JPH0310674Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案は抵抗溶接用気密容器に関し、特に例
えばトランジスタ等の半導体装置や弾性表面波素
子等の封止容器に好適するものである。

従来の技術 半導体素子や弾性表面波素子等は湿気により特
性劣化を生じやすいため、一般に外気と遮断され
て封止されている。最近は樹脂封止型の構造のも
のが多いが、信頼性の点ではステムとキヤツプを
接合封止したカンケース型のものに及ばない。

第５図は従来のトランジスタステム１の平面図
を示し、２はステム基板で、下端周縁にフランジ
３を有し、フランジ３の上面に抵抗溶接用のプロ
ジエクシヨン４が形成されている。このステム基
板３の中央部近傍には２個の透孔５，５が形成さ
れており、各透孔５，５にはガラス６，６を介し
てリード線７，７が気密絶縁的に封着されてい
る。ステム基板２の下面にはコレクタ用のリード
線８が抵抗溶接されている。ステム基板２の上面
の略中央部には半導体素子９が半田で固着され、
この半導体素子９の上面のエミツタ電極、ベース
電極と各リード線７，７の頂部とが金属細線１
０，１０によつて接続されている。そして、第６
図に２点鎖線で示す、キヤツプ１１のフランジ１
２を、ステム１のフランジ３に重ね合せて抵抗溶
接して封止している。

考案が解決しようとする問題点 ところで、上記ステム１のフランジ３のプロジ
エクシヨン４は、例えば特公昭47−12607号公報
に示されるように、フランジ３の幅をＬとする
と、フランジ３の外方端からの寸法ｌがＬ／２な
いしその近傍に形成されている。一方、キヤツプ
１１のフランジ１２の付け根部１３は絞りプレス
加工の都合上かなり大きい曲率半径の曲面状にな
つており、フランジ１２の水平部分の寸法l′は、
第７図に示すように、非常に小さくなつている。
このため、ステム１のフランジ３の先端が、キヤ
ツプ１１のフランジ１２の水平部分に当接し難く
なる。もし、このようにプロジエクシヨン４の先
端がキヤツプ１１の曲面状の付け根部１３に当接
する状態で抵抗溶接を実施すると、溶接条件が一
定せず、溶接の信頼性が乏しくなりやすい。ま
た、第８図に示すように、プロジエクシヨン４が
溶融する時に、溶融金属が湯玉１４となつて、ス
テム１とキヤツプ１１の隙間１５から半導体素子
９の方へ飛び散りやすいので、湯玉１４によつて
半導体素子９が劣化しやすかつた。さらに、溶接
部分１６がフランジ３の略中央部になるので、溶
接部分１６の外方のフランジ３と１１との間に隙
間１７が形成されて、酸洗い時の処理液等が抜け
切れずに、腐蝕の原因になるといつた各種の問題
点があつた。

問題点を解決するための手段 この考案は、上記の問題点を解決するために、
プロジエクシヨンをフランジの外方端に形成した
ことを特徴とするものである。

作 用 上記の手段によれば、プロジエクシヨンの先端
が常に相手方のフランジの水平部分に当接するの
で、溶接条件が一定し、信頼性の高い抵抗溶接が
可能になる。また、プロジエクシヨンの溶融時に
湯玉が発生しても、湯玉の飛散する角度が従来よ
りも小さくなるので、ステム基板の側面部にぶつ
かり、半導体素子等の素子上に飛散付着しないた
め、素子の特性劣化が生じなくなる。さらに、溶
接部分がフランジの外方端に形成されることによ
つて、フランジ間に隙間が形成されなくなり、酸
洗い時の処理液等が抜け切らないことに起因する
腐蝕がなくなる。

実施例 以下、この考案の実施例について図面を参照し
て説明する。

第１図はステム１とキヤツプ１１の溶接前のフ
ランジ３，１２の拡大断面図を示す。図におい
て、フランジ３の外方端にプロジエクシヨン４を
形成したほかは第７図と同様であるため、同一部
分には同一参照符号を付して、その説明を省略す
る。

上記の構成によれば、キヤツプ１１のフランジ
１２の水平部分の寸法l′が小さくても、プロジエ
クシヨン４の先端は必ずフランジ１２の水平部分
に当接し、常に一定した溶接条件で溶接が行なえ
るので、信頼性の高い溶接ができる。また、プロ
ジエクシヨン４をフランジ３の外方端に形成した
ことによつて、プロジエクシヨン４の溶融時に発
生する湯玉１４の飛散角度が、第２図に示すよう
に、フランジ１２の付け根部１３によつて規制さ
れて小さくなり、湯玉１４がステム基板２に衝突
する結果、ステム基板２とキヤツプ１１との間に
隙間１５が存在していても、半導体素子９上に湯
玉１４が飛散しなくなり、半導体素子９の湯玉１
に起因する特性劣化がなくなる。さらに、溶接部
分１６がフランジ３，１２の外方端になるので、
従来の第８図のような、フランジ３，１２間の隙
間１７が形成されなくなり、溶接後に酸洗い等の
液処理を施しても、処理液が隙間に抜け切れずに
残留することが皆無になり、残留処理液に起因す
る腐蝕が発生しなくなる。

なお、上記実施例は、断面が三角形状のプロジ
エクシヨン４を形成した場合について説明した
が、第３図に示すように、断面が鋸歯状のプロジ
エクシヨン４′を形成してもよい。

また、第４図に示すように、キヤツプ１１のフ
ランジ１２の外方端にプロジエクシヨン１８を形
成してもよい。

さらに、この考案は図示例のトランジスタのみ
ならず、他の半導体装置や弾性表面波素子等の気
密容器にも実施できる。

考案の効果 この考案によれば、プロジエクシヨンをステム
またはキヤツプのフランジの外方端に形成したの
で、プロジエクシヨンの先端が常に相手方のフラ
ンジの水平部分に当接し、溶接条件が一定するの
で、信頼性の高い抵抗溶接が行なえる。また、湯
玉の飛散角度が従来よりも小さくなり、素子の上
へ飛散しなくなり、湯玉の付着に起因する素子の
特性劣化がなくなる。さらに、溶接部分がフラン
ジの外方端に形成されるので、フランジ間に隙間
が形成されることがなく、酸洗い液等の残留に起
因する腐蝕もなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例の抵抗溶接用気密
容器のフランジの溶接前における拡大断面図で、
第２図は溶接時における拡大断面図である。第３
図および第４図はそれぞれこの考案の他の実施例
の抵抗溶接用気密容器のフランジの溶接前の拡大
断面図である。第５図は従来の半導体装置用ステ
ムの平面図で、第６図は第５図の−線に沿う
断面図、第７図はフランジの溶接前の拡大断面
図、第８図は溶接時における拡大断面図である。 １……ステム、３……フランジ、４，４′……
プロジエクシヨン、１１……キヤツプ、１２……
フランジ、１８……プロジエクシヨン。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ ステムのフランジとキヤツプのフランジとを
   重ね合せて抵抗溶接するために、いずれか一方
   のフランジにプロジエクシヨンを形成した抵抗
   溶接用気密容器において、 前記プロジエクシヨンをフランジの外方端に
   形成したことを特徴とする抵抗溶接用気密容
   器。 ２ 前記プロジエクシヨンを、ステムのフランジ
   の上面外方端に形成したことを特徴とする、実
   用新案登録請求の範囲第１項記載の抵抗溶接用
   気密容器。 ３ 前記プロジエクシヨンを、キヤツプのフラン
   ジの下面外方端に形成したことを特徴とする、
   実用新案登録請求の範囲第１項記載の抵抗溶接
   用気密容器。