2.8％ 〔Ｅ〕 ………2.5％ 〔Ｆ〕 ………2.1％ 実施例 ７ tert−ブチルジメチルシラン267ｇ（2.3モル）
と四塩化炭素670ｇと４−メルカプトフエノール
【式】2.67ｇ（tert−ブチルジ
メチルシランの1.0wt％）の混合物の中に塩素ガ
ス163ｇ（2.3モル）を温度20℃にて２時間30分か
けて吹き込み反応させ、反応終了後四塩化炭素を
常圧にて加熱し留去した後残留物を蒸留塔を用い
て精製し、沸点124〜125℃でtert−ブチルジメチ
ルクロロシラン343ｇを得た。このとき、 等の副生成物の発生はおこらなかつた。 比較例 ３ 実施例７に於いて、４−メルカプトフエノール
を入れずに、同様の条件下で実験を行なつた処、
tert−ブチルジメチルクロロシランは得られたが
次の副生成物が次の割合で含まれていた。 〔Ｇ〕 ………1.9％ 〔Ｈ〕 ………1.5％ 〔Ｉ〕 ………1.7％ 実施例 ８ １，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
268ｇ（２モル）と四塩化炭素540ｇとロダンフエ
ノール
ス163ｇ（2.3モル）を温度20℃にて２時間30分か
けて吹き込み反応させ、反応終了後四塩化炭素を
常圧にて加熱し留去した後残留物を蒸留塔を用い
て精製し、沸点124〜125℃でtert−ブチルジメチ
ルクロロシラン343ｇを得た。このとき、 等の副生成物の発生はおこらなかつた。 比較例 ３ 実施例７に於いて、４−メルカプトフエノール
を入れずに、同様の条件下で実験を行なつた処、
tert−ブチルジメチルクロロシランは得られたが
次の副生成物が次の割合で含まれていた。 〔Ｇ〕 ………1.9％ 〔Ｈ〕 ………1.5％ 〔Ｉ〕 ………1.7％ 実施例 ８ １，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
268ｇ（２モル）と四塩化炭素540ｇとロダンフエ
ノール
【式】0.80ｇ（１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサンの0.3wt％）
の混合物の中に、塩素ガス291ｇ（4.1モル）を温
度−５℃にて３時間かけて、吹き込み反応させ、
反応終了後四塩化炭素を常圧にて加熱し留去した
後、残留物を蒸留塔を用いて精製し、沸点137〜
138℃で１，１，３，３−テトラメチル−１，３
−ジクロロジシロキサン398ｇを得た。このとき、 等の副生成物の発生はおこつていなかつた。 比較例 ４ 実施例８に於いて、ロダンフエノールを入れず
に、同様の条件下で実験を行なつた処、１，１，
３，３−テトラメチル−１，３−ジクロロジシロ
キサンは得られたがが次の副生成物が次の割合で
含まれていた。 〔Ｊ〕 ………2.3％ 〔Ｋ〕 ………1.6％ 〔Ｌ〕 ………1.5％ 実施例 ９ ジメチルフエニルシラン136ｇ（１モル）と四
塩化炭素400ｇとテトラヒドロチオフエン
の混合物の中に、塩素ガス291ｇ（4.1モル）を温
度−５℃にて３時間かけて、吹き込み反応させ、
反応終了後四塩化炭素を常圧にて加熱し留去した
後、残留物を蒸留塔を用いて精製し、沸点137〜
138℃で１，１，３，３−テトラメチル−１，３
−ジクロロジシロキサン398ｇを得た。このとき、 等の副生成物の発生はおこつていなかつた。 比較例 ４ 実施例８に於いて、ロダンフエノールを入れず
に、同様の条件下で実験を行なつた処、１，１，
３，３−テトラメチル−１，３−ジクロロジシロ
キサンは得られたがが次の副生成物が次の割合で
含まれていた。 〔Ｊ〕 ………2.3％ 〔Ｋ〕 ………1.6％ 〔Ｌ〕 ………1.5％ 実施例 ９ ジメチルフエニルシラン136ｇ（１モル）と四
塩化炭素400ｇとテトラヒドロチオフエン
【式】0.14ｇ（ジメチル−フエニル
シランの0.1wt％）の混合物の中に、塩素ガス78
ｇ（1.1モル）を温度15℃にて２時間かけて、吹
き込み反応させ、反応終了後四塩化炭素を常圧に
て加熱し留去した後、残留物を蒸留塔を用いて精
製し、16mmHg減圧にて、80〜84℃でジメチルフ
エニル−クロロシランを得た。このとき、 等の副生成物の発生はなかつた。 比較例 ５ 実施例９に於いて、テトラヒドロチオフエンを
入れずに、同様の条件下で実験を行なつた処、ジ
メチルフエニル−クロロシランは得られたが、次
の副生成物が次の割合で含まれていた。 〔Ｍ〕 ………1.4％ 〔Ｎ〕 ………0.7％
ｇ（1.1モル）を温度15℃にて２時間かけて、吹
き込み反応させ、反応終了後四塩化炭素を常圧に
て加熱し留去した後、残留物を蒸留塔を用いて精
製し、16mmHg減圧にて、80〜84℃でジメチルフ
エニル−クロロシランを得た。このとき、 等の副生成物の発生はなかつた。 比較例 ５ 実施例９に於いて、テトラヒドロチオフエンを
入れずに、同様の条件下で実験を行なつた処、ジ
メチルフエニル−クロロシランは得られたが、次
の副生成物が次の割合で含まれていた。 〔Ｍ〕 ………1.4％ 〔Ｎ〕 ………0.7％
Claims (1)
- １ Ｃ−Ｈ結合を有する水素化珪素化合物と塩素
とを有機硫黄化合物の存在下に反応させることを
特徴とする塩素化珪素化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62153160A JPS63316791A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 塩素化珪素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62153160A JPS63316791A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 塩素化珪素化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63316791A JPS63316791A (ja) | 1988-12-26 |
| JPH0310636B2 true JPH0310636B2 (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15556350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62153160A Granted JPS63316791A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 塩素化珪素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63316791A (ja) |
-
1987
- 1987-06-19 JP JP62153160A patent/JPS63316791A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63316791A (ja) | 1988-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4276424A (en) | Methods for the production of organic polysilanes | |
| JP3543352B2 (ja) | 含硫黄有機珪素化合物の製造方法 | |
| JPH10316688A (ja) | アルケニルシランの製造方法 | |
| JPH0331290A (ja) | 第３級炭化水素基含有ハロゲン化シランの製造方法 | |
| JPS63250388A (ja) | モノアルコキシシラン化合物の製造方法 | |
| JPH0791307B2 (ja) | シクロペンチルトリクロロシランの製造方法 | |
| JPS6011715B2 (ja) | オルガノシロキサンの製造方法 | |
| JPH0257075B2 (ja) | ||
| US3511866A (en) | Isocyanatoalkyl halo silanes and methods for making same | |
| JPH0310636B2 (ja) | ||
| JP3279148B2 (ja) | ２−アリロキシメチル−１，４−ジオキサンの製造方法 | |
| EP0577139B1 (en) | Method for preparing triorganomonohalogenosilane | |
| JP2002020392A (ja) | Ｎ−アルケニルアザシラシクロペンタン、およびその製造方法 | |
| JP3137439B2 (ja) | １−アザ−２−シラシクロブタン化合物及びその製造法 | |
| US5606088A (en) | Process for preparation of organodisilanes | |
| JPH0673072A (ja) | オルガノオキシシラン水素化物の製造方法 | |
| JPS62153322A (ja) | 末端ジヒドロオルガノシロキサンの製造方法 | |
| JPH06228161A (ja) | イソシアネート基含有オルガノポリシロキサンの製造方法 | |
| JP3874073B2 (ja) | テキシル基を有するクロロシラン化合物の製造方法 | |
| JP2538447B2 (ja) | Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルジアルキルシリルマレイミドの製造方法 | |
| US3405155A (en) | Process for the preparation of diphenylsilanediol | |
| JPH0470250B2 (ja) | ||
| EP0234412A1 (en) | 1,2-dichloro-1,2,2-trimethyl-1-phenyldisilane and method for producing the same | |
| JP4001282B2 (ja) | 共役ジエン類のシリル化反応による有機ケイ素化合物の製造方法 | |
| JPH034557B2 (ja) |